CN209232764U - 一种二极管的三脚封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型系提供一种二极管的三脚封装结构,包括绝缘基座和绝缘封装体,绝缘基座和绝缘封装体之间设有互不接触的一个第一导电引脚和两个第二导电引脚;第一导电引脚上设有两个安装凹槽,安装凹槽上均安装有一个二极管晶片,二极管晶片的第一电极与安装凹槽的底部焊接相连,第二导电引脚上设有一个焊接凹槽,焊接凹槽内填充有焊料层,二极管晶片的第二电极焊接有导线,导线远离二极管晶片的一端插入焊料层内。本实用新型能够避免二极管晶片发生偏移,可有效确保整体封装结构的稳定性;此外,导线与引脚之间的接触面积显著增大,能够有效提高导线与引脚之间连接关系的可靠性。
Description
技术领域
本实用新型涉及二极管,具体公开了一种二极管的三脚封装结构。
背景技术
二极管,是一种能够单向传导电流的电子器件,在二极管内部设有PN结,PN结的两端设有引线端子,如果按照外加电压的方向,具备电流的单向传导性,大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为整流功能。
SOT-23是一种表面贴装的封装形式,引脚设有三个。二极管的三脚封装通常为共阴极结构或共阳极结构,两个二极管晶片的共极端相连在一个引脚上、另外两端分别连接在其余两个引脚上,形成三脚封装的结构。现有技术中,两个二极管晶片是直接焊接在一个引脚上,焊接过程中需要确保两个二极管晶片保持一定距离,否则很容易导致两个二极管短路,安装焊接操作繁琐;两个二极管晶片的非共极端电极需要通过导线与另外两个引脚焊接相连,导线与引脚之间只有面积极小的端面接触,焊接容易出现接触不良,影响整体性能。
实用新型内容
基于此,有必要针对现有技术问题,提供一种二极管的三脚封装结构,能够有效方便焊接二极管晶片及导线,焊接操作简单,且整体结构具有良好的稳定性和可靠性。
为解决现有技术问题,本实用新型公开一种二极管的三脚封装结构,包括绝缘基座和绝缘封装体,绝缘基座和绝缘封装体之间设有互不接触的一个第一导电引脚和两个第二导电引脚,两个第二导电引脚分别位于第一导电引脚的两侧;
第一导电引脚上设有两个安装凹槽,安装凹槽上均安装有一个二极管晶片,二极管晶片的第一电极与安装凹槽的底部焊接相连,第二导电引脚上设有一个焊接凹槽,焊接凹槽内填充有焊料层,二极管晶片的第二电极焊接有导线,导线远离二极管晶片的一端插入焊料层内。
进一步的,绝缘基座为导热硅胶座。
进一步的,绝缘基座的底部设有若干第一散热槽。
进一步的,绝缘封装体为环氧树脂封装体。
进一步的,绝缘封装体的顶部设有若干第二散热槽。
进一步的,导线为铜线、金线或合金线。
进一步的,焊料层为银浆层。
本实用新型的有益效果为:本实用新型公开一种二极管的三脚封装结构,设置可靠的限位安装槽结构,安装二极管晶片时无需进行复杂的对位操作,可有效避免两个二极管晶片发生短路,而且使用过程中能够避免二极管晶片发生偏移,可有效确保整体封装结构的稳定性;此外,导线与引脚之间的接触面积显著增大,能够有效提高导线与引脚之间连接关系的可靠性,可有效避免导线脱离引脚而发生断路,能够有效确保整体结构的性能。
附图说明
图1为本实用新型的俯视结构示意图。
图2为本实用新型中绝缘基座、第一导电引脚和第二导电引脚的立体结构示意图。
图3为本实用新型除去绝缘封装体后的立体结构示意图。
图4为本实用新型沿图1中A-A’的剖面结构示意图。
附图标记为:绝缘基座10、第一散热槽101、绝缘封装体11、第二散热槽111、第一导电引脚20、安装凹槽21、第二导电引脚30、焊接凹槽31、焊料层32、二极管晶片40、导线 41。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能,下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
参考图1至图4。
本实用新型实施例公开一种二极管的三脚封装结构,包括绝缘基座10和绝缘封装体11,绝缘基座10和绝缘封装体11之间设有互不接触的一个第一导电引脚20和两个第二导电引脚 30,优选地,第一导电引脚20和第二导电引脚30均固定于绝缘基座10上,第一导电引脚20 和第二导电引脚30均位于绝缘封装体11的底部内,两个第二导电引脚30分别位于第一导电引脚20的两侧,第一导电引脚20和第二导电引脚30均有一端穿出到绝缘封装体11外;
第一导电引脚20上设有两个安装凹槽21,安装凹槽21上均安装有一个二极管晶片40,二极管晶片40的第一电极与安装凹槽21的底部焊接相连,一般情况下,在安装凹槽21的底部涂覆熔融焊锡,再安装压入二极管晶片40,直至焊锡固化成型,则完成安装,操作方便,无需复杂对位,且安装结构稳定可靠,第二导电引脚30上设有一个焊接凹槽31,焊接凹槽31内填充有焊料层32,二极管晶片40的第二电极焊接有导线41,导线41远离二极管晶片 40的一端插入焊料层32内,即导线41连通第二导电引脚30和二极管晶片40的第二电极,导线41的一端镶入焊料层32中,能够有效提高导线41与第二导电引脚30之间连接关系的稳定性。
两个二极管晶片40共极连接,第一导电引脚20可为正极或负极,第二导电引脚30则为另一电极,采用SOT-23的方式进行封装。
在本实施例中,绝缘基座10为导热硅胶座,导热硅胶具有良好的导热性能和绝缘性能,能够有效提高封装结构整体的散热效率,同时能够有效避免导电引脚20被短路。
基于上述实施例,绝缘基座10的底部设有若干第一散热槽101,能够进一步提高绝缘基座10的散热效率,可进一步确保二极管晶片40的工作性能。
在本实施例中,绝缘封装体11为环氧树脂封装体,环氧树脂具有良好的机械和化学抗性,能够有效保护封装体内部的结构。
基于上述实施例,绝缘封装体11的顶部设有若干第二散热槽111,能够进一步提高绝缘基座10的散热效率,可进一步确保二极管晶片40的工作性能。
在本实施例中,导线41为铜线、金线或合金线,铜线的成本较低,金线的导电性能强,合金线的机械性能强。
在本实施例中,焊料层32为银浆层,银具有良好的导电性能、散热性能和粘结性能,可有效确保二极管晶片40的工作性能,同时能够确保焊料层32、导线41和第二导电引脚30 之间的连接关系稳固。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (7)
1.一种二极管的三脚封装结构,包括绝缘基座(10)和绝缘封装体(11),其特征在于,所述绝缘基座(10)和所述绝缘封装体(11)之间设有互不接触的一个第一导电引脚(20)和两个第二导电引脚(30),两个所述第二导电引脚(30)分别位于所述第一导电引脚(20)的两侧;
所述第一导电引脚(20)上设有两个安装凹槽(21),所述安装凹槽(21)上均安装有一个二极管晶片(40),所述二极管晶片(40)的第一电极与所述安装凹槽(21)的底部焊接相连,所述第二导电引脚(30)上设有一个焊接凹槽(31),所述焊接凹槽(31)内填充有焊料层(32),所述二极管晶片(40)的第二电极焊接有导线(41),所述导线(41)远离所述二极管晶片(40)的一端插入所述焊料层(32)内。
2.根据权利要求1所述的一种二极管的三脚封装结构,其特征在于,所述绝缘基座(10)为导热硅胶座。
3.根据权利要求2所述的一种二极管的三脚封装结构,其特征在于,所述绝缘基座(10)的底部设有若干第一散热槽(101)。
4.根据权利要求1所述的一种二极管的三脚封装结构,其特征在于,所述绝缘封装体(11)为环氧树脂封装体。
5.根据权利要求4所述的一种二极管的三脚封装结构,其特征在于,所述绝缘封装体(11)的顶部设有若干第二散热槽(111)。
6.根据权利要求1所述的一种二极管的三脚封装结构,其特征在于,所述导线(41)为铜线、金线或合金线。
7.根据权利要求1所述的一种二极管的三脚封装结构,其特征在于,所述焊料层(32)为银浆层。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201920110464.6U CN209232764U (zh) | 2019-01-21 | 2019-01-21 | 一种二极管的三脚封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201920110464.6U CN209232764U (zh) | 2019-01-21 | 2019-01-21 | 一种二极管的三脚封装结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN209232764U true CN209232764U (zh) | 2019-08-09 |
Family
ID=67510684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN201920110464.6U Active CN209232764U (zh) | 2019-01-21 | 2019-01-21 | 一种二极管的三脚封装结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN209232764U (zh) |
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