CN209199917U - 一种具有全方位散热功能的三极管封装结构 - Google Patents
一种具有全方位散热功能的三极管封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN209199917U CN209199917U CN201920097543.8U CN201920097543U CN209199917U CN 209199917 U CN209199917 U CN 209199917U CN 201920097543 U CN201920097543 U CN 201920097543U CN 209199917 U CN209199917 U CN 209199917U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- triode
- conductive pin
- insulation
- encapsulating structure
- sinking function
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0601—Structure
- H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
本实用新型系提供一种具有全方位散热功能的三极管封装结构,包括绝缘基座和绝缘封装体,绝缘基座和绝缘封装体之间设有三个导电引脚,其中一个导电引脚上导电安装有三极管晶片,三极管晶片还通过导线与另外两个导电引脚导电相连;绝缘封装体的顶部设有若干散热凹槽,绝缘基座上设有两个限位凹槽,限位凹槽位于相邻两个导电引脚的连线中点处,限位凹槽与相邻两个导电引脚之间的连线垂直,每个限位凹槽上均设有一直径为R的导热金属杆,相邻两个导电引脚之间的距离为D,D>R。本实用新型能有效提高三极管晶片在竖直的方向散热效率,同时能够提高三极管晶片在水平方向的散热效率,从而有效确保三极管整体的性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及三极管,具体公开了一种具有全方位散热功能的三极管封装结构。
背景技术
三极管,全称半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件,其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结吧整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区。
SOT-23是一种表面贴装的封装形式,引脚设有三个。三极管封装结构一般包括三个导电引脚、三极管晶片和封装体。三极管在工作时,内部的三极管晶片会产生较多热量,热量积聚于三极管封装体内部会影响三极管晶片的性能,现有技术中,三极管封装体一般都采用环氧树脂对三极管进行封装,散热性能较差,容易三极管晶片的性能。
实用新型内容
基于此,有必要针对现有技术问题,提供一种具有全方位散热功能的三极管封装结构,具有优良的纵向及横向散热功能,能够有效确保三极管的工作性能。
为解决现有技术问题,本实用新型公开一种具有全方位散热功能的三极管封装结构,包括绝缘基座和绝缘封装体,绝缘基座和绝缘封装体之间设有三个互不接触的导电引脚,其中一个导电引脚上导电安装有三极管晶片,三极管晶片还通过导线与另外两个导电引脚导电相连;
绝缘封装体的顶部设有若干散热凹槽,绝缘基座上设有两个限位凹槽,限位凹槽位于相邻两个导电引脚的连线中点处,限位凹槽与相邻两个导电引脚之间的连线垂直,每个限位凹槽上均设有一直径为R的导热金属杆,相邻两个导电引脚之间的距离为D,D>R。
进一步的,限位凹槽为半圆凹槽。
进一步的,绝缘封装体为环氧树脂封装体。
进一步的,导电引脚包括一体成型的上平台、弯折部和下连接片,上平台位于绝缘封装体内,弯折部和下连接片位于绝缘封装体外。
进一步的,下连接片贯穿有焊料附着孔。
进一步的,焊料附着空呈上宽下窄的圆台状。
进一步的,三极管晶片设于中间的导电引脚上。
进一步的,导线包括铜线,铜线的外包覆有绝缘层。
本实用新型的有益效果为:本实用新型公开一种具有全方位散热功能的三极管封装结构,在封装体的顶部设置散热凹槽,能有效提高三极管晶片在竖直的方向散热效率,同时设置横向放置的导热结构,能够提高三极管晶片在水平方向的散热效率,可避免热能大量积聚于三极管封装体的任一方向,从而有效确保三极管整体的性能,同时能够延长三极管封装结构的使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型的俯视结构示意图。
图2为本实用新型沿图1中A-A’的剖面结构示意图。
图3为本实用新型除去绝缘封装体和导热金属杆后的立体结构示意图。
图4为本实用新型中导线的剖面结构示意图。
附图标记为:绝缘基座10、限位凹槽11、导热金属杆12、绝缘封装体20、散热凹槽21、导电引脚30、上平台31、弯折部32、下连接片33、焊接附着孔331、三极管晶片40、导线41、铜线411、绝缘层412。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能,下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
参考图1至图4。
本实用新型实施例公开一种具有全方位散热功能的三极管封装结构,包括绝缘基座10和绝缘封装体20,绝缘基座10和绝缘封装体20之间设有三个互不接触的导电引脚30,其中一个导电引脚30上导电安装有三极管晶片40,三极管晶片40还通过导线41与另外两个导电引脚30导电相连;
绝缘封装体20的顶部设有若干散热凹槽21,散热凹槽21用于提高绝缘封装体20纵向的散热效率,绝缘基座10上设有两个横向水平设置的限位凹槽11,限位凹槽11位于相邻两个导电引脚30的连线中点处,限位凹槽11与相邻两个导电引脚30之间的连线垂直,每个限位凹槽11上均设有一直径为R的导热金属杆12,导热金属杆12贯穿绝缘封装体20的两侧,三极管晶片40工作时产生的热量通过绝缘封装体20传递到导热金属杆12上,导热金属杆12将热量横向传递到绝缘封装体20的侧面外,能够有效提高三极管封装结构整体的散热效率,相邻两个导电引脚30之间的距离为D,D>R,设置限位凹槽11位于两导电引脚30连线中心,同时设置导热金属杆12的直径比两导电引脚30的间距小,确保导热金属杆12不会与导电引脚30接触,避免导电引脚30被短路。
本实用新型的加工过程为:将导电引脚30放在绝缘基座10上,将三极管晶片40焊接在其中一个导电引脚30上,再通过导线41连接三极管晶片40和另外两个导电引脚30,将导热金属杆12安装在限位凹槽11上,再将上述初步摆放连接好的结构放入注塑模具中,在绝缘基座10上注塑形成绝缘封装体20。
本实用新型在封装体的顶部设置散热凹槽21,能有效提高三极管晶片40在竖直的方向散热效率,同时设置横向放置的导热结构,能够提高三极管晶片40在水平方向的散热效率,可避免热能大量积聚于三极管封装体的任一方向,从而有效确保三极管整体的性能,同时能够延长三极管封装结构的使用寿命。
在本实施例中,限位凹槽11为半圆凹槽,能够提高对导热金属杆12的初步限位效果,简化三极管封装结构的加工操作。
在本实施例中,绝缘封装体20为环氧树脂封装体,环氧树脂具有良好的机械和化学抗性,能够有效保护贴片式三极管封装体的内部结构。
在本实施例中,导电引脚30包括一体成型的上平台31、弯折部32和下连接片33,上平台31位于绝缘封装体20内,弯折部32和下连接片33位于绝缘封装体20外,上平台31与三极管晶片40或导线41连接,下连接片33与外部的电路板连接。
基于上述实施例,下连接片33贯穿有焊料附着孔331,焊锡等焊料填充焊料附着孔并覆盖下连接片33的底部,能够有效提高下连接片33与外部电路板的连接效果,提高连接结构的牢固性。
基于上述实施例,焊料附着空331呈上宽下窄的圆台状,能够进一步提高下连接片33与外部电路板之间连接结构的牢固性。
在本实施例中,三极管晶片40设于中间的导电引脚30上,三极管晶片40的两侧均设置有一导热金属杆12,能够有效提高三极管晶片40的散热效率。
在本实施例中,导线41包括铜线411,铜线411的外包覆有绝缘层412,设置绝缘层412隔绝铜线411,能够有效避免铜线411与导热金属杆12接触而发生短路。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (8)
1.一种具有全方位散热功能的三极管封装结构,包括绝缘基座(10)和绝缘封装体(20),所述绝缘基座(10)和所述绝缘封装体(20)之间设有三个互不接触的导电引脚(30),其中一个所述导电引脚(30)上导电安装有三极管晶片(40),所述三极管晶片(40)还通过导线(41)与另外两个导电引脚(30)导电相连,其特征在于:
所述绝缘封装体(20)的顶部设有若干散热凹槽(21),所述绝缘基座(10)上设有两个限位凹槽(11),所述限位凹槽(11)位于相邻两个所述导电引脚(30)的连线中点处,所述限位凹槽(11)与相邻两个所述导电引脚(30)之间的连线垂直,每个所述限位凹槽(11)上均设有一直径为R的导热金属杆(12),相邻两个所述导电引脚(30)之间的距离为D,D>R。
2.根据权利要求1所述的一种具有全方位散热功能的三极管封装结构,其特征在于:所述限位凹槽(11)为半圆凹槽。
3.根据权利要求1所述的一种具有全方位散热功能的三极管封装结构,其特征在于:所述绝缘封装体(20)为环氧树脂封装体。
4.根据权利要求1所述的一种具有全方位散热功能的三极管封装结构,其特征在于:所述导电引脚(30)包括一体成型的上平台(31)、弯折部(32)和下连接片(33),所述上平台(31)位于所述绝缘封装体(20)内,所述弯折部(32)和所述下连接片(33)位于所述绝缘封装体(20)外。
5.根据权利要求4所述的一种具有全方位散热功能的三极管封装结构,其特征在于:所述下连接片(33)贯穿有焊料附着孔(331)。
6.根据权利要求5所述的一种具有全方位散热功能的三极管封装结构,其特征在于:所述焊料附着孔(331)呈上宽下窄的圆台状。
7.根据权利要求1所述的一种具有全方位散热功能的三极管封装结构,其特征在于:所述三极管晶片(40)设于中间的所述导电引脚(30)上。
8.根据权利要求1所述的一种具有全方位散热功能的三极管封装结构,其特征在于:所述导线(41)包括铜线(411),所述铜线(411)的外包覆有绝缘层(412)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201920097543.8U CN209199917U (zh) | 2019-01-21 | 2019-01-21 | 一种具有全方位散热功能的三极管封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201920097543.8U CN209199917U (zh) | 2019-01-21 | 2019-01-21 | 一种具有全方位散热功能的三极管封装结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN209199917U true CN209199917U (zh) | 2019-08-02 |
Family
ID=67431362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201920097543.8U Active CN209199917U (zh) | 2019-01-21 | 2019-01-21 | 一种具有全方位散热功能的三极管封装结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN209199917U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112345845A (zh) * | 2020-09-25 | 2021-02-09 | 华东光电集成器件研究所 | 一种微小型封装电路老炼夹具 |
-
2019
- 2019-01-21 CN CN201920097543.8U patent/CN209199917U/zh active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112345845A (zh) * | 2020-09-25 | 2021-02-09 | 华东光电集成器件研究所 | 一种微小型封装电路老炼夹具 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20240203841A1 (en) | Novel packaging structure of power semiconductor module | |
CN104733413A (zh) | 一种mosfet封装结构 | |
CN207165543U (zh) | 一种低寄生电感双面散热功率模块 | |
CN209199917U (zh) | 一种具有全方位散热功能的三极管封装结构 | |
CN220155541U (zh) | 一种多芯片串联的igbt模块封装结构 | |
CN220400582U (zh) | 智能功率模块的基板、智能功率模块和电子设备 | |
CN220121835U (zh) | 一种SiC顶部散热功率器件的封装结构 | |
CN219435850U (zh) | Mosfet芯片封装结构 | |
CN103779342A (zh) | 一种功率半导体模块 | |
CN208422903U (zh) | 一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构 | |
CN207165546U (zh) | 绝缘栅双极型晶体管模块 | |
CN106449517B (zh) | 一种堆叠式单基岛sip封装工艺 | |
CN210200717U (zh) | 一种采用绝缘封装的可控硅 | |
CN201022077Y (zh) | 硅衬底平面led集成芯片 | |
CN204464263U (zh) | 一种模块化的mosfet封装结构 | |
CN209249453U (zh) | 一种具有散热结构的贴片式三极管 | |
CN209675287U (zh) | 一种dbc板封装结构 | |
CN206806330U (zh) | 一种应用于sot23半导体封装的集成电路 | |
CN207602834U (zh) | 一种大功率ipm模块端子连接结构 | |
CN114628375A (zh) | 一种压接式半导体子模组及模块 | |
CN203746843U (zh) | 一种功率半导体模块 | |
CN207233722U (zh) | 一种新型igbt模块封装结构 | |
CN103780102A (zh) | 一种智能半导体功率模块 | |
CN221102080U (zh) | 一种功率器件 | |
CN213752699U (zh) | 一种超声波焊接pin针的半导体功率模块 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP03 | Change of name, title or address |
Address after: Room 103, building 1, No.76, Baiye Road, Liaobu Town, Dongguan City, Guangdong Province 523430 Patentee after: Xianzhike semiconductor technology (Dongguan) Co.,Ltd. Address before: No. 18, Baiye Avenue, shangtun Industrial Zone, Liaobu Town, Dongguan City, Guangdong Province, 523430 Patentee before: Zhongzhi Semiconductor Technology (Dongguan) Co.,Ltd. |
|
CP03 | Change of name, title or address |