CN205900535U - 一种大电流场效应管的封装结构 - Google Patents
一种大电流场效应管的封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN205900535U CN205900535U CN201620780501.0U CN201620780501U CN205900535U CN 205900535 U CN205900535 U CN 205900535U CN 201620780501 U CN201620780501 U CN 201620780501U CN 205900535 U CN205900535 U CN 205900535U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- field effect
- effect transistor
- connecting seat
- electrode connecting
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn - After Issue
Links
Landscapes
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种大电流场效应管的封装结构,采用可导电散热的导电基座,电路板底面固定在导电基座上,电极连接座的底部导电连接在电路板正面上,且场效应管的G/S极引脚朝向电极连接座并与电路板焊接,场效应管的D极引脚朝外并与导电基座导电连接,使得所有场效应管并联设置,本实用新型采用上述结构,具有整体结构紧凑、体积小、连接可靠和成本低廉的特点,所有场效应管的D极引脚均导电焊接在导电基座上,使之散热良好,所有场效应管并联后,输出电流通过电极连接座汇流输出,有效适应大电流、大功率的工作环境。
Description
【技术领域】
本实用新型涉及电子元器件的封装结构,尤其是一种大电流场效应管的封装结构。
【背景技术】
场效应管在同步整流开关电源及脉冲电源工业领域中广泛应用,为此,现有技术中很多涉及场效应管的封装结构,一般大电流的封装结构是将场效应管的直接焊接在电路板上,然后再将电路板固定在相应的导电基座上,最后进行相应的封装。
采用上述结构的场效应管封装结构,由于场效应管工作温度较高,且散热效果不好,容易导致焊点由于高温作用下而软化,致使场效应管与电路板接触不良而影响工作;另外,采用该封装结构,其体积较大,不利于安装使用。
本实用新型即针对现有技术的不足而研究提出。
【实用新型内容】
本实用新型要解决的技术问题是提供一种大电流场效应管的封装结构,采用可导电散热的导电基座,电路板底面固定在导电基座上,电极连接座的底部导电连接在电路板正面上,且场效应管的G/S极引脚朝向电极连接座并与电路板焊接,场效应管的D极引脚朝外并与导电基座导电连接,使得所有场效应管并联设置,本实用新型采用上述结构,具有整体结构紧凑、体积小、连接可靠和成本低廉的特点,所有场效应管的D极引脚均导电焊接在导电基座上,使之散热良好,所有场效应管并联后,输出电流通过电极连接座汇流输出,有效适应大电流、大功率的工作环境。
为解决上述技术问题,本实用新型一种大电流场效应管的封装结构,包括导电基座、电极连接座、场效应管和电路板,所述电极连接座与导电基座固定绝缘连接,且所述电路板置于电极连接座与导电基座之间,所述电极连接座底部与电路板正面导电连接,所述电路板背面与导电基座连接,复数个所述场效应管的G/S极引脚均朝向电极连接座并与电路板侧边焊接,且每个所述场效应管的D极引脚朝外并与导电基座导电连接以使得复数个场效应管相互并联设置。
所述电极连接座底部焊接于电路板正面中部,且复数个所述场效应管对称设置于电极连接座两侧。
所述导电基座侧边设有凸台,所述场效应管的D极引脚与凸台焊接。
所述凸台与导电基座一体加工成型。
所述凸台为焊接于导电基座上的且可导电的长条块。
所述导电基座和电极连接座由铜质材料制成。
所述电极连接座通过螺钉与导电基座绝缘连接,且所述螺钉贯穿所述电路板。
本实用新型一种大电流场效应管的封装结构,还包括扣接在导电基座上用于将封装电路板和场效应管的壳体,且所述壳体内填充有环氧树脂。
所述电路板上设有连接端子,所述电极连接座上部设有接线端口,所述导电基座沿周向设有安装连接孔。
所述电路板正面中部设有用于与电极连接座焊接的铜箔A,所述电路板正面上且位于铜箔区A侧设有用于与所述场效应管的G/S极引脚焊接的铜箔区B;所述电极连接座底部两侧设有向内倾斜的避让斜面,使得电极连接座底部呈下窄上宽的梯形结构。
与现有技术相比较,本实用新型一种大电流场效应管的封装结构,具有如下优点:
1、本实用新型自下而上依次设置有导电基座、电路板和电极连接座,电极连接座底面绝缘并固定在导电基座上,电极连接座的底部导电连接在电路板正面上,且场效应管的G/S极引脚朝向电极连接座并与电路板焊接,场效应管的D极引脚朝外并与导电基座导电连接,使得所有场效应管并联设置,因此使得本实用新型整体结构紧凑、体积小、连接可靠特点;
2、场效应管工作产生的热量主要来自其D极引脚,导电基座采用可导电散热结构,所有场效应管的D极引脚均导电焊接在导电基座上,通过导电基座则可将场效应管产生的热量有效散去,且所有场效应管并联后,输出电流通过电极连接座汇流输出,有效适应大电流、大功率的工作环境。
3、凸台设置在导电基座侧边,所有场效应管的D极引脚均与凸台导电焊接,该凸台的高度与电路板正面相当,便于场效应管的D极引脚与导电基座焊接。
4、为降低生产制造成本,电路板采用整体设计,所述凸台可由导电基座一体成型或者将长条块直接焊接在导电基座上。
5、为进一步加强本实用新型结构可靠性,将壳体扣接在导电基座上并向壳体内填充有环氧树脂,以将所有场效应管、电极连接座、电路板和导电基座固定连接为一体封装结构,提高抵抗外力作用能力。
6、在电极连接座的底部两侧设有向内倾斜的避让斜面,使得电极连接座底部呈下窄上宽的梯形结构,为此,电路板上用于与场效应管的G/S极引脚焊接的铜箔区B可偏向中部设置,避让斜面则可避免G/S极引脚,为此,使本实用新型整体结构实现最小化。
【附图说明】
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细说明,其中:
图1为本实用新型一种大电流场效应管的封装结构的封装结构示意图。
图2为本实用新型一种大电流场效应管的封装结构的内部结构示意图。
图3为本实用新型一种大电流场效应管的封装结构的爆炸视图。
图4为本实用新型一种大电流场效应管的封装结构中场效应管的结构示意图。
图5为本实用新型一种大电流场效应管的封装结构中电路板的结构示意图。
图6为本实用新型一种大电流场效应管的封装结构中电极连接座的结构示意图。
图7为本实用新型一种大电流场效应管的封装结构中电极连接座的电路原理图。
【具体实施方式】
下面结合附图对本实用新型的实施方式作详细说明。
如图2、图3和图4所示,本实用新型一种大电流场效应管的封装结构,包括导电基座1、电极连接座4、场效应管3和电路板2,所述电极连接座4与导电基座1固定绝缘连接,且所述电路板2置于电极连接座4与导电基座1之间,所述电极连接座4底部与电路板2正面导电连接,所述电路板2背面与导电基座1连接,复数个所述场效应管3的G/S极引脚31均朝向电极连接座4并与电路板2侧边焊接,且每个所述场效应管3的D极引脚32朝外并与导电基座1导电连接以使得复数个场效应管3相互并联设置,如图5所示,所述电路板2正面中部设有用于与电极连接座4焊接的铜箔A23,所述电路板2正面上且位于铜箔A23侧设有用于与所述场效应管3的G/S极引脚31焊接的铜箔B24。本实用新型中导电基座1、电路板2和电极连接座4采用自下而上依次层叠设置,因此使得本实用新型具有整体结构紧凑、体积小及连接可靠的特点。另外,由于场效应管3工作产生的热量主要来自其D极引脚32,导电基座1采用可导电散热结构,所有场效应管3的D极引脚32均导电焊接在导电基座1上,通过导电基座1则可将场效应管3产生的热量有效散去,且所有场效应管3并联后,输出电流通过电极连接座4汇流输出,有效适应大电流、大功率的工作环境。
本实用新型中,所述电极连接座4底部焊接于电路板2正面中部,且复数个所述场效应管3对称设置于电极连接座4两侧,可根据使用的需要,相应地增减场效应管3的数量。
所述导电基座1侧边设有凸台11,所述场效应管3的D极引脚32与凸台11焊接。该凸台11高度与电路板2正面相当,便于场效应管3的D极引脚32与导电基座1焊接。
为了便于制造,所述凸台11与导电基座1一体加工成型;或者所述凸台11为焊接于导电基座1上的且可导电的长条块。
为了使之具有良好的导电性,所述导电基座1和电极连接座4由铜质材料制成,本实用新型中所述电路板2优先选用铝基电路板。
为保证连接可靠,所述电极连接座4通过螺钉43与导电基座1绝缘连接,且所述螺钉43贯穿所述电路板2。即所述导电基座1、电路板2和电极连接座4上分别设有相对应的螺纹孔12、通孔21和固定连接孔41,所述固定连接孔41内设有绝缘套42,该绝缘套42为陶瓷材料制成,所述绝缘套42内设有贯穿固定连接孔41和通孔21的并与螺纹孔12螺纹连接以将电极连接座4和电路板2固定于导电基座1上的螺钉43。
为进一步加强本实用新型结构可靠性,如图1所示,本实用新型一种大电流场效应管的封装结构,还包括扣接在导电基座1上用于将封装电路板2和场效应管3的壳体5,且所述壳体5内填充有环氧树脂。将壳体5扣接在导电基座1上并向壳体5内填充有环氧树脂,以将所有场效应管3、电极连接座4、电路板22和导电基座1固定连接为一体封装结构,提高抵抗外力作用能力。
所述电路板2上设有连接端子22,所述电极连接座4上部设有接线端口44,所述导电基座1沿周向设有安装连接孔13。使用时,安装人员将导电基座1通过安装连接孔13直接固定,相应的导线直接与接线端口44、连接端子22连接。
如图6所示,在电极连接座4的底部两侧设有向内倾斜的避让斜面45,使得电极连接座4底部呈下窄上宽的梯形结构,为此,电路板2上用于与场效应管的G/S极引脚31焊接的铜箔区B31可偏向中部设置,避让斜面则可避免G/S极引脚31,为此,使本实用新型整体结构实现最小化。
Claims (10)
1.一种大电流场效应管的封装结构,其特征在于包括导电基座(1)、电极连接座(4)、场效应管(3)和电路板(2),所述电极连接座(4)与导电基座(1)固定绝缘连接,且所述电路板(2)置于电极连接座(4)与导电基座(1)之间,所述电极连接座(4)底部与电路板(2)正面导电连接,所述电路板(2)背面与导电基座(1)连接,复数个所述场效应管(3)的G/S极引脚(31)均朝向电极连接座(4)并与电路板(2)侧边焊接,且每个所述场效应管(3)的D极引脚(32)朝外并与导电基座(1)导电连接以使得复数个场效应管(3)相互并联设置。
2.根据权利要求1所述一种大电流场效应管的封装结构,其特征在于所述电极连接座(4)底部焊接于电路板(2)正面中部,且复数个所述场效应管(3)对称设置于电极连接座(4)两侧。
3.根据权利要求1-2任一项所述一种大电流场效应管的封装结构,其特征在于所述导电基座(1)侧边设有凸台(11),所述场效应管(3)的D极引脚(32)与凸台(11)固定导电连接。
4.根据权利要求3所述一种大电流场效应管的封装结构,其特征在于所述凸台(11)与导电基座(1)一体加工成型。
5.根据权利要求4所述一种大电流场效应管的封装结构,其特征在于所述凸台(11)为焊接于导电基座(1)上的且可导电的长条块。
6.根据权利要求1所述一种大电流场效应管的封装结构,其特征在于所述导电基座(1)和电极连接座(4)由铜质材料制成。
7.根据权利要求1所述一种大电流场效应管的封装结构,其特征在于所述电极连接座(4)通过螺钉(43)与导电基座(1)绝缘连接,且所述螺钉(43)贯穿所述电路板(2)。
8.根据权利要求1所述一种大电流场效应管的封装结构,其特征在还包括扣接在导电基座(1)上用于将封装电路板(2)和场效应管(3)的壳体(5),且所述壳体(5)内填充有环氧树脂。
9.根据权利要求1所述一种大电流场效应管的封装结构,其特征在所述电路板(2)上设有连接端子(22),所述电极连接座(4)上部设有接线端口(44),所述导电基座(1)沿周向设有安装连接孔(13)。
10.根据权利要求1所述一种大电流场效应管的封装结构,其特征在所述电路板(2)正面中部设有用于与电极连接座(4)焊接的铜箔A(23),所述电路板(2)正面上且位于铜箔A(23)侧设有用于与所述场效应管(3)的G/S极引脚(31)焊接的铜箔B(24);所述电极连接座(4)底部两侧设有向内倾斜的避让斜面(45),使得电极连接座(4)底部呈下窄上宽的梯形结构。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201620780501.0U CN205900535U (zh) | 2016-07-22 | 2016-07-22 | 一种大电流场效应管的封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201620780501.0U CN205900535U (zh) | 2016-07-22 | 2016-07-22 | 一种大电流场效应管的封装结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN205900535U true CN205900535U (zh) | 2017-01-18 |
Family
ID=57773130
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201620780501.0U Withdrawn - After Issue CN205900535U (zh) | 2016-07-22 | 2016-07-22 | 一种大电流场效应管的封装结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN205900535U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106449585A (zh) * | 2016-07-22 | 2017-02-22 | 中山市华星电源科技有限公司 | 一种大电流场效应管的封装结构 |
-
2016
- 2016-07-22 CN CN201620780501.0U patent/CN205900535U/zh not_active Withdrawn - After Issue
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106449585A (zh) * | 2016-07-22 | 2017-02-22 | 中山市华星电源科技有限公司 | 一种大电流场效应管的封装结构 |
CN106449585B (zh) * | 2016-07-22 | 2018-10-26 | 中山市华星电源科技有限公司 | 一种大电流场效应管的封装结构 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100435333C (zh) | 电力半导体装置 | |
TWI608589B (zh) | Semiconductor device and alternator using the same | |
CN102760724B (zh) | 一种联合封装的功率半导体器件 | |
CN102201449B (zh) | 一种功率mos器件低热阻封装结构 | |
CN105161477A (zh) | 一种平面型功率模块 | |
CN105161467A (zh) | 一种用于电动汽车的功率模块 | |
CN102264200A (zh) | 智能功率模块 | |
CN207165543U (zh) | 一种低寄生电感双面散热功率模块 | |
CN201946588U (zh) | 一种功率半导体器件的封装结构 | |
CN205900535U (zh) | 一种大电流场效应管的封装结构 | |
CN107146775A (zh) | 一种低寄生电感双面散热功率模块 | |
CN103795272A (zh) | 一种三相整流桥功率模块 | |
CN104362141B (zh) | 一种大功率压接型igbt模块 | |
CN106449585B (zh) | 一种大电流场效应管的封装结构 | |
CN204538019U (zh) | 八路整流二极管阵列 | |
CN204614783U (zh) | 一种智能功率模块 | |
CN203761279U (zh) | 一种摩托车用整流调压器的组装结构 | |
CN203774281U (zh) | 一种整体注塑封装的智能功率模块 | |
CN105789293A (zh) | 一种单芯片双向igbt模块的封装结构 | |
CN108878391A (zh) | 智能功率模块结构及其制造方法 | |
CN208873713U (zh) | 一种氮化镓器件 | |
CN114628375A (zh) | 一种压接式半导体子模组及模块 | |
CN202259441U (zh) | 一种新型led芯片 | |
CN209232764U (zh) | 一种二极管的三脚封装结构 | |
CN207165546U (zh) | 绝缘栅双极型晶体管模块 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
AV01 | Patent right actively abandoned | ||
AV01 | Patent right actively abandoned |
Granted publication date: 20170118 Effective date of abandoning: 20181026 |