CN204538019U - 八路整流二极管阵列 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910002796 Si–Al Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
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Abstract
一种八路整流二极管阵列，包括陶瓷金属化管底座、金属盖板，其中金属盖板与陶瓷金属化外壳封装构成管壳，在管壳上设置扁平外引线，其特殊之处是：在陶瓷金属化管底座上均设有八部分独立且平行排列的金属化区域，将八个硅整流二极管芯片通过导电胶分别粘接在对应的金属化区域上，用硅铝丝将硅整流二极管芯片与外引线的管壳腔体内部部分进行电气连接，管壳腔体内部采用AB胶进行填充。可实现独立的八通路逻辑开关、半波整流、脉冲续流的功能，各通路开关性能良好，结构紧凑、占用空间小、散热性好，可靠性高，可在恶劣环境下工作。
Description
技术领域
本实用新型涉及硅整流二极管，尤其涉及一种八路整流二极管阵列，用于电子线路的逻辑开关、半波整流、续流。
背景技术
在需要处理多路逻辑信号或进行多路电流保护的电路中，一般需要在电路版上安装一排独立封装的二极管器件，每个二极管作为逻辑开关或整流与续流使用，在这种多通路信号传输电路中占用电路的整体空间过多，而各路之间的电性能一致性不好，影响了电路板的集成化与稳定性。采用进口的塑封集成器件时，工作的温度范围、湿度范围等环境条件受到限制。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种可实现独立的八通路逻辑开关、半波整流、脉冲续流的功能，各通路开关性能良，结构紧凑、占用空间小、散热性好，可靠性高，可在恶劣环境下工作，的八路整流二极管阵列。
本实用新型涉及的八路整流二极管阵列，包括陶瓷金属化管底座、金属盖板，其中金属盖板与陶瓷金属化外壳封装构成管壳，在管壳上设置扁平外引线，其特殊之处是：在陶瓷金属化管底座上均设有八部分独立且平行排列的金属化区域，将八个硅整流二极管芯片通过导电胶分别粘接在对应的金属化区域上，用硅铝丝将硅整流二极管芯片与外引线的管壳腔体内部部分进行电气连接，管壳腔体内部采用AB胶进行填充。
本实用新型的有益效果是：
1、外壳内设有八部分独立的平行排列金属化区域，通过将八个硅整流二极管芯片封装在一个表贴式陶瓷金属化全密封外壳结构中，构成了八通路的二极管阵列，结构紧凑、占用空间小，散热性好，实现了独立的八通路逻辑开关、半波整流、脉冲续流的功能，在电路中可进行逻辑开关，或进行多路半波整流，或对电路进行续流保护；其中的硅整流二极管芯片具有耐压高、导通压降小、电流能力强的特点，产品的一致性与可靠性水平得到了进一步提高。可对国外的塑封器件进行功能替代，从而在高温、高湿、强震动的恶劣条件下正常工作；
2、芯片与管壳腔体采用导电胶进行粘接，保证芯片的高频开关特性一致性强。在完成内部电气连接后用AB胶填充管壳腔体，提高了产品内部的绝缘强度与耐压能力，灌封后的陶瓷金属化密封外壳保证了产品在恶劣环境下正常工作。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是本实用新型封装前的俯视图。
图中：1－陶瓷金属化底座、2－金属盖板、3－扁平外引线、4－硅整流二极管芯片、5－硅铝丝，6－金属化区域。
具体实施方式
如图所示，本实用新型包括由陶瓷金属化管底座1、金属盖板2、扁平外引线3和八个硅整流二极管芯片4组成，其中金属盖板2与陶瓷金属化底座1气密性封装构成管壳。扁平外引线3一端位于管壳内、另一端位于管壳外在陶瓷金属化管底座1上均设有八部分独立且平行排列的金属化区域6，所述八 个硅整流二极管芯片4通过导电胶分别粘接在对应的金属化区域6上，用硅铝丝5将硅整流二极管芯片4与扁平外引线3的位于管壳腔体内部部分进行电气连接，在完成内部电气连接后AB胶填充管壳腔体。
以上仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种八路整流二极管阵列，包括陶瓷金属化管底座、金属盖板，其中金属盖板与陶瓷金属化外壳封装构成管壳，在管壳上设置扁平外引线，其特征是：在陶瓷金属化管底座上均设有八部分独立且平行排列的金属化区域，将八个硅整流二极管芯片通过导电胶分别粘接在对应的金属化区域上，用硅铝丝将硅整流二极管芯片与外引线的管壳腔体内部部分进行电气连接，管壳腔体内部采用AB胶进行填充。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520269109.5U CN204538019U (zh) | 2015-04-28 | 2015-04-28 | 八路整流二极管阵列 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520269109.5U CN204538019U (zh) | 2015-04-28 | 2015-04-28 | 八路整流二极管阵列 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN204538019U true CN204538019U (zh) | 2015-08-05 |
Family
ID=53751989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201520269109.5U Active CN204538019U (zh) | 2015-04-28 | 2015-04-28 | 八路整流二极管阵列 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN204538019U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109300864A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-02-01 | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） | 一种微小轴向安装二极管 |
| CN110060985A (zh) * | 2019-04-26 | 2019-07-26 | 西安微电子技术研究所 | 一种小型集成多路模拟开关 |
| CN110867415A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-03-06 | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 | 一种立体集成整流阵列及其制作方法 |
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2015
- 2015-04-28 CN CN201520269109.5U patent/CN204538019U/zh active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN110060985B (zh) * | 2019-04-26 | 2021-07-23 | 西安微电子技术研究所 | 一种小型集成多路模拟开关 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
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