CN108493184B - 一种照明装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种照明装置的制造方法，本发明利用凹口、凹槽和通孔实现绝缘基板下表面的电路图案引出，该电路图案可以灵活布线，更有利于失效LED芯片的查找，因为其可以对多个通孔进行检测；导电钉的使用可以避免导电膏的溢出，减少导电膏的使用，且使得导电性更好；抬升板的一次性电连接导电膏和电极焊盘简单可靠。

Description

一种照明装置的制造方法
技术领域
本发明涉及LED封装制造领域，具体涉及一种照明装置的制造方法。
背景技术
现有的LED封装多为COB形式的，其利用绝缘基板上的电路图案实现LED的串并联。例如附图1，绝缘基板1上搭载多个LED芯片2，LED芯片2经由焊球3倒装在所述绝缘基板1上的电路图案(未示出)，最后经由封装树脂4进行密封，该种封装的面光源需要预先在绝缘基板1上形成电路图案，电路图案经过包封后，不能够调整和改变串并联，还有就是某个LED芯片失效后，难以找到失效的LED芯片。
发明内容
基于解决上述问题，本发明提供了一种1、一种照明装置的制造方法，其包括：
(1)提供一临时基板，在所述临时基板上设置多个LED芯片，所述多个LED芯片具有多个电极焊盘，所述多个电极焊盘朝向所述临时基板；
(2)在所述临时基板上形成封装树脂，所述封装树脂密封所述多个LED芯片的发光面；
(3)去除所述临时基板，并在具有所述电极焊盘的面上形成半固化的粘结层，所述粘结层厚度为d1，且具有与所述多个电极焊盘相对应的多个凹槽；以此得到芯片封装体；
(4)提供绝缘基板，其厚度为d2，所述绝缘基板具有相对的第一表面和第二表面，在所述第一表面上设置有多个凹口，在所述绝缘基板内部还包括贯穿所述凹口的底面和第二表面的多个通孔，并且，在所述第二表面上设置有导电图案；
(5)提供多个导电钉，所述多个导电钉包括导电的钉柱和导电的钉帽，所述多个导电钉从所述多个凹口插入至多个通孔内且其底端具有伸出所述第二表面的伸出部分，且多个导电钉具有长度L，并在所述多个凹口内填充导电膏，所述导电膏被所述钉帽接触；以此得到基板封装体；
(6)将所述芯片封装体与所述基板封装体利用粘结层相粘合并对所述粘结层固化，使得所述多个凹口与所述多个凹槽相对应；
(7)利用抬升板将所述伸出部分完全嵌入所述多个通孔内，并使得所述导电膏填入所述多个凹槽内，固化所述导电膏，使得多个导电钉固定，其中L满足d2＜L＜d1+d2，钉柱具有长度L1，其中L1＝d2；
(8)将所述多个导电钉的底端与所述导电图案焊接。
根据本发明的实施例，所述凹口的开口尺寸等于所述凹槽的开口尺寸，所述通孔的开口尺寸小于所述凹口的开口尺寸。
根据本发明的实施例，所述导电图案实现所述多个LED芯片的串联或者并联。
根据本发明的实施例，所述多个通孔和多个凹口内填充有绝缘材料。
根据本发明的实施例，所述绝缘材料为密封树脂、聚酰亚胺等聚合物材料。
根据本发明的实施例，所述多个钉柱的直径略小于所述通孔的开口尺寸，例如通孔开口尺寸为1mm，钉柱的直径为0.8mm。
本发明的优点如下：
(1)本发明利用凹口、凹槽和通孔实现绝缘基板下表面的电路图案引出，该电路图案可以灵活布线，更有利于失效LED芯片的查找，因为其可以对多个通孔进行检测；
(2)导电钉的使用可以避免导电膏的溢出，减少导电膏的使用，且使得导电性更好；
(3)抬升板的一次性电连接导电膏和电极焊盘简单可靠。
附图说明
图1为现有技术的照明装置的剖视图；
图2为本发明的照明装置的剖视图；
图3为本发明的照明装置的制造方法的剖视图。
具体实施方式
参见图2，本发明的照明装置，其包括：
绝缘基板11，所述绝缘基板11具有相对的第一表面和第二表面，在所述第一表面上设置有多个凹口17，在所述绝缘基板11内部还包括贯穿所述凹口17的底面和第二表面的多个通孔15，且其厚度为d1；
粘结层16，其厚度为d2、设置于所述第一表面上，且具有与所述多个凹口17相对应的多个凹槽19，所述多个凹槽19与所述多个凹口17分别相连通；
多个LED芯片12，粘附于所述粘结层16上，且具有多个电极焊盘13，所述多个电极焊盘13分别对应所述多个凹槽19并在所述多个凹槽19内露出；
封装树脂14，设置于所述多个LED芯片12和粘结层16上；
导电膏，填充满所述多个凹槽19；
多个导电钉，所述多个导电钉包括导电的钉柱20和导电的钉帽21，所述多个导电钉插入在所述多个凹口17和多个通孔15内且其底端与所述第二表面齐平，且多个导电钉具有长度L，其中L满足d1＜L＜d1+d2，钉柱20具有长度L1，其中L1＝d1，此外，钉帽21的尺寸大致等于所述凹槽和凹口的开口尺寸；
导电图案18，设置于第二表面上；
多个焊块22，其形成于第二表面上且与所述多个导电钉的底端以及导电图案18相连接。
其制造方法参见图3A-3H，包括以下步骤：
(1)提供一临时基板30，在所述临时基板30上设置多个LED芯片12，所述多个LED芯片12具有多个电极焊盘13，所述多个电极焊盘13朝向所述临时基板30；
(2)在所述临时基板30上形成封装树脂14，所述封装树脂14密封所述多个LED芯片12的发光面；
(3)去除所述临时基板30，并在具有所述电极焊盘13的面上形成半固化的粘结层18，所述粘结层18厚度为d1，且具有与所述多个电极焊盘13相对应的多个凹槽19；以此得到芯片封装体；
(4)提供绝缘基板11，其厚度为d2，所述绝缘基板11具有相对的第一表面和第二表面，在所述第一表面上设置有多个凹口17，在所述绝缘基板11内部还包括贯穿所述凹口17的底面和第二表面的多个通孔15，并且，在所述第二表面上设置有导电图案18；
(5)提供多个导电钉，所述多个导电钉包括导电的钉柱20和导电的钉帽21，所述多个导电钉从所述多个凹口17插入至多个通孔15内且其底端具有伸出所述第二表面的伸出部分，且多个导电钉21具有长度L，并在所述多个凹口17内填充导电膏，所述导电膏被所述钉帽21接触；以此得到基板封装体；
(6)将所述芯片封装体与所述基板封装体利用粘结层相粘合并对所述粘结层固化，使得所述多个凹口与所述多个凹槽相对应；
(7)利用抬升板31将所述伸出部分完全嵌入所述多个通孔15内，并使得所述导电膏填入所述多个凹槽19内，固化所述导电膏，使得多个导电钉固定，其中L满足d2＜L＜d1+d2，钉柱20具有长度L1，其中L1＝d2；
(8)将所述多个导电钉的底端与所述导电图案18焊接形成多个焊块22。
根据本发明的实施例，所述凹口的开口尺寸等于所述凹槽的开口尺寸，所述通孔的开口尺寸小于所述凹口的开口尺寸。
其中，所述导电图案18实现所述多个LED芯片12的串联或者并联。所述多个通孔15和多个凹口19内填充有绝缘材料。所述绝缘材料为密封树脂、聚酰亚胺等聚合物材料。所述多个钉柱20的直径略小于所述通孔的开口尺寸，例如通孔15开口尺寸为1mm，钉柱20的直径为0.8mm。
最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

Claims (5)

1.一种照明装置的制造方法，其包括：
(1)提供一临时基板，在所述临时基板上设置多个LED芯片，所述多个LED芯片具有多个电极焊盘，所述多个电极焊盘朝向所述临时基板；
(2)在所述临时基板上形成封装树脂，所述封装树脂密封所述多个LED芯片的发光面；
(3)去除所述临时基板，并在具有所述电极焊盘的面上形成半固化的粘结层，所述粘结层厚度为d1，且具有与所述多个电极焊盘相对应的多个凹槽；以此得到芯片封装体；
(4)提供绝缘基板，其厚度为d2，所述绝缘基板具有相对的第一表面和第二表面，在所述第一表面上设置有多个凹口，在所述绝缘基板内部还包括贯穿所述凹口的底面和第二表面的多个通孔，并且，在所述第二表面上设置有导电图案；
(5)提供多个导电钉，所述多个导电钉包括导电的钉柱和导电的钉帽，所述多个导电钉从所述多个凹口插入至多个通孔内且其底端具有伸出所述第二表面的伸出部分，且多个导电钉具有长度L，并在所述多个凹口内填充导电膏，所述导电膏被所述钉帽接触；以此得到基板封装体；
(6)将所述芯片封装体与所述基板封装体利用粘结层相粘合并对所述粘结层固化，使得所述多个凹口与所述多个凹槽相对应；
(7)利用抬升板将所述伸出部分完全嵌入所述多个通孔内，并使得所述导电膏填入所述多个凹槽内，固化所述导电膏，使得多个导电钉固定，其中L满足d2＜L＜d1+d2，钉柱具有长度L1，其中L1＝d2；
(8)将所述多个导电钉的底端与所述导电图案焊接。
2.根据权利要求1所述的照明装置的制造方法，其特征在于：所述凹口的开口尺寸等于所述凹槽的开口尺寸，所述通孔的开口尺寸小于所述凹口的开口尺寸。
3.根据权利要求1所述的照明装置的制造方法，其特征在于：所述导电图案实现所述多个LED芯片的串联或者并联。
4.根据权利要求1所述的照明装置的制造方法，其特征在于：所述多个通孔和多个凹口内填充有绝缘材料。
5.根据权利要求1所述的照明装置的制造方法，其特征在于：所述多个钉柱的直径略小于所述通孔的开口尺寸。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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IT201900003477A1 (it) * 2019-03-11 2020-09-11 I E Park S R L Soli Bumper Cars Sistema di illuminazione integrato e programmabile per superfici elettrificate
CN113380935B (zh) * 2021-05-10 2022-11-22 昆山麦沄显示技术有限公司 一种led集成封装体及显示装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101673790A (zh) * 2008-09-11 2010-03-17 先进开发光电股份有限公司 发光二极管及其制造方法
CN102237471B (zh) * 2010-04-29 2014-08-27 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
US20120261689A1 (en) * 2011-04-13 2012-10-18 Bernd Karl Appelt Semiconductor device packages and related methods
TWI552395B (zh) * 2014-01-22 2016-10-01 胡文松 高照度表面黏著型led的散熱結構
US10262563B2 (en) * 2015-09-30 2019-04-16 Cheng-Chang TransFlex Display Corp. LED display

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