CN206523727U - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示装置，具备第1基板和与上述第1基板对置的第2基板，该第1基板具备：多个源极布线，沿第1方向排列而形成；多个栅极布线，沿第2方向排列而形成；第1开关元件与第2开关元件，连接于作为上述多个栅极布线中的一个的第1栅极布线；第1像素电极，从上述第1栅极布线经由形成于第2方向一侧的第1接触孔而与上述第1开关元件电连接，并向上述第2方向一侧延伸；以及第2像素电极，从上述第1栅极布线经由形成于第2方向另一侧的第2接触孔而与上述第2开关元件电连接，并超过上述第1栅极布线而向上述第2方向一侧延伸，从而提供一种特别是在用于实现高精细化产品的像素构造中，能够抑制开口区域降低、进而能够提高显示品质的显示装置。
Description
相关申请的交叉引用
本申请基于2015年11月25日在日本提出的专利申请No.2015-229876并主张其优先权，在此通过参照引用其全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及液晶显示装置。
背景技术
近年来，已知有如下技术：在横向电场模式的液晶显示装置中，通过对各色的像素改变邻接的源极布线间的间隔而使每个颜色具有不同的像素面积。
发明内容
根据本实施方式，提供一种显示装置，具备阵列基板、对置基板、以及上述阵列基板与上述对置基板之间的间隔件，上述阵列基板具备：多个源极布线，沿第1方向实质上等间隔地配置；多个栅极布线，沿第2方向实质上等间隔地配置；多个像素，由上述多个栅极布线与上述多个源极布线划分而成；第1开关元件和第2开关元件，与第1栅极布线连接；第1像素，具备从上述第1栅极布线经由形成于第2方向一侧的第1接触孔而与上述第1开关元件连接的第1像素电极；以及第2像素，具备从上述第1栅极布线经由形成于第2方向另一侧的第2接触孔而与上述第2开关元件连接的第2像素电极，且该第2像素与上述第1像素的上述第1方向邻接；上述对置基板具备：第1遮光部，对置于上述第1栅极布线和上述第1接触孔，并以第1宽度延伸；以及与第1遮光部一体地形成的第2遮光部，对置于上述第1栅极布线和上述第2接触孔，并以与第1宽度实质上相等的宽度延伸。
附图说明
图1是概略地表示本实施方式的液晶显示装置的构成以及等效电路的图。
图2是从对置基板侧观察第1构成例的阵列基板AR中的像素的概略图。
图3是第1构成例，并且是在图2所示的阵列基板AR上重合有对置基板CT侧的遮光层的构成的概略图。
图4是关于第1构成例的像素PX4以及PX5的放大图。
图5是图4的A－B剖面图。
图6是图4的C－D剖面图。
图7是从对置基板侧观察第2构成例的阵列基板AR的概略图。
图8是第2构成例，并且是在图7所示的阵列基板AR上重合有对置基板CF的遮光层与间隔件的构成的概略图。
图9是图8的E－F剖面图。
图10是第2构成例的第1变形例，并且是使阵列基板AR中的像素、形成于对置基板CT侧的遮光层、以及间隔件重合的概略图。
图11是从对置基板CT侧观察第3构成例的阵列基板AR中的像素的概略图。
图12是第3构成例，并且是在图11所示的阵列基板AR上重合有对置基板CT侧的遮光层与间隔件的构成的概略图。
图13是图12的G－H剖面图。
图14是第3构成例的变形例，并且是使阵列基板AR、对置基板CT侧的遮光层、以及间隔件重合的概略图。
图15是图14的K－L剖面图。
图16是表示第2构成例的间隔件配置的分布的概略图。
图17是表示本实施例中的第1像素图案的图。
图18是表示本实施例中的第2像素图案的图。
图19是表示本实施例中的第3像素图案的图。
图20(a)和图20(b)是表示像素图案的其他的半导体层形状的图。
具体实施方式
以下，参照添附的附图说明各个实施方式。
本实施方式的目的在于，提供一种特别是在用于实现高精细化产品的像素构造中，能够抑制开口区域降低、进而能够提高显示品质的显示装置。
根据本实施方式，提供一种显示装置，具备阵列基板、对置基板、以及上述阵列基板与上述对置基板之间的间隔件，上述阵列基板具备：多个源极布线，沿第1方向实质上等间隔地配置；多个栅极布线，沿第2方向实质上等间隔地配置；多个像素，由上述多个栅极布线与上述多个源极布线划分而成；第1开关元件和第2开关元件，与第1栅极布线连接；第1像素，具备从上述第1栅极布线经由形成于第2方向一侧的第1接触孔而与上述第1开关元件连接的第1像素电极；以及第2像素，具备从上述第1栅极布线经由形成于第2方向另一侧的第2接触孔而与上述第2开关元件连接的第2像素电极，且该第2像素与上述第1像素的上述第1方向邻接；上述对置基板具备：第1遮光部，对置于上述第1栅极布线和上述第1接触孔，并以第1宽度延伸；以及与第1遮光部一体地形成的第2遮光部，对置于上述第1栅极布线和上述第2接触孔，并以与第1宽度实质上相等的宽度延伸。
参照附图，进一步说明一个实施方式。此外，在各图中，对发挥相同或者类似的功能的构成标注相同的参照附图标记，并省略重复的说明。
图1是概略地表示构成本实施方式的液晶显示装置的液晶显示面板LPN的构成以及等效电路的图。
即，液晶显示装置具备有源矩阵类型的液晶显示面板LPN。液晶显示面板LPN具备作为第1基板的阵列基板AR、作为与阵列基板AR对置配置的第2基板的对置基板CT、以及保持于阵列基板AR与对置基板CT之间的液晶层LQ。液晶显示面板LPN具备显示图像的有源区域ACT。有源区域ACT相当于在阵列基板AR与对置基板ACT之间保持有液晶层LQ的区域中的、有助于图像显示的区域，例如是四边形状，并且是由配置为矩阵状的多个像素PX构成的区域。
阵列基板AR在有源矩阵类型的液晶显示面板LPN中具备栅极布线G (G1～Gn)、源极布线S(S1～Sm)、开关元件SW、像素电极PE、共用电极CE等。栅极布线G(G1～Gn)分别沿大致第1方向X延伸，并沿与第1方向X交叉的第2方向Y排列。源极布线S(S1～Sm)分别沿大致第2方向Y延伸，并沿第1方向X排列。此外，栅极布线G以及源极布线S也可以如后述那样，配合于像素布局或像素电极形状而弯曲。开关元件SW在各像素PX中与栅极布线G以及源极布线S电连接。像素电极PE在各像素PX中与开关元件SW电连接。共用电极CE在有源区域ACT被共用地遍及多个像素PX形成，并与各像素电极PE面对。储存电容CS例如形成于共用电极CE与像素电极PE之间。
各栅极布线G被向有源区域ACT的外侧引出，并与第1驱动电路GD连接。各源极布线S被向有源区域ACT的外侧引出，并与第2驱动电路SD连接。第1驱动电路GD以及第2驱动电路SD的例如至少一部分形成于阵列基板AR，并与驱动IC芯片2连接。驱动IC芯片2内置有控制第1驱动电路GD以及第2驱动电路SD的控制器，并作为供给驱动液晶显示面板LPN所需的信号的信号供给源发挥功能。在图示的例子中，驱动IC芯片2在有源区域ACT的外侧安装于阵列基板AR。共用电极CE被向有源区域ACT的外侧引出，并连接于供电部VS。供电部VS对共用电极CE供给公共电位。
根据图1至图6说明本发明的第1构成例。这里，以使用了横电场模式的像素构造为例进行说明，在图中仅图示了说明所需的主要部分。
图2是从对置基板侧观察第1构成例的阵列基板AR的像素的概略图。在图2中，阵列基板AR具备第1遮光层BM1(BM11至BM19)、半导体层SC(SC1至SC9)、栅极布线G(G1至G5)、源极布线S(S1至S4)、开关元件SW(SW1至SW9)、像素PX(PX1至PX9)。
在图2中，特别地为了方便理解而以开关元件构造为中心进行了记载，并对像素电极进行了省略。在本构成中，像素电极如后述那样，在各个像素PX1至PX9中向第2方向同一侧延伸。
栅极布线G1至G5沿第1方向X延伸，且实质上沿与第1方向X交叉的第2方向Y等间隔地配置。源极布线S1至S4沿第2方向Y延伸，且实质上沿第1方向X等间隔地配置。实质上的等间隔指的是，考虑到制造 上的误差，例如间隔为0.8倍至1.2倍，优选的是0.9倍至1.1倍左右的范围。在图示的例子中，源极布线S由与栅极布线G交叉的交叉部处的直线部、以及栅极布线G间的斜线部形成，总体上沿第2方向延伸，但也可以沿第2方向Y仅由直线部形成。栅极布线G以及源极布线S为金属布线，例如由钼或铝等的金属材料形成。此外，栅极布线G以及源极布线S的金属材料也可以具有与其他金属材料层叠的层叠构造。
像素PX1是由栅极布线G1以及G2、和源极布线S1以及S2划分的区域。同样，将分别由栅极布线G1以及G2、和源极布线S2至S4划分的区域设为像素PX2、PX3，并沿像素PX1的第1方向依次形成。像素PX4至PX6是分别由栅极布线G2以及G3、和源极布线S1至S4划分的区域，并沿像素PX1至PX3的第2方向邻接地形成。像素PX7至PX9是分别由栅极布线G3以及G4、和源极布线S1至S4划分的区域，并沿像素PX4至PX6的第2方向Y邻接地形成。开关元件SW1是像素PX1的开关元件，同样，开关元件SW2至SW9是像素PX2至PX9的各自的开关元件。另外，源极布线S1至S4实质上等间隔地沿第1方向X配置，像素PX1至PX9的第一方向的宽度实质上均等，另外，栅极布线G1至G5实质上等间隔地沿第2方向配置，像素PX1至PX9的第2方向的宽度实质上均等。在本构成中，栅极布线G间的宽度比源极布线S间的宽度大，像素是沿第2方向较长的矩形状。另外，在一个例子中，是使栅极布线G间的宽度为30μm、使源极线S间的宽度为15μm、纵横比为2：1的像素。但是，该纵横比只是一个例子，例如也可以是纵横比为3：1的像素。
以下，参考图4至图6对开关元件SW以及阵列基板AR的层构造的概略进行说明。图4是像素PX4以及PX5的放大图。图5是图4的A－B剖面图。图6是图4的C－D剖面图。
以图5以及图6为参考，说明阵列基板AR的层构造。这里，阵列基板AR中的表示方向的“上”是液晶层LQ侧，“下”设为第1绝缘基板SUB1侧。阵列基板AR具备第1绝缘基板SUB1。第1绝缘基板SUB1例如是玻璃基板或塑料基板。在第1绝缘基板SUB1上具备第1遮光层BM1(参照BM15，图4的C－D线，图6)。第1遮光层BM1例如由黑色的树脂材料、遮光性的金属材料形成。第1绝缘膜INF1覆盖第1遮光层BM1 以及第1绝缘基板SUB1，例如由氧化硅膜、氮化硅膜那样的无机材料形成。在第1绝缘膜INF1上形成半导体层SC(SC4、SC5)，并形成覆盖第1绝缘膜INF1以及半导体层SC的第2绝缘膜INF2。半导体层SC例如由多晶硅(p－Si)形成，但也可以由非晶体硅(a-Si)、氧化物半导体等形成。第2绝缘膜INF2例如由氧化硅等的无机材料形成。在第2绝缘膜INF2上配置栅极布线G(G2，图6)，并形成覆盖栅极布线G以及第2绝缘基板INF2的第3绝缘膜INF3。第3绝缘膜INF3例如由氧化硅或氮化硅等的无机材料形成。在第3绝缘膜INF3上形成源极布线S(S1、S3，图5、6)以及中继电极DE(DE5，图6)，并形成覆盖源极布线S、中继电极DE以及第3绝缘膜INF3的第4绝缘膜INF4。第4绝缘膜INF4例如由有机材料形成。在第4绝缘膜INF4上形成公共电极CE，并形成覆盖公共电极CE以及第4绝缘膜INF4的第5绝缘膜INF5。公共电极CE例如由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等的透明导电材料形成。第5绝缘膜INF5例如由氧化硅膜或氮化硅膜等的无机材料形成。在第5绝缘膜INF5上形成像素电极PE(PE4、PE5，图4、5、6)，并形成覆盖像素电极PE的第1取向膜PI1。像素电极PE例如由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等的透明导电材料形成。第1取向膜PI1例如由聚酰亚胺等的有机材料形成。此外，第1绝缘膜INF1至第5绝缘膜INF5并非必须是一层，也可以形成双层的层叠构造。
以图5以及图6为参考，说明对置基板CT的层构造。这里，对置基板CT中的表示方向的“上”是液晶层LQ侧，“下”设为第2绝缘基板SUB2侧。对置基板CT具备第2绝缘基板SUB2。第2绝缘基板SUB2例如是玻璃基板或塑料基板。在第2绝缘基板SUB2上形成第2遮光层BM2，并形成覆盖第2遮光层BM2以及第2绝缘基板SUB2的滤色器CF。第2遮光层BM2例如由黑色的树脂材料、遮光性的金属材料形成。滤色器CF例如由着色为红·蓝·绿·白色等的树脂材料形成。此外，在使滤色器CF为白色的情况下，可以是无色彩的滤色器，也有使用例如着色为浅色(例如着色为浅黄色或浅蓝色)的滤色器，或不存在相当于白色的滤色器的情况。形成覆盖滤色器CF上的外包敷层OC，并依次层叠有覆盖外包敷层OC的第2取向膜PI2。另外，也可以取代上述的第2绝缘基板SUB2、第2 遮光层BM2、滤色器CF的依次层叠构造，例如采用第2绝缘基板SUB2、滤色器CF、第2遮光层BM2、外包敷层OC、第2取向膜PI2的依次层叠构造。另外，也可以是第2绝缘基板SUB2、滤色器CF、外包敷层OC、第2遮光层BM2、第2取向膜PI2的依次层叠构造。
如图5以及图6所示，在第1取向膜PI1与第2取向膜PI2间夹持有液晶层LQ。另外，在图2至图6中虽然未图示，但是在图7之后的构成中说明的、用于调整液晶层LQ的单元间隙的间隔件被形成在对置基板CT、阵列基板AR中的某一方或两方。
以图2以及图4、图6为参考，对第1构成例的开关元件SW以及第1遮光层BM1进行说明。图4是图2的像素PX4以及PX5的放大图。形成于像素PX4的开关元件SW4的半导体层SC4经由形成于栅极布线G2与栅极布线G3间的接触孔CH1与源极布线S2连接，配置于源极布线S2的下层。半导体层SC4例如形成为U字或J字形状，沿源极布线S2朝向栅极布线G2延伸，并在超过栅极布线G2的位置，向源极布线S1侧弯曲并向第1方向延伸，在构成像素PX4的短边的栅极布线G2的大致中央处，沿第2方向且向栅极布线G3侧超过栅极布线G2地延伸。另外，在像素PX4的栅极布线G2与半导体层SC4的交叉部形成第1遮光层BM14。第1遮光层BM14在本构成中呈岛状形成于源极布线S1与源极布线S2之间。在栅极布线G2与源极布线S2的交叉区域也存在与半导体层交叉的区域，在该区域中的半导体层SC4的下层未形成有第1遮光层BM1，但也可以是第1遮光层BM1也形成于源极布线S2、栅极布线G2、半导体层SC4的交叉的区域的构成。半导体层SC4在像素PX4内经由接触孔CH2而与中继电极DE4连接，中继电极DE4从接触孔CH2向栅极布线G2侧延伸，在接触孔CH2与栅极布线G2之间经由接触孔CH3与像素电极PE4连接。像素电极PE4从接触孔CH3向栅极布线G3侧延伸。开关元件SW4是具有半导体层SC4、一体地形成于与半导体层SC4的源极区域连接的源极布线S2的源极电极、与对置于半导体层SC4的沟道区域的栅极布线G2一体地形成的两个栅极电极、以及连接于半导体层SC4的漏极区域的中继电极DE4的、所谓的双栅极构造的开关元件。
像素PX5中的开关元件SW5是相对于栅极布线G2与开关元件SW4 线对称的形状，在栅极布线G1侧形成有用于与半导体层SC和源极布线S连接的接触孔CH1、用于将像素电极PE与中继电极DE连接的接触孔CH3。另外，将半导体层SC与中继电极DE连接的接触孔CH2也形成在栅极布线G2与接触孔CH3之间。
包含半导体层SC的开关元件SW并非必须在像素PX4与像素PX5中为线对称，接触孔CH1只要至少形成于夹着栅极布线G的区域即可。
像素PX1至PX3、像素PX6至PX9的各个开关元件SW1至SW3、SW6至SW9也存在源极布线S的倾斜方向不同的情况，但基本上是与开关元件SW4相同的构造。即，开关元件SW4以及SW6的接触孔CH3沿第1方向形成为实质上相同的直线状，相对于此，开关元件SW5的接触孔CH3成为夹着栅极布线G2位于相反的一侧的构成。另外，开关元件SW1至SW3的接触孔CH3在第1方向上实质上位于相同的直线状，此外，开关元件SW7至SW9的接触孔CH3也在第1方向实质上位于相同的直线状。
开关元件SW1至SW4、SW6至SW9的接触孔CH3形成于各个像素PX1至PX4、PX6至SW9内，相对于此，像素PX5的开关元件SW5的接触孔CH3形成于像素PX2内。
如图6所示，接触孔CH1是源极布线S与半导体层SC的接触孔，形成于第2绝缘膜INF2以及第3绝缘膜INF3。此外，接触孔CH2是半导体层SC与中继电极DE的接触孔，形成于第2绝缘膜INF2以及第3绝缘膜INF3。接触孔CH3是中继电极DE与像素电极PE的接触孔，形成于第4绝缘膜ING4以及第5绝缘膜ING5。
在图2中，省略了像素电极PE，关于像素电极PE(PE4、PE5)表示在图4中。像素PX4的像素电极PE4具有与形成于像素PX4内的接触孔CH3中的中继电极DE接触的接触部、与源极布线S大致平行地延伸的两个主像素电极、将两个主像素电极的前端连接的副像素电极。像素PX5的像素电极PE5具有在形成于像素PX2内的开关元件SW5的接触孔CH3中与中继电极DE6连接的接触部、超过栅极布线G2而在像素PX5内与源极布线S大致平行地延伸的两个主像素电极、和将两个主像素电极连接的副像素电极。在本构成中，像素电极PE5是在第2方向上比像素电极PE4长的像素电极形状。
另外，如图2所示，由于像素PX5的开关元件SW5形成于像素PX2内，因此像素PX2的形成有像素电极PE2的区域与其他像素相比变小。因此，像素PX2的像素电极PE2与其他像素电极相比变短。
以下，以图2至图6为参考，在第1构成例的阵列基板AR上重合对置基板CT的第2遮光层BM2，对第2遮光层BM2的形状进行说明。第2遮光层BM2具有分别与栅极布线G以及源极布线S对置的形状，在与栅极布线G对置的区域以覆盖形成于栅极布线G的附近的接触孔CH3的方式具备向第2方向延伸的延伸部(其也可以称作延伸部或遮光部)BME1(图3)。在像素PX1、PX2、PX3中，各个开关元件SW1、SW2、SW3的接触孔CH3在第1方向上以大致相同的直线状排列，第2遮光层BM2的延伸部BME1从栅极布线G1朝向栅极布线G2侧延伸，并与像素PX1、PX2、PX3的各自的接触孔CH3对置。此时，在第2遮光层BM2的栅极布线G1区域，形成为在第1方向上具有相同的第2方向宽度的大致直线状。与栅极布线G3、G4对置的第2遮光层BM2的构成也和与栅极布线G1对置的构成相同，像素PX6、PX7、PX8的接触孔CH3在第1方向呈大致相同的直线状排列，因此第2遮光层BM2的延伸部BME1形成为在第1方向上具有相同的第2方向宽度的大致直线状。
另外，像素PX5的接触孔CH3形成于栅极布线G2附近且是像素PX2内，另一方面，像素PX4、PX6的接触孔CH3形成于栅极布线G2的附近且是像素PX4、PX6内。因此，与栅极布线G2对置的第2遮光层BM2具有在像素PX4、PX6中向栅极布线G3侧延伸、并将像素PX4、PX6的接触孔CH3遮光的延伸部BME1，以及在像素PX5中向栅极布线G1侧延伸、并将形成于像素PX2内的像素PX5的接触孔CH3遮光的延伸部BME2。
与栅极布线G2对置、并包含向栅极布线G3侧延伸并覆盖接触孔CH3的延伸部BME1的第2遮光层BM2的第2方向宽度L1例如为13.5μm至16μm，相对于像素的栅极线间的间距，成为接近一半的宽度。同样，与栅极布线G2对置、并包含向栅极布线G1侧延伸并覆盖接触孔CH3的延伸部BME2的第2遮光层BM2的第2方向宽度L2也是实质上与L1相等的宽度。因此，与栅极布线G对置并向第1方向延伸的第2遮光层BM2成为从直线形状起在一部分像素中向第2方向偏离的弯折形状或折线形状。
由上述第2遮光层BM2包围的像素的区域是各个像素的开口区域。如图3所示，像素PX1、PX3、PX4、PX6、PX7、PX8、PX9的开口区域大致同等，相对于此，由于在像素PX2中与栅极布线G2对置并向栅极布线G1侧延伸的第2遮光层BM2的延伸部BME1，导致开口区域设定得比其他像素小。另一方面，在像素PX5中，由于与栅极布线G2对置的第2遮光层BM2向栅极布线G1侧的延伸，因此能够确保像素PX5的开口区域比其他像素大。
接下来，对滤色器的颜色的配置进行说明。在第1构成例中，对于红·绿·蓝·白的4色的滤色器的配置进行举例。例如像素PX1、PX4是着色为绿色的滤色器，像素PX2是显示白色的滤色器，像素PX3、像素PX6是着色为红色的滤色器，像素PX5配置有着色为蓝色的滤色器。蓝色滤色器与红·绿·白相比，对于视觉辨认者的亮度最低，此外，白色显示滤色器与红·绿·蓝相比，对于视觉辨认者的亮度最高，考虑基于产品规格的最佳的色彩平衡，能够将蓝色像素的开口区域设定为比其他像素大，将白色显示像素的开口区域设定为比其他像素小。在第1构成例中，对开口区域较大的像素PX5配置蓝色滤色器，对开口区域较小的像素PX2配置白显示滤色器，能够实现最佳的色彩平衡。
随着高精细化的期望提高，像素的大小越来越小，难以使源极布线间的间距缩窄到某种程度以上。根据本构成，使阵列基板AR侧的开关元件SW的接触孔CH3的位置不同于邻接像素，对置基板CT侧的第2遮光层BM2具有一定宽度并且将各个像素的接触孔CH3遮光，从而能够对每个像素的开口区域赋予变化。
以下，以图7至图9为参考，对第2构成例进行说明。图7是从对置基板侧观察第2构成例的阵列基板AR中的像素的概略图。图8是在图7所示的阵列基板AR上重合有对置基板CT的第2遮光层BM2与间隔件SS的构成的概略图。图9是图8的E－F剖面图。
如图7所示，对于像素PX1至PX7以及像素PX9的构成，与第1构成例在图2以及上述说明中的构成大致相同，省略详细的说明，作为不同点，是像素PX8的开关元件SW8的构造不同这一点、和配置有间隔件SS这一点。开关元件SW8的半导体层SC8经由接触孔CH1与源极布线S3 连接，沿源极布线S3向栅极布线G3侧延伸，并在超过栅极布线G3的位置向源极布线S2侧弯曲，朝向第1方向延伸，在像素PX8的短边侧(栅极布线G3)的大致中央部处，向栅极布线G3侧弯曲，并延伸至超过栅极布线G3的位置。像素PX8的中继电极DE8在像素PX8内朝向栅极布线G4侧延伸至大致像素中央部，在栅极布线G3附近的半导体层SC8的前端部分经由接触孔CH2而连接，并在像素中央部经由接触孔CH3连接于像素电极PE8。像素PX1至PX7以及PX9的接触孔CH3形成在接触孔CH2与栅极布线G之间，相对于此，像素PX8的接触孔CH2在形成于栅极布线G与接触孔CH3之间这一点上是不同的。
如图8、图9所示，在对置基板CT的外包敷层OC上形成用于规定单元间隙的间隔件SS，该间隔件SS抵接于阵列基板AR侧的第1取向膜PI1。间隔件SS的形状例如是柱状的间隔件。间隔件SS所配置的位置在本实施例中是像素PX8的中继电极DE8的上方，更详细地说是栅极布线G3与接触孔CH3之间。接触孔CH2比第4绝缘膜INF4更平坦化，间隔件SS的抵接部也可以是栅极布线G3以及接触孔CH2上方。另外，间隔件SS也可以与像素电极PE8的接触部局部重叠。
间隔件SS既可以在外包敷层OC的形成工序中通过半色调曝光等与外包敷层OC一体地形成，也可以区别于外包敷层OC地使用间隔件材料而形成。另外，在第2遮光层BM2形成在滤色器CF上的构成的情况下，也能够由与第2遮光层BM2相同的材料一体地形成。
间隔件SS抵接于阵列基板AR的第1取向膜PI1，虽然抑制使用者的按压带来的单元间隙的变化，但按压会导致间隔件与第1取向膜PI1摩擦，可能成为间隔件周围的漏光的一个因素。此外，间隔件SS周围的摩擦不良也可能成为漏光的一个因素。因此，在间隔件SS的周围，为了防止漏光，期望在与第2遮光层BM2同一层设置一体地形成的间隔件用遮光部BME3。间隔件用遮光部BME3例如形成为直径33μm左右的圆形状，覆盖像素PX8的接触孔CH3并且覆盖间隔件SS的周围的像素PX4至PX9的各自的一部分。此外，间隔件用遮光部BME3并不局限于圆形，也可以是八边形状等其他的多边形状。
关于第2遮光层BM2与阵列基板AR的重合，虽然通过在像素PX2 形成像素PX5的接触孔CH3而使与栅极布线G2对置的第2遮光层BM2的一部分弯曲的构成与第1构成例的图3相同，但在设有间隔件用遮光部BME3这一点上是不同的。由此，由第2遮光层BM2形成的开口率也与第1构成例不同。例如，未被间隔件用遮光部BME3覆盖的像素PX1、PX3的开口区域较大，局部被间隔件用遮光部BME3覆盖的像素PX4、PX6、PX7、PX9与像素PX1以及PX2相比成为较小的开口区域。像素PX2的开口区域由于在内部具备像素PX5的接触孔CH3，因此通过将其遮光的与栅极布线G2对置的第2遮光层BM2的向像素PX2的延伸部BME2，而成为与第1构成例同样小的开口区域。另一方面，在像素PX8中，由于被间隔件用遮光部BME3较广地覆盖了像素区域，因此成为较小的开口区域。在第1构成例中具有相对较大的开口区域的像素PX5，在第2构成例中被间隔件用遮光部BME3较宽地覆盖，从而开口区域总体上变小，但与像素PX2以及PX8相比是较大的开口区域。
对第2构成例中的滤色器的配色进行说明。在第2构成例中，对于红·绿·蓝的三色的滤色器的使用进行了举例。例如像素PX1、PX6、PX7是着色为绿色的滤色器，像素PX2、PX8是显示蓝色的滤色器，像素PX3、像素PX5、PX9是着色为红色的滤色器。在第1构成例中，对红·绿·蓝的三色像素追加了白色像素，设定了色彩平衡，相对于此，在第2构成例中，使用红·绿·蓝的三色像素，将蓝色像素配置于具有较小的开口率的像素PX2以及PX8，由此设定了整体的色彩平衡。红色、绿色、蓝色这三原色中的、发光效率(luminous efficiency)最高的颜色是绿色。在间隔件SS形成于与亮度较高的绿色像素相对应的区域的情况下，存在间隔件用遮光部BME3比像素大、间隔件用遮光部BME3的图案条纹醒目、显示品质下降的可能性。根据本第2构成例，能够与第1构成例相同地、不改变源极布线间的距离而对每个像素设定任意的开口区域，并且间隔件SS配置于将相对较不醒目的两色的像素所对应的区域遮光的间隔件用遮光部BME3，从而能够减少对显示品质的影响、并且使色彩平衡最佳化。
滤色器的配置并不局限于上述配置，期望的是为了抑制间隔件用遮光部BME3的图案条纹而将间隔件遮光部BME3配置于与相对较不醒目的两色的像素相对应的区域，例如，也能够使像素PX8为红色，使像素PX5为 蓝色。
图10是第2构成例的变形例。在第2构成例的变形例中，除了第2构成例的像素PX1至像素PX9之外，还具备分别由栅极布线G4、栅极布线G5、以及源极布线S1至S4划分的像素PX10至PX12。
像素PX10与像素PX7的第2方向邻接，像素PX10的开关元件SW10的构造与第2构成例中的开关元件SW4相同。像素PX12与像素PX9的第2方向邻接，像素PX12的开关元件是与像素PX10相同的构成。
另外，将第2构成例中的形成于像素PX8的开关元件SW8、间隔件SS以及间隔件用遮光部BME3在第2构成例的变形例中形成于像素PX11。关于第2构成例的变形例的像素PX5以及像素PX8的开关元件SW5以及SW8，是与第2构成例的像素PX8的开关元件SW8相同的构成。
即，在第2构成例的变形例中，像素PX1、PX2、PX3、PX4、PX6、PX7、PX9、PX10、PX11、PX12的各自的接触孔CH3形成在各个像素内，另一方面，像素PX5的接触孔CH3形成于像素PX2内，像素PX8的接触孔CH3形成于像素PX5内。
对第2构成例的变形例的第2遮光层BM2的构成进行说明。与栅极布线G1对置的第2遮光层BM2为了覆盖像素PX1至PX3的接触孔CH3而成为在栅极布线G2方向上具有延伸部BME1的大致直线形状。与栅极布线G2对置的第2遮光层BM2为了在像素PX4、PX6中覆盖各个接触孔CH3而在栅极布线G3侧设置延伸部BME1，另一方面，在像素PX5中，由于像素PX5的接触孔CH3形成在像素PX2内，因此是向栅极布线G1侧具有延伸部BME2的弯折形状或折线。与栅极布线G3对置的遮光层BM2为了在像素PX7、PX9中覆盖各个接触孔CH3而在栅极布线G4侧设置延伸部BME1，另一方面，在像素PX8中，由于像素PX8的接触孔CH3形成在像素PX5内，因此是向栅极布线G2侧具有延伸部BME2的弯折形状。与栅极布线G4对置的第2遮光层BM2与像素PX11的间隔件用遮光部BME3一体地形成，且为了在像素PX10、12中覆盖各个接触孔CH3而在栅极布线G5侧设置延伸部BME1。间隔件用遮光部BME3形成于像素PX11的间隔件周围且将像素PX11的接触孔CH3和像素PX7至PX12的各自的一部分覆盖，并与像素PX10以及12的第2遮光层BM2连接。
关于第2构成例的变形例的像素PX1至PX12的开口区域，如图10所示，配置有间隔件SS以及间隔件遮光部BME3的PX11、和被第2遮光层BM2的向栅极布线G1侧延伸的延伸部BME2覆盖的PX2与其他像素相比开口区域较小。关于像素PX1、PX3、PX4、PX5、PX6，在变形例中记载的12像素中具有最大的开口区域。关于像素PX8，由于与栅极布线G3对置的第2遮光层BM2的延伸部BME2形成于栅极布线G2侧，因此是开口区域相对较宽的构成，但由于被间隔件用遮光部BM3覆盖了大半，因此比PX1的开口区域小，但比PX2、PX11大。由于像素PX7、PX9、PX10、PX12的一部分被间隔件用遮光部BME3覆盖，因此比像素PX1的开口区域小，但比像素PX2、PX11大。
接着，对第2构成例的变形例的滤色器排列进行说明。关于第2构成例的变形例，与第2构成例相同，使用红·蓝·绿的三色的滤色器，在开口区域为最小的像素中配置蓝色滤色器。例如，将红色滤色器配置于像素PX3、PX4、PX8、PX12，将绿色滤色器配置于像素PX1、PX5、PX9、PX10，将蓝色滤色器配置于像素PX2、PX6、PX7、PX11。
根据本第2构成例的变形例，能够与第1构成例相同地、不改变源极布线间的距离而对每个像素设定任意的开口区域，并且间隔件SS配置于将与相对较不醒目的两色的像素相对应的区域遮光的间隔件用遮光部BME3，从而能够减少对显示品质的影响，并且使色彩平衡最佳化。
以下，关于第3构成例，以图11、图12、图13为参考进行说明。第3构成例虽然是与第1构成例大致相同的构成，但具备形成于阵列基板AR侧的第1间隔件SSA、以及形成于对置基板CT侧并抵接于第1间隔件SSA的第2间隔件SSC。通过第1间隔件SSA与第2间隔件SSC的抵接，设定液晶层的单元间隙。
图11是从对置基板CT侧观察第3构成例的阵列基板AR的概略图。图11是在示出了第1构成例的阵列基板侧构造的图2中配置有第1间隔件SSA的图。图11、图12所示的包含开关元件的像素构造以及遮光层的关系是与图4记载的包含开关元件的像素构造以及遮光层相同的构成。
图12是在第3构成例的阵列基板AR上使形成于对置基板CT的第2遮光层BM2与第2间隔件SSC重合的图。第2间隔件SSC形成于与第1 间隔件SSA交叉的位置。
第1间隔件SSA的一端在像素PX2中配置于与和栅极布线G2对置的第2遮光层BM2的向栅极布线G1侧延伸的延伸部(遮光部)BME2重叠的区域，另一端在像素PX6中配置于与和栅极布线G2对置的第2遮光层BM2的向栅极布线G3侧延伸的延伸部(遮光部)BME1重叠的区域。
第2间隔件SSC的一端在像素PX2中配置于与和栅极布线G2对置的第2遮光层BM2以及其向栅极布线G1侧延伸的延伸部(遮光部)BME2重叠的区域，另一端在像素PX6中配置于与和栅极布线G2对置的第2遮光层BM2以及其向栅极布线G3侧延伸的延伸部(遮光部)BME1重叠的区域。另外，第1间隔件SSA与第2间隔件SSC的交叉角度具有比0度大且小于90度的角度α。
图13是图12的G－H剖面图，虽然在图13中未图示，但第1间隔件SSA形成在第5绝缘膜INF5上。第1取向膜PI1既可以以覆盖第1间隔件SSA的方式形成，也可以是覆盖第1间隔件SSA的侧面且不覆盖顶面的构成。此外，也可以第1间隔件SSA形成在第1取向膜PI1上的构成。在本构成中，是在第5绝缘膜上配置第1间隔件SSA的构成，但也可以是与第4绝缘膜一体地形成的构成。另外，既可以是在像素电极PE上形成第1间隔件SSA的构成，也可以是第1间隔件SSA的一部分与像素电极PE重叠的构成。
第2间隔件SSC形成在外包敷层OC上。第2取向膜PI2既可以以覆盖第2间隔件SSC的方式形成，也可以是覆盖第2间隔件SSC的侧面且不覆盖顶面的构成。此外，也可以是第2间隔件SSC形成在第2取向膜PI2上的构成。在本构成中，是在外包敷层OC上配置第2间隔件SSC的构成，但也可以是与外包敷层OC一体地形成的构成。另外，在是第2遮光层BM2形成在滤色器上的构成的情况下，第2间隔件SSC也可以由与第2遮光层BM2相同的材料形成。
如图11至图13所示，第1间隔件SSA与像素电极PE同层地形成，并配置为不与接触孔CH3接触。
图11所示的第1间隔件SSA除了上述构成之外，例如还可以具备如下第二个第1间隔件SSA，该第1间隔件SSA的一端在像素PX2中配置于 与和栅极布线G2对置的第2遮光层BM2的向栅极布线G1侧延伸的延伸部BME2重叠的区域，另一端在像素PX4中配置于与和栅极布线G2对置的第2遮光层BM2的向栅极布线G3侧延伸的延伸部BME1重叠的区域。同样，图11所示的第2间隔件SSC除了上述构成之外，例如还可以具备如下第二个第2间隔件SSC：其一端在像素PX2中配置于与和栅极布线G2对置的第2遮光层BM2以及第2遮光层BM2的向栅极布线G1侧延伸的延伸部BME2重叠的区域，另一端在像素PX4中配置于与和栅极布线G2对置的第2遮光层BM2以及第2遮光层BM2的向栅极布线G3侧延伸的延伸部BME1重叠的区域。
以下，以图14、图15为参考说明第3构成例的变形例。图14是在第3构成例的变形例的阵列基板AR上使对置基板CT的第2遮光层BM2以及间隔件重合的图。在阵列基板AR侧的构成中，第1间隔件SSA的配置位置与第3构成例不同。
阵列基板AR侧的第1间隔件SSA(SSA1、SSA2)分别分割地形成于像素PX2以及像素PX6，并在接触孔CH2与栅极布线G2之间形成在像素电极PE5上。另外，第1间隔件SSA1配置于与和栅极布线G2对置的第2遮光层BM2的向栅极布线G1侧延伸的延伸部BME2重叠的区域，第1间隔件SSA2在像素PX6中配置于与和栅极布线G2对置的第2遮光层BM2的向栅极布线G3侧延伸的延伸部BME1重叠的区域。
对置基板侧CT的第2间隔件SSC的一端在像素PX2中配置于与和栅极布线G2对置的第2遮光层BM2以及第2遮光层BM2的向栅极布线G1侧延伸的延伸部BME2重叠的区域，并抵接于像素PX2的第1间隔件SSA1，另一端在像素PX6中配置于与和栅极布线G2对置的第2遮光层BM2以及第2遮光层BM2的向栅极布线G3侧延伸的延伸部BME1重叠的区域，并抵接于像素PX6的第1间隔件SSA2。在像素PX2中，第1间隔件SSA1与第2间隔件SSC的交叉角度具有比0度大且小于90度的角度α。另外，在像素PX6中，第1间隔件SSA2与第2间隔件SSC的交叉角度具有比0度大且小于90度的角度α。像素PX2中的间隔件彼此的交叉角度与像素PX6中的间隔件彼此的交叉角度既可以相同，也可以是不同的交叉角度。
对第3构成例以及第3构成例的上述变形例中的滤色器的配置举例进 行介绍。例如，与第1构成例相同地将绿色滤色器配置于像素PX1、PX4，将红色滤色器配置于像素PX3、PX6，在开口区域较小的像素PX5中配置白色显示滤色器，在开口区域较大的像素PX8中配置蓝色滤色器。另外，也可以不使用白色显示滤色器，而是例如将绿色滤色器配置于像素PX1、PX4，将蓝色滤色器配置于像素PX2、PX5，将红色滤色器配置于像素PX3、PX6的构成。
已知有将分别形成于阵列基板与对置基板的间隔件彼此交叉的构成。在该情况下，如第2构成例所示的间隔件用遮光部那样，需要扩宽第2遮光层BM2以便将间隔件周围遮光。另外，考虑使阵列基板与对置基板贴合时的组合偏差，也需要较宽地确保间隔件用遮光部。因此，期望像素的开口区域变小，且阵列基板侧的间隔件以及对置基板侧的间隔件尽可能小，但若较小则有时可能因组合偏差导致间隔件彼此不能抵接。
根据本第3构成例以及变形例，第1间隔件SSA以及第2间隔件SSC是将各个间隔件周围扩宽且由第2遮光层BM2以及其延伸部包围的构成，无需另外设置间隔件用遮光部，能够较宽地确保开口区域。另外，能够使间隔件自身形成得长，另外，由于将第1间隔件与第2间隔件的交叉角度设定为比0度大且小于90度这样小，因此即使产生了阵列基板与对置基板的组合偏差，也能够较大地确保间隔件抵接所用的余量。
以上，将在构成例1中说明过的特别是像素PX4以及PX5的开关元件构造以及其第2遮光层BM2的组合作为第2构成例以及其变形例、第3构成例以及其变形例进行了说明，这些实施方式并不限定于此。例如，也可以使第1构成例或第3构成例的像素PX4～PX6的开关元件构造以及其第2遮光层BM2为一像素单位，或使第2构成例的像素PX4～PX9为一像素单位，并配置于有源区域内的多个位置，也可以仅配置于间隔件配置位置，也能够沿一像素单位的第1方向以及第2方向连续而规则地配置。
图16是表示第2构成例的间隔件配置的分布的概略图。
在第2构成例中，如图16所示，除了间隔件SS之外具备子间隔件SubSS。子间隔件SubSS被设定为比间隔件SS高度低，与间隔件SS同样形成于对置基板CT。间隔件SS例如在图16中的虚线所包围的60像素中配置一个，子间隔件SubSS配置19个。图16仅示出间隔件SS以及子间 隔件SubSS的配置，关于第2遮光层BM2虽然未记载，但在间隔件SS所配置的位置成为图8所示的构成。在图8中虽然没有子间隔件的记载，但如图16所示，间隔件SS配置于邻接的源极布线之间，相对于此，子间隔件SubSS配置于源极布线与栅极布线的交叉部。另外，子间隔件SubSS也与间隔件SS同样具备间隔件用遮光部，但子间隔件SubSS的间隔件用遮光部比间隔件SS的间隔件用遮光部BME2小。
另外，本发明并不局限于构成例1至3以及其变形例，也可以任意地组合图17的第1像素图案、图18的第2像素图案、图19的第3像素图案。
图17所示的第1像素图案如图4的像素PX4的开关元件SW4那样，是具备将形成于栅极布线G的第2方向一侧的像素电极PE与半导体层SC电连接的接触孔CH3、以及向比接触孔CH3靠第2方向一侧延伸的像素电极PE的像素图案。
图18所示的第2像素图案如图4的像素PX5的开关元件SW5那样，是具备将形成于栅极布线G的第2方向另一侧的像素电极PE与半导体层SC电连接的接触孔CH3、以及超过栅极布线G而向比接触孔CH3靠第2方向一侧延伸的像素电极PE的像素图案。
图19所示第3像素图案如图8的像素PX8的开关元件SW8的那样，是如下像素图案：具备将形成于栅极布线G的第2方向一侧的中继电极DE与半导体层SC电连接的接触孔CH2、将中继电极DE与像素电极PE电连接的接触孔CH3、以及从接触孔CH3向第2方向一侧延伸的像素电极PE，且接触孔CH2形成于栅极布线G与接触孔CH3之间。
上述第1至第3像素图案中的半导体层SC也可以分别具有不同的形状。虽然说明了在栅极布线G中使用U字形状或J字形状的半导体层SC而在两个位置交叉的双栅极的形状，但例如也可以使用图20所示的那种L字形状而形成双栅极构造。在图20(a)中，示出第1像素图案的半导体层SC的形状，在图20(b)中，示出第2像素图案的半导体层SC的形状。另外，也可以组合它们，是第1像素图案的半导体层SC的形状、第2像素图案的半导体层SC的形状各不相同的形状。在到此为止的说明中，第1像素图案与第2像素图案具有实质上成为对称的形状，但也可以是例如L字形状的半导体层与U字形状的半导体层的组合。
与上述第1像素图案、第2像素图案对应的对置基板CT的遮光层BM2基本上将各自的栅极布线G与接触孔CH3遮光，由于第1像素图案与第2像素图案的接触孔CH3夹着栅极布线G配置于第2方向一侧与第2方向另一侧，因此遮光层BM2的中心轴在第1像素图案与第2像素图案中成为不同的构成。
关于形成间隔件的位置，能够使用第3像素图案在不与接触孔CH3重叠的栅极布线G附近形成柱状间隔件。在该情况下，能够使用间隔件用遮光部BME3将第3像素图案的栅极布线G以及接触孔CH3遮光。
另外，如果使用与第1像素图案以及第2像素图案对置的遮光层BM2，则能够使用分别形成于第3构成例以及第3构成例的变形例所示的阵列基板AR与对置基板CT的间隔件，不降低开口率地形成单元间隙。
如果汇总在上述实施方式中说明的显示装置的要点，则可以如以下那样记载。
(1)一种显示装置，具备第1基板和与上述第1基板对置的第2基板，该第1基板具备：
多个源极布线，沿第1方向排列而形成；多个栅极布线，沿第2方向排列而形成；第1开关元件与第2开关元件，连接于作为上述多个栅极布线中之一的第1栅极布线；第1像素电极，从上述第1栅极布线经由形成于第2方向一侧的第1接触孔而与上述第1开关元件电连接，并向上述第2方向一侧延伸；以及第2像素电极，从上述第1栅极布线经由形成于第2方向另一侧的第2接触孔而与上述第2开关元件电连接，并超过上述第1栅极布线而向上述第2方向一侧延伸。
(2)在上述(1)记载的显示装置中，
具备与上述第1开关元件电连接的第1源极布线、与上述第2开关元件电连接的第2源极布线、将上述第1开关元件与上述第1源极布线连接且形成于上述第2方向一侧的第3接触孔、以及将上述第2开关元件与上述第2源极布线连接且形成于上述第2方向另一侧的第4接触孔。
(3)在上述(2)记载的显示装置中，
上述第1开关元件具备与上述第1栅极布线交叉的第1形状的第1半导体层，上述第2开关元件具备与上述第1栅极布线交叉的第2形状的第2 半导体层。
(4)在上述(1)至(3)中任一项所记载的显示装置中，具备：
第1宽度的第1遮光部，形成于上述第2基板，并对置于上述第1栅极布线与上述第1接触孔；以及
第2遮光部，形成于上述第2基板，并对置于上述第1栅极布线和上述第2接触孔，具有与上述第1宽度实质上相等的宽度。
(5)在上述(4)记载的显示装置中，
具备形成于上述第1基板的第1间隔件、以及形成于上述第2基板并与上述第1间隔件抵接的第2间隔件，
上述第1间隔件的一端形成于与上述第1遮光部重叠的区域，并且上述第1间隔件的另一端形成于与上述第2遮光部重叠的区域，
上述第2间隔件的一端形成于与第1遮光层重叠的区域，并且上述第2间隔件的另一端形成于与第2遮光层重叠的区域，
上述第1间隔件与上述第2间隔件的交叉角度比0度大，且比90度小。
(6)在上述(4)记载的显示装置中，
具备形成于上述第1基板的第1间隔件和第2间隔件、以及形成于上述第2基板并与上述第1间隔件及上述第2间隔件抵接的第3间隔件，
上述第1间隔件形成于与第1遮光层重叠的区域，并且上述第2间隔件形成于与第2遮光层重叠的区域，
上述第3间隔件的一端在与上述第1遮光层重叠的区域中抵接于上述第1间隔件，上述第3间隔件的另一端在与上述第2遮光层重叠的区域中抵接于上述第2间隔件。
(7)一种显示装置，具备阵列基板、对置基板、以及上述阵列基板与上述对置基板之间的间隔件，
上述阵列基板具备：多个源极布线，沿第1方向实质上等间隔地配置；多个栅极布线，沿第2方向实质上等间隔地配置；多个像素，由上述多个栅极布线与上述多个源极布线划分而成；第1开关元件与第2开关元件，与第1栅极布线连接；第1像素，具备从上述第1栅极布线经由形成于第2方向一侧的第1接触孔而与上述第1开关元件连接的第1像素电极；以及第2像素，具备从上述第1栅极布线经由形成于第2方向另一侧的第2接 触孔而与上述第2开关元件连接的第2像素电极，且该第2像素与上述第1像素的上述第1方向邻接；
上述对置基板具备：第1遮光部，和上述第1栅极布线与上述第1接触孔对置，并以第1宽度延伸；以及与第1遮光部一体地形成的第2遮光部，该第2遮光部对置于上述第1栅极布线和上述第2接触孔，并以与第1宽度实质上相等的宽度延伸。
(8)在上述(7)记载的显示装置中，
上述第2像素在上述第1方向上与上述第1像素邻接，并且还在上述第2方向另一侧与第3像素邻接，上述第3像素具备与上述第1开关元件以及上述第1遮光部相同的构成。
(9)在上述(8)记载的显示装置中，
上述对置基板具备与上述多个源极布线对置的第3遮光部，利用上述第1遮光部至第3遮光部形成上述多个像素的开口区域。
(10)在上述(9)记载的显示装置中，
上述第1像素的开口区域比上述第2像素的开口区域小，且比上述第3像素的开口区域大。
(11)在上述(7)至(9)中任一项所记载的显示装置中，
上述间隔件形成于邻接的两个源极布线之间，并位于与上述第2像素的上述第2方向一侧邻接的第4像素中。
(12)在上述(11)记载的显示装置中，
上述间隔件形成于上述对置基板，上述显示装置还具备覆盖上述间隔件的周围且比上述第1宽度大的间隔件用遮光部，上述间隔件用遮光部对包含配置有上述间隔件的上述第4像素在内、与上述第4像素的第1方向邻接的两个像素和上述第1像素各自的一部分进行覆盖。
(13)在上述(7)至(10)中任一项所记载的显示装置中，
上述间隔件由配置于上述阵列基板的第1间隔件、以及配置于对置基板且抵接于上述第1间隔件的第2间隔件构成，
上述第1间隔件的一端形成于与第2遮光层重叠的区域，并且上述第1间隔件的另一端形成于与第1遮光层重叠的区域，
上述第2间隔件的一端形成于与上述第2遮光层重叠的区域，并且上 述第2间隔件的另一端形成于与上述第1遮光层重叠的区域，
上述第1间隔件与上述第2间隔件的交叉角度比0度大且比90度小。
(14)在上述(7)至(10)中任一项所记载的显示装置中，
上述间隔件由配置于在阵列基板侧形成的上述第1像素的第1间隔件、配置于上述第2像素的第2间隔件、配置于对置基板侧且抵接于上述第1间隔件以及第2间隔件的第3间隔件构成，
上述第1间隔件形成于与第2遮光层重叠的区域，并且上述第2间隔件形成于与第1遮光层重叠的区域，
上述第3间隔件的一端在与上述第2遮光层重叠的区域中抵接于上述第1间隔件，上述第3间隔件的另一端在与上述第1遮光层重叠的区域中抵接于上述第2间隔件。
Claims (20)
1.一种显示装置，具备第1基板和与上述第1基板对置的第2基板，
该第1基板具备：
多个源极布线，沿第1方向排列而形成；
多个栅极布线，沿第2方向排列而形成；
第1开关元件与第2开关元件，连接于作为上述多个栅极布线中的一个的第1栅极布线；
第1像素电极，从上述第1栅极布线经由形成于第2方向一侧的第1接触孔而与上述第1开关元件电连接，并向上述第2方向一侧延伸；以及
第2像素电极，从上述第1栅极布线经由形成于第2方向另一侧的第2接触孔而与上述第2开关元件电连接，并超过上述第1栅极布线而向上述第2方向一侧延伸。
2.根据权利要求1所述的显示装置，具备：
与上述第1开关元件电连接的第1源极布线；
与上述第2开关元件电连接的第2源极布线；
将上述第1开关元件与上述第1源极布线连接且形成于上述第2方向一侧的第3接触孔；以及
将上述第2开关元件与上述第2源极布线连接且形成于上述第2方向另一侧的第4接触孔。
3.根据权利要求2所述的显示装置，
上述第1开关元件具备与上述第1栅极布线交叉的第1形状的第1半导体层，上述第2开关元件具备与上述第1栅极布线交叉的第2形状的第2半导体层。
4.根据权利要求1所述的显示装置，具备：
第1宽度的第1遮光部，形成于上述第2基板，并对置于上述第1栅极布线和上述第1接触孔；以及
第2遮光部，形成于上述第2基板，并对置于上述第1栅极布线和上述第2接触孔，具有与上述第1宽度实质上相等的宽度。
5.根据权利要求2所述的显示装置，具备：
第1宽度的第1遮光部，形成于上述第2基板，并对置于上述第1栅极布线和上述第1接触孔；以及
第2遮光部，形成于上述第2基板，并对置于上述第1栅极布线和上述第2接触孔，具有与上述第1宽度实质上相等的宽度。
6.根据权利要求3所述的显示装置，具备：
第1宽度的第1遮光部，形成于上述第2基板，并对置于上述第1栅极布线和上述第1接触孔；以及
第2遮光部，形成于上述第2基板，并对置于上述第1栅极布线和上述第2接触孔，具有与上述第1宽度实质上相等的宽度。
7.根据权利要求4所述的显示装置，
上述显示装置具备形成于上述第1基板的第1间隔件、以及形成于上述第2基板并与上述第1间隔件抵接的第2间隔件，
上述第1间隔件的一端形成于与上述第1遮光部重叠的区域，并且上述第1间隔件的另一端形成于与上述第2遮光部重叠的区域，
上述第2间隔件的一端形成于与第1遮光层重叠的区域，并且上述第2间隔件的另一端形成于与第2遮光层重叠的区域，
上述第1间隔件与上述第2间隔件的交叉角度比0度大，且比90度小。
8.根据权利要求4所述的显示装置，
上述显示装置具备形成于上述第1基板的第1间隔件与第2间隔件、以及形成于上述第2基板并与上述第1间隔件及上述第2间隔件抵接的第3间隔件，
上述第1间隔件形成于与第1遮光层重叠的区域，并且上述第2间隔件形成于与第2遮光层重叠的区域，
上述第3间隔件的一端在与上述第1遮光层重叠的区域中抵接于上述第1间隔件，上述第3间隔件的另一端形成于与上述第2遮光层重叠的区域中并抵接于上述第2间隔件。
9.一种显示装置，具备阵列基板、对置基板、以及上述阵列基板与上述对置基板之间的间隔件，
上述阵列基板具备：多个源极布线，沿第1方向实质上等间隔地配置；多个栅极布线，沿第2方向实质上等间隔地配置；多个像素，由上述多个 栅极布线与上述多个源极布线划分而成；第1开关元件和第2开关元件，与作为上述多个栅极布线之一的第1栅极布线连接；第1像素，具备从上述第1栅极布线经由形成于第2方向一侧的第1接触孔而与上述第1开关元件连接的第1像素电极；以及第2像素，具备从上述第1栅极布线经由形成于第2方向另一侧的第2接触孔而与上述第2开关元件连接的第2像素电极，且该第2像素与上述第1像素的上述第1方向邻接，
上述对置基板具备：第1遮光部，对置于上述第1栅极布线和上述第1接触孔，并以第1宽度延伸；以及与第1遮光部一体地形成的第2遮光部，对置于上述第1栅极布线和上述第2接触孔，并以与第1宽度实质上相等的宽度延伸。
10.根据权利要求9所述的显示装置，
上述第2像素在上述第1方向上与上述第1像素邻接，并且还在上述第2方向另一侧与第3像素邻接，上述第3像素具备与上述第1开关元件以及上述第1遮光部相同的构成。
11.根据权利要求10所述的显示装置，
上述对置基板具备与上述多个源极布线对置的第3遮光部，利用上述第1遮光部至第3遮光部形成上述多个像素的开口区域。
12.根据权利要求11所述的显示装置，
上述第1像素的开口区域比上述第2像素的开口区域小，且比上述第3像素的开口区域大。
13.根据权利要求9所述的显示装置，
上述间隔件形成于邻接的两个源极布线之间，并位于与上述第2像素的上述第2方向一侧邻接的第4像素中。
14.根据权利要求10所述的显示装置，
上述间隔件形成于邻接的两个源极布线之间，并位于与上述第2像素的上述第2方向一侧邻接的第4像素中。
15.根据权利要求11所述的显示装置，
上述间隔件形成于邻接的两个源极布线之间，并位于与上述第2像素的上述第2方向一侧邻接的第4像素中。
16.根据权利要求13所述的显示装置，
上述间隔件形成于上述对置基板，上述显示装置还具备覆盖上述间隔件的周围且比上述第1宽度大的间隔件用遮光部，上述间隔件用遮光部对包含配置有上述间隔件的上述第4像素在内、与上述第4像素的第1方向邻接的两个像素和上述第1像素各自的一部分进行覆盖。
17.根据权利要求9所述的显示装置，
上述间隔件由配置于上述阵列基板的第1间隔件、以及配置于对置基板且抵接于上述第1间隔件的第2间隔件构成，
上述第1间隔件的一端形成于与第2遮光层重叠的区域，并且上述第1间隔件的另一端形成于与第1遮光层重叠的区域，
上述第2间隔件的一端形成于与上述第2遮光层重叠的区域，并且上述第2间隔件的另一端形成于与上述第1遮光层重叠的区域，
上述第1间隔件与上述第2间隔件的交叉角度比0度大且比90度小。
18.根据权利要求10所述的显示装置，
上述间隔件由配置于上述阵列基板的第1间隔件、以及配置于对置基板且抵接于上述第1间隔件的第2间隔件构成，
上述第1间隔件的一端形成于与第2遮光层重叠的区域，并且上述第1间隔件的另一端形成于与第1遮光层重叠的区域，
上述第2间隔件的一端形成于与上述第2遮光层重叠的区域，并且上述第2间隔件的另一端形成于与上述第1遮光层重叠的区域，
上述第1间隔件与上述第2间隔件的交叉角度比0度大且比90度小。
19.根据权利要求11所述的显示装置，
上述间隔件由配置于上述阵列基板的第1间隔件、以及配置于对置基板且抵接于上述第1间隔件的第2间隔件构成，
上述第1间隔件的一端形成于与第2遮光层重叠的区域，并且上述第1间隔件的另一端形成于与第1遮光层重叠的区域，
上述第2间隔件的一端形成于与上述第2遮光层重叠的区域，并且上述第2间隔件的另一端形成于与上述第1遮光层重叠的区域，
上述第1间隔件与上述第2间隔件的交叉角度比0度大且比90度小。
20.根据权利要求9所述的显示装置，
上述间隔件由在阵列基板侧形成的上述第1像素中配置的第1间隔件、 配置于上述第2像素的第2间隔件、配置于对置基板侧且抵接于上述第1间隔件以及第2间隔件的第3间隔件构成，
上述第1间隔件形成于与第2遮光层重叠的区域，并且上述第2间隔件形成于与第1遮光层重叠的区域，
上述第3间隔件的一端在与上述第2遮光层重叠的区域中抵接于上述第1间隔件，上述第3间隔件的另一端形成于与上述第1遮光层重叠的区域并抵接于上述第2间隔件。
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