CN205248278U - 图像传感器封装 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及图像传感器封装，包括：透明衬底；附接于透明衬底上的多个坝体结构；图像传感器管芯，附接于坝体结构上使得图像传感器管芯的相对两侧中的每一侧上有一个坝体结构，图像传感器管芯具有最远离透明衬底的顶表面和最靠近透明衬底的底表面，以及连接顶表面和底表面的相对的第一侧表面和第二侧表面，图像传感器管芯的底表面上具有图像像素阵列；垂直穿过图像传感器管芯的多个导电通孔；形成在图像传感器管芯的第一侧表面和第二侧表面、图像传感器管芯的每一侧的坝体结构的侧表面和透明衬底的相对侧表面上的成型材料；图像传感器封装的侧表面完全由成型材料形成。图像传感器封装使得能够防止外部材料到达图像传感器的气密图像传感器封装。

Description

图像传感器封装
技术领域
本实用新型一般涉及成像系统，更特别地，涉及具有图像传感器集成电路封装的成像系统。
背景技术
诸如蜂窝电话、照相机和计算机的当代电子设备常常使用数字图像传感器。成像器(即，图像传感器)常常包括图像感测像素的二维阵列。各像素一般包括接收入射光子(光)并且将光子转换成电信号的感光元件，诸如光电二极管。
在典型的配置中，图像传感器管芯包括在图像传感器管芯的前表面上形成的图像传感器集成电路和在图像传感器管芯的后表面上形成的电触点(例如，焊球的网格)。使用硅通孔，以电连接图像传感器管芯的前表面上的图像传感器集成电路与图像传感器管芯的后表面上的电触点。然后，通过将图像传感器管芯的后表面上的电触点焊接到印刷电路板上，将图像传感器管芯与印刷电路板机械和电耦合。
存在与这种类型的封装配置有关的大量缺点。特别地，图像感测像素和其它的内部电子部件可能没有针对诸如脏物、灰尘和水的外部要素得到充分的保护。如果外部要素被允许进入图像传感器封装，那么图像感测像素和图像传感器的总体性能可能受损。例如，泄漏到图像传感器封装中的水会降低图像传感器的性能或者使图像传感器完全停止工作。
因此，会希望提供改善的形成图像传感器集成电路封装的方式。
实用新型内容
根据本实用新型的一个方面，提供一种图像传感器封装，包括：透明衬底；附接于所述透明衬底上的多个坝体结构；图像传感器管芯，被附接于所述坝体结构上使得所述图像传感器管芯的相对两侧中的每一侧上有一个坝体结构，所述图像传感器管芯具有最远离所述透明衬底的顶表面和最靠近所述透明衬底的底表面，以及连接所述顶表面和底表面的相对的第一侧表面和第二侧表面，所述图像传感器管芯的最靠近所述透明衬底的底表面上具有图像像素阵列；垂直穿过所述图像传感器管芯的多个导电通孔；和形成在所述传感器管芯的所述第一侧表面和所述第二侧表面、所述图像传感器管芯的每一侧的所述坝体结构的侧表面和所述透明衬底的相对的每一侧表面上的成型材料；其中，所述图像传感器封装的侧表面完全由所述成型材料形成。
在一个实施例中，所述图像传感器封装还包括形成在所述图像传感器管芯的最远离所述透明衬底的顶表面上的至少一个传导层，其中，所述至少一个传导层电和机械连接到所述多个导电通孔中的至少一个导电通孔。
在一个实施例中，所述透明衬底是玻璃衬底。
根据本实用新型的另一个方面，提供一种图像传感器封装，包括：透明衬底；附接于所述透明衬底上的多个附接结构；图像传感器管芯，被附接于所述附接结构上使得所述图像传感器管芯的相对两侧中的每一侧上有一个附接结构，所述图像传感器管芯具有最远离所述透明衬底的顶表面和最靠近所述透明衬底的底表面，以及连接所述顶表面和底表面的相对的第一侧表面和第二侧表面，所述图像传感器管芯的最靠近所述透明衬底的底表面上具有图像像素阵列；垂直穿过所述图像传感器管芯的多个导电通孔；形成在图像传感器管芯的最远离所述透明衬底的顶表面上的至少一个传导层；和成型材料，形成在所述图像传感器管芯的所述第一侧表面和所述第二侧表面以及所述图像传感器管芯的每一侧的所述附接结构的侧表面上，并且成型材料的顶表面覆盖所述至少一个传导层和所述图像传感器管芯最远离所述透明衬底的顶表面；其中，所述图像传感器封装的侧表面具有由所述透明衬底形成的部分和由所述成型材料形成的部分。
在一个实施例中，所述图像传感器封装还包括在所述成型材料的顶表面中形成的至少一个孔，用于露出所述至少一个传导层。
在一个实施例中，在所述成型材料的顶表面中形成的至少一个孔露出所述至少一个传导层上的焊盘。
在一个实施例中，所述图像传感器封装还包括在所述至少一个孔中形成的焊料。
在一个实施例中，所述至少一个孔是通过激光钻形成的。
在一个实施例中，所述透明衬底是玻璃衬底。
根据本实用新型的另一个方面，提供一种图像传感器封装，包括：透明衬底；附接于所述透明衬底上的多个坝体；图像传感器管芯，被附接于所述坝体上使得所述图像传感器管芯的相对两侧中的每一侧上有一个坝体，所述图像传感器管芯具有最远离所述透明衬底的顶表面和最靠近所述透明衬底的底表面，以及连接所述顶表面和底表面的相对的第一侧表面和第二侧表面，所述图像传感器管芯的最靠近所述透明衬底的底表面上具有图像像素阵列；垂直穿过所述图像传感器管芯的多个导电通孔；和形成在所述图像传感器管芯的所述第一侧表面和所述第二侧表面以及所述图像传感器管芯的每一侧的所述坝体的侧表面上的成型材料。
在一个实施例中，所述成型材料形成在所述透明衬底上。
在一个实施例中，所述图像传感器封装还包括形成在所述图像传感器管芯的最远离所述透明衬底的表面上的多个传导层，其中，所述多个传导层中的每一个与所述多个导电通孔中的相应导电通孔电和机械连接；和形成在所述传导层上的钝化层。
在一个实施例中，所述多个传导层包括延伸到所述图像传感器管芯的相对两侧的成型材料上的至少一个传导层。
在一个实施例中，所述图像传感器封装的侧表面具有由衬底形成的部分、由成型材料形成的部分和由钝化层形成的部分。
附图说明
图1是根据本实用新型的实施例的具有包含一个或更多个图像传感器的照相机模块的解释性的成像系统的示图。
图2是根据本实用新型的实施例的具有多个图像传感器的解释性的图像传感器晶片的示图。
图3是根据本实用新型的实施例的在用于形成图像传感器封装的解释性的方法的各步骤中所形成的图像传感器封装的截面图和最终得到的图像传感器封装的截面图，该方法包括成型处理和随后形成重布层。
图4是根据本实用新型的实施例的用于形成图像传感器封装的解释性的方法的各步骤中所形成的图像传感器封装的截面图和最终得到的图像传感器封装的截面图，该方法包括形成重布层和随后执行成型处理。
图5是根据本实用新型的实施例的用于形成图像传感器封装的解释性的方法的各步骤中所形成的图像传感器封装的截面图和最终得到的图像传感器封装的截面图，该方法包括使用可去除面板。
图6是根据本实用新型的实施例的用于形成图像传感器封装的解释性的方法的各步骤中所形成的图像传感器封装的截面图和最终得到的图像传感器封装的截面图，该方法包括使用带凹口的衬底和可去除面板。
图7是根据本实用新型的实施例的用于形成图像传感器封装的解释性的方法的各步骤中所形成的图像传感器封装的截面图和最终得到的图像传感器封装的截面图，该方法包括使用带凹口衬底和可去除面板。
图8是根据本实用新型的实施例的使用图1～7的实施例的解释性的处理器系统的框图。
具体实施方式
诸如数字照相机、计算机、蜂窝电话和其它电子设备的电子设备包括收集进入的图像光以捕获图像的图像传感器。图像传感器可包括成像像素的阵列。成像像素可包括将进入的图像光转换成图像信号的诸如光电二极管的感光元件。图像传感器可具有任意数量的像素(例如，成百上千或更多)。典型的图像传感器可例如具有几十万或者几百万个像素(例如，兆像素)。图像传感器可包括诸如用于操作成像像素的电路的控制电路和用于读出与由感光元件产生的电荷相对应的图像信号的读出电路。
图1是使用一个或更多个图像传感器以捕获图像的解释性的电子设备的示图。图1的电子设备10可以是便携式电子设备，诸如照相机、蜂窝电话、视频照相机或捕获数字图像数据的其它成像设备。照相机模块12可被用于将进入的光转换成数字图像数据。照相机模块12可包含一个或更多个透镜14和一个或更多个相应的图像传感器16。在图像捕获动作中，来自场景的光可通过使用透镜14聚焦于图像传感器16上。图像传感器16可向处理电路18提供相应的数字图像数据。如果希望的话，照相机模块12可具有透镜14的阵列和相应的图像传感器16的阵列。各图像传感器16可包含具有图像传感器像素15的阵列的图像像素阵列40。图像传感器16可包含一个或更多个后侧照明(BSI)图像传感器和/或一个或更多个前侧照明(FSI)图像传感器。
处理电路18可包含一个或更多个集成电路(例如，图像处理电路、微处理器、诸如随机存取存储器和非易失性存储器等的存储装置)，并且，可通过使用与照相机模块12分开和/或形成照相机模块12的一部分的部件(例如，形成包含图像传感器16的集成电路或与图像传感器16相关的模块12内的集成电路的一部分的电路)被实现。通过照相机模块12捕获的图像数据可通过使用处理电路18被处理和存储。如果希望的话，处理的图像数据可通过使用与处理电路18耦合的有线和/或无线通信路径被提供给外部设备(例如，计算机或其它装置)。
图2表示具有多个图像传感器管芯16(例如，传感器#1、传感器#2、传感器#3等)的解释性的图像传感器晶片160。各图像传感器管芯16可包含可操作以产生图像数据(例如，静止或视频数据)的图像传感器像素的阵列。在晶片切割动作期间，晶片160可沿线66被切割，以将晶片160切成各单个图像传感器管芯16。单个化的图像传感器管芯可形成包含单个图像传感器管芯16的照相机模块的一部分，或者可形成包含图像传感器管芯16的阵列的阵列照相机的一部分。
在图像传感器管芯16被用于阵列照相机中的配置中，图像传感器管芯16不需要与阵列照相机中的其它图像传感器管芯16分开地单个化。例如，传感器#1、传感器#2和传感器#3可与晶片160中的剩余的图像传感器分开地单个化，但是，如果希望的话，可以作为一件(例如，具有三个图像像素阵列的单个图像传感器管芯)保持在一起。但这仅是解释性的。如果希望的话，形成阵列照相机的一部分的图像传感器可单个化成单个管芯(每个图像传感器管芯一个图像像素阵列)，并然后被相互邻近地安装于阵列照相机中的共用印刷电路板上。
图像传感器16可以是后侧照明图像传感器或者可以是前侧照明图像传感器。在前侧照明图像传感器中，诸如金属互连电路的电路可被插入微透镜阵列与图像传感器的感光区域之间。在后侧照明图像传感器中，感光区域被插入于微透镜阵列与图像传感器的金属互连电路之间。
图3表示用于制作包含诸如图像传感器16的图像传感器的图像传感器封装的解释性的方法100。在步骤102中，可以提供衬底116和晶片118。晶片118可由硅制成，并且，可包含一个或更多个像素阵列122。各像素阵列可与不同的传感器对应。例如，第一像素阵列可被用于诸如图2中的传感器#1的第一图像传感器中，并且，第二像素阵列可被用于诸如图2中的传感器#2的第二图像传感器中。在图3中，晶片118被示为具有两个像素阵列，但是本例子仅是解释性的。晶片118可具有一个像素阵列、两个像素阵列、十个像素阵列、几百个像素阵列或者多于几百的像素阵列。晶片118可在晶片的像素阵列122的同一侧包含一个图像传感器集成电路或多个图像传感器集成电路。
衬底116可由透明玻璃板、清澈塑料层或其它适当的透明部件形成。如果希望的话，衬底116可以是不透明的，或者可以仅是部分透明的。例如，如果希望的话，衬底116可透过一定范围的波长，而阻挡其它范围的波长。在图像传感器16被用于分析流体(例如，用于捕获光化学反应期间的物质的图像)的配置中，可能希望衬底116完全或部分不透明(作为例子)。一般地，衬底116可具有任何希望的透射光谱。衬底116透明的配置有时在这里被描述为解释性的例子。根据处理，衬底116可以是晶片形式或面板形式。
在步骤104中，坝体120附接于衬底116上。坝体120可通过使用任何希望的方法或材料附接于衬底116上。例如，坝体120可通过使用粘合剂、胶、环氧树脂、聚合物或任何其它希望的材料附接于衬底116上。在某些实施例中，坝体120可由粘合剂材料形成。并且，在步骤104中，可在晶片118中形成通孔124。通孔124可提供完全穿过晶片118的垂直电连接。在晶片118由硅制成的实施例中，通孔124可被称为硅通孔(TSV)。通孔124可与图像传感器集成电路电连接。
坝体120可由任何希望的材料形成，并且，可具有任何希望的尺寸。坝体120可例如为感光粘合剂，诸如可通过使用光刻技术施加和构图的干膜粘合剂。在图3中，衬底116被示为具有四个附接坝体。该例子仅是解释性的。衬底116可被附接于一个坝体、两个坝体、十个坝体、几百个坝体或者多于几百的坝体上。衬底116可对于晶片118中的各传感器管芯被附接于任何希望的数量的坝体上。例如，衬底116可对于晶片118中的各传感器管芯被附接于两个坝体上。
在步骤106中，晶片118可被锯为形成传感器管芯126和128。晶片118可以以与在图2中描述的方式类似的方式被锯。各传感器管芯可被附接于坝体120上。各传感器管芯可被附接于两个坝体上，使得在传感器管芯的每一侧上一个坝体。传感器管芯可通过使用粘合剂、胶、环氧树脂、聚合物或任何其它希望的材料附接于坝体上。在坝体120由粘合剂材料制成的实施例中，传感器管芯可在不使用附加材料的情况下被附接于坝体上。
在步骤108中，可以执行成型处理，以填充在传感器管芯之间的间隙中。模子130可填充于传感器管芯126和128之间的间隙中，并且，可填充传感器管芯126和128的旁边的区域。如图3所示，传感器管芯126可具有最接近附接于坝体120上的衬底116的一侧。最远离衬底116的一侧(其在随后可被称为顶表面)可在成型处理中保持露出。因此，顶表面上的通孔124的多个部分也可在成型处理期间保持露出。坝体120可防止模子130到达像素阵列122。
步骤108中的成型处理可包括分配液体化合物、压缩成型或任何其它希望的成型处理。在使用液体化合物用于成型的实施例中，液体化合物可倾倒于各传感器管芯之间。液体化合物可填充于所有区域中，不渗透坝体120。液体化合物可在后面硬化以提供防止外部材料到达像素阵列122的气密密封。在使用压缩成型的实施例中，诸如塑料的成型材料可在适当的温度下被加热适当的时间。成型材料可然后被压缩在传感器管芯之间以待硬化，从而有效地在传感器管芯之间提供气密密封。
在步骤110中，通孔124可被提供有重布层125。虽然通孔可垂直贯穿管芯126和128，但重布层125可以是与通孔124连接并且跨着管芯126和128的顶表面水平延伸的传导层。重布层125可水平延伸经过管芯126和128的边缘并且延伸到模子130上。重布层125可由诸如金属的导电材料的籽层形成。籽层可以是钛、钛-钨、铜或任何其它希望的导电材料。重布层125可然后使诸如金属的导电材料镀覆于籽层上。镀覆的导电材料可以是铜、镍、铝或任何其它希望的导电材料。可以形成钝化层132以保护重布层125。钝化层132可由聚合物、聚酰亚胺(PI)、聚苯并恶唑(PBO)、苯并环丁烯(BCB)、焊料掩膜材料或任何其他希望的材料形成。重布层125可延伸可用来形成焊接的面积。重布层125可具有焊盘，该焊盘可在后面接收焊料以形成与印刷电路板的机械和电连接。焊盘可以是镀锡-铅铜盘、镀银铜盘、镀金铜盘或任何其它希望的类型的焊盘。
在步骤112中，可在重布层125上形成焊料134。在硅管芯126和128的顶表面上形成焊球134。在某些实施例中，可以使用焊球134以电连接硅通孔124到印刷电路板上的接合盘。焊球134可位于重布层125上的焊盘上。
在步骤114中，衬底116和模子130可被切割以分开管芯126和128。得到的图像传感器封装136使用模子130和钝化层132以确保耐久的气密封装。图像传感器封装136可具有相对的顶表面和底表面，以及第一和第二相对侧表面连接顶表面和底表面。图像传感器封装136的整个底表面可由衬底116形成。图像传感器封装136的顶表面可具有由重布层125形成的部分、由钝化层132形成的部分和由焊料134形成的部分。图像传感器封装136的侧表面可具有由衬底116形成的部分、由模子材料130形成的部分和由钝化层132形成的部分。
如图3所示，得到的图像传感器封装136包括：透明衬底116；附接于所述透明衬底上的多个坝体120；图像传感器管芯126或128，被附接于所述坝体上使得所述图像传感器管芯的相对两侧中的每一侧上有一个坝体，所述图像传感器管芯具有最远离所述透明衬底的顶表面和最靠近所述透明衬底的底表面，以及连接所述顶表面和底表面的相对的第一侧表面和第二侧表面，所述图像传感器管芯的最靠近所述透明衬底的底表面上具有图像像素阵列122；垂直穿过所述图像传感器管芯的多个导电通孔124；和形成在所述图像传感器管芯的所述第一侧表面和所述第二侧表面以及所述图像传感器管芯的每一侧的所述坝体的侧表面上的成型材料130。
所述成型材料形成在所述透明衬底上。
图像传感器封装还包括：形成在所述图像传感器管芯的最远离所述透明衬底的顶表面上的多个传导层125，其中，所述多个传导层中的每一个与所述多个导电通孔中的相应导电通孔电和机械连接；和形成在所述传导层上的钝化层132。
所述多个传导层包括延伸到所述图像传感器管芯的相对两侧的成型材料上的至少一个传导层。
所述图像传感器封装的侧表面具有由透明衬底116形成的部分、由成型材料130形成的部分和由钝化层132形成的部分
图4表示用于制作包含诸如图像传感器16的图像传感器的图像传感器封装的解释性的方法200。在步骤202中，可以提供衬底216和晶片218。晶片218可由硅制成，并且，可包含一个或更多个像素阵列222。各像素阵列可与不同的传感器对应。例如，第一像素阵列可被用于诸如图2中的传感器#1的第一图像传感器中，并且，第二像素阵列可被用于诸如图2中的传感器#2的第二图像传感器中。在图4中，晶片218被示为具有两个像素阵列，但是本例子仅是解释性的。晶片218可具有一个像素阵列、两个像素阵列、十个像素阵列、几百个像素阵列或者多于几百的像素阵列。晶片218可在晶片的像素阵列222的同一侧包含一个图像传感器集成电路或多个图像传感器集成电路。
衬底216可由透明玻璃板、透明塑料层或其它适当的透明部件形成。如果希望的话，衬底216可以是不透明的，或者可以仅是部分透明的。例如，如果希望的话，衬底216可透过一定范围的波长，而阻挡其它范围的波长。在图像传感器16被用于分析流体(例如，用于捕获光化学反应期间物质的图像)的配置中，可能希望衬底216完全或部分不透明(作为例子)。一般地，衬底216可具有任何希望的透射光谱。衬底216透明的配置有时在这里被描述为解释性的例子。
在步骤204中，坝体220被附接于衬底216上。坝体220可通过使用任何希望的方法或材料被附接于衬底216上。例如，坝体220可通过使用粘合剂、胶、环氧树脂、聚合物或任何其它希望的材料附接于衬底216上。并且，在步骤204中，可在晶片218中形成通孔224。通孔224可提供完全穿过晶片218的垂直电连接。在晶片218由硅制成的实施例中，通孔224可被称为硅通孔(TSV)。通孔224可与图像传感器集成电路电连接。
在步骤204中，通孔224可被提供有重布层225。虽然通孔可垂直贯穿晶片218，但重布层225可以是与通孔224连接并且跨着晶片218的顶表面水平延伸的传导层。重布层225可由诸如金属的导电材料的籽层形成。籽层可以是钛、钛-钨、铜或任何其它希望的导电材料。重布层225可然后使诸如金属的导电材料镀覆于籽层上。镀覆的导电材料可以是铜、镍、铝或任何其它希望的导电材料。重布层225可延伸可用来形成焊接的面积。重布层225可具有用于形成焊接的焊盘。焊盘可以是镀锡-铅铜盘、镀银铜盘、镀金铜盘或任何其它希望的类型的焊盘。
坝体220可由任何希望的材料形成，并且，可具有任何希望的尺寸。在图4中，衬底216被示为带有四个附接坝体。该例子仅是解释性的。衬底216可被附接于一个坝体、两个坝体、十个坝体、几百个坝体或者多于几百的坝体上。衬底216可对于晶片218中的各传感器管芯被附接于任何希望的数量的坝体上。例如，衬底216可对于晶片218中的各传感器管芯被附接于两个坝体上。
在步骤206中，晶片218可被锯以形成传感器管芯226和228。晶片218可以以与在图2中描述的方式类似的方式被锯。各传感器管芯可被附接于坝体220上。各传感器管芯可被附接于两个坝体上，使得一个坝体处于传感器管芯的一侧。传感器管芯可通过使用粘合剂、胶、环氧树脂、聚合物或任何其它希望的材料附接于坝体上。在某些实施例中，坝体220可由粘合剂材料形成。在坝体220由粘合剂材料形成的实施例中，可在不使用附加材料的情况下将透明衬底附接于坝体上。类似地，可在不使用附加材料的情况下将传感器管芯附接于坝体上。
在步骤208中，可以执行成型处理，以封装传感器管芯并且填充传感器管芯之间的间隙。模子230可填充于管芯226和228之间的间隙中，并且，可填充管芯226和228的旁边的区域。如图4所示，传感器管芯226可具有最接近附接于坝体220上的衬底216的一侧。可在随后被称为顶表面的最远离衬底216的一侧可在成型处理中完全被模子230覆盖。在步骤208之后，模子可具有平面的顶表面。坝体220可防止模子230到达像素阵列222。
步骤208中的成型处理可包括分配液体化合物、压缩成型或任何其它希望的成型处理。在液体化合物被用于成型的实施例中，液体化合物可倾倒于各传感器管芯之间。液体化合物可填充于所有区域中，不渗透坝体220。液体化合物可在后面硬化以提供防止外部材料到达像素阵列222的气密密封。在使用压缩成型的实施例中，诸如塑料的成型材料可在适当的温度下被加热适当长的时间。成型材料可然后在传感器管芯之间被压缩并且有待硬化，以在传感器管芯之间有效地提供气密密封。
在步骤210中，可在模子230的顶表面上形成模子通孔232。模子通孔232可露出重分层225的顶表面上的焊盘。可通过使用激光钻处理或任何其它希望的处理形成模子通孔232。在激光钻处理中，使用激光以在模子230中制作通孔232。
在步骤212中，可在重分层225上的模子通孔232中形成焊料234。可在硅管芯226和228的顶表面上形成焊球234。在某些实施例中，焊球234可被用于电连接硅通孔224到印刷电路板上的接合盘。焊球234可位于重分层225上的焊盘上。
在步骤214中，衬底216和模子230可被切割以分开管芯226和228。得到的图像传感器封装236使用模子230以确保耐久的气密封装。图像传感器封装236可具有相对的顶表面和底表面，以及第一和第二相对侧表面连接顶表面和底表面。图像传感器封装236的整个底表面可由衬底216形成。图像传感器封装236的顶表面可具有由模子材料230形成的部分和由焊料134形成的部分。图像传感器封装236的侧表面可具有由衬底216形成的部分和由模子材料230形成的部分。
如图4所示，得到的图像传感器封装236包括：透明衬底216；附接于所述透明衬底上的多个附接结构220；图像传感器管芯226或228，被附接于所述附接结构上使得所述图像传感器管芯的相对两侧中的每一侧上有一个附接结构，所述图像传感器管芯具有最远离所述透明衬底的顶表面和最靠近所述透明衬底的底表面，以及连接所述顶表面和底表面的相对的第一侧表面和第二侧表面，所述图像传感器管芯的最靠近所述透明衬底的底表面上具有图像像素阵列222；垂直穿过所述图像传感器管芯的多个导电通孔224；形成在图像传感器管芯的最远离所述透明衬底的顶表面上的至少一个传导层225；和成型材料230，形成在所述图像传感器管芯的所述第一侧表面和所述第二侧表面以及所述图像传感器管芯的每一侧的所述附接结构的侧表面上，并且成型材料的顶表面覆盖所述至少一个传导层和所述图像传感器管芯最远离所述透明衬底的顶表面；其中，所述图像传感器封装236的侧表面具有由所述透明衬底形成的部分和由所述成型材料形成的部分。
图像传感器封装还包括在所述成型材料的顶表面中形成的至少一个孔232，用于露出所述至少一个传导层。
在所述成型材料的顶表面中形成的至少一个孔用于露出所述至少一个传导层上的焊盘。
图像传感器封装，还包括在所述至少一个孔中形成的焊料234。
所述至少一个孔是通过激光钻形成的。
所述透明衬底是玻璃衬底。
图5表示用于制作包括诸如图像传感器16的图像传感器的图像传感器封装的解释性的方法300。在步骤302中，可以提供衬底317和晶片318。晶片318可由硅制成，并且，可包括一个或更多个像素阵列322。各像素阵列可与不同的传感器对应。例如，第一像素阵列可被用于诸如图2中的传感器#1的第一图像传感器中，并且，第二像素阵列可被用于诸如图2中的传感器#2的第二图像传感器中。在图5中，晶片318被示为具有两个像素阵列，但是本例子仅是解释性的。晶片318可具有一个像素阵列、两个像素阵列、十个像素阵列、几百个像素阵列或者多于几百的像素阵列。晶片318可在晶片的像素阵列322的同一侧包括一个图像传感器集成电路或多个图像传感器集成电路。
衬底317可由透明玻璃板、清澈塑料层或其它适当的透明部件形成。如果希望的话，衬底317可以是不透明的，或者可以仅是部分透明的。例如，如果希望的话，衬底317可透过一定范围的波长，而阻挡其它范围的波长。在图像传感器16被用于分析流体(例如，用于捕获光化学反应中的物质的图像)的配置中，可能希望衬底317完全或部分不透明(作为例子)。一般地，衬底317可具有任何希望的透射光谱。衬底317透明的配置有时在这里被描述为解释性的例子。
在步骤304中，坝体330附接于衬底317上。坝体320可通过使用任何希望的方法或材料附接于衬底317上。例如，坝体320可通过使用粘合剂、胶、环氧树脂、聚合物或任何其它希望的材料附接于衬底317上。并且，在步骤304中，可在晶片318中形成通孔324。通孔324可提供完全穿过晶片318的垂直电连接。在晶片318由硅制成的实施例中，通孔324可被称为硅通孔(TSV)。通孔324可与图像传感器集成电路电连接。
在步骤304中，通孔324可被提供有重分层325。虽然通孔可垂直贯穿晶片318，但重分层325可以是与通孔324连接并且跨着晶片318的顶表面水平延伸的传导层。重分层325可由诸如金属的导电材料的籽层形成。籽层可以是钛、钛-钨、铜或任何其它希望的导电材料。重分层325可然后使诸如金属的导电材料镀覆于籽层上。镀覆的导电材料可以是铜、镍、铝或任何其它希望的导电材料。重分层325可延伸可用于形成焊接的面积。重分层325可具有用于形成焊接的焊盘。焊盘可以是镀锡-铅铜盘、镀银铜盘、镀金铜盘或任何其它希望的类型的焊盘。
坝体330可由任何希望的材料形成，并且，可具有任何希望的尺寸。在图5中，衬底317被示为具有四个附接坝体。该例子仅是解释性的。衬底317可被附接于一个坝体、两个坝体、十个坝体、几百个坝体或者多于几百的坝体上。衬底317对于晶片318中的各传感器管芯可被附接于任何希望的数量的坝体上。例如，衬底317对于晶片318中的各传感器管芯可被附接于两个坝体上。
在步骤306中，晶片318可被附接于坝体320上。晶片318可被附接于坝体320上，使得一个传感器管芯被附接于两个坝体上，一个坝体处于传感器管芯的一侧。在步骤306中，晶片318还没有被分成单个传感器管芯。在某些实施例中，坝体320可由粘合剂材料形成。在坝体320由粘合剂材料形成的实施例中，可在不使用附加材料的情况下将透明衬底附接于坝体上。类似地，可在不使用附加材料的情况下将传感器管芯附接于坝体上。在某些实施例中，衬底317可以是与晶片318的晶片接合处理中进行的晶片。
在步骤308中，晶片318和衬底317可以被分开，以形成分别附接于衬底317的分开的部分上的传感器管芯326和328。例如，传感器管芯326可附接于衬底317的部分337上，并且，传感器管芯328可附接于衬底317的部分338上。在分开之后，衬底部分337和338可附接于面板329上。可通过锯、切割或任何其它希望的方法分开传感器管芯326和328。面板329可暂时附接于衬底部分337和338上。面板329可由聚合物或任何其它希望的材料形成。根据处理，面板329可以为晶片形式或面板形式。
在步骤310中，可以执行成型处理，以封装传感器管芯并且填充传感器管芯之间的间隙。模子330可填充于管芯326和328之间的间隙中，并且，可填充管芯326和328的旁边的区域。类似地，模子330可填充于衬底部分337与338之间的间隙中，并且，可填充衬底部分337与338的旁边的区域。如图5所示，传感器管芯326可具有最接近附接于坝体320上的衬底317的一侧。在随后可被称为顶表面的最远离衬底337的一侧可在成型处理期间被模子330完全覆盖。类似地，重分层325可在成型处理期间被模子330完全覆盖。在步骤310之后，模子可具有平面的顶表面。坝体320可防止模子330到达像素阵列322。
在步骤310的成型处理可包括分配液体化合物、压缩成型或任何其它希望的成型处理。在液体化合物被用于成型的实施例中，液体化合物可被倾倒于各传感器管芯之间。液体化合物可填充于所有区域中，而不渗透坝体320。液体化合物可在后面被硬化以提供防止外部材料到达像素阵列322的气密密封。在使用压缩成型的实施例中，诸如塑料的成型材料可在适当的温度下被加热适当长的时间。成型材料可然后在传感器管芯之间被压缩并以待硬化，从而有效地在传感器管芯之间提供气密密封。
在步骤312中，可在模子330的顶表面上形成模子通孔332。模子通孔332可露出重分层325的顶表面上的焊盘。可通过使用激光钻处理或任何其它希望的处理形成模子通孔332。在激光钻处理中，使用激光以在模子330中制作通孔332。
在步骤314中，可在重分层325上的模子通孔332中形成焊料334。可在硅管芯326和328的顶表面上形成焊球334。在某些实施例中，焊球334可被用于电连接硅通孔324到印刷电路板上的接合盘。焊球334可位于重分层325上的焊盘上。
在步骤316中，面板329可被去除。可通过使用任何希望的处理去除面板329。模子330然后可被切割以分开管芯326和328。图像传感器封装336可具有相对的顶表面和底表面，以及第一和第二相对侧表面连接顶表面和底表面。
在某些实施例中，图像传感器封装336可被切割，使得没有成型材料保持在传感器管芯326或衬底部分337的左侧或右侧。在这些实施例中，图像传感器封装336的整个底表面可由衬底部分337形成。图像传感器封装336的顶表面可具有由模子材料330形成的部分和由焊料334形成的部分。图像传感器封装336的侧表面可具有由衬底337形成的部分、由坝体320形成的部分、由传感器管芯326形成的部分、由重分层325形成的部分和由模子材料330形成的部分。
在某些实施例中，仅在传感器管芯326和328之间制作一个切割(例如，图5)。在这些实施例中，图像传感器封装336的底表面可具有由衬底部分337形成的部分和由模子材料330形成的部分。图像传感器封装336的顶表面可具有由模子成型330形成的部分和由焊料334形成的部分。侧表面可完全由模子材料330形成。
如图5所示，得到的图像传感器封装336包括：透明衬底317、337或338；附接于所述透明衬底上的多个坝体结构320；图像传感器管芯326或328，被附接于所述坝体结构上使得所述图像传感器管芯的相对两侧中的每一侧上有一个坝体结构，所述图像传感器管芯具有最远离所述透明衬底的顶表面和最靠近所述透明衬底的底表面，以及连接所述顶表面和底表面的相对的第一侧表面和第二侧表面，所述图像传感器管芯的最靠近所述透明衬底的底表面上具有图像像素阵列322；垂直穿过所述图像传感器管芯的多个导电通孔324；和形成在所述图像传感器管芯的所述第一侧表面和所述第二侧表面、所述图像传感器管芯的每一侧的所述坝体结构的侧表面和所述透明衬底的相对的每一侧表面上的成型材料330；其中，所述图像传感器封装336的侧表面完全由所述成型材料形成。
图像传感器封装，还包括形成在所述图像传感器管芯的最远离所述透明衬底的顶表面上的至少一个传导层，其中，所述至少一个传导层电和机械连接到所述多个导电通孔中的至少一个导电通孔。
所述透明衬底是玻璃衬底。
图6表示用于制作包含诸如图像传感器16的图像传感器的图像传感器封装的解释性的方法400。在步骤402中，可以提供带凹口衬底417和晶片418。晶片418可由硅制成，并且，可包含一个或更多个像素阵列422。各像素阵列可与不同的传感器对应。例如，第一像素阵列可被用于诸如图2中的传感器#1的第一图像传感器中，并且，第二像素阵列可被用于诸如图2中的传感器#2的第二图像传感器中。在图6中，晶片418被示为具有两个像素阵列，但是本例子仅是解释性的。晶片418可具有一个像素阵列、两个像素阵列、十个像素阵列、几百个像素阵列或者多于几百的像素阵列。晶片418可在晶片的像素阵列422的同一侧包括一个图像传感器集成电路或多个图像传感器集成电路。根据处理，带凹口衬底417可以是晶片形式或面板形式。
带凹口417可由透明玻璃板、清澈塑料层或其它适当的透明部件形成。如果希望的话，带凹口衬底417可以是不透明的，或者可以仅是部分透明的。例如，如果希望的话，带凹口衬底417可透过一定范围的波长，而阻挡其它范围的波长。在图像传感器16被用于分析流体(例如，用于捕获光化学反应期间的物质的图像)的配置中，可能希望带凹口衬底417完全或部分不透明(作为例子)。一般地，带凹口衬底417可具有任何希望的透射光谱。带凹口衬底417透明的配置有时在这里被描述为解释性的例子。
带凹口衬底417可在没有凹口的部分上具有第一厚度440。带凹口衬底417可在带凹口的部分上具有第二厚度442。第二厚度可比第一厚度小。第一和第二厚度可以小于1微米、小于1毫米、小于1厘米、大于1厘米，或者可以为任何其它希望的厚度。可通过湿蚀刻、干蚀刻、激光沟槽处理或任何其它适当的处理形成带凹口衬底417中的凹口。
在步骤404中，坝体420附接于带凹口衬底417上。坝体420可通过使用任何希望的方法或材料附接于带凹口衬底417上。例如，坝体420可通过使用粘合剂、胶、环氧树脂、聚合物或任何其它希望的材料附接于带凹口衬底417上。并且，在步骤404中，可在晶片418中形成通孔424。通孔424可提供完全穿过晶片418的垂直电连接。在晶片418由硅制成的实施例中，通孔424可被称为硅通孔(TSV)。通孔424可与图像传感器集成电路电连接。
坝体420可由任何希望的材料形成，并且，可具有任何希望的尺寸。在图6中，带凹口衬底417被示为具有四个附接坝体。该例子仅是解释性的。带凹口衬底417可被附接于一个坝体、两个坝体、十个坝体、几百个坝体或者多于几百的坝体上。衬底417对于晶片418中的各传感器管芯可被附接于任何希望的数量的坝体上。例如，衬底417对于晶片418中的各传感器管芯可被附接于两个坝体上。
在步骤406中，晶片418可被附接于坝体420上。晶片418可被附接于坝体420上，使得各传感器管芯被附接于两个坝体上，一个坝体处于传感器管芯的一侧。晶片418可通过使用粘合剂、胶、环氧树脂、聚合物或任何其它希望的材料附接于坝体上。在步骤406中，晶片418还没有被分成单个传感器管芯。在某些实施例中，坝体420可由粘合剂材料形成。在坝体420由粘合剂材料形成的实施例中，可在不使用附加材料的情况下将透明衬底附接于坝体上。类似地，可在不使用附加材料的情况下将传感器管芯附接于坝体上。
在步骤408中，晶片418和带凹口衬底417可以分开，以形成分别附接于带凹口衬底417的分开的部分上的传感器管芯426和428。例如，传感器管芯426可附接于带凹口衬底417的部分437上，并且，传感器管芯428可附接于带凹口衬底417的部分438上。在分开之后，衬底部分437和438可附接于面板429上。可通过锯、切割或任何其它希望的方法分开传感器管芯426和428以及衬底部分437和438。如图6所示，衬底417可在具有厚度442的带凹口部分上被切割。带凹口部分上的较小厚度使得切割衬底417更容易。面板429可暂时附接于衬底部分437和438上。面板429可由聚合物或任何其它希望的材料形成。根据处理，面板429可以为晶片形式或面板形式。
在步骤410中，可以执行成型处理，以填充传感器管芯之间的间隙。模子430可填充于管芯426和428之间的间隙中，并且，可填充管芯426和428的旁边的区域。类似地，模子430可填充于衬底部分437与438之间的间隙中，并且，可填充衬底部分437与438的旁边的区域。如图6所示，传感器管芯426可具有最接近附接于坝体420上的带凹口衬底437的一侧。随后可被称为顶表面的最远离衬底437的一侧在成型处理期间可保持被露出。因此，顶表面上的通孔424的部分也可在成型处理期间保持被露出。坝体420可防止模子430到达像素阵列422。
在步骤410的成型处理可包括分配液体化合物、压缩成型或任何其它希望的成型处理。在液体化合物被用于成型的实施例中，液体化合物可被倾倒于各传感器管芯之间。液体化合物可填充于所有区域中，而不渗透坝体420。液体化合物可在后面被硬化以提供防止外部材料到达像素阵列422的气密密封。在使用压缩成型的实施例中，诸如塑料的成型材料可在适当的温度下被加热适当长的时间。成型材料可然后在传感器管芯之间被压缩并有待硬化，从而有效地在传感器管芯之间提供气密密封。
在步骤412中，通孔424可被提供有重分层425。虽然通孔可垂直贯穿管芯426和428，但重分层425可以是与通孔424连接并且跨着管芯426和428的顶表面水平延伸的传导层。重分层425可水平延伸经过管芯426和428的边缘并且延伸到模子430上。重分层425可由诸如金属的导电材料的籽层形成。籽层可以是钛、钛-钨、铜或任何其它希望的导电材料。重分层425可然后使诸如金属的导电材料镀覆于籽层上。镀覆的导电材料可以是铜、镍、铝或任何其它希望的导电材料。重分层425可延伸可用于形成焊接的面积。重分层425可具有用于形成焊接的焊盘。焊盘可以是镀锡-铅铜盘、镀银铜盘、镀金铜盘或任何其它希望的类型的焊盘。
在步骤414中，可在重分层425上形成焊料434。在硅管芯426和428的顶表面上形成焊球434。在某些实施例中，可以使用焊球434以电连接通孔424与印刷电路板上的接合盘。焊球434可位于重分层425上的焊盘上。
在步骤416，面板429可被去除。可通过使用任何希望的处理来去除面板429。模子430可然后被切割，以分开管芯426和428。图像传感器封装436可具有相对的顶表面和底表面，以及第一和第二相对侧表面连接顶表面和底表面。在某些实施例中，在传感器管芯426和428之间可仅进行一次切割。在这些实施例中，图像传感器封装436的底表面可具有由衬底部分427形成的部分和由模子材料430形成的部分。图像传感器封装436的顶表面可具有由模子材料430形成的部分、由重分层425形成的部分和由焊料434形成的部分。侧表面可完全由模子材料430形成。
图7表示用于制作包括诸如图像传感器16的图像传感器的图像传感器封装的解释性的方法500。在步骤502中，可以提供带凹口衬底517和晶片518。晶片518可由硅制成，并且，可包括一个或更多个像素阵列522。各像素阵列可与不同的传感器对应。例如，第一像素阵列可被用于诸如图2中的传感器#1的第一图像传感器中，并且，第二像素阵列可被用于诸如图2中的传感器#2的第二图像传感器中。在图7中，晶片518被示为具有两个像素阵列，但是本例子仅是解释性的。晶片518可具有一个像素阵列、两个像素阵列、十个像素阵列、几百个像素阵列或者多于几百的像素阵列。晶片518可在晶片的像素阵列522的同一侧包括一个图像传感器集成电路或多个图像传感器集成电路。根据处理，带凹口衬底517可以是晶片形式或面板形式。
带凹口517可由透明玻璃板、清澈塑料层或其它适当的透明部件形成。如果希望的话，带凹口衬底517可以是不透明的，或者可以仅是部分透明的。例如，如果希望的话，带凹口衬底517可透过一定范围的波长，而阻挡其它范围的波长。在图像传感器16被用于分析流体(例如，用于捕获光化学反应期间的物质的图像)的配置中，可能希望带凹口衬底517完全或部分不透明(作为例子)。一般地，带凹口衬底517可具有任何希望的透射光谱。带凹口衬底517透明的配置有时在这里被描述为解释性的例子。
带凹口衬底517可在没有凹口的部分上具有第一厚度540。带凹口衬底517可在带凹口的部分上具有第二厚度542。第二厚度可比第一厚度小。第一和第二厚度可以小于1微米、小于1毫米、小于1厘米、大于1厘米，或者可以为任何其它希望的厚度。可通过湿蚀刻、干蚀刻、激光沟槽处理或任何其它适当的处理形成带凹口衬底517中的凹口。
在步骤504中，坝体520被附接于带凹口衬底517上。坝体420可通过使用任何希望的方法或材料附接于带凹口衬底517上。例如，坝体520可通过使用粘合剂、胶、环氧树脂、聚合物或任何其它希望的材料附接于带凹口衬底517上。并且，在步骤504中，可在晶片518中形成通孔524。通孔524可提供完全穿过晶片518的垂直电连接。在晶片518由硅制成的实施例中，通孔524可被称为硅通孔(TSV)。通孔524可与图像传感器集成电路电连接。
在步骤504中，通孔524可被提供有重分层525。虽然通孔524可垂直贯穿晶片518，但重分层525可以是与通孔524连接并且跨着晶片518的顶表面水平延伸的传导层。重分层525可由诸如金属的导电材料的籽层形成。籽层可以是钛、钛-钨、铜或任何其它希望的导电材料。重分层525可然后使诸如金属的导电材料镀覆于籽层上。镀覆的导电材料可以是铜、镍、铝或任何其它希望的导电材料。重分层525可延伸可用于形成焊接的面积。重分层525可具有用于形成焊接的焊盘。焊盘可以是镀锡-铅铜盘、镀银铜盘、镀金铜盘或任何其它希望的类型的焊盘。
坝体520可由任何希望的材料形成，并且，可具有任何希望的尺寸。在图7中，带凹口衬底517被示为带有四个附接坝体。该例子仅是解释性的。带凹口衬底517可被附接于一个坝体、两个坝体、十个坝体、几百个坝体或者多于几百的坝体上。衬底517对于晶片518中的各传感器管芯可被附接于任何希望的数量的坝体上。例如，衬底517对于晶片518中的各传感器管芯可被附接于两个坝体上。
在步骤506中，晶片518可被附接于坝体520上。晶片518可被附接于坝体520上，使得各传感器管芯被附接于两个坝体上，一个坝体处于传感器管芯的一侧。晶片518可通过使用粘合剂、胶、环氧树脂、聚合物或任何其它希望的材料附接于坝体上。在步骤506中，晶片518还没有被分成单个传感器管芯。在某些实施例中，坝体520可由粘合剂材料形成。在坝体520由粘合剂材料形成的实施例中，可在不使用附加材料的情况下将透明衬底附接于坝体上。类似地，可在不使用附加材料的情况下将传感器管芯附接于坝体上。
在步骤508中，晶片518和带凹口衬底517可以分开，以形成分别附接于带凹口衬底517的分开的部分上的传感器管芯526和528。例如，传感器管芯526可附接于带凹口衬底517的部分537上，并且，传感器管芯528可附接于带凹口衬底517的部分538上。在分开之后，衬底部分537和538可附接于面板529上。可通过锯、切割或任何其它希望的方法分开传感器管芯526和528以及衬底部分537和538。如图7所示，衬底517可在具有厚度542的带凹口部分上被切割。带凹口部分上的较小厚度使得切割衬底517更容易。面板529可暂时附接于衬底部分537和538上。面板529可由聚合物或任何其它希望的材料形成。根据处理，面板529可以为晶片形式或面板形式。
在步骤510中，可以执行成型处理，以封装传感器管芯并且填充传感器管芯之间的间隙。模子530可填充于管芯526和528之间的间隙中，并且，可填充管芯526和528的旁边的区域。类似地，模子530可填充于衬底部分537与538之间的间隙中，并且，可填充衬底部分537与538的旁边的区域。如图6所示，传感器管芯526可具有最接近附接于坝体520上的衬底537的一侧。随后可被称为顶表面的最远离衬底537的一侧可在成型处理期间完全被模子530覆盖。类似地，重分层525可在成型处理期间完全被模子530覆盖。在步骤510之后，模子可具有平面的顶表面。坝体520可防止模子530到达像素阵列522。
在步骤510的成型处理可包括分配液体化合物、压缩成型或任何其它希望的成型处理。在液体化合物用于成型的实施例中，液体化合物可倾倒于各传感器管芯之间。液体化合物可填充于所有区域中，而不渗透坝体520。液体化合物可在后面被硬化以提供防止外部材料到达像素阵列522的气密密封。在使用压缩成型的实施例中，诸如塑料的成型材料可在适当的温度下被加热适当长的时间。成型材料可然后在传感器管芯之间被压缩并有待硬化，从而有效地在传感器管芯之间提供气密密封。
在步骤512中，可在模子530的顶表面上形成模子通孔532。模子通孔532可露出重分层525的顶表面上的焊盘。可通过使用激光钻处理或任何其它希望的处理形成模子通孔532。在激光钻处理中，使用激光以在模子530中制作通孔532。
在步骤514中，可在重分层525上的模子通孔532中形成焊料534。在硅管芯526和528的顶表面上形成焊球534。在某些实施例中，可以使用焊球534以电连接硅通孔524与印刷电路板上的接合盘。焊球534可位于重分层525上的焊盘上。
在步骤516中，面板529可被去除。可通过使用任何希望的处理来去除面板529。模子530可然后被切割，以分开管芯526和528。图像传感器封装536可具有相对的顶表面和底表面，以及第一和第二相对侧表面连接顶表面和底表面。
在某些实施例中，图像传感器封装536可被切割，使得没有成型材料保持于传感器管芯526或衬底部分537的左侧或右侧。在这些实施例中，图像传感器封装536的底表面可具有由衬底部分537形成的部分和由模子材料530形成的部分。图像传感器封装536的顶表面可具有由模子材料530形成的部分和由焊料534形成的部分。图像传感器封装536的侧表面可具有由衬底537形成的部分、由坝体520形成的部分、由传感器管芯526形成的部分、由重分层525形成的部分和由模子材料530形成的部分。
在某些实施例中，在传感器管芯526和528之间仅进行一次切割(例如，图7)。在这些实施例中，图像传感器封装536的底表面可具有由衬底部分537形成的部分和由模子材料330形成的部分。图像传感器封装536的顶表面可具有由模子材料530形成的部分和由焊料534形成的部分。侧表面可完全由模子材料530形成。
图8以简化的形式表示包括成像设备612的典型的处理器系统600。成像设备612可包括在诸如图像传感器封装136、图像传感器封装236、图像传感器封装336、图像传感器封装436或图像传感器封装536的图像传感器封装上形成的像素阵列614。没有限制地，这种处理器系统600可包含计算机系统、静止或视频照相机系统、扫描仪、机器视觉、车辆导航、视频电话、监视系统、自动对焦系统、星跟踪器系统、运动检测系统、图像稳定系统以及使用成像设备的其他系统。
可以是数字静止或视频照相机系统的处理器系统600可包括用于在按压快门释放按钮602时将图像聚焦于诸如像素阵列614的像素阵列上的诸如透镜616的透镜。处理器系统600可包括诸如中央处理单元(CPU)604的中央处理单元。CPU604可以是控制照相机功能和一个或更多个图像流动功能并且在诸如总线618的总线上与一个或更多个输入/输出(I/O)设备610通信的微处理器。成像设备612也可在总线618上与CPU604通信。系统600可包括随机存取存储器(RAM)606和可移动存储器608。可移动存储器608可包括在总线618上与CPU604通信的闪速存储器。虽然总线618被示为单个总线，但是它可以是一个或更多个总线或用于互连系统部件的桥或者其它通信路径。
已描述了示出形成图像传感器封装的方法的各种实施例。方法可包括：将多个坝体结构附接于透明衬底上；在具有第一和第二图像传感器管芯的图像传感器晶片中形成多个导电通孔；将图像传感器晶片附接于多个坝体结构上；在将图像传感器晶片附接于多个坝体结构上之后，将图像传感器晶片分成第一和第二图像传感器管芯；将第一和第二图像传感器管芯附接于附加衬底上；和执行成型处理。执行成型处理可包括在第一和第二图像传感器管芯之间的附加衬底上形成成型材料。
将图像传感器晶片附接于多个坝体结构上可包括将第一图像传感器管芯附接于多个坝体结构中的第一和第二坝体结构上和将第二图像传感器管芯附接于多个坝体结构中的第三和第四坝体结构上。第一图像传感器管芯可附接于透明衬底的第一部分上，并且，第二图像传感器管芯可附接于透明衬底的第二部分上。可通过将透明衬底的第一和第二部分附接于附加衬底上，将第一和第二传感器管芯附接于附加衬底上。在附加衬底上形成模子材料可包括在透明衬底的第一和第二部分之间形成模子材料。
方法还可包括：在执行成型处理之后，去除附加衬底。在去除附加衬底之后，可分开第一和第二图像传感器管芯以形成第一和第二图像传感器封装。分开第一和第二图像传感器管芯可包括切割在第一和第二图像传感器管芯之间形成的模子材料。
方法还可包括：在将传感器晶片附接于多个坝体结构上之前，在传感器晶片的表面上形成至少一个传导层。至少一个传导层可电和机械连接到先前在图像传感器晶片中形成的多个导电通孔中的至少一个导电通孔。透明衬底可以是玻璃衬底、带凹口透明衬底或带凹口玻璃衬底。在透明衬底是带凹口透明衬底并且带凹口透明衬底被切割的实施例中，带凹口透明衬底可在凹口处被切割。
在某些实施例中，形成图像传感器封装的方法可包括将附接结构附接于透明衬底上。附接结构可具有第一、第二、第三和第四部分。方法还可包括在具有第一和第二图像传感器管芯的图像传感器晶片中形成多个导电通孔和在图像传感器晶片的表面上形成至少一个传导层。方法可包括：在在图像传感器晶片的表面上形成至少一个传导层之后，将第一图像传感器管芯附接于附接结构的第一和第二部分上和将第二图像传感器管芯附接于附接结构的第三和第四部分上。可以执行成型处理，该成型处理包括在第一和第二图像传感器管芯之间形成成型材料。成型材料的顶表面可覆盖至少一个传导层和图像传感器晶片的表面。
方法还可包括在模子的顶表面中形成至少一个孔以露出至少一个传导层以露出至少一个传导层上的焊盘和在至少一个孔中形成焊料。可通过使用激光钻来完成形成至少一个孔。
在某些实施例中，形成图像传感器封装的方法可包括将第一坝体、第二坝体、第三坝体和第四坝体附接于透明衬底上和在包括第一和第二图像传感器管芯的图像传感器晶片中形成多个导电通孔。第一和第二图像传感器管芯中的每一个可具有多个导电通孔中的至少一个导电通孔。方法还可包括：分开第一和第二图像传感器管芯；在分开第一和第二图像传感器管芯之后，将第一图像传感器管芯附接于第一和第二坝体上并将第二图像传感器管芯附接于第三和第四坝体上；和执行成型处理。成型处理可包括在第一和第二图像传感器管芯之间形成成型材料。方法还可包括切割透明衬底和成型材料以形成第一和第二图像传感器封装。
在执行成型处理之后，可在第一和第二图像传感器管芯上形成多个传导层。多个传导层中的每一个可电和机械连接到多个导电通孔中的各导电通孔。可在传导层上形成钝化层。传导层中的至少一个可延伸到第一和第二图像传感器管芯之间的模子材料上。
以上仅是本实用新型的原理的解释，并且，本领域技术人员可以提出各种修改。可以单独地或者以任意的组合实现以上的实施例。

Claims (14)

1.一种图像传感器封装(336)，其特征在于包括：
透明衬底(317；337；338)；
附接于所述透明衬底上的多个坝体结构(320)；
图像传感器管芯(326；328)，被附接于所述坝体结构上使得所述图像传感器管芯的相对两侧中的每一侧上有一个坝体结构，所述图像传感器管芯具有最远离所述透明衬底的顶表面和最靠近所述透明衬底的底表面，以及连接所述顶表面和底表面的相对的第一侧表面和第二侧表面，所述图像传感器管芯的最靠近所述透明衬底的底表面上具有图像像素阵列(322)；
垂直穿过所述图像传感器管芯的多个导电通孔(324)；和
形成在所述图像传感器管芯的所述第一侧表面和所述第二侧表面、所述图像传感器管芯的每一侧的所述坝体结构的侧表面和所述透明衬底的相对的每一侧表面上的成型材料(330)；
其中，所述图像传感器封装(336)的侧表面完全由所述成型材料形成。
2.如权利要求1所述的图像传感器封装，其特征在于还包括：
形成在所述图像传感器管芯的最远离所述透明衬底的顶表面上的至少一个传导层(325)，其中，所述至少一个传导层电和机械连接到所述多个导电通孔中的至少一个导电通孔。
3.如权利要求1所述的图像传感器封装，其特征在于，所述透明衬底是玻璃衬底。
4.一种图像传感器封装(236)，其特征在于包括：
透明衬底(216)；
附接于所述透明衬底上的多个附接结构(220)；
图像传感器管芯(226，228)，被附接于所述附接结构上使得所述图像传感器管芯的相对两侧中的每一侧上有一个附接结构，所述图像传感器管芯具有最远离所述透明衬底的顶表面和最靠近所述透明衬底的底表面，以及连接所述顶表面和底表面的相对的第一侧表面和第二侧表面，所述图像传感器管芯的最靠近所述透明衬底的底表面上具有图像像素阵列(222)；
垂直穿过所述图像传感器管芯的多个导电通孔(224)；
形成在所述图像传感器管芯的最远离所述透明衬底的顶表面上的至少一个传导层(225)；和
成型材料(230)，形成在所述图像传感器管芯的所述第一侧表面和所述第二侧表面以及所述图像传感器管芯的每一侧的所述附接结构的侧表面上，并且所述成型材料的顶表面覆盖所述至少一个传导层和所述图像传感器管芯最远离所述透明衬底的顶表面；
其中，所述图像传感器封装(236)的侧表面具有由所述透明衬底形成的部分和由所述成型材料形成的部分。
5.如权利要求4所述的图像传感器封装，其特征在于还包括在所述成型材料的顶表面中形成的至少一个孔(232)，用于露出所述至少一个传导层。
6.如权利要求5所述的图像传感器封装，其特征在于，在所述成型材料的顶表面中形成的至少一个孔露出所述至少一个传导层上的焊盘。
7.如权利要求6所述的图像传感器封装，其特征在于还包括在所述至少一个孔中形成的焊料(234)。
8.如权利要求5所述的图像传感器封装，其特征在于，所述至少一个孔是通过激光钻形成的。
9.如权利要求4所述的图像传感器封装，其特征在于，所述透明衬底是玻璃衬底。
10.一种图像传感器封装(136)，其特征在于包括：
透明衬底(116)；
附接于所述透明衬底上的多个坝体(120)；
图像传感器管芯(126，128)，被附接于所述坝体上使得所述图像传感器管芯的相对两侧中的每一侧上有一个坝体，所述图像传感器管芯具有最远离所述透明衬底的顶表面和最靠近所述透明衬底的底表面，以及连接所述顶表面和底表面的相对的第一侧表面和第二侧表面，所述图像传感器管芯的最靠近所述透明衬底的底表面上具有图像像素阵列(122)；
垂直穿过所述图像传感器管芯的多个导电通孔(124)；和
形成在所述传感器管芯的所述第一侧表面和所述第二侧表面以及所述图像传感器管芯的每一侧的所述坝体的侧表面上的成型材料(130)。
11.如权利要求10所述的图像传感器封装，其特征在于，所述成型材料形成在所述透明衬底上。
12.如权利要求10所述的图像传感器封装，其特征在于还包括：
形成在所述图像传感器管芯的最远离所述透明衬底的顶表面上的多个传导层(125)，其中，所述多个传导层中的每一个与所述多个导电通孔中的相应导电通孔电和机械连接；和
形成在所述传导层上的钝化层(132)。
13.如权利要求12所述的图像传感器封装，其特征在于，所述多个传导层包括延伸到所述图像传感器管芯的相对两侧的成型材料上的至少一个传导层。
14.如权利要求12所述的图像传感器封装，其特征在于，所述图像传感器封装的侧表面具有由透明衬底形成的部分、由成型材料形成的部分和由钝化层形成的部分。
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