CN105702696B - 影像传感芯片的封装结构及其制作方法 - Google Patents

影像传感芯片的封装结构及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105702696B
CN105702696B CN201610224955.4A CN201610224955A CN105702696B CN 105702696 B CN105702696 B CN 105702696B CN 201610224955 A CN201610224955 A CN 201610224955A CN 105702696 B CN105702696 B CN 105702696B
Authority
CN
China
Prior art keywords
groove
image sensing
sensing chip
light hole
size
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610224955.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105702696A (zh
Inventor
肖智轶
豆菲菲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huatian Technology Kunshan Electronics Co Ltd
Original Assignee
Huatian Technology Kunshan Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huatian Technology Kunshan Electronics Co Ltd filed Critical Huatian Technology Kunshan Electronics Co Ltd
Priority to CN201610224955.4A priority Critical patent/CN105702696B/zh
Publication of CN105702696A publication Critical patent/CN105702696A/zh
Priority to PCT/CN2016/101438 priority patent/WO2017177631A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105702696B publication Critical patent/CN105702696B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3672—Foil-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14629—Reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/1469—Assemblies, i.e. hybrid integration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种影像传感芯片的封装结构及其制作方法，该封装结构包含影像传感芯片、盖板、透光基板、软板、散热板，盖板上形成有第一凹槽、第二凹槽和贯通第一、二凹槽的通光孔。透光基板埋入第一凹槽中，透光基板上覆盖有介质层，第二凹槽所在盖板表面形成有第一和第二导电结构，影像传感芯片上的焊垫与盖板上的第一导电结构键合，键合后的封装体通过第二导电结构依次与软板、散热板进行连接。本发明盖板单独制作，并在通光孔侧壁覆盖防反射层，能够防止图像传感芯片表面被污染，同时降低光线的散射与衍射能实现高像素；且透光基板嵌入盖板中，减少了封装尺寸，能够实现高像素，工艺简单，节约成本，有效提高了封装的可靠性和产品的良率。

Description

影像传感芯片的封装结构及其制作方法
技术领域
本发明涉及芯片封装技术领域，具体是涉及一种影像传感芯片的封装结构及其制作方法。
背景技术
影像传感器或图像传感器，是一种将一维或者二维光学信息转换为电信号的装置。图像传感器可以被进一步地分为两种不同的类型：互补金属氧化物半导体图像传感器和电荷耦合器件图像传感器。图像传感器芯片必须加以封装才能防止腐蚀、机械损伤和灰尘颗粒等。传统的图像传感器芯片封装方法通常是采用引线键合等方式进行封装，但随着集成电路的飞速发展，较长的引线使得产品尺寸无法达到理想的要求。
晶圆级封装是在晶圆前道工序完成后，直接进行后道工艺，再切割分离形成单个器件的封装方法，晶圆级封装具有封装尺寸小，工艺成本低、可靠性高以及标准表面贴装工艺技术相匹配等优点，因此，其逐渐取代引线键合封装成为一种重要的封装方法。
现有影像传感芯片的晶圆级封装方法为，提供晶圆和载板，其中，晶圆正面具有多个影像传感芯片，而影像传感芯片具有感光结构和多个焊盘，影像传感芯片之间具有切割道；然后将从晶圆正面将晶圆与载板固定连接在一起，接着对晶圆背面进行再布线工艺和焊料凸点制作工艺形成背面引出结构，从而使焊盘通过金属互连线连接至背面的焊料凸点；之后将晶圆和载板分离，并将晶圆和支撑框架固定在一起，使晶圆中的影像传感芯片的感光面对应于支撑框架的窗口，最后沿所述切割道对晶圆和支撑架进行切割，得到影像传感芯片模组。
上述封装方式需要将晶圆与载板固定再分离，然后再将晶圆与支撑框架固定，整个封装过程工艺复杂，工艺效率低。并且，由于经历了与载板先固定再分离的过程，因此，晶圆表面容易污染和受损，即影像传感芯片表面容易污染和受损。
为此，需要一种新的影像传感芯片的晶圆级封装结构，以解决现有影像传感芯片的晶圆级封装方法工艺复杂，工艺效率低，并且图像传感芯片表面受玷污或损害的问题，此外，现有技术中影像传感芯片的晶圆级封装结构的散热性能有待进一步改善。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提出一种影像传感芯片的封装结构及其制作方法，盖板单独制作，并在透光基板上形成介质层、在通光孔侧壁覆盖防反射层，能够防止图像传感芯片表面被污染，同时降低光线的散射与衍射能实现高像素；并且，透光基板嵌入盖板中，减少了封装尺寸，能够实现高像素，工艺简单，节约成本，有效提高了封装的可靠性和产品的良率。
本发明的技术方案是这样实现的：
一种影像传感芯片的封装结构，包括影像传感芯片、盖板、透光基板、软板和散热板，所述影像传感芯片的功能面包含感光区和位于感光区周围的若干焊垫；所述盖板包含第一表面和与其相对的第二表面，所述第一表面上形成有第一凹槽，所述第二表面形成有与所述第一凹槽相对的第二凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽之间贯通形成通光孔，所述通光孔的尺寸不小于所述影像传感芯片的感光区的尺寸，且不大于所述影像传感芯片的尺寸；所述透光基板键合于所述第一凹槽内或所述通光孔靠近所述第一凹槽处；所述第二凹槽底部除通光孔外的部分上形成有金属互连结构，所述金属互连结构包含与所述影像传感芯片的焊垫对应键合的第一导电结构，该金属互连结构的电性自所述第一导电结构引至第二表面上的第二导电结构；所述影像传感芯片放置于所述第二凹槽内，并使其感光区正对所述通光孔，使其焊垫与所述金属互连结构上对应的第一导电结构键合连接；所述第二导电结构与所述软板的一面键合，所述软板的另一面及所述影像传感芯片的非功能面结合于所述散热板。
进一步的，所述金属互连结构包括依次铺设于所述第二凹槽及所述第二表面上的绝缘层、金属线路层和防焊层，所述第二凹槽底部的防焊层上预留有暴露出金属线路的与若干所述焊垫对应的若干第一开口，所述第一开口处形成所述第一导电结构；所述第二表面上的防焊层上预留有暴露出金属线路的若干第二开口，所述第二开口处形成所述第二导电结构。
进一步的，所述盖板第二表面与所述软板之间形成有密封环。
进一步的，所述第一凹槽的尺寸大于所述通光孔的尺寸，所述透光基板键合于所述第一凹槽的底部，且所述透光基板与所述第一凹槽的开口平齐。
进一步的，所述第一凹槽的尺寸小于所述通光孔的尺寸，所述透光基板键合于所述通光孔与所述第一凹槽的结合处。
进一步的，所述通光孔的侧壁上覆盖有防反射层，且所述通光孔高度不小于200um。
进一步的，所述透光基板为IR滤光玻璃，并且IR滤光玻璃上覆盖有介质层，所述介质层正对所述通光孔位置形成透光孔。
一种影像传感芯片的封装结构的制作方法，包括如下步骤：
a.提供一影像传感芯片，所述影像传感芯片的功能面包含感光区和位于感光区周围的若干焊垫；
b.提供一盖板，所述盖板包含第一表面和与其相对的第二表面，所述第一表面上形成有第一凹槽，所述第二表面形成有与所述第一凹槽相对的第二凹槽；
c.提供一软板和一散热板；
d.提供一不小于所述感光区尺寸的透光基板，将所述透光基板嵌入键合于所述盖板的第一凹槽内；
e.在所述盖板的第二凹槽及第二表面上铺设绝缘层；
f.在所述绝缘层上铺设金属线路层；
g.在所述金属线路层上形成防焊层，并在所述第二凹槽底部的防焊层上预留暴露出金属线路的与若干所述焊垫对应的若干第一开口；在所述第二表面上的防焊层上预留暴露出金属线路的若干第二开口；
h.形成贯通所述第一凹槽与所述第二凹槽的通光孔，所述通光孔的尺寸小于所述第一凹槽的尺寸，且所述通光孔的尺寸不小于所述影像传感芯片的感光区的尺寸不大于所述影响传感芯片的尺寸；
i.在所述第一开口处形成用于电性连接所述影像传感芯片的焊垫的第一导电结构；在所述第二开口处形成用于电性连接所述软板的第二导电结构；
j.将所述影像传感芯片放置于所述第二凹槽内，并使其感光区正对所述通光孔，使其焊垫与所述第一导电结构键合连接；
k.将所述第二导电结构键合于所述软板的一面，并将所述软板的另一面及所述影像传感芯片的非功能面键合于所述散热板上。
一种影像传感芯片的封装结构的制作方法，包括如下步骤：
a.提供一影像传感芯片，所述影像传感芯片的功能面包含感光区和位于感光区周围的若干焊垫；
b.提供一盖板，所述盖板包含第一表面和与其相对的第二表面，所述第一表面上形成有第一凹槽，所述第二表面形成有与所述第一凹槽相对的第二凹槽；
c.提高一软板和一散热板；
d.在所述盖板的第二凹槽及第二表面上铺设绝缘层；
e.在所述绝缘层上铺设金属线路层；
f.在所述金属线路层上形成防焊层，并在所述第二凹槽底部的防焊层上预留暴露出金属线路的与若干所述焊垫对应的若干第一开口；在所述第二表面上的防焊层上预留暴露出金属线路的若干第二开口；
g.形成贯通所述第一凹槽与所述第二凹槽的通光孔，所述通光孔的尺寸大于所述第一凹槽的尺寸，且所述通光孔的尺寸不小于所述影像传感芯片的感光区的尺寸不大于所述影响传感芯片的尺寸；
h.提供一不小于所述感光区尺寸的透光基板，所述透光基板键合于所述通光孔与所述第一凹槽的结合处；
i.在所述第一开口处形成用于电性连接所述影像传感芯片的焊垫的第一导电结构；在所述第二开口处形成用于电性连接所述软板的第二导电结构；
j.将所述影像传感芯片放置于所述第二凹槽内，并使其感光区正对所述通光孔，使其焊垫与所述第一导电结构键合连接；
k.将所述第二导电结构键合于所述软板的一面，并将所述软板的另一面及所述影像传感芯片的非功能面键合于所述散热板上。
进一步的，所述透光基板为IR滤光玻璃，所述IR滤光玻璃上覆盖有介质层，所述介质层正对所述通光孔的部分形成透光孔。
进一步的，所述通光孔侧壁覆盖有防反射层。
进一步的，所述盖板第二表面与所述软板之间形成有密封环。
本发明的有益效果是：本发明提供一种影像传感芯片的封装结构及其制作方法，该封装结构包括一盖板、一影像传感芯片、一透光基板、一软板、一散热板，其中，盖板单独制作好之后再与影像传感芯片键合，透光基板上覆盖有介质层，介质层上形成透光孔，透光基板埋入盖板中，盖板通光孔侧壁形成有防反射层，用于降低光线的散射与衍射，影像传感芯片与盖板键合后依次和软板、散热板连接，这样做的好处是：首先，盖板单独制作可以防止图像传感芯片表面被污染，能实现高像素，同时解决了之前键合之后在芯片背部进行刻蚀等工艺时对芯片造成的损伤；其次，透光基板埋入或嵌入盖板中，进一步减小了封装体积；再次，透光基板上覆盖有介质层，介质层上形成透光孔，盖板通光孔侧壁形成有防反射层，可降低光线的散射与衍射；最后，影像传感芯片与盖板键合后依次和软板、散热板连接，这样使得封装体的散热性大大增加，对于某些气密性要求较高的产品，还可以在软板与封装体之间通过点胶的方式，实现封装体的密封效果。
附图说明
图1为本发明一实施例中减薄后影像传感芯片的剖面示意图；
图2为本发明一实施例中盖板上形成有第一凹槽、第二凹槽的剖面示意图；
图3为本发明一实施例中覆盖有介质层的透光基板的结构示意图；
图4为本发明一实施例中在第一凹槽中放置透光基板，并在第二凹槽所在的盖板表面整面铺设绝缘层的结构示意图；
图5为本发明一实施例中在绝缘层上铺设金属线路层的结构示意图；
图6为本发明一实施例中在金属线路层上铺设防焊层，并预留出开口的结构示意图；
图7为本发明一实施例中形成通光孔，并在开口处形成焊球的结构示意图；
图8为本发明一实施例中将盖板与影像传感芯片键合，并将键合后的盖板与影像传感芯片一起与软板和散热板结合的结构示意图；
图9为本发明另一实施例中盖板的结构示意图；
图10本发明另一实施例中形成的影像传感芯片的封装结构的示意图；
结合附图，作以下说明：
1-影像传感芯片，101-感测区，102-焊垫，2-盖板201-第一凹槽，202-第二凹槽，203-通光孔，3-透光基板，301-介质层，4-软板，5-散热板，6-第一导电结构，7-第二导电结构，8-绝缘层，9-金属线路层，10-防焊层，11-第一开口，12-第二开口，13-键合胶水或粘结剂。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的技术内容，特举以下实施例详细说明，其目的仅在于更好理解本发明的内容而非限制本发明的保护范围。
实施例1
如图8所示，一种影像传感芯片的封装结构，包括影像传感芯片1、盖板2、透光基板3、软板4和散热板5，所述影像传感芯片的功能面包含感光区101和位于感光区周围的若干焊垫102；所述盖板包含第一表面和与其相对的第二表面，所述第一表面上形成有第一凹槽201，所述第二表面形成有与所述第一凹槽相对的第二凹槽202，所述第一凹槽与所述第二凹槽之间贯通形成通光孔203，所述通光孔的尺寸不小于所述影像传感芯片的感光区的尺寸，且不大于所述影像传感芯片的尺寸；所述第一凹槽的尺寸大于所述通光孔的尺寸，所述透光基板键合于所述第一凹槽的底部，且所述透光基板与所述第一凹槽的开口平齐；所述第二凹槽底部除通光孔外的部分上形成有金属互连结构，所述金属互连结构包含与所述影像传感芯片的焊垫对应键合的第一导电结构6，该金属互连结构的电性自第一导电结构引至第二表面上的第二导电结构7；所述影像传感芯片放置于所述第二凹槽内，并使其感光区正对所述通光孔，使其焊垫与所述金属互连结构上对应的第一导电结构键合连接；所述第二导电结构与所述软板的一面键合，所述软板的另一面及所述影像传感芯片的非功能面结合于所述散热板。这样，首先，通过单独制作盖板之后再与影像传感芯片键合，盖板形成了第一凹槽、第二凹槽及通光孔，第一凹槽用于放置透光基板，第二凹槽用于键合影像传感芯片，影像传感芯片通过第二凹槽内形成的金属互连结构引出之盖板第二表面，可以防止图像传感芯片表面被污染，实现高像素的同时，解决之前键合之后在芯片背部进行刻蚀等工艺时对芯片造成的损伤；再次，将透光基板埋入盖板中，进一步了减小封装体积；最后，影像传感芯片与盖板键合后依次和软板、散热板连接，用于增加封装结构在后期使用中的散热问题，使得封装体的散热性大大增加。
优选的，所述金属互连结构包括依次铺设于所述第二凹槽及所述第二表面上的绝缘层8、金属线路层9和防焊层10，所述第二凹槽底部的防焊层上预留有暴露出金属线路的与若干所述焊垫对应的若干第一开口11，所述第一开口处形成所述第一导电结构；所述第二表面上的防焊层上预留有暴露出金属线路的若干第二开口12，所述第二开口处形成所述第二导电结构。
优选的，所述盖板第二表面上的防焊层与所述软板之间形成有密封环。优选的，所述密封环的材质为所述密封环的材质为硅、干膜、金属或者绝缘树脂中的一种或几种，通过胶水或者焊料密封。具体实施时，对于某些特定的对密封性有较高要求的影像传感芯片的封装，可以通过点胶的方式在软板与盖板之间形成密封环，达到使封装体密封的目的。
优选的，所述通光孔的侧壁上覆盖有防反射层，具体实施时，防反射层材料可为能够吸收光线的防反射膜，用于降低光线的散射与衍射等。所述通光孔高度不小于200um，以达到高像素影像传感芯片的要求。
优选的，所述透光基板为IR滤光玻璃，并且IR滤光玻璃上覆盖有介质层301，所述介质层正对所述通光孔位置形成透光孔。具体实施时，可在IR滤光玻璃覆盖一层介质，通过光刻或者其它工艺形成透光孔，透光孔的形状可以是圆形或者其它形状。
优选的，所述第一导电结构、所述第二导电结构为焊球或金属凸点，较佳的，第一导电结构可以通过植球或电镀形成，第二导电结构为焊球，通过印刷、植球或电镀形成。
优选的，所述第一凹槽或/和所述第二凹槽或/和所述通光孔的形状为矩形或梯形或圆形，但不限于此，盖板上各凹槽或通光孔的形状还可以是本实施例外的其它几何形状。
优选的，所述散热板的材质可以是铁板也可以是其它用于散热的基板，本实施例中采用铁板。
以下结合附图1-9对该优选实施例一种影像传感芯片的封装结构的制作方法进行详细说明，具体步骤如下：
步骤1、参见图1，提供一影像传感芯片1，所述影像传感芯片的功能面包含感光区101和位于感光区周围的若干焊垫102；焊垫的材质是铝、铝合金、铜和铜合金中的一种。影像传感芯片背部根据实际需要进行减薄。
步骤2、参见图2，提供一盖板2，所述盖板包含第一表面和与其相对的第二表面，所述第一表面上形成有第一凹槽201，所述第二表面形成有与所述第一凹槽相对的第二凹槽202；其中，第二凹槽用于嵌入结合影像传感芯片，实现其内的金属互连结构与影像传感芯片焊垫的键合，第一凹槽用于嵌入键合透光基板，本实施例中第一凹槽的尺寸不小于透光基板的尺寸。形成第一凹槽与第二凹槽的顺序可以是任意的，形成凹槽的方法可以是：先利用光刻、刻蚀形成第一凹槽；接着在盖板上与第一凹槽所在平面相对的第二表面形成第二凹槽。也可以先形成第二凹槽，在形成第一凹槽；凹槽的形状可以是矩形、梯形、圆形或者其它规则几何形状；
步骤3，提供一软板4和一散热板5；散热板材质可以是铁板，也可以是其它用于散热的基板，本实施例中采用铁板。
步骤4、参见图3，提供一不小于影像传感芯片的感光区尺寸的透光基板3，优选的，所述透光基板为IR滤光玻璃，所述IR滤光玻璃上覆盖有介质层301，所述介质层正对所述通光孔的部分形成透光孔。介质层可以形成在透光基板第一表面也可以形成在第二表面，透光孔的形状可以是圆形或者其它形状；透光基板的尺寸不大于第一凹槽的尺寸；透光基板的形状与第一凹槽的形状可以相同或者相似。
步骤5、参见图4，将所述透光基板嵌入键合于所述盖板的第一凹槽内，并在所述盖板的第二凹槽及第二表面上铺设绝缘层8；绝缘层的材质可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或者绝缘树脂。透光基板可以通过键合胶水或者粘结剂13与第一凹槽键合在一起，键合胶水或者粘结剂可以涂布在透光基板上也可以涂布在第一凹槽中，又或者两者都有。
步骤6、参见图5，在所述绝缘层上铺设金属线路层9；形成金属线路层的步骤中至少形成一层金属线路，形成金属线路的方式可以先采用溅射/化镀锡或银；第二层金属线路可以是铜、镍、靶、金中的一种或多种，形成的方法为电镀、化学镀、真空蒸镀法、化学气相沉积法中的一种。
步骤7、参见图6，在所述金属线路层上形成防焊层10，并在所述第二凹槽底部的防焊层上预留暴露出金属线路的与若干所述焊垫对应的若干第一开口11；在所述第二表面上的防焊层上预留暴露出金属线路的若干第二开口12；
步骤8、参见图7，形成贯通所述第一凹槽与所述第二凹槽的通光孔203，所述通光孔的尺寸小于所述第一凹槽的尺寸，且所述通光孔的尺寸不小于所述影像传感芯片的感光区的尺寸不大于所述影响传感芯片的尺寸；具体方法为：通过刻蚀或切割或者两者结合的工艺形成贯通第一凹槽和第二凹槽的通光孔，所述通光孔暴露出影像传感芯片的感测区；并在所述第一开口处形成用于电性连接所述影像传感芯片的焊垫的第一导电结构6；在所述第二开口处形成用于外接的第二导电结构7；优选的，第一导电结构和第二导电结构为导电胶、焊球或者金属凸点；本实施例中利用植球的方式形成焊球。
步骤9、参见图8，将所述影像传感芯片放置于所述第二凹槽内，并使其感光区正对所述通光孔，使其焊垫与所述第一导电结构键合连接；优选的，本实施例是采用金金键合的方式将盖板与影像传感芯片键合。将所述第二导电结构键合于所述软板的一面，并将所述软板的另一面及所述影像传感芯片的非功能面键合于所述散热板上。优选的，所述散热板可以是铜基板或者是铁基板等，具有较好导热性的基板，可以增加散热效果。
实施例2
如图10所示，一种影像传感芯片的封装结构，包括影像传感芯片1、盖板2、透光基板3、软板4和散热板5，所述影像传感芯片的功能面包含感光区101和位于感光区周围的若干焊垫102；所述盖板包含第一表面和与其相对的第二表面，所述第一表面上形成有第一凹槽201，所述第二表面形成有与所述第一凹槽相对的第二凹槽202，所述第一凹槽与所述第二凹槽之间贯通形成通光孔203，所述通光孔的尺寸不小于所述影像传感芯片的感光区的尺寸，且不大于所述影像传感芯片的尺寸；所述第一凹槽的尺寸小于所述通光孔的尺寸，所述透光基板键合于所述通光孔与所述第一凹槽的结合处；所述第二凹槽底部除通光孔外的部分上形成有金属互连结构，所述金属互连结构包含与所述影像传感芯片的焊垫对应键合的第一导电结构6，该金属互连结构的电性自第一导电结构引至第二表面上的第二导电结构7；所述影像传感芯片放置于所述第二凹槽内，并使其感光区正对所述通光孔，使其焊垫与所述金属互连结构上对应的第一导电结构键合连接；所述第二导电结构与所述软板的一面键合，所述软板的另一面及所述影像传感芯片的非功能面结合于所述散热板。这样，首先，通过单独制作盖板之后再与影像传感芯片键合，盖板形成了第一凹槽、第二凹槽及通光孔，第一凹槽用于放置透光基板，第二凹槽用于键合影像传感芯片，影像传感芯片通过第二凹槽内形成的金属互连结构引出之盖板第二表面，可以防止图像传感芯片表面被污染，实现高像素的同时，解决之前键合之后在芯片背部进行刻蚀等工艺时对芯片造成的损伤；再次，将透光基板嵌入盖板中，进一步了减小封装体积；最后，影像传感芯片与盖板键合后依次和软板、散热板连接，用于增加封装结构在后期使用中的散热问题，使得封装体的散热性大大增加。
优选的，所述金属互连结构包括依次铺设于所述第二凹槽及所述第二表面上的绝缘层8、金属线路层9和防焊层10，所述第二凹槽底部的防焊层上预留有暴露出金属线路的与若干所述焊垫对应的若干第一开口11，所述第一开口处形成所述第一导电结构；所述第二表面上的防焊层上预留有暴露出金属线路的若干第二开口12，所述第二开口处形成所述第二导电结构。
优选的，所述盖板第二表面上的防焊层与所述软板之间形成有密封环。优选的，所述密封环的材质为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或者绝缘树脂中的一种。具体实施时，对于某些特定的对密封性有较高要求的影像传感芯片的封装，可以通过点胶的方式在软板与盖板之间形成密封环，达到使封装体密封的目的。
优选的，所述通光孔的侧壁上覆盖有防反射层，具体实施时，防反射层可为材料能够吸收光线的防反射膜，用于降低光线的散射与衍射等。所述通光孔高度不小于200um，以达到高像素影像传感芯片的要求。
优选的，所述透光基板为IR滤光玻璃，并且IR滤光玻璃上覆盖有介质层，所述介质层正对所述通光孔位置形成透光孔。具体实施时，可在IR滤光玻璃覆盖一层介质，通过光刻或者其它工艺形成透光孔，透光孔的形状可以是圆形或者其它形状。
优选的，所述第一导电结构、所述第二导电结构为焊球或金属凸点，较佳的，第一导电结构可以通过植球或电镀形成，第二导电结构为焊球，通过印刷、植球或电镀形成。
优选的，所述第一凹槽或/和所述第二凹槽或/和所述通光孔的形状为矩形或梯形或圆形，但不限于此，盖板上各凹槽或通光孔的形状还可以是本实施例外的其它几何形状。
优选的，所述散热板的材质可以是铁板也可以是其它用于散热的基板，本实施例中采用铁板。
以下结合附图9-10对该优选实施例一种影像传感芯片的封装结构的制作方法进行详细说明，具体步骤如下：
步骤1、提供一影像传感芯片1，所述影像传感芯片的功能面包含感光区101和位于感光区周围的若干焊垫(102)；焊垫的材质是铝、铝合金、铜和铜合金中的一种。影像传感芯片背部根据实际需要进行减薄。
步骤2、参见图9，提供一盖板2，所述盖板包含第一表面和与其相对的第二表面，所述第一表面上形成有第一凹槽201，所述第二表面形成有与所述第一凹槽相对的第二凹槽202；其中，第二凹槽用于嵌入结合影像传感芯片，实现其内的金属互连结构与影像传感芯片焊垫的键合，第一凹槽用于嵌入键合透光基板，本实施例中第一凹槽的尺寸不小于透光基板的尺寸。形成第一凹槽与第二凹槽的顺序可以是任意的，形成凹槽的方法可以是：先利用光刻、刻蚀形成第一凹槽；接着在盖板上与第一凹槽所在平面相对的第二表面形成第二凹槽。也可以先形成第二凹槽，在形成第一凹槽；凹槽的形状可以是矩形、梯形、圆形或者其它规则几何形状；
步骤3，提供一软板4和一散热板5；散热板材质可以是铁板，也可以是其它用于散热的基板，本实施例中采用铁板。
步骤4、在所述盖板的第二凹槽及第二表面上铺设绝缘层8；绝缘层的材质可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或者绝缘树脂。透光基板可以通过键合胶水或者粘结剂与第一凹槽键合在一起，键合胶水或者粘结剂可以涂布在透光基板上也可以涂布在第一凹槽中，又或者两者都有。
步骤5、在所述绝缘层上铺设金属线路层9；形成金属线路层的步骤中至少形成一层金属线路，形成金属线路的方式可以先采用溅射/化镀锡或银；第二层金属线路可以是铜、镍、靶、金中的一种或多种，形成的方法为电镀、化学镀、真空蒸镀法、化学气相沉积法中的一种。
步骤6、在所述金属线路层上形成防焊层10，并在所述第二凹槽底部的防焊层上预留暴露出金属线路的与若干所述焊垫对应的若干第一开口11；在所述第二表面上的防焊层上预留暴露出金属线路的若干第二开口12；
步骤7、形成贯通所述第一凹槽与所述第二凹槽的通光孔203，所述通光孔的尺寸大于所述第一凹槽的尺寸，且所述通光孔的尺寸不小于所述影像传感芯片的感光区的尺寸不大于所述影响传感芯片的尺寸；具体方法为：通过刻蚀或切割或者两者结合的工艺形成贯通第一凹槽和第二凹槽的通光孔，所述通光孔暴露出影像传感芯片的感测区；并在所述第一开口处形成用于电性连接所述影像传感芯片的焊垫的第一导电结构6；在所述第二开口处形成用于外接的第二导电结构7；优选的，第一导电结构和第二导电结构为导电胶、焊球或者金属凸点；本实施例中利用植球的方式形成焊球。
步骤8、提供一不小于影像传感芯片的感光区尺寸的透光基板3，将所述透光基板键合于所述通光孔与所述第一凹槽的结合处；优选的，所述透光基板为IR滤光玻璃，所述IR滤光玻璃上覆盖有介质层，所述介质层正对所述通光孔的部分形成透光孔。介质层可以形成在透光基板第一表面也可以形成在第二表面，透光孔的形状可以是圆形或者其它形状；透光基板的尺寸不大于第一凹槽的尺寸；透光基板的形状与第一凹槽的形状可以相同或者相似。
步骤9、参见图10，将所述影像传感芯片放置于所述第二凹槽内，并使其感光区正对所述通光孔，使其焊垫与所述第一导电结构键合连接；优选的，本实施例是采用金金键合的方式将盖板与影像传感芯片键合。将所述第二导电结构键合于所述软板的一面，并将所述软板的另一面及所述影像传感芯片的非功能面键合于所述散热板上。优选的，所述散热板可以是铜基板或者是铁基板等，具有较好导热性的基板，可以增加散热效果。
综上，本发明提供一种影像传感芯片的封装结构及其制作方法，该封装结构包括一盖板、一影像传感芯片、一透光基板、一软板、一散热板，其中，盖板单独制作好之后再与影像传感芯片键合，透光基板上覆盖有介质层，介质层上形成透光孔，透光基板埋入盖板中，盖板通光孔侧壁形成有防反射层，用于降低光线的散射与衍射，影像传感芯片与盖板键合后依次和软板、散热板连接，这样做的好处是：首先，盖板单独制作可以防止图像传感芯片表面被污染，能实现高像素，同时解决了之前键合之后在芯片背部进行刻蚀等工艺时对芯片造成的损伤；其次，透光基板埋入或嵌入盖板中，进一步减小了封装体积；再次，透光基板上覆盖有介质层，介质层上形成透光孔，盖板通光孔侧壁形成有防反射层，可降低光线的散射与衍射；最后，影像传感芯片与盖板键合后依次和软板、散热板连接，这样使得封装体的散热性大大增加，对于某些气密性要求较高的产品，还可以在软板与封装体之间通过点胶的方式，实现封装体的密封效果。
以上实施例是参照附图，对本发明的优选实施例进行详细说明。本领域的技术人员通过对上述实施例进行各种形式上的修改或变更，但不背离本发明的实质的情况下，都落在本发明的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种影像传感芯片的封装结构，其特征在于：包括影像传感芯片(1)、盖板(2)、透光基板(3)、软板(4)和散热板(5)，所述影像传感芯片的功能面包含感光区(101)和位于感光区周围的若干焊垫(102)；所述盖板包含第一表面和与其相对的第二表面，所述第一表面上形成有第一凹槽(201)，所述第二表面形成有与所述第一凹槽相对的第二凹槽(202)，所述第一凹槽与所述第二凹槽之间贯通形成通光孔(203)，所述通光孔的尺寸不小于所述影像传感芯片的感光区的尺寸，且不大于所述影像传感芯片的尺寸；所述透光基板键合于所述第一凹槽内或所述通光孔靠近所述第一凹槽处；所述第二凹槽底部除通光孔外的部分上形成有金属互连结构，所述金属互连结构包含与所述影像传感芯片的焊垫对应键合的第一导电结构(6)，该金属互连结构的电性自所述第一导电结构引至第二表面上的第二导电结构(7)；所述影像传感芯片放置于所述第二凹槽内，并使其感光区正对所述通光孔，使其焊垫与所述金属互连结构上对应的第一导电结构键合连接；所述第二导电结构与所述软板的一面键合，所述软板的另一面及所述影像传感芯片的非功能面结合于所述散热板。
2.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于：所述金属互连结构包括依次铺设于所述第二凹槽及所述第二表面上的绝缘层(8)、金属线路层(9)和防焊层(10)，所述第二凹槽底部的防焊层上预留有暴露出金属线路的与若干所述焊垫对应的若干第一开口(11)，所述第一开口处形成所述第一导电结构；所述第二表面上的防焊层上预留有暴露出金属线路的若干第二开口(12)，所述第二开口处形成所述第二导电结构。
3.根据权利要求2所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于：所述盖板第二表面与所述软板之间形成有密封环。
4.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于：所述第一凹槽的尺寸大于所述通光孔的尺寸，所述透光基板键合于所述第一凹槽的底部，且所述透光基板与所述第一凹槽的开口平齐。
5.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于：所述第一凹槽的尺寸小于所述通光孔的尺寸，所述透光基板键合于所述通光孔与所述第一凹槽的结合处。
6.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于：所述通光孔的侧壁上覆盖有防反射层，且所述通光孔高度不小于200um。
7.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于：所述透光基板为IR滤光玻璃，并且IR滤光玻璃上覆盖有介质层(301)，所述介质层正对所述通光孔位置形成透光孔。
8.一种影像传感芯片的封装结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
a.提供一影像传感芯片(1)，所述影像传感芯片的功能面包含感光区(101)和位于感光区周围的若干焊垫(102)；
b.提供一盖板(2)，所述盖板包含第一表面和与其相对的第二表面，所述第一表面上形成有第一凹槽(201)，所述第二表面形成有与所述第一凹槽相对的第二凹槽(202)；
c.提供一软板(4)和一散热板(5)；
d.提供一不小于所述感光区尺寸的透光基板(3)，将所述透光基板嵌入键合于所述盖板的第一凹槽内；
e.在所述盖板的第二凹槽及第二表面上铺设绝缘层(8)；
f.在所述绝缘层上铺设金属线路层(9)；
g.在所述金属线路层上形成防焊层(10)，并在所述第二凹槽底部的防焊层上预留暴露出金属线路的与若干所述焊垫对应的若干第一开口(11)；在所述第二表面上的防焊层上预留暴露出金属线路的若干第二开口(12)；
h.形成贯通所述第一凹槽与所述第二凹槽的通光孔(203)，所述通光孔的尺寸小于所述第一凹槽的尺寸，且所述通光孔的尺寸不小于所述影像传感芯片的感光区的尺寸不大于所述影像传感芯片的尺寸；
i.在所述第一开口处形成用于电性连接所述影像传感芯片的焊垫的第一导电结构(6)；在所述第二开口处形成用于电性连接所述软板的第二导电结构(7)；
j.将所述影像传感芯片放置于所述第二凹槽内，并使其感光区正对所述通光孔，使其焊垫与所述第一导电结构键合连接；
k.将所述第二导电结构键合于所述软板的一面，并将所述软板的另一面及所述影像传感芯片的非功能面键合于所述散热板上。
9.一种影像传感芯片的封装结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
a.提供一影像传感芯片(1)，所述影像传感芯片的功能面包含感光区(101)和位于感光区周围的若干焊垫(102)；
b.提供一盖板(2)，所述盖板包含第一表面和与其相对的第二表面，所述第一表面上形成有第一凹槽(201)，所述第二表面形成有与所述第一凹槽相对的第二凹槽(202)；
c.提高一软板(4)和一散热板(5)；
d.在所述盖板的第二凹槽及第二表面上铺设绝缘层(8)；
e.在所述绝缘层上铺设金属线路层(9)；
f.在所述金属线路层上形成防焊层(10)，并在所述第二凹槽底部的防焊层上预留暴露出金属线路的与若干所述焊垫对应的若干第一开口(11)；在所述第二表面上的防焊层上预留暴露出金属线路的若干第二开口(12)；
g.形成贯通所述第一凹槽与所述第二凹槽的通光孔(203)，所述通光孔的尺寸大于所述第一凹槽的尺寸，且所述通光孔的尺寸不小于所述影像传感芯片的感光区的尺寸不大于所述影像传感芯片的尺寸；
h.提供一不小于所述感光区尺寸的透光基板(3)，所述透光基板键合于所述通光孔与所述第一凹槽的结合处；
i.在所述第一开口处形成用于电性连接所述影像传感芯片的焊垫的第一导电结构(6)；在所述第二开口处形成用于电性连接所述软板的第二导电结构(7)；
j.将所述影像传感芯片放置于所述第二凹槽内，并使其感光区正对所述通光孔，使其焊垫与所述第一导电结构键合连接；
k.将所述第二导电结构键合于所述软板的一面，并将所述软板的另一面及所述影像传感芯片的非功能面键合于所述散热板上。
10.根据权利要求8或9所述的影像传感芯片的封装结构的制作方法，其特征在于，所述透光基板为IR滤光玻璃，所述IR滤光玻璃上覆盖有介质层(301)，所述介质层正对所述通光孔的部分形成透光孔。
11.根据权利要求8或9所述的影像传感芯片的封装结构的制作方法，其特征在于，所述通光孔侧壁覆盖有防反射层。
12.根据权利要求8或9所述的影像传感芯片的封装结构的制作方法，其特征在于，所述盖板第二表面与所述软板之间形成有密封环。
CN201610224955.4A 2016-04-12 2016-04-12 影像传感芯片的封装结构及其制作方法 Active CN105702696B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610224955.4A CN105702696B (zh) 2016-04-12 2016-04-12 影像传感芯片的封装结构及其制作方法
PCT/CN2016/101438 WO2017177631A1 (zh) 2016-04-12 2016-10-07 影像传感芯片的封装结构及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610224955.4A CN105702696B (zh) 2016-04-12 2016-04-12 影像传感芯片的封装结构及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105702696A CN105702696A (zh) 2016-06-22
CN105702696B true CN105702696B (zh) 2019-10-25

Family

ID=56218645

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610224955.4A Active CN105702696B (zh) 2016-04-12 2016-04-12 影像传感芯片的封装结构及其制作方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN105702696B (zh)
WO (1) WO2017177631A1 (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105702696B (zh) * 2016-04-12 2019-10-25 华天科技（昆山）电子有限公司 影像传感芯片的封装结构及其制作方法
CN107564877A (zh) * 2016-06-30 2018-01-09 华邦电子股份有限公司 半导体元件封装体及半导体元件封装制程
CN107808889B (zh) * 2017-11-29 2023-10-20 苏州晶方半导体科技股份有限公司 叠层封装结构及封装方法
CN108793053A (zh) * 2018-06-07 2018-11-13 苏州纳芯微电子股份有限公司 Mems soi晶圆和制备方法以及mems传感器和制备方法
CN109119426B (zh) * 2018-09-28 2024-04-16 长江存储科技有限责任公司 3d存储器件
CN109378702A (zh) * 2018-11-30 2019-02-22 华天科技（西安）有限公司 一种vcsel传感器封装结构及其封装方法
CN109638031B (zh) * 2018-12-18 2020-11-03 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种高像素cis晶圆级扇出型封装结构及其制造方法
US11289522B2 (en) * 2019-04-03 2022-03-29 Semiconductor Components Industries, Llc Controllable gap height for an image sensor package
CN110446369A (zh) * 2019-07-23 2019-11-12 中国科学技术大学 键合结构、键合方法及包含该键合结构的封装盒体
CN110446368A (zh) * 2019-07-23 2019-11-12 中国科学技术大学 键合结构、键合方法及包含该键合结构的封装盒体
CN110491870A (zh) * 2019-08-22 2019-11-22 纮华电子科技（上海）有限公司 光扫描模组及其制作方法
CN111524981B (zh) * 2020-04-15 2020-09-29 甬矽电子(宁波)股份有限公司 芯片封装结构及芯片封装方法
CN114173022A (zh) * 2020-09-10 2022-03-11 宁波舜宇光电信息有限公司 具有散热元件的感光组件及其制备方法
CN117393532A (zh) * 2022-07-04 2024-01-12 长鑫存储技术有限公司 一种半导体结构、封装器件及半导体结构的制造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4983840A (en) * 1989-04-28 1991-01-08 Commissariat A L'energie Atomique Measuring system constituted by a radiation detection circuit, a reading circuit and a support such as a cryostat cold finger
CN102983111A (zh) * 2011-09-02 2013-03-20 奥普蒂兹公司 图像传感器的阶梯式封装及其制造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101711007B1 (ko) * 2010-04-29 2017-03-02 삼성전자주식회사 이미지 센서 패키지를 갖는 이미지 센서 모듈
CN103681719A (zh) * 2013-12-17 2014-03-26 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种可见光器件圆片级封装结构和方法
KR20160005854A (ko) * 2014-07-07 2016-01-18 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
CN204538025U (zh) * 2015-02-15 2015-08-05 苏州科阳光电科技有限公司 新型的半导体封装结构
CN105070732B (zh) * 2015-07-16 2018-02-16 北京工业大学 高像素影像传感器封装结构及其制作方法
CN205789973U (zh) * 2016-04-12 2016-12-07 华天科技（昆山）电子有限公司 影像传感芯片的封装结构
CN105702696B (zh) * 2016-04-12 2019-10-25 华天科技（昆山）电子有限公司 影像传感芯片的封装结构及其制作方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4983840A (en) * 1989-04-28 1991-01-08 Commissariat A L'energie Atomique Measuring system constituted by a radiation detection circuit, a reading circuit and a support such as a cryostat cold finger
CN102983111A (zh) * 2011-09-02 2013-03-20 奥普蒂兹公司 图像传感器的阶梯式封装及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017177631A1 (zh) 2017-10-19
CN105702696A (zh) 2016-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105702696B (zh) 影像传感芯片的封装结构及其制作方法
CN104051337B (zh) 立体堆叠集成电路系统芯片封装的制造方法与测试方法
CN103972191B (zh) 具有环绕封装通孔端部的开口的管芯封装件及层叠封装件
TWI360188B (en) A semiconductor package assembly and methods of fo
TWI254425B (en) Chip package structure, chip packaging process, chip carrier and manufacturing process thereof
TWI279897B (en) Embedded semiconductor chip structure and method for fabricating the same
TW201842636A (zh) 三維整合之散熱增益型半導體組體及其製作方法
CN105140253B (zh) 一种背照式影像芯片晶圆级3d堆叠结构及封装工艺
CN107452720A (zh) 芯片扇出封装结构、多芯片集成模块及晶圆级封装方法
TWI269462B (en) Multi-chip build-up package of an optoelectronic chip and method for fabricating the same
CN109148431B (zh) 距离传感器芯片封装结构及其晶圆级封装方法
JP2008091852A (ja) 積層パッケージおよびその製造方法
TWI242869B (en) High density substrate for multi-chip package
CN107393836B (zh) 芯片封装方法及封装结构
CN102637713B (zh) 一种含有金属微凸点的图像传感器封装方法
CN106601628A (zh) 一种芯片的封装方法及芯片封装结构
CN208722864U (zh) 多层芯片基板及多功能芯片晶圆
CN205789973U (zh) 影像传感芯片的封装结构
CN104538416A (zh) 高可靠性全封闭cmos影像传感器结构及其制作方法
CN210897268U (zh) 一种带有光互连接口的光电芯片三维封装结构
CN105355641B (zh) 高像素影像传感芯片的封装结构及封装方法
CN204424256U (zh) 高可靠性全封闭cmos影像传感器结构
CN103887256A (zh) 一种高散热芯片嵌入式电磁屏蔽封装结构及其制作方法
CN209374446U (zh) 多芯片堆叠封装体
TWI255047B (en) Heat dissipating semiconductor package and fabrication method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant