CN204303794U - 元件收纳用封装件以及安装构造体 - Google Patents
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Abstract
本实用新型的元件收纳用封装件的特征在于,具备:在上表面具有元件的安装区域的基板;在所述基板的上表面以包围所述安装区域的外周的方式配置的、在上边以及下边的一方具有切口的框体;插通于所述框体的所述切口的、将所述框体的内外电连接的输入输出端子,在所述框体中,在各自的两端具有嵌合部的四张板体在各自的所述嵌合部彼此之间嵌合。
Description
技术领域
本发明涉及一种元件收纳用封装件以及具备元件收纳用封装件的安装构造体。
背景技术
一直以来,提出有用框体将电子部件等元件包围进行密封并且具备用于将框体内侧与框体外侧电连接的输入输出端子的元件收纳用封装件(例如,参照日本特开平5-90433号公报以及日本特开2010-62181号公报)。需要说明的是,输入输出端子以及框体选择具有相互电绝缘的关系的材料。
然而,元件收纳用封装件可能因元件大量产生热造成输入输出端子与框体由于热膨胀系数的不同而导致框体内的密封性破坏,因而如何良好地维持框体内的密封性成为课题。
本发明为鉴于上述问题而完成的,其目的在于,提供密封性优异的元件收纳用封装件以及具备该元件收纳用封装件的安装构造体。
发明内容
本发明的一实施方式所涉及的元件收纳用封装件的特征在于,具备:在上表面具有元件的安装区域的基板;在所述基板的上表面以包围所述安装区域的外周的方式配置的、在上边以及下边的一方具有切口的框体;插通于所述框体的所述切口的、将所述框体的内外电连接的输入输出端子,在所述框体中,在各自的两端具有嵌合部的四张板体在各自的所述嵌合部彼此之间嵌合。
附图说明
图1为本发明的实施方式所涉及的安装构造体的从一方向观察时的立体图。
图2为本发明的实施方式所涉及的安装构造体的从另一方向观察时的立体图。
图3为将图2的A1部分放大了的立体图。
图4为表示本发明的实施方式所涉及的安装构造体的内部的俯视图。
图5为本发明的实施方式所涉及的元件收纳用封装件的分解立体图。
图6为图5的框体的分解立体图。
图7为表示本发明的其他实施方式所涉及的元件收纳用封装件的主要部分的立体图。
图8为将图7的A2部分放大了的放大立体图。
图9为表示本发明的其他实施方式所涉及的元件收纳用封装件的主要部分的立体图。
图10为将图9的A3部分放大了的放大立体图。
图11为表示本发明的其他实施方式所涉及的元件收纳用封装件的立体图。
图12为从图11的元件收纳用封装件拆除了密封圈以及输入输出端子后的状态的立体图。
图13为将图12的A4部分放大了的放大立体图。
具体实施方式
以下参照图1~图6,说明本发明的一实施方式所涉及的元件收纳用封装件以及安装构造体。
(安装构造体)
图1以及图2为表示本实施方式所涉及的安装构造体1的立体图,两附图的观察方向不同。图3为将图2的A1部分即框体的角部放大了的图。图4为安装构造体的俯视图,为表示将盖体拆卸后的框体内侧的俯视图。图5为元件收纳用封装件的分解立体图,示出基板、输入输出端子、框体以及密封圈。图6为框体的分解立体图。
安装构造体1例如搭载在电视机等家电设备、移动电话或计算机设备、电源设备等电子设备、光通信设备或无线通信设备等通信设备中。特别适合以微波或毫米波等高频使用的电子设备的高频电路。
如图1以及图2所示,安装构造体1具备元件收纳用封装件2、安装在该元件收纳用封装件2中的元件3。
元件收纳用封装件2安装有由例如半导体元件、光半导体元件、晶体管、二极管或半导体开关元件等有源元件、或者电阻器、电容器、太阳能电池、压电元件、晶体振荡器或陶瓷谐振器等无源元件构成的元件3。
元件收纳用封装件2具备在上表面具有元件3的安装区域R的基板4、将基板4的上表面的安装区域R的外周包围的框体5、配置在框体5的内外的输入输出端子6。
基板4具有支承元件3以及框体5的功能。本实施方式的基板4的俯视观察时的形状为长方形状。基板4设置有:位于四角而向外侧方向延伸的延伸部4a;设置于延伸部4a并贯通上下方向的螺纹孔4b;位于基板4的长度方向上的延伸部4a彼此之间、降低基板4的上表面高度的台阶4c。
基板4可以通过将螺栓或螺丝拧紧于螺纹孔4b而相对于外部构件进行固定。而且,台阶4c的形状与输入输出端子6的下部的未装配有引出端子10的区域的形状对应,能够将输入输出端子6藉由钎料牢固地连接于台阶4c。
基板4可以由例如铜、铁、钨、钼、镍或钴等金属材料、或者含有这些金属材料的合金材料、或它们的复合材料形成。基板4使导热率良好,从而能够将从安装在安装区域R的元件3产生的热有效地经由基板4向外部散热。需要说明的是,基板4的导热率被设定为例如15W/(m·K)以上450W/(m·K)以下。基板4的杨氏模量被设定为例如100GPa以上500GPa以下。基板4的热膨胀系数被设定为例如5×10-6/℃以上25×10-6/℃以下。
而且,就基板4而言,对将熔融后的金属材料浇铸在模具框架中并使其固化而成的铸块,通过使用以往公知的滚轧加工或冲压加工等金属加工法而制作成例如板状等规定形状。需要说明的是,除延伸部4a以外的基板4的长度被设定成例如长边为10mm以上100mm以下,短边为10mm以上100mm以下。基板4的厚度被设定为例如0.3mm以上5mm以下。
基板4的表面为了抑制氧化腐蚀,使用电镀法或无电解镀敷法而形成镍或金等的金属层。基板4的安装区域R为在将框体5与基板4的上表面连接时不与框体5连接的区域。即,基板4的安装区域R为俯视观察时不与框体5重叠的区域。
需要说明的是,在本实施方式中,虽然将基板4的形状设置为长方形状,然而若能够安装元件3,便可以不限定于长方形状,也可以为正方形状、多边形状或椭圆形状等。
元件3安装在基座3a上。基座3a配置在元件收纳用封装件2的内部的安装区域R。基座3a用于安装元件3,能够调整元件3的高度位置。基座3a由绝缘材料构成,在基座3a的上表面形成有与元件3电连接的电气配线。
框体5被配置成包围基板4的安装区域R的外周,具有从外部保护安装在安装区域R的元件3的功能。而且,框体5在侧面的一部分形成有供输入输出端子6插通的切口C。即,在构成框体5的板体上形成有切口C。该切口C在板体的上边以及下边的一方形成。在本实施方式中,切口C在板体的下边形成。
框体5的外形为矩形状,具体而言为长方形状。即,框体5的俯视观察时的形状为矩形形状,具体而言为长方形状,然而并不限定于此。即,也可以为多边形状、圆形状、椭圆形状等。
框体5通过钎料等接合材料而被钎焊在基板4上。需要说明的是,钎料由例如银、铜、金、铝或镁等形成,也可以包含镍、镉或磷等添加物。
如图5以及图6所示,框体5由四张板体构成。四张板体在各自的两端具有嵌合部5a、5b。通过将四张板体的各自的嵌合部5a、5b相互嵌合而形成框体5。
具体而言,嵌合部5a、5b中,四张板体中对置的两张板体的两端分别为凹部5a,四张板体中对置的剩余两张板体的两端分别为凸部5b。四张板体的凹部5a以及凸部5b嵌合。而且,凹部5a以及凸部5b以通过接合材料嵌合的状态而接合。即,在凹部5a以及凸部5b之间夹设有接合材料,凹部5a以及凸部5b夹着该接合材料而嵌合。
框体5能够由例如铜、铁、钨、钼、镍或钴等金属材料、或含有这些金属材料的合金材料或者它们的复合材料形成。
框体5能够在元件3安装于安装区域R的状态下,使由元件3产生的热有效地向框体5的外部散热。需要说明的是,框体5的导热率被设定为例如15W/(m·K)以上450W/(m·K)以下。而且,框体5的杨氏模量被设定为例如100GPa以上500GPa以下。框体5的热膨胀系数被设定为例如5×10-6/℃以上25×10-6/℃以下。
俯视观察时的框体5的一边的长度被设定为,例如,长边为10mm以上100mm以下,短边为10mm以上100mm以下。而且,俯视观察时框体5的从内侧至外侧的厚度宽度被设定为,例如,0.3mm以上3mm以下。此外,框体5的上下方向的厚度被设定为,例如,4mm以上20mm以下。
此处,能够以连接凹部5a以及凸部5b的接合材料的杨氏模量小于基板4的杨氏模量或框体5的杨氏模量的方式选择接合材料的材料。
当对输入输出端子6使微波、毫米波等高频在信号线路中传送时,有时因高频而由信号线路产生热。而且,在安装构造体1工作时有时从元件3产生热。由于该热使基板4以及框体5发生热膨胀。
于是,通过使接合材料的杨氏模量小于基板4或框体5的杨氏模量,能够利用接合材料的变形来缓和因基板4或框体5的热膨胀而产生的应力。其结果为,能够减少从基板4或框体5对输入输出端子6施加的应力,从而能够抑制在输入输出端子6产生裂缝。需要说明的是,将接合材料的杨氏模量设定为例如50GPa以上95GPa以下。
此处,说明框体5的凹部5a以及凸部5b。凹部5a为在板体的端部将板体的外侧主面、内侧主面以及端面切去一部分的形状。凹部5a设置在板体的端部的上下方向的中央部分。而且,凹部5a设置在构成框体5的四张板体中的位于短边的板体上。凹部5a的沿着框体5长边方向的大小相当于凸部5b的框体5的长度方向上的大小,例如,被设定为0.3mm以上3mm以下。而且,凹部5a的沿着框体5短边的方向的大小被设定为例如0.3mm以上3mm以下。此外,凹部5a的上下方向的大小被设定为例如2mm以上18mm以下。
凸部5b为在板体的端部从板体的端面向沿着板体的外侧主面以及内侧主面的方向突出的形状。而且,凸部5b嵌入凹部5a。凸部5b设置在板体的端部的上下方向的中央部分。而且,凸部5b设置在构成框体5的四张板体中的位于长边的板体上。凸部5b的沿着框体5长度方向的大小相当于凹部5a的沿着框体5长度方向的大小,例如,被设定为0.3mm以上3mm以下。凸部5b的沿着框体5短边方向的大小相当于凹部5a的在框体5的短边方向上的大小,例如被设定为0.3mm以上3mm以下。此外,凸部5b的上下方向的大小相当于凹部5a的上下方向的大小,例如,被设定为2mm以上18mm以下。
通过使凹部5a以及凸部5b位于框体5的上下方向的中央部分,能够良好地维持作为框体5的强度。假设在凹部5a以及凸部5b位于框体5的上部分或下部分的情况下,当框体5受到来自外部的力或热应力时,在凹部5a以及凸部5b的嵌合方发生偏移,因此凸部5b容易从凹部5a脱离。为此,通过在框体5的上下方向的中央部分设置凹部5a以及凸部5b,能够抑制凸部5b从凹部5a脱离,从而能够抑制框体5破坏。
而且,通过将凸部5b设置在位于框体5的长边的板体上,将凹部5a设置在位于框体5的短边的板体上,由此能够将由于输入输出端子6与基板4以及框体5的热膨胀差而在框体5的长边的端部沿上下方向作用的力沿着凹部5a与凸部5b的嵌合部5a、5b分散。即,通过将凸部5b与凹部5a嵌合而由凹部5a来限制框体5的长边端部的上下方向的移动,从而在框体5的长边以及短边的接合部作用在上下方向的力降低。其结果为,抑制了框体5的长边与短边的接合部的剥落、裂缝。此外,位于框体5长边的板体的端面在夹着凸部5b而位于上侧以及下侧的两处与位于框体5的短边的板体接合,因此确保了位于框体5的长边的板体与位于短边的板体的接合强度,从而能够抑制因翘曲、变形容易变大的框体5的长度方向上的膨胀、收缩造成的接合部的裂缝、剥落。
对于将凹部5a以及凸部5b接合的接合材料的材料,能够选择具有与框体5(板体)的材料相比导热率高的材料。只要与板体的材料对应地适当选择接合材料的材料即可,例如,能够由金、银或铜等金属材料形成。
因高频而从信号线路产生的热以及安装构造体1工作时产生的元件3的热容易充满在框体5的内侧。当热充满在框体5的内侧时元件3变得高温,可能造成元件3错误工作或损坏。
于是,对于接合凹部5a以及凸部5b的接合材料可以采用具有与框体5的材料相比导热率高的材料。由此,充满于框体5内侧的热容易经由接合材料向外部发散而使框体5的内侧温度降低,从而能够减少元件3错误工作或损坏。
而且,接合材料也可以夹设于凹部5a的内表面以及凸部5b的外表面之间。
由于框体5以使四张板体嵌合的方式形成,因此,在由高频引起的信号线路产生的热以及安装构造体1工作时产生的元件3的热的影响下,有可能使板体热膨胀而对凹部5a以及凸部5b施加应力。当施加应力时,会在凹部5a以及凸部5b之间产生间隙,或使凹部5a以及凸部5b的嵌合脱离,从而有可能导致元件收纳用封装件2的密封性降低。
于是,通过使接合材料夹设于凹部5a的内表面以及凸部5b的外表面之间,能够利用接合材料减少在凹部5a的内表面以及凸部5b的外表面产生间隙、以及凹部5a和凸部5b的嵌合脱离的情况,从而能够抑制元件收纳用封装件2的密封性的降低。
框体5以上表面的高度位置成为相同高度、即上表面的高度相同的方式形成。框体5由四张板体构成,将凹部5a以及凸部5b嵌合而通过接合材料固定。单体的四张板体成为一体而作为框体5发挥功能,通过设定为上下方向的厚度完全相同,使得在框体5(板体)的上表面容易对密封圈7进行对位。
而且,在框体5中,在位于框体5的短边的板体上配置有透光性构件5c,该透光性构件5c使来自位于外部的光缆的光一直通到被框体5包围的区域。透光性构件5c由例如透镜、塑料、玻璃或蓝宝石衬底等透光性材料构成。
框体5在位于框体5的长边的板体上设置有切口C。本实施方式的切口C从框体5的下部分形成至框体5的中央部分。而且,切口C以位置与台阶4c相对应的方式设置。
切口C的上下方向的大小被设定为,例如,1mm以上20mm以下。切口C的沿着框体5长边的方向的长度被设定为,例如,1mm以上20mm以下。切口C的与框体5的长边正交的方向上的长度相当于从框体5的内侧至外侧的厚度宽度,例如,被设定为0.3mm以上3mm以下。
插通于切口C且下部被嵌在台阶4c上的输入输出端子6具备:多个层叠的电介质层8;在电介质层8内通过的信号线路9;与向位于最下层的电介质层8的下表面延伸的信号线路9电连接的引出端子10。在电介质层8上与信号线路9对应地设置有接地层,信号线路9与接地层作为高频传送路而发挥功能。
信号线路9具有传递规定的电气信号的功能。信号线路9作为例如微波带状线路或共面线路使用。信号线路9由例如铜、银、金、铝、镍或铬等金属材料构成。信号线路9的线路宽度为向信号线路9传递的信号波长的四分之一以下,例如,被设定为0.05mm以上0.5mm以下。
在信号线路9,例如通过钎料形成有用于与外部连接的引出端子10。需要说明的是,引出端子为用于将外部的电子设备等与元件3电连接的构件。
接地层形成在电介质层8的下表面的局部。接地层被设定为接地等固定电位。而且,接地层由例如铜、银、金、铝、镍或铬等金属材料构成。基板4由金属材料构成,接地层与基板4被电连接。
电介质层8为绝缘性的基板,能够由例如氧化铝、氮化铝或氮化硅等无机材料,或者环氧树脂、聚酰亚胺树脂或乙烯树脂等有机材料,或者铝或多铝红柱石等陶瓷材料,或者玻璃陶瓷材料等形成。或者,电介质层8能够由将这些材料中的多种材料混合而成复合系材料形成。需要说明的是,电介质层8的上下方向的厚度为向信号线路9传递的信号的波长的二分之一以下,例如,被设定为1mm以上20mm以下。
电介质层8也可以含有多个填充物。在电介质层8由有机材料构成的情况下,通过使电介质层8含有填充物,能够调整电介质层8的固化前的粘度,能够使电介质层8的厚度尺寸接近所期望的值。填充物为球状,由例如氧化硅、碳化硅、氧化铝、氮化铝或氢氧化铝等构成,填充物的直径被设定为例如0.05μm以上6μm以下。需要说明的是,输入输出端子6的热膨胀系数被设定为例如4×10-6/℃以上10×10-6/℃以下。
电介质层8所含有的填充物的相对介电常数能够设定为小于构成电介质层8的材料的相对介电常数。这样,通过设置为比电介质层8的相对介电常数小的低介电常数的填充物,能够使电介质层8整体进一步低介电常数化,能够提高向信号线路9传送的信号的传送效率。需要说明的是,填充物能够设置为绝缘性的填充物。通过将填充物设为绝缘性,能够减少对向信号线路9传递的信号的特性阻抗的影响。
引出端子10具有将外部的电子设备等与元件3电连接的功能。引出端子10经由钎料与形成在输入输出端子6的下表面的信号线路9连接。信号线路9以及引出端子10电连接。而且,在输入输出端子6的下表面形成有多个信号线路9,多个信号线路9彼此空出间隔地配置。而且,相邻的信号线路9彼此被电绝缘。通过将各引出端子10配置在各个信号线路9上,使得相邻的引出端子10彼此被电绝缘。需要说明的是,引出端子10由导电材料构成,例如可以由铜、铁、钨、钼、镍或钴等金属材料或者含有这些金属材料的合金材料形成。
引出端子10在引出端子10的一端与引出端子10的另一端之间弯折为曲柄状。即,以引出端子10的下表面的高度位置与将输入输出端子6嵌合在台阶4c的状态下基板4的下表面的高度位置相同的方式对引出端子10进行弯折。于是,能够将基板4与引出端子10双方相对于外部基板平坦地安装。而且,能够增大元件收纳用封装件2相对于外部基板进行固定的面积,并能够相对于外部基板不倾斜地连接。其结果为,能够将元件收纳用封装件2稳定且牢固地连接于外部基板。
在框体5的上表面经由钎料等接合材料钎焊有密封圈7。需要说明的是,钎料由例如银、铜、金、铝或镁等构成,也可以使其含有镍、镉或磷等添加物。
密封圈7为俯视观察时与设置在基板4上的框体5重叠的框状构件。密封圈7由例如铜、铁、钨、钼、镍或钴等导热性优异的缓冲材料构成。
固形的接合材料沿着框体5的上表面设置在与密封圈7重叠的部位。通过在接合材料上叠加密封圈7并对密封圈7加热,接合材料熔化而与密封圈7连接。进而,通过将熔融的接合材料冷却固化而将密封圈7固定在框体5。此时,熔融了的接合材料的一部分从框体5的上表面沿着框体5的端部流动,一直流入到四张板体的连接处。并且,在框体5的四个角部沿着凹部5a以及凸部5b的边界流动,能够将凸部5b与凹部5a连接,进而,流动的接合材料固化而将凸部5b以与凹部5a嵌合的状态进行固定。这样,对由作为单体的四张板体构成的框体5通过使接合材料流入凹部5a以及凸部5b的间隙而将凹部5a以及凸部5b的间隙堵塞,由此能够良好地维持框体5的密封性。
在密封圈7上配置有盖体11。盖体11以在安装区域R安装有元件3的状态配置在密封圈7上。盖体11具备将由基板4以及框体5包围的空间密封的功能。盖体11通过例如钎料而钎焊在框体5的上表面。需要说明的是,盖体11由例如铜、铁、钨、钼、镍或钴等金属材料或者含有这些金属材料的合金材料构成。
在安装构造体1中,通过焊料等凸块将元件3倒装晶片安装在元件收纳用封装件2。在安装IC或LSI等半导体元件的情况下,作为半导体元件的原料,能够使用由例如硅、锗、砷化镓、磷砷化镓、氮化砷或碳化硅等构成的材料。
在本实施方式所涉及的元件收纳用封装件2以及安装构造体1中,在两端具有嵌合部5a、5b的四张板体以各自的嵌合部5a、5b彼此嵌合的方式形成框体5。由此,即使在因高频而由信号线路产生的热以及安装构造体1工作时产生的元件3的热造成基板4、框体5以及输入输出端子6热膨胀的情况下,由于能够将在框体5的上下方向上作用的力沿着嵌合部5a、5b分散,因此能够缓和对框体5以及基板4的接合部施加的应力,从而能够抑制框体5从基板4剥离。其结果为,能够良好地维持框体5内的密封性。
而且,通过将输入输出端子6的热向与输入输出端子6直接连接的导热性优异的基板4传递,能够抑制输入输出端子6的温度变成高温。
根据本实施方式,能够抑制框体5被破坏,进而能够良好地维持框体5内的密封性。如此,能够提供密封性优异的元件收纳用封装件2以及安装构造体1。
本发明并不限定于上述的本实施方式,在不脱离本发明的主旨的范围内能够进行各种变更、改良等。需要说明的是,在上述的实施方式中,作为构成框体5的各个板体的两端的嵌合部5a、5b,虽然采取仅存在凹部5a或凸部5b的某一方的构造,然而并不限定于此。框体5也可以采取将在板体的一端形成有凹部5a而在板体的另一端形成有凸部5b的四张板体嵌合而成的构造。
而且,在上述实施方式中,一张板体在一端具有一个嵌合部5a、5b,然而并不限定于此。图7以及图8表示本发明的其他实施方式所涉及的元件收纳用封装件2。在该元件收纳用封装件2中,四张板体在各自的两端具有多个嵌合部5a、5b,四张板体通过多个嵌合部5a、5b彼此嵌合而构成。通过增加嵌合部5a、5b,使得板体彼此的接合面积增加,因此能够更牢固地固定四张板体,从而提高了框体5的强度。
需要说明的是,可以不在四张所有的板体的两端设置多个嵌合部5a、5b。即,在四张板体中的邻接的两张板体的至少一端设置多个嵌合部5a、5b即可。
图9以及图10表示本发明的其他实施方式所涉及的元件收纳用封装件2。在本实施方式中,在中央部形成有供输入输出端子6插通的切口C的板体具有凹部5a。该凹部5a位于板体的两端的除切口C的侧方以外的部分。
通过在板体形成有供输入输出端子6捅通的切口C,使得板体的位于切口C两侧的部分容易变形。对此,通过在板体的两端的除切口C的侧方以外的部分形成凹部5a,即使在由于因高频而由信号线路产生的热以及安装构造体1工作时产生的元件3的热造成基板4、框体5以及输入输出端子6热膨胀从而对板体的切口C侧方的部分施加有应力的情况下,也能够减少板体变形。
而且,如图10所示,也可以在嵌合的凸部5b以及凹部5a之间设置台阶部。即,在被嵌合的凹部5a以及凸部5b,凸部5b的一部可以位于凹部5a的外侧,凹部5a的大小可以大于凸部5b。如此,通过形成台阶部,在被嵌合的凸部5b以及凹部5a之间,沿着台阶而连续地形成接合材料的弯月面,从而接合面积增加,能够提高嵌合部5a、5b的接合强度。
图11、图12以及图13示出了本发明的其他实施方式所涉及的元件收纳用封装件2。在本实施方式中,四张板体中的一张板体具有向邻接的两张板体弯折的多个弯曲部5d。该弯曲部5d位于矩形状的框体5的角部。
在因高频而由信号线路产生的热以及安装构造体1工作时产生的元件3的热造成基板4以及框体5热膨胀的情况下,存在应力容易集中在框体5的四个角部的倾向。此外,若在框体6的角部配置有输入输出端子6,则也施加有因框体5以及输入输出端子6的热膨胀差产生的应力,因此应力更容易集中在框体6的角部。
对此,板体具有向邻接的板体弯折的弯曲部5d并且弯曲部5d位于框体5的角部,由此避免了板体的嵌合部5a、5b成为框体5的角部,从而能够抑制应力集中在板体的嵌合部5a、5b。
此外,如图11、图12以及图13所示,通过在具有插通有输入输出端子6的切口C的板体设置弯曲部5d,由此避免了板体的嵌合部5a、5b成为配置有输入输出端子6的框体5的角部,从而能够抑制应力集中在板体的嵌合部5a、5b。
此外,具有弯曲部5d的板体能够稳定地配置在基板4的上表面。即,就具有弯曲部5d的板体而言,在板体的端部,弯曲部5d也作为支承件而发挥功能,因此相对于基板4的上表面难以倒下,从而能够将其他板体的嵌合部5a、5b稳定地嵌合在具有弯曲部5d的板体。
需要说明的是,在本实施方式中,一张板体在两端部中的每个端部具有两个弯曲部5d,然而也可以仅具有一个弯曲部5d。而且,一张板体具有弯曲部5d,然而也可以使多个板体具有弯曲部5d。
而且,如图13所示,就嵌合部5a、5b而言,优选在作为凹凸的抵接面的凸部5b的外表面以及凹部5a的内表面具有倾斜部5e。由此,能够由倾斜部5e分散施加于嵌合部5b、5c的应力。
(安装构造体的制造方法)
此处,说明图1或图2所示的安装构造体1以及元件收纳用封装件2的制造方法。
首先,分别准备基板4、框体5、密封圈7、引出端子10以及盖体11。基板4、四张板体、密封圈7、引出端子10以及盖体11分别通过对将熔融了的金属材料浇铸在模具框架中并使它们固化而成的铸块使用冲压加工法以及切削加工法等金属加工法而制作成规定形状。此处,将框体5的模具框架制作成设置有凹部5a或凸部5b的形状,并且以从模具框架取出的框体5成为规定形状的方式预先进行设定。
接下来,准备输入输出端子6。此处,对电介质层8的材料为氧化铝质烧结体、氮化铝质烧结体或多铝红柱石质烧结体等情况的输入输出端子6的制作方法进行说明。
具体而言,在电介质层8的材料由氧化铝质烧结体构成的情况下,首先,在氧化铝、氧化硅、氧化镁或氧化钙等原料粉末中添加混合有机粘合剂、可塑剂或溶剂等而成为泥浆状。通过将泥浆状的氧化铝质的材料成型成生片而进行加工,由此来制作烧结前的电介质层8。
而且,准备钨或钼等高熔点金属粉末,在该粉末中添加混合有机粘合剂、可塑剂或溶剂等而得到金属膏。然后,对于准备好的烧结前的电介质层8,利用例如丝网印刷法,在规定部位形成成为信号线路9的金属膏图案。接下来,层叠多个前体的电介质层8并以约1600℃的温度烧成,之后将引出端子10通过钎料接合在电介质层8的下表面的信号线路9上,由此能够制作由陶瓷构成的输入输出端子6。
而且,经由钎料将框体5配置在准备好的基板4上,经由钎料将输入输出端子6配置在台阶4c上,并且在框体5的切口C嵌合输入输出端子6。此外,经由钎料而将密封圈7配置框体5的上表面。然后,将钎料熔融,使钎料在基板4、框体5、输入输出端子6以及密封圈7之间流动,并且使钎料流入框体5的四个角部的凹部5a以及凸部5b的间隙。
而且,通过冷却钎料而分别接合基板4、框体5、输入输出端子6、密封圈7,并且由钎料堵塞框体5的四个角部的间隙而良好地维持框体5的密封性。这样,能够制作元件收纳用封装件2。接下来,经由焊料将元件3安装在元件收纳用封装件2上,将盖体11通过线焊而接合于密封圈7,由此能够制作安装构造体1。
【符号说明】
1 安装构造体
2 元件收纳用封装件
3 元件
3a 基座
4 基板
4a 延伸部
4b 螺纹孔
4c 台阶
5 框体
5a 凹部(嵌合部)
5b 凸部(嵌合部)
5c 透光性构件
5d 弯曲部
5e 倾斜部
6 输入输出端子
7 密封圈
8 电介质层
9 信号线路
10 引出端子
11 盖体
R 安装区域
C 切口
Claims (9)
1.一种元件收纳用封装件,其特征在于,具备:
在上表面具有元件的安装区域的基板;
在所述基板的上表面以包围所述安装区域的外周的方式配置的、在上边以及下边的一方具有切口的框体;
插通于所述框体的所述切口的、将所述框体的内外电连接的输入输出端子,
在所述框体中,在各自的两端具有嵌合部的四张板体在各自的所述嵌合部彼此之间嵌合。
2.如权利要求1所述的元件收纳用封装件,其特征在于,
在四张所述板体中对置的两张所述板体的两端,所述嵌合部为凹部,在四张所述板体中对置的剩余两张所述板体的两端,所述嵌合部为凸部。
3.如权利要求2所述的元件收纳用封装件,其特征在于,
所述凹部以及所述凸部通过接合材料而接合。
4.如权利要求2或权利要求3所述的元件收纳用封装件,其特征在于,
所述框体的外形为长方形状,所述凸部设置在位于所述框体的长边的所述板体,所述凹部设置在位于所述框体的短边的所述板体。
5.如权利要求1至权利要求4中任一项所述的元件收纳用封装件,其特征在于,
配置有沿着所述框体的上表面连续的密封圈。
6.如权利要求1至权利要求5中任一项所述的元件收纳用封装件,其特征在于,
四张所述板体中邻接的两张所述板体的至少一端具有多个所述嵌合部并且在多个所述嵌合部彼此之间嵌合。
7.如权利要求1所述的元件收纳用封装件,其特征在于,
四张所述板体中在中央部具有所述切口的所述板体在两端中除所述切口的侧方以外的部分具有所述嵌合部,
所述嵌合部为凹部。
8.如权利要求1所述的元件收纳用封装件,其特征在于,
所述框体的外形为矩形状,
四张所述板体中至少一张所述板体具有朝向邻接的所述板体弯折的弯曲部,
所述弯曲部位于所述框体的角部。
9.一种安装构造体,其特征在于,包括:
权利要求1至权利要求8中任一项所述的元件收纳用封装件;
安装在所述元件收纳用封装件的所述安装区域的元件。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111095698A (zh) * | 2017-09-19 | 2020-05-01 | 京瓷株式会社 | 发光元件收纳用构件、阵列构件及发光装置 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6462532B2 (ja) * | 2015-08-26 | 2019-01-30 | 京セラ株式会社 | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 |
JP6496028B2 (ja) * | 2015-08-29 | 2019-04-03 | 京セラ株式会社 | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 |
JP7050045B2 (ja) | 2019-12-27 | 2022-04-07 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ、発光装置、およびレーザ装置 |
EP4191657A4 (en) * | 2020-08-03 | 2024-05-01 | Nippon Telegraph & Telephone | PACKAGING AND MANUFACTURING PROCESSES |
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Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0590433A (ja) * | 1991-07-08 | 1993-04-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品用パツケージのメタル壁形成方法 |
JPH0641144U (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-31 | 新電元工業株式会社 | 電子回路装置 |
JP2004266188A (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用パッケージとその製造方法およびそれを用いた半導体装置 |
JP2005114199A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Toyo Radiator Co Ltd | 熱交換器のヘッダおよびその製造方法 |
JP2010080562A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 電子部品収納用パッケージ |
JP2012094627A (ja) * | 2010-10-26 | 2012-05-17 | Kyocera Corp | 素子収納用パッケージ、およびこれを備えた電子装置 |
-
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Cited By (2)
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CN111095698B (zh) * | 2017-09-19 | 2021-12-28 | 京瓷株式会社 | 发光元件收纳用构件、阵列构件及发光装置 |
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