CN204270000U - 一种阵列基板及液晶显示面板 - Google Patents

Abstract

本实用新型描述了一种阵列基板及包含该阵列基板的液晶显示面板，该阵列基板包括：基板，包括显示区和非显示区；设置在基板上的多条扫描线和多条数据线，多条扫描线和述数据线彼此交叉限定多个像素区域；开关元件，靠近扫描线与数据线的交叉处；像素电极和公共电极，设置在像素区域内；公共电极线，设置于相邻扫描线之间，且与公共电极电连接；辅助电极，与公共电极线层叠设置且电连接。采用本实用新型实施例提供的阵列基板及液晶显示面板，其辅助电极与公共电极线层叠设置且电连接，可以降低公共电极线的电阻，提升基板内公共电压的均一性，改善闪烁不均，提高显示效果，并且由于辅助电极与数据线同层设置，在制备过程中不需要额外增加工序。

Description

一种阵列基板及液晶显示面板

技术领域

本实用新型涉及显示领域，特别是涉及一种阵列基板、包含该阵列基板的液晶显示面板。

背景技术

平板显示器以其轻薄、省电等优点受到人们的欢迎，其中以液晶显示装置最为常见。液晶显示面板一般包括有阵列基板、彩膜基板及填充在阵列基板以及彩膜基板之间的液晶层。阵列基板和彩膜基板的至少一者上形成有像素电极和公共电极，在加电在像素电极和公共电极间形成电场，通过控制电场强度的变化调制液晶分子的取向角度，从而使背光源的光透过率发生变化。

请参考图1，图1是现有技术中一种阵列基板俯视结构示意图。现有技术中，阵列基板通常包括交叉设置的多个扫描线105和数据线107，该多个扫描线105和数据线107交叉限定多个像素区域，在每个像素区域，都包括一个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，该TFT具体包括栅极105a、半导体层103、源极107a和漏极107b，该TFT的半导体层103为多晶硅，该扫描线105与半导体103的交叉处即为栅极105a，数据线107与半导体层103的连接处为源极107a，漏极107b与半导体层103的另一端电连接，并且与像素电极111电连接。图1所示的阵列基板中，像素电极111为条形电极结构，公共电极109隔着绝缘层与像素电极111相对设置。

公共电极109与公共电极线120电连接，通过公共电极线120对公共电极109施加驱动电压。现有技术中，公共电极线120通常与扫描线105同层设置，其采用相同的材料，而公共电极109则通常采用透明氧化物导电材料制备，通常为氧化铟锡或者氧化铟锌，其方阻远远大于通常用于制备扫描线的金属材料，驱动信号在公共电极线120与公共电极109中的传送效率不同，使得基板内公共电压均一性较差，从而导致闪烁不均的问题。

发明内容

有鉴于此，本实用新型提供一种阵列基板以及包含该阵列基板的液晶显示面板。

本实用新型提供了一种阵列基板，包括：基板，包括显示区和非显示区；设置在所述基板上的多条扫描线和多条数据线，多条所述扫描线和所述数据线彼此交叉限定多个像素区域；开关元件，靠近所述扫描线与所述数据线的交叉处；像素电极和公共电极，设置在所述像素区域内；公共电极线，设置于相邻所述像素区域之间，且与所述公共电极电连接；辅助电极，所述辅助电极与所述公共电极线层叠设置且电连接。

本实用新型还提供了一种包含上述阵列基板的液晶显示面板。

与现有技术相比，本实用新型至少具有如下突出的优点之一：

本实用新型的辅助电极与公共电极线层叠设置且电连接，可以进一步降低公共电极线的电阻，提升基板内公共电压的均一性，改善闪烁不均，提高显示效果，并且由于辅助电极与数据线同层设置，在制备过程中不需要额外增加工序。

附图说明

图1是现有技术中一种阵列基板俯视结构示意图；

图2a是本实用新型实施例一提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；

图2b是本实用新型实施例一提供的一种阵列基板像素区域俯视结构示意图；

图2c为图2c中沿AA’截面的剖视结构示意图；

图2d是本实用新型实施例一提供的一种阵列基板非显示区的剖视结构示意图；

图3a是本实用新型实施例二提供的一种阵列基板像素区域俯视结构示意图；

图3b为图3a中沿BB’截面的剖视结构示意图；

图4是本实用新型实施例三提供的一种液晶显示面板的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本实用新型做进一步说明。

需要说明的是，在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广。因此本实用新型不受下面公开的具体实施方式的限制。

实施例一

请结合参考图2a～图2c，图2a是本实用新型实施例一提供的一种阵列基板的俯视结构示意图，图2b是本实用新型实施例一提供的阵列基板像素区域俯视结构示意图，图2c为图2b中沿AA’截面的剖视结构示意图。

本实施例提供的一种阵列基板包括：基板100，包括显示区PA和非显示区PB；设置在基板100上的多条扫描线105和多条数据线107，多条扫描线105和数据线107彼此交叉限定多个像素区域；开关元件，靠近扫描线105与数据线107的交叉处；像素电极111和公共电极109，设置在像素区域内；公共电极线120，设置于相邻扫描线105之间，且与公共电极109电连接；辅助电极130，辅助电极130与公共电极线120层叠设置且电连接。

本实施例附图2b与2c中，仅示出了一个像素区域的结构示意图，在实施过程中，不能以本实施例附图作为对本实用新型的限制。显示区位于基板100的中央区域，包括所有扫描线105和数据线107围成的多个像素区域。而非显示区围绕该显示区设置，在非显示区，通常设置有周边电路，如栅极驱动器电路或者导线电路，以及用于粘结阵列基板和彩膜基板的框胶区域。在这些周边电路中，包括用于给公共电极线120提供驱动电压的公共电极总线。

更具体地，请继续参考图2b与图2c，本实施例提供的阵列基板，按照其层叠关系，依次包括基板100、半导体层103、栅极绝缘层104、栅极金属层、第一绝缘层106、源漏极金属层、平坦化层108、公共电极层、层间绝缘层110与像素电极层111。其中，栅极金属层包括扫描线105与公共电极线120，并且扫描线105与半导体层103交叉部分形成栅极105a。公共电极线120设置于相邻两条扫描线105之间，且与扫描线105平行设置。源漏极金属层则包括数据线107，从数据线107上延伸出的源极107a，和源极107a分开设置的漏极107b，以及辅助电极130。栅极105a、半导体层103、源极107a和漏极107b构成开关元件，并且靠近扫描线与数据线的交叉处设置。辅助电极130与公共电极线120层叠设置并且电连接。公共电极层包括公共电极109，像素电极层包括像素电极111，公共电极109与像素电极111位于由多条扫描线105和多条数据线107彼此交叉限定的多个像素区域内。

并且第一绝缘层106覆盖栅极金属层，即，第一绝缘层106覆盖公共电极线120，在第一绝缘层106上具有接触孔，且该接触空为条形开槽G1，辅助电极130通过该接触孔，即条形开槽G1与公共电极线120电连接。在具体实施过程中，也可以采用其他形式的接触孔来实现公共电极线120与辅助电极130的电连接，比如，该接触孔可以是设置在辅助电极两端的第一接触孔和第二接触孔，也可以包括更多的接触孔，或者接触孔与开槽相结合，在此不做限定。

在本实施例中，辅助电极130沿公共电极线120延伸方向的长度a，小于相邻两条数据线107之间的沿公共电极线120延伸方向之间的间距，由于辅助电极130与数据线107均由源漏极金属层制作，因此当辅助电极130与数据线107距离c过近时，可能会带来短路风险，因此，辅助电极130沿公共电极线120延伸方向的长度a小于相邻两条数据线107之间的沿公共电极线120延伸方向之间的间距。并且，辅助电极130沿数据线107延伸方向的宽度b不大于公共电极线120的宽度，可以避免因辅助电极过宽引起的像素开口率下降。

由于此时在像素区域内，公共电极线120基本被辅助电极130全部覆盖，因此，此时要实现公共电极线120与公共电极109的电连接，可以通过在像素区域内使公共电极109与辅助电极130电连接达到使公共电极109与公共电极线120电连接；或者在非显示区，在公共电极109与公共电极线120之间具有贯通的第三接触孔，以暴露部分公共电极线120，使公共电极109通过第三过孔与公共电极线电连接。

具体的，请参考图2d，图2d是本实用新型实施例一提供的一种阵列基板非显示区的剖视结构示意图。从图2c中可以看到，在非显示区，在基板100上依次层叠有栅极绝缘层104、公共电极线120所在的栅极金属层、第一绝缘层106、平坦化层108、公共电极109所在的公共电极层以及层间绝缘层110。在图2d所示的非显示区中，在公共电极109与公共电极线120之间具有贯通的第三接触孔V3，以暴露出在该接触孔V3底部的部分公共电极线120，公共电极109通过该第三接触孔V3与该公共电极线120电连接。

本实施例中，辅助电极130由源漏极金属层制备，在显示技术领域，源漏极金属层通常由铝合金或者铝金属制备，其方阻为0.07Ω/◇，而公共电极线由栅极金属层制备，通常由铝钕合金或者钼铌合金制备，其方阻0.51Ω/◇，即辅助电极130的电阻率低于公共电极线120的电阻率。而公共电极109由透明导电材料制备，其方阻一般为60-80Ω/◇，因此，采用本实施例提供的阵列基板的结构，由于使得公共电极109、公共电极线120以及辅助电极130三者实现了并联式电连接，并联式电连接后的电阻往往比电阻最小的元件还要小，因此采用该结构后，降低了阵列基板两端公共电极之间的电阻，使得公共电极基板内均一性得到提高。

在本实施例中，半导体层103采用多晶硅材料，但是在本实用新型的另外一些实施例中，也可以是采用非晶硅或者氧化物半导体等其他半导体材料，不能以本实施例中所用材料作为对本实用新型的限定。另外，阵列基板的膜层结构也不应当以本实施例提供的膜层顺序作为限定。

采用本实施例提供的阵列基板，其辅助电极与公共电极线层叠设置且电连接，可以进一步降低公共电极线的电阻，提升基板内公共电压的均一性，改善闪烁不均，提高显示效果，并且由于辅助电极与数据线同层设置，在制备过程中不需要额外增加工序，节省成本。

实施例二

请结合参考图3a与图3b，图3a是本实用新型实施例二提供的一种阵列基板像素区域俯视结构示意图，图3b为图3a中沿BB’截面的剖视结构示意图。

在本实施例提供的阵列基板包括：基板100，包括显示区和非显示区；设置在基板100上的多条扫描线105和多条数据线107，多条扫描线105和数据线107彼此交叉限定多个像素区域；开关元件，靠近扫描线105与数据线107的交叉处；像素电极111和公共电极109，设置在像素区域内；公共电极线120，设置于相邻扫描线105之间，且与所述公共电极109电连接；辅助电极130，所述辅助电极130与所述公共电极线120层叠设置且电连接。

本实施例提供的阵列基板与本实用新型实施例一提供的阵列基板结构类似，其结构相同部分在此不再赘述，在此将详细描述其结构不同部分。

请结合参考图3a与图3b，本实施例中第一绝缘层106覆盖栅极金属层，即，该第一绝缘层106覆盖公共电极线120，在该第一绝缘层106上具有接触孔，且该接触孔为位于辅助电极130两端的第一接触孔V1与第二接触孔V2，辅助电极130通过该接触孔，即第一接触孔V1和第二接触孔V2与公共电极线120电连接。在具体实施过程中，也可以采用其他形式的接触孔来实现公共电极线120与辅助电极130的电连接，比如，可以为条形开槽，也可以包括更多的接触孔，或者接触孔与开槽相结合，在此不做限定。

并且，在本实施中，在显示区内，在公共电极109和辅助电极130之间，具有贯通的第四接触孔V4，以暴露部分辅助电极130，该公共电极109与辅助电极130电连接。即，在本实施例中，公共电极109通过与辅助电极130的电连接，实现与公共电极线120之间的电连接。

在本实施例中，由于在显示区内通过第四过孔V4连接公共电极109与辅助电极130，在辅助电极与公共电极109之间为平坦化层108，一般在制作过程中，由于平坦化层108较厚，因此第四过孔V4也会比第一过孔V1及第二过孔V2大，因此该辅助电极130需要在第四过孔V4处具有加宽部分，即在第四过孔V4所在区域的辅助电极130沿数据线延伸方向的宽度，比其他区域的辅助电极130沿数据线延伸方向的宽度要宽。即，在本实施所述公共电极线在相邻两条所述数据线之间具有向所述像素区域延伸的突起，所述辅助电极在所述公共电极线上的投影与所述突起相对应。

本实施例是以具有平坦化层108的阵列基板为例说明的，当阵列基板不包含平坦化层时，此时公共电极线与辅助电极也可以不包含突起，或者也可以包含突起，使得公共电极与辅助电极的对应面积增大，以在公共电极和辅助电极之间设置更过的接触孔，增大公共电极与辅助电极之间的接触面积，降低接触电阻。

采用本实施例提供的阵列基板，其辅助电极与公共电极线层叠设置且电连接，可以进一步降低公共电极线的电阻，提升基板内公共电压的均一性，改善闪烁不均，提高显示效果，并且由于辅助电极与数据线同层设置，在制备过程中不需要额外增加工序。

实施例三

请参考图4，图4是本实用新型实施例三提供的一种液晶显示面板的结构示意图。如图4所示，本实用新型实施例四提供的液晶显示面板包括：对向基板2、阵列基板1，以及夹持于所述对向基板2与所述阵列基板1之间的液晶层3。该阵列基板1和该对向基板2通过封框胶4对位贴合。

具体地，该阵列基板1为上述各实施例中的阵列基板。具体包括：基板，包括显示区和非显示区；设置在所述基板上的多条扫描线和多条数据线，多条所述扫描线和所述数据线彼此交叉限定多个像素区域；开关元件，靠近所述扫描线与所述数据线的交叉处；像素电极和公共电极，设置在所述像素区域内；公共电极线，设置于相邻所述扫描线之间，且与所述公共电极电连接；辅助电极，所述辅助电极与所述公共电极线层叠设置且电连接。

采用本实施例提供的液晶显示面板，其包括的阵列基板中包含的辅助电极与公共电极线层叠设置且电连接，可以进一步降低公共电极线的电阻，提升基板内公共电压的均一性，改善闪烁不均，提高显示效果，并且由于辅助电极与数据线同层设置，在制备过程中不需要额外增加工序，降低了成本。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括：

基板，包括显示区和非显示区；

设置在所述基板上的多条扫描线和多条数据线，多条所述扫描线和所述数据线彼此交叉限定多个像素区域；

开关元件，靠近所述扫描线与所述数据线的交叉处；

像素电极和公共电极，设置在所述像素区域内；

公共电极线，设置于相邻所述扫描线之间，且与所述公共电极电连接；

辅助电极，所述辅助电极与所述公共电极线层叠设置且电连接。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极线与所述扫描线同层，所述辅助电极与所述数据线同层。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括覆盖所述公共电极线的第一绝缘层，所述第一绝缘层具有接触孔，所述辅助电极通过所述接触孔与所述公共电极线电连接。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述接触孔为条形开槽，或者所述接触孔包括设置在所述辅助电极两端的第一接触孔和第二接触孔。

5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在所述非显示区，所述公共电极与所述公共电极线之间具有贯通的第三接触孔，以暴露部分公共电极线，所述公共电极通过所述第三接触孔与所述公共电极线电连接。

6.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在所述显示区，所述公共电极与所述辅助电极之间具有贯通的第四接触孔，以暴露部分辅助电极，所述公共电极通过所述第四接触孔与所述辅助电极电连接。

7.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极线在相邻两条所述数据线之间具有向所述像素区域延伸的突起，所述辅助电极在所述公共电极线上的投影与所述突起相对应。

8.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助电极沿所述公共电极线延伸方向的长度，小于相邻两条数据线之间的间距。

9.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助电极的电阻率低于所述公共电极线的电阻率。

10.一种液晶显示面板，包括如权利要求1～9任一项所述的阵列基板。