CN203589000U - 一种基于无框架csp封装背面植球塑封封装件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件,主要由一次塑封体、二次塑封体、键合线、Bump引脚、芯片、铜板、锡球、粘片胶组成。所述芯片与铜板通过粘片胶相连,铜板植有Bump引脚,键合线直接从芯片打到Bump引脚上。一次塑封体和二次塑封体包围了粘片胶、芯片、Bump引脚、键合线、锡球,并构成了电路的整体,芯片、键合线、Bump引脚和锡球构成了电路的电源和信号通道。本实用新型增强了引脚牢固性,提高了产品的封装可靠性。
Description
技术领域
本实用新型属于集成电路封装技术领域,具体涉及一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件。
背景技术
CSP(Chip Scale Package)封装,是芯片级封装的意思。CSP封装最新一代的内存芯片封装技术,其技术性能又有了新的提升。与BGA封装相比,同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。
CSP产品的主要特点:封装体尺寸小。CSP封装内存不但体积小,同时也更薄,大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性,线路阻抗显著减小,芯片速度也随之得到大幅度提高。CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离,其衰减随之减少,芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升,这也使得CSP的存取时间比有极大提高。CSP是最先进的集成电路封装形式,它具有体积小,输入/输出端数可以很多,电性能好,热性能好,体积小重量轻等特点。
但现有技术存在Bump脱落或Bump过小,影响产品的封装可靠性的问题。
实用新型内容
为了解决上述现有技术存在的问题,本实用新型提供了一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件,其增加产品背面植球工艺及二次塑封工艺,使表面贴装引脚由原来的Bump转换成锡球,增加外露引脚大小,且第二次塑封的塑封料可以与第一次塑封的塑封料在Bump引脚及锡球之间形成更加有效的防拖拉结构,增强引脚牢固性,使引脚不受外界环境影响,直接提高产品的封装可靠性,并在一定程度上降低成本。
一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件主要由一次塑封体、二次塑封体、键合线、Bump引脚、芯片、铜板、锡球、粘片胶组成。所述芯片与铜板通过粘片胶相连,铜板植有Bump引脚,键合线直接从芯片打到Bump引脚上。一次塑封体和二次塑封体包围了粘片胶、芯片、Bump引脚、键合线、锡球,并构成了电路的整体,塑封体对芯片、Bump引脚、键合线和锡球起到了支撑和保护作用,芯片、键合线、Bump引脚和锡球构成了电路的电源和信号通道。
一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件的工艺流程如下:晶圆减薄→划片→上芯(粘片)→压焊植球→压焊→一次塑封→铜板背面蚀刻→锡膏印刷、回流焊→背面贴膜→二次塑封→打印→产品分离→检验→包装→入库。
附图说明
图1铜板剖面图;
图2 上芯后产品剖面图;
图3 压焊植Bump引脚剖面图;
图4 压焊键合后产品剖面图;
图5 一次塑封后产品剖面图;
图6 框架背面蚀刻后产品剖面图;
图7 刷锡膏回流焊后产品剖面图;
图8 背面贴膜后产品剖面图;
图9 二次塑封后产品剖面图;
图10产品成品剖面。
图中,1为铜板,2为粘片胶,3为芯片,4为Bump引脚,5为键合线,6为一次塑封体、7为锡球,8为胶膜,9为二次塑封体。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步的说明。
本实用新型主要适用于单芯片封装件。
如图10所示,一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件主要由一次塑封体6、二次塑封体9、键合线5、Bump引脚4、芯片3、铜板1、锡球7、粘片胶2组成。所述芯片3与铜板1通过粘片胶2相连,铜板1植有Bump引脚4,键合线5直接从芯片3打到Bump引脚4上。一次塑封体6和二次塑封体9包围了粘片胶2、芯片3、Bump引脚4、键合线5、锡球7,并构成了电路的整体,塑封体对芯片3、Bump引脚4、键合线5和锡球7起到了支撑和保护作用,芯片3、键合线4、Bump引脚5和锡球7构成了电路的电源和信号通道。
一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件的工艺流程如下:晶圆减薄→划片→上芯(粘片)→压焊植球→压焊→一次塑封→铜板背面蚀刻→锡膏印刷、回流焊→背面贴膜→二次塑封→打印→产品分离→检验→包装→入库。
如图1到图10所示,一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件的制作工艺,主要按照以下步骤进行:
1、晶圆减薄:减薄厚度50μm~200μm,粗糙度Ra 0.10mm~0.05mm;
2、划片:150μm以上晶圆同普通QFN划片工艺,但厚度在150μm以下晶圆,使用双刀划片机及其工艺;
3、上芯(粘片):采用粘片胶2上芯;
4、压焊:先使用粗线径键合丝在铜板1上植入Bump作为引脚,再使用常规键合丝在芯片3与Bump引脚4之间键合连接;
5、一次塑封:用传统塑封料(如9220)一次塑封体6进行塑封;
6、铜片蚀刻:使用三氯化铁溶液及微蚀液,蚀刻完所有铜板1;
7、丝网印刷、回流焊工艺:同常规工艺;
8、背面贴膜:同框架贴膜工艺,在一次塑封体6背面锡球7表面贴胶膜8,保护住表面锡球7;
9、二次塑封:在一次塑封体6与锡球7表面的胶膜8之间进行注塑二次塑封体9,实现二次塑封。注意二次塑封使用30~32um颗粒度的塑封料填充,由于用量小,对产品成本影响较小;
10、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装等均与常规QFN工艺相同。
Claims (1)
1.一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件,其特征在于:所述封装件主要由一次塑封体(6)、二次塑封体(9)、键合线(5)、Bump引脚(4)、芯片(3)、铜板(1)、锡球(7)、粘片胶(2)组成;所述芯片(3)与铜板(1)通过粘片胶(2)相连,铜板(1)植有Bump引脚(4),键合线(5)直接从芯片(3)打到Bump引脚(4)上;一次塑封体(6)和二次塑封体(9)包围了粘片胶(2)、芯片(3)、Bump引脚(4)、键合线(5)、锡球(7),并构成了电路的整体,芯片(3)、键合线(4)、Bump引脚(5)和锡球(7)构成了电路的电源和信号通道。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201320267708.4U CN203589000U (zh) | 2013-05-16 | 2013-05-16 | 一种基于无框架csp封装背面植球塑封封装件 |
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CN201320267708.4U CN203589000U (zh) | 2013-05-16 | 2013-05-16 | 一种基于无框架csp封装背面植球塑封封装件 |
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CN201320267708.4U Expired - Lifetime CN203589000U (zh) | 2013-05-16 | 2013-05-16 | 一种基于无框架csp封装背面植球塑封封装件 |
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CN (1) | CN203589000U (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN103325753A (zh) * | 2013-05-16 | 2013-09-25 | 华天科技(西安)有限公司 | 一种基于无框架csp封装背面植球塑封封装件及其制作工艺 |
CN106935565A (zh) * | 2015-12-31 | 2017-07-07 | 无锡华润安盛科技有限公司 | 高密度qfn封装体及其制备方法 |
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2013
- 2013-05-16 CN CN201320267708.4U patent/CN203589000U/zh not_active Expired - Lifetime
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