CN203339177U - 用于太阳能电池的旁路二极管 - Google Patents

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Abstract

本文描述了用于太阳能电池的旁路二极管。在一个实施例中，用于太阳能电池的旁路二极管包括所述太阳能电池的基板。第一导电区域设置在所述基板上方，所述第一导电区域为第一导电类型。第二导电区域设置在所述第一导电区域上，所述第二导电区域为与所述第一导电类型相反的第二导电类型。

Description

用于太阳能电池的旁路二极管
本文所述的发明是在政府支持下进行的，由美国能源部授予的合同号为DE-FC36-07GO17043。政府可以拥有本发明中的某些权利。 
技术领域
本发明的实施例属于可再生能源领域，具体地讲是用于太阳能电池的旁路二极管。 
背景技术
光伏电池通常称为太阳能电池，是熟知的用于将太阳辐射直接转化成电能的装置。一般来讲，太阳能电池是使用半导体加工技术在基板表面附近形成PN结而在半导体晶片或基板上制备的。冲击在基板的表面上或进入基板内的太阳辐射在基板本体上形成电子-空穴对。电子-空穴对迁移至基板中的p掺杂和n掺杂区域，从而产生掺杂区域之间的电压差。将掺杂区域连接到太阳能电池的导电区域上，以便将电流从电池引导至与其连接的外部电路。 
实用新型内容
当太阳能电池被阴影或污物反向偏置时通常会受热。可以用旁路二极管保护太阳能电池在这种情况下不被损坏。然而，由于旁路二极管以全串联方式（如，12-18个电池）连接并且如果存在热斑的话保护不完全，所以可能会损失电力。因此，可能有利的是对各个电池提供旁路二极管保护。 
本实用新型公开了一种用于太阳能电池的旁路二极管，所述旁路二极管包括：所述太阳能电池的基板；设置在所述基板上方的第一导电区域，所述第一导电区域为第一导电类型；以及设置在所述第一导电区域上的第二导电区域，所述第二导电区域为与所述第一导电类型相反的第二导电类型。 
所述旁路二极管还包括：设置在所述基板上的薄介电层，其中所述第一导电区域设置在所述薄介电层上。 
所述第二导电区域比所述第一导电区域窄，从而暴露所述第一导电区域的顶面。 
所述基板是N型基板，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型，并且暴露所述第一导电区域的所述顶面包括暴露P型区域。 
所述基板是P型基板，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，并且暴露所述第一导电区域的所述顶面包括暴露N型区域。 
所述第二导电区域设置在所述第一导电区域的最上面部分内并被所述第一导电区域的最上面部分包围，但不设置在所述第一导电区域的最下面部分中。 
所述基板是N型基板，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型，并且所述第二导电区域设置在P型区域内并被所述P型区域包围。 
所述基板是P型基板，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，并且所述第二导电区域设置在N型区域内并被所述N型区域包围。 
所述旁路二极管还包括：隔离沟槽，所述隔离沟槽设置在所述基板中并包围所述第一导电区域下面的所述基板部分，其中所述隔离沟槽填充有介电层，所述介电层设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域上。 
所述隔离沟槽的底面包括随机或规则的纹理图案。 
根据本实用新型的实施例，通过提供内置旁路二极管保护而以单个太阳能电池为基础保护每个太阳能电池。该保护用于反向偏置事件以及对热斑的温度抑制。在一个实施例中，通过用激光方法掺杂多晶硅发射极的一部分而制造垂直PN结多晶硅二极管。在另一个实施例中，通过将掺杂的非晶硅或纳米晶体硅层沉积在多晶硅发射极的顶部而制造垂直PN结多晶硅二极管。在任一种情况下，制造的二极管均用作用于太阳能电池的旁路二极管并降低热斑的温度。在具体的实施例中，用尽可能少的工艺操作提供内置旁路二极管。此外，二极管可以只牺牲对应太阳能电池的很小的面积， 因为结是与横向结完全不同的垂直结。在一个实施例中，二极管可用于常规太阳能电池板以及聚光太阳能电池。 
附图说明
图1示出了根据本发明实施例的用于太阳能电池的单片旁路二极管的俯视平面图。 
图2为示出了根据本发明实施例的通过用激光掺杂P型发射极区域的一部分以将该部分转化成N型区域从而形成用于太阳能电池的旁路二极管的方法的示意图。 
图3示出了根据本发明实施例的包括图2的P型和N型区域的旁路二极管的俯视平面图。 
图4示出了根据本发明实施例的通过激光掺杂形成的旁路二极管的剖视图。 
图5示出了根据本发明实施例的制造用于太阳能电池的旁路二极管的方法的操作流程图。 
图6A示出了根据本发明实施例的太阳能电池制造中与图5流程图的操作502相对应的阶段的剖视图。 
图6B示出了根据本发明实施例的太阳能电池制造中与图5流程图的操作504相对应的阶段的剖视图。 
图6C示出了根据本发明实施例的太阳能电池制造中与图5流程图的操作504相对应的阶段的剖视图。 
图6D示出了根据本发明实施例的太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图。 
图6E示出了根据本发明实施例的太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图。 
图6F示出了根据本发明实施例的太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图。 
图7示出了根据本发明实施例的用印刷方法形成的旁路二极管的剖视图。 
图8示出了根据本发明实施例的制造用于太阳能电池的旁路二极管的方法的操作流程图。 
图9A示出了根据本发明实施例的太阳能电池制造中与图8流程图的操作802相对应的阶段的剖视图。 
图9B示出了根据本发明实施例的太阳能电池制造中与图8流程图的操作804相对应的阶段的剖视图。 
图9C示出了根据本发明实施例的太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图。 
图9D示出了根据本发明实施例的太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图。 
图9E示出了根据本发明实施例的太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图。 
具体实施方式
本文描述了用于太阳能电池的旁路二极管。在下面的描述中，为了提供对本发明实施例的深入了解，示出了许多具体细节，例如具体的二极管结构和工艺流程操作。对本领域的技术人员将显而易见的是在没有这些具体细节的情况下可实施本发明的实施例。在其他例子中，没有详细地描述诸如金属触点形成技术的熟知的制造技术，以避免不必要地使本发明的实施例难以理解。此外，应当理解在图中示出的多种实施例是示例性的实例并且未必按比例绘制。 
本文公开了用于太阳能电池的旁路二极管。在一个实施例中，用于太阳能电池的旁路二极管包括太阳能电池基板。旁路二极管还包括设置在基板上的第一导电区域，所述第一导电区域为第一导电类型。旁路二极管还包括设置在第一导电区域上的第二导电区域，所述第二导电区域为与第一导电类型相反的第二导电类型。 
本文还公开了制造用于太阳能电池的旁路二极管的方法。在一个实施例中，制造用于太阳能电池的旁路二极管的方法包括在太阳能电池基板上形成第一导电区域，所述第一导电区域为第一导电类型。该方法还包括形成第二导电区域，所述第二导电区域在所述第一导电区域的最上面部分内 并被其包围，但不在所述第一导电区域的最下面部分中，所述第二导电区域为与第一导电类型相反的第二导电类型。在另一个实施例中，制造用于太阳能电池的旁路二极管的方法包括在太阳能电池基板上形成第一导电区域，所述第一导电区域为第一导电类型。该方法还包括在第一导电区域上印刷第二导电区域，所述第二导电区域为与第一导电类型相反的第二导电类型，并且印刷的第二导电区域比第一导电区域窄，以便保留第一导电区域的暴露的顶面。 
当太阳能电池被阴影或污物反向偏置时通常会受热。可以用旁路二极管保护太阳能电池在这种情况下不被损坏。然而，由于旁路二极管以全串联方式（如，12-18个电池）连接并且如果存在热斑的话保护不完全，所以可能会损失电力。因此，可能有利的是对各个电池提供旁路二极管保护。 
根据本发明的实施例，通过提供内置旁路二极管保护而以单个太阳能电池为基础保护每个太阳能电池。该保护用于反向偏置事件以及对热斑的温度抑制。在一个实施例中，通过用激光方法掺杂多晶硅发射极的一部分而制造垂直PN结多晶硅二极管。在另一个实施例中，通过将掺杂的非晶硅或纳米晶体硅层沉积在多晶硅发射极的顶部而制造垂直PN结多晶硅二极管。在任一种情况下，制造的二极管均用作用于太阳能电池的旁路二极管并降低热斑的温度。在具体的实施例中，用尽可能少的工艺操作提供内置旁路二极管。此外，二极管可以只牺牲对应太阳能电池的很小的面积，因为结是与横向结完全不同的垂直结。在一个实施例中，二极管可用于常规太阳能电池板以及聚光太阳能电池。 
图1示出了根据本发明实施例的用于太阳能电池的单片旁路二极管的俯视平面图。参见图1，太阳能电池的一部分100包括具有N+区域104和P+区域106的多晶硅旁路二极管102。金属网格108与两个区域104和106接触。如二极管示意图110所示，旁路二极管102并联到其对应的太阳能电池上。 
在一个实施例中，旁路二极管102被沟槽横向隔开并被P+/n-Si基极结纵向隔开。在一个实施例中，P+多晶硅在旁路二极管102的底部并与其他P指状物隔离。在一个实施例中，旁路二极管102所占用的面积不能用于发电，因此被制造成比太阳能电池的总面积要小。在一个实施例中，旁路二 极管102在反向偏置时提供更高的电流，以降低功耗。沟槽隔离可以用美国专利7,812,250和美国专利公布2009/0308438中所述的技术实现，这两个专利均转让给美国加利福尼亚洲圣何塞的太阳电力公司(SunPower Corporation(San Jose,CA,USA))。 
在本发明的一个方面，可以用激光掺杂方法制造用于太阳能电池的旁路二极管。例如，图2为示出了根据本发明实施例的通过用激光掺杂P型发射极区域的一部分以将该部分转化成N型区域从而形成用于太阳能电池的旁路二极管的方法的示意图。参见图2，用激光202掺杂P型多晶硅发射极区域204的一部分，以将其转化成N型多晶硅206。激光掺杂方法提供了垂直PN结多晶硅二极管208。将此类二极管与太阳能电池结合可以在反向偏置时启动对电池的旁路保护。在一个具体的实施例中，使用激光掺杂，用磷硅酸盐玻璃(PSG)或POCl3作为前体薄膜或使用气体浸入激光掺杂方法将P型多晶硅反向掺杂到N型多晶硅中。在另一个具体的实施例中，使用激光掺杂，用在先前的工艺操作（例如用POCl3或磷酸气体进行的退火或掺杂物推进工艺操作）中形成的磷掺杂氧化物膜将P型多晶硅反向掺杂到N型多晶硅中。在另一个具体的实施例中，使用激光掺杂，用具有液体前体的喷水激光掺杂方法将P型多晶硅反向掺杂到N型多晶硅中。 
图3示出了根据本发明实施例的包括图2的P型和N型区域的旁路二极管的俯视平面图。参见图3，N型多晶硅206与P型片210接触。也可以与多晶硅二极管208的P型部分接触，以提供并联到太阳能电池的内置旁路二极管208的互联。可以根据所寻求的电流保护量以及向前偏置时选择的牺牲调整此类旁路二极管的空间区域。 
图4示出了根据本发明实施例的通过激光掺杂形成的旁路二极管的剖视图。垂直N+/P+旁路二极管（位于图4的虚线圆圈402中）可以通过用上述激光方法将P+多晶硅反向掺杂到N+多晶硅中制造而成。 
参见图4，用于太阳能电池400的旁路二极管402包括太阳能电池400的基板404。第一导电类型的第一导电区域406设置在基板404上方。第二导电区域408设置在第一导电区域406上。第二导电区域408为与第一导电类型相反的第二导电类型。在一个实施例中，第二导电区域408设置在 第一导电区域406的最上面部分内并被其包围，但不设置在第一导电区域406的最下面部分中，如图4所示。 
在一个实施例中，基板404掺杂有N型掺杂物杂质原子，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型，并且第二导电区域408设置在P型区域内并被其包围，如上文结合图2和3所述和图4所示。然而，在一个可供选择的实施例中，基板404掺杂有P型掺杂物杂质原子，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型，并且第二导电区域408设置在N型区域内并被其包围。 
在一个实施例中，旁路二极管402还包括设置在基板404上的薄介电层410。第一导电区域406设置在薄介电层410上，如图4所示。在一个实施例中，薄介电层410为厚度在大约5至50埃范围内的二氧化硅层。在一个实施例中，旁路二极管402还包括隔离沟槽412，其设置在基板404中并包围第一导电区域406下面的基板404的一部分。在一个实施例中，隔离沟槽412填充有介电层414，例如抗反射涂层，其分别设置在第一导电区域406和第二导电区域408上，如图4所示。在一个具体的实施例中，隔离沟槽412的底面具有随机或规则的纹理图案，也如图4所示。随机或规则的纹理图案可以通过采用各向异性蚀刻方法暴露基板404的某些区域来形成，并因此可以用基板的404的晶面来确定。旁路二极管402（从而太阳能电池400）可以包括其他特征，如金属触点层416。太阳能电池400还可以包括适于形成背接触的特征，例如背触点418。 
图5示出了根据本发明实施例的制造用于太阳能电池的旁路二极管的方法的操作流程图500。图6A-6F示出了根据本发明实施例的太阳能电池制造中与图5流程图的操作相对应的各个阶段的剖视图。 
参见流程图500的操作502和对应的图6A，制造用于太阳能电池的旁路二极管的方法包括在太阳能电池的基板604上形成第一导电区域602。在一个实施例中，第一导电区域602为第一导电类型。在一个实施例中，形成第一导电区域602包括使用例如但不限于下列的材料：包含多晶硅的掺杂多晶层、掺杂的纳米颗粒、掺杂的非晶膜或导电性聚合物。还如图6A所示，还可以形成其他导电区域，例如背接触区域。例如，区域606具有第一导电类型，而区域608具有相反的第二导电类型。 
参见流程图500的操作504以及对应的图6B和6C，制造用于太阳能电池的旁路二极管的方法还包括形成第二导电区域610，所述第二导电区域610在第一导电区域的最上面部分内并被其包围，但不在第一导电区域的最下面部分601中。在一个实施例中，第二导电区域610为与第一导电类型相反的第二导电类型。在一个实施例中，形成第二导电区域610包括使用激光掺杂方法699，如上所述。在一个具体的实施例中，基板604掺杂有N型掺杂物杂质原子，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。然而，在可供选择的实施例中，基板604掺杂有P型掺杂物杂质原子，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。 
在一个实施例中，再次参见图6A，所述方法还包括在形成第一导电区域602之前，在基板上形成薄介电层612，其中第一导电区域602在薄介电层612上形成。在一个实施例中，薄介电层612为厚度在大约5至50埃范围内的二氧化硅层。 
在一个实施例中，参见图6D，制造用于太阳能电池的旁路二极管的方法还包括在基板604中形成隔离沟槽614，其包围第一导电区域602下面的基板604的一部分。在一个实施例中，所述方法还包括分别在隔离沟槽614中以及第一导电区域602和第二导电区域610中的每一者的至少一部分上形成介电层618。在一个具体的实施例中，在介电层618中形成开口，以便后续的触点形成，如图6F所示。在另一个具体的实施例中，所述方法还包括在形成介电层618之前，蚀刻隔离沟槽614的底面，以形成随机或规则的纹理图案616，如图6E所示。 
应当理解，结合图6A-6F所述的方法可以用不同于上述具体顺序的顺序实施。例如，在一个实施例中，在形成隔离沟槽614（如图6D所示形成）之后和形成随机或规则的纹理图案616（如图6E所示形成）之后形成第二导电区域610（如图6B和6C所示形成）。在另一个实施例中，在形成隔离沟槽614（如图6D所示形成）之后，但在形成随机或规则的纹理图案616（如图6E所示形成）之前形成第二导电区域610（如图6B和6C所示形成）。在另一个实施例中，在形成隔离沟槽614（如图6D所示形成）之后、形成随机或规则的纹理图案616（如图6E所示形成）之后，以及形 成介电层618中的开口（如图6F所示形成）之后形成第二导电区域610（如图6B和6C所示形成）。 
在本发明的另一方面，可以用印刷方法制造用于太阳能电池的旁路二极管。例如，在一个实施例中，通过喷射掺杂硅纳米颗粒提供对各个电池的旁路二极管保护。该方法可能适用于纳米颗粒太阳能电池并可用于制造多种发射极。 
如上所述，可以在太阳能电池被阴影或污物反向偏置和加热时，用旁路二极管保护太阳能电池不被反向电压击穿。在实施过程中，通常穿过各组太阳能电池设置旁路二极管，因为每个太阳能电池嵌入一个旁路二极管通常证明太昂贵而无法实现。例如，照惯例，在聚光硅太阳能电池中，只将旁路二极管添加到该组太阳能电池上，以满足成本要求，或者在薄膜太阳能电池中，作为沉积和图案化步骤的一部分将旁路二极管添加到太阳能电池上。尽管如此，以单个电池为基础绕过被遮挡的电池对收集模块中的最大短路电流可能是理想的。因此，在一个实施例中，提供了将旁路二极管嵌入单个电池的实用途径，其无需在喷射掺杂硅纳米颗粒的方法中添加额外的操作。 
在一个实施例中，可印刷的单片旁路二极管在经济有效的电池/包括无需旁路二极管焊接的模块设计的模块中与聚光太阳能电池一起提供。因此，可以提供添加了用可印刷的多晶硅发射极技术将旁路二极管嵌入背接触硅太阳能电池结构的功能的新途径，其无需添加额外的处理步骤。如下文结合图7所详述，在一个实施例中，在印刷用于形成多晶硅发射极的掺杂硅纳米颗粒的过程中，也印刷了旁路二极管区域。 
在印刷的旁路二极管中，N+和P+发射极可在金属化和对应死区最小化最佳的指定区域处垂直印刷。即，布局考虑因素可以说明观察到旁路二极管区域在正向偏置情况下将为死区的原因。印刷之后，可以用烧结或固化方法熔融硅发射极，以提供电流通道。然而，可以假定旁路二极管的垂直堆叠的N+/P+发射极之间的相互混合或扩散是最小的。在一个实施例中，所得的垂直PN结多晶硅二极管用作太阳能电池的旁路二极管并降低热斑的温度。在一个实施例中，应用烧结方法烧结或熔融印刷的发射极，以形成连 续结构。在一个具体的实施例中，旁路二极管的垂直堆叠的N+/P+发射极之间的任何相互混合或扩散都忽略不计。 
图7示出了根据本发明实施例的用印刷方法形成的旁路二极管的剖视图。垂直N+/P+旁路二极管（位于图7的虚线圆圈702中）可以通过使用掺杂硅(Si)纳米颗粒或掺杂有机半导体制造而成，如上所述。 
参见图7，用于太阳能电池700的旁路二极管702包括太阳能电池700的基板704。第一导电类型的第一导电区域706设置在基板704上方。第二导电区域708设置在第一导电区域706上。第二导电区域708为与第一导电类型相反的第二导电类型。在一个实施例中，第二导电区域708比第一导电区域706窄，从而暴露第一导电区域706的顶面707，如图7所示。 
在一个实施例中，基板704掺杂有N型掺杂物杂质原子，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型，并且暴露第一导电区域706的顶面包括暴露P型区域，如图7所示。然而，在可供选择的实施例中，基板704掺杂有P型掺杂物杂质原子，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型，并且暴露第一导电区域706的顶面包括暴露N型区域。 
在一个实施例中，旁路二极管702还包括设置在基板704上的薄介电层710。第一导电区域706设置在薄介电层710上，如图7所示。在一个实施例中，薄介电层710为厚度在大约5至50埃范围内的二氧化硅层。在一个实施例中，旁路二极管702还包括隔离沟槽712，其设置在基板704中并包围第一导电区域706下面的基板704的一部分。在一个实施例中，隔离沟槽712填充有介电层714，例如抗反射涂层，其分别设置在第一导电区域706和第二导电区域708上，如图7所示。在一个具体的实施例中，隔离沟槽712的底面具有随机或规则的纹理图案，也如图7所示。随机或规则的纹理图案可以通过采用各向异性蚀刻方法暴露基板704的某些区域来形成，并因此可以用基板704的晶面来确定。旁路二极管702（从而太阳能电池700）可以包括其他特征，如金属触点层716。太阳能电池700还可以包括适于形成背接触的特征，例如背触点718。 
图8示出了根据本发明实施例的制造用于太阳能电池的旁路二极管的方法的操作流程图800。图9A-9E示出了根据本发明实施例的太阳能电池制造中与图8流程图的操作相对应的各个阶段的剖视图。 
参见流程图800的操作802和对应的图9A，制造用于太阳能电池的旁路二极管的方法包括在太阳能电池的基板904上形成第一导电区域902。在一个实施例中，第一导电区域902为第一导电类型。在一个实施例中，形成第一导电区域902包括使用例如但不限于下列的材料：掺杂的纳米颗粒、掺杂的非晶膜或导电性聚合物。还如图9A所示，还可以形成其他导电区域，例如背接触区域。例如，区域906具有第一导电类型，而区域908具有相反的第二导电类型。 
参见流程图800的操作804和对应的图9B，制造用于太阳能电池的旁路二极管的方法还包括在第一导电区域902上印刷第二导电区域910，第二导电区域910为与第一导电类型相反的第二导电类型，并且印刷的第二导电区域910比第一导电区域窄，以保留第一导电区域902的暴露的顶面903。在一个实施例中，在第一导电区域902上印刷第二导电区域910包括使用例如但不限于下列的方法：喷墨方法、丝网印刷方法或气溶胶喷射方法。在一个实施例中，印刷第二导电区域910包括使用例如但不限于掺杂的纳米颗粒、掺杂的非晶膜或导电性聚合物的材料。在一个可供选择的实施例中，最初印刷的第二导电区域910具有与第一导电区域大致相同的宽度。然后，在后面的处理操作中，如通过触点形成操作中的激光烧蚀，使第二导电区域910的宽度变得比第一导电区域的宽度窄，或者形成开口，以便暴露第一导电区域902的顶面903的一部分。 
在一个实施例中，第二导电区域910为与第一导电类型相反的第二导电类型。在一个实施例中，基板904掺杂有N型掺杂物杂质原子，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。然而，在可供选择的实施例中，基板904掺杂有P型掺杂物杂质原子，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。 
在一个实施例中，再次参见图9A，所述方法还包括在形成第一导电区域902之前，在基板上形成薄介电层912，其中第一导电区域902在薄介电层912上形成。在一个实施例中，薄介电层912为厚度在大约5至50埃范围内的二氧化硅层。 
在一个实施例中，参见图9C，制造用于太阳能电池的旁路二极管的方法还包括在基板904中形成隔离沟槽914，其包围第一导电区域902下面的 基板904的一部分。在一个实施例中，所述方法还包括分别在隔离沟槽914中以及第一导电区域902和第二导电区域910中的每一者的至少一部分上形成介电层918。在一个具体的实施例中，在介电层918中形成开口，以便后续的触点形成，如图9E所示。在另一个具体的实施例中，所述方法还包括在形成介电层918之前，蚀刻隔离沟槽914的底面，以形成随机或规则的纹理图案916，如图9D所示。 
因此，已公开了用于太阳能电池的旁路二极管。根据本发明的实施例，用于太阳能电池的旁路二极管包括太阳能电池的基板。第一导电区域设置在基板上方，所述第一导电区域为第一导电类型。第二导电区域设置在第一导电区域上，所述第二导电区域为与第一导电类型相反的第二导电类型。在一个实施例中，第二导电区域比第一导电区域窄，从而暴露第一导电区域的顶面。在另一个实施例中，第二导电区域设置在第一导电区域的最上面部分内并被其包围，但不设置在第一导电区域的最下面部分中。 

Claims (10)

1.一种用于太阳能电池的旁路二极管，所述旁路二极管包括： 
所述太阳能电池的基板； 
设置在所述基板上方的第一导电区域，所述第一导电区域为第一导电类型；以及 
设置在所述第一导电区域上的第二导电区域，所述第二导电区域为与所述第一导电类型相反的第二导电类型。 
2.根据权利要求1所述的旁路二极管，还包括： 
设置在所述基板上的薄介电层，其中所述第一导电区域设置在所述薄介电层上。 
3.根据权利要求1所述的旁路二极管，其中所述第二导电区域比所述第一导电区域窄，从而暴露所述第一导电区域的顶面。 
4.根据权利要求3所述的旁路二极管，其中所述基板是N型基板，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型，并且暴露所述第一导电区域的所述顶面包括暴露P型区域。 
5.根据权利要求3所述的旁路二极管，其中所述基板是P型基板，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，并且暴露所述第一导电区域的所述顶面包括暴露N型区域。 
6.根据权利要求1所述的旁路二极管，其中所述第二导电区域设置在所述第一导电区域的最上面部分内并被所述第一导电区域的最上面部分包围，但不设置在所述第一导电区域的最下面部分中。 
7.根据权利要求6所述的旁路二极管，其中所述基板是N型基板，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型，并且所述第二导电区域设置在P型区域内并被所述P型区域包围。 
8.根据权利要求6所述的旁路二极管，其中所述基板是P型基板，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，并且所述第二导电区域设置在N型区域内并被所述N型区域包围。 
9.根据权利要求1所述的旁路二极管，还包括： 
隔离沟槽，所述隔离沟槽设置在所述基板中并包围所述第一导电区域下面的所述基板部分，其中所述隔离沟槽填充有介电层，所述介电层设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域上。 
10.根据权利要求9所述的旁路二极管，其中所述隔离沟槽的底面包括随机或规则的纹理图案。 
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