CN202587374U - Mems麦克风芯片 - Google Patents

Mems麦克风芯片 Download PDF

Info

Publication number
CN202587374U
CN202587374U CN 201220239636 CN201220239636U CN202587374U CN 202587374 U CN202587374 U CN 202587374U CN 201220239636 CN201220239636 CN 201220239636 CN 201220239636 U CN201220239636 U CN 201220239636U CN 202587374 U CN202587374 U CN 202587374U
Authority
CN
China
Prior art keywords
pole plate
diaphragm
plane
parallel capacitor
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN 201220239636
Other languages
English (en)
Inventor
蔡孟锦
孙德波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Goertek Microelectronics Inc
Original Assignee
Goertek Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Goertek Inc filed Critical Goertek Inc
Priority to CN 201220239636 priority Critical patent/CN202587374U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN202587374U publication Critical patent/CN202587374U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种MEMS麦克风芯片,包括基底以及设置在基底上由膜片、隔离层和极板构成的平行板电容器,在膜片与极板之间设有支撑单元,支撑单元将膜片和极板间隔支撑成两个以上相互连通的平行板电容器单元区域,平行板电容器与支撑单元对应的区域固定在基底上,在基底上设有与平行板电容器单元区域相对应的贯通孔,所述极板上设有与平行板电容器单元区域对应的极板孔。可以制作较大面积的膜片和极板来提高MEMS麦克风整体的灵敏度和信噪比,同时由于在膜片与极板之间设有支撑单元,平行板电容器与支撑单元对应的区域固定在基底上,大幅度的提升了膜片和极板的机械可靠性,避免了因膜片和极板面积过大造成的抗跌落性能差等缺陷。

Description

MEMS麦克风芯片
技术领域
本实用新型涉及一种MEMS麦克风,更为具体的说涉及一种MEMS麦克风芯片。
背景技术
近年来利用MEMS(Micro-Electro-Mechanical-System,简称 MEMS)工艺集成的MEMS麦克风开始被批量应用到手机、笔记本电脑等电子产品中,其封装体积比传统的驻极体麦克风小,因此受到大部分麦克风生产商的青睐。
MEMS麦克风是一种集成麦克风,由外壳和线路板构成外部封装结构,封装结构上设置有声音通道,在封装结构内部的线路板上设置有一个MEMS麦克风芯片和一个ASIC(Application Specific Intergrated Circuits,简称ASIC)芯片。该MEMS麦克风芯片包括一个基底以及设置在所述基底上的平行板电容器,常规的平行板电容器由膜片、极板以及设置在膜片和极板之间的支撑构成,此种结构的MEMS麦克风芯片的膜片和极板如果尺寸较大,则很容易因为外界跌落、加速度冲击等问题造成破裂,从而使MEMS麦克风损坏;如果膜片和极板尺寸较小,又使得MEMS麦克风整体的灵敏度和信噪比受到制约,无法实现产品所需性能。
实用新型内容
本实用新型提供了一种膜片和极板尺寸较大,并且不会因外界跌落、加速度冲击等问题造成破裂的一种MEMS麦克风芯片。
本实用新型的MEMS麦克风芯片,包括基底以及设置在所述基底上的平行板电容器,所述平行板电容器由一体成型的膜片、一体成型的极板以及设置在所述膜片和所述极板之间的隔离层构成,所述膜片与所述极板之间设有一个或两个以上的支撑单元,所述支撑单元或所述支撑单元的至少一部分位于所述膜片和所述极板的中心区域,所述各支撑单元将所述膜片和所述极板进行间隔支撑成两个以上相互连通的平行板电容器单元区域,所述平行板电容器与所述支撑单元对应的区域固定在所述基底上,所述基底上设有一个或两个以上的贯通孔,所述每一个贯通孔分别与一个平行板电容器单元区域相对应,所述极板上设有至少一个与所述平行板电容器单元区域对应的极板孔。
一种优选方案,所述极板上与所述平行板电容器单元区域对应位置处分别设有极板孔。
一种优选方案,所述平行板电容器极板端与所述基底邻设,所述平行板电容器膜片端远离所述基底,所述平行板电容器与所述各支撑单元相对的所述极板位置固定在所述基底上。
另一种优选方案,所述平行板电容器膜片端与所述基底邻设,所述平行板电容器极板端远离所述基底,所述平行板电容器与所述各支撑单元相对的所述膜片位置固定在所述基底上。
一种优选方案,所述各支撑单元以及所述隔离层为同一材料通过蚀刻设置在所述膜片和所述极板之间。
一种优选方案,所述隔离层的形状为方形。
一种优选方案,所述隔离层由两个以上的八边形隔离圈一体成型,所述各个隔离圈之间相互连通。
本实用新型的MEMS麦克风芯片,由于在所述膜片与所述极板之间设有一个或两个以上的支撑单元,所述支撑单元或所述支撑单元的至少一部分位于所述膜片和所述极板的中心区域,所述各支撑单元将所述膜片和所述极板进行间隔支撑成两个以上相互连通的平行板电容器单元区域,所述平行板电容器与所述支撑单元对应的区域固定在所述基底上,所述基底上设有一个或两个以上的贯通孔,所述每一个贯通孔分别与一个平行板电容器单元区域相对应,所述极板上设有至少一个与所述平行板电容器单元区域对应的极板孔。可以制作较大面积的膜片和极板,从而提高MEMS麦克风整体的灵敏度和信噪比,同时由于在膜片与极板之间设有一个或两个以上的支撑单元,所述支撑单元或所述支撑单元的至少一部分位于所述膜片和所述极板的中心区域,所述各支撑单元将所述膜片和所述极板进行间隔支撑成两个以上相互连通的平行板电容器单元区域,所述平行板电容器与所述支撑单元对应的区域固定在所述基底上,此结构的MEMS麦克风芯片大幅度的提升了膜片和极板的机械可靠性,避免了因膜片和极板面积过大造成的抗跌落性能差等缺陷,有效提升了产品的成品率。
附图说明
以下结合附图对本实用新型进行详细描述。
图1是本实用新型实施例MEMS麦克风芯片的剖面图。
图2示出了本实用新型实施例一MEMS麦克风芯片的结构示意图。
图3示出了本实用新型实施例二MEMS麦克风芯片的剖面图。
图4示出了本实用新型实施例二MEMS麦克风芯片的结构示意图。 
图5示出了本实用新型实施例三MEMS麦克风芯片的结构示意图。
图6示出了本实用新型实施例四MEMS麦克风芯片的结构示意图。
图7示出了本实用新型实施例五MEMS麦克风芯片的结构示意图。 
图8示出了本实用新型实施例六MEMS麦克风芯片的结构示意图。
图9示出了本实用新型实施例七膜片的俯视图。
图10示出了本实用新型实施例七极板的俯视图。
图11示出了本实用新型实施例七隔离层与支撑单元的俯视图。 
图12示出了本实用新型实施例七基底俯视图。
图13示出了本实用新型实施例七隔离层与支撑单元另一种结构的俯视图。
具体实施方式
以下将结合附图对本实用新型的具体实施例进行详细描述。
实施例一:如图1、图2所示,本实施例的MEMS麦克风芯片,包括基底1以及设置在所述基底1上的平行板电容器,所述平行板电容器由一体成型的膜片2、一体成型的极板3以及设置在所述膜片2和所述极板3之间的方形隔离层4构成,所述膜片2与所述极板3之间设有一个支撑单元41,所述支撑单元41位于所述膜片2和所述极板3的中心区域,所述支撑单元41将所述膜片2和所述极板3进行间隔支撑成两个相互连通的平行板电容器单元区域40,所述平行板电容器与所述支撑单元41对应的区域固定在所述基底1上,所述基底1上设有两个贯通孔10,所述两个贯通孔10分别与两个平行板电容器单元区域40相对应,所述极板3上设有两个分别与所述两个平行板电容器单元区域40对应的极板孔30。
本实施例中,所述平行板电容器极板3端与所述基底1邻设,所述平行板电容器膜片2端远离所述基底1,所述平行板电容器与所述支撑单元41相对的所述极板3位置固定在所述基底1上。
作为实现本实用新型一种优选的技术方案,所述支撑单元41以及所述隔离层4为同一材料通过蚀刻设置在所述膜片2和所述极板3之间。
本实用新型的MEMS麦克风芯片,由于在所述膜片与所述极板之间设有一个支撑单元,所述支撑单元位于所述膜片和所述极板的中心区域,所述支撑单元将所述膜片和所述极板进行间隔支撑成两个相互连通的平行板电容器单元区域,与所述支撑单元相对的所述极板位置固定在所述基底上,所述基底上设有两个贯通孔,所述每一个贯通孔分别与一个平行板电容器单元区域相对应,所述极板上设有两个与所述两个平行板电容器单元区域对应的极板孔。可以制作较大面积的膜片和极板,从而提高MEMS麦克风整体的灵敏度和信噪比,同时由于在膜片与极板之间设有一个支撑单元,所述支撑单元位于所述膜片和所述极板的中心区域,所述支撑单元将所述膜片和所述极板进行间隔支撑成两个相互连通的平行板电容器单元区域,所述极板与所述支撑单元对应的区域固定在所述基底上,此结构的MEMS麦克风芯片大幅度的提升了膜片和极板的机械可靠性,避免了因膜片和极板面积过大造成的抗跌落性能差等缺陷,有效提升了产品的成品率。
实施例二:如图3、图4所示,本实施例的MEMS麦克风芯片,包括基底1以及设置在所述基底1上的平行板电容器,所述平行板电容器由一体成型的膜片2、一体成型的极板3以及设置在所述膜片2和所述极板3之间的方形隔离层4构成,所述膜片2与所述极板3之间设有一个支撑单元41,所述支撑单元41位于所述膜片2和所述极板3的中心区域,所述支撑单元41将所述膜片2和所述极板3进行间隔支撑成两个相互连通的平行板电容器单元区域40,所述平行板电容器与所述支撑单元41对应的区域固定在所述基底1上,所述基底1上设有两个贯通孔10,所述两个贯通孔10分别与两个平行板电容器单元区域40相对应,所述极板3上设有两个分别与所述两个平行板电容器单元区域40对应的极板孔30。
本实施例中,所述平行板电容器膜片2端与所述基底1邻设,所述平行板电容器极板3端远离所述基底1,所述平行板电容器与所述支撑单元41相对的所述膜片2位置固定在所述基底上。
作为实现本实用新型一种优选的技术方案,所述支撑单元41以及所述隔离层4为同一材料通过蚀刻设置在所述膜片2和所述极板3之间。
本实用新型的MEMS麦克风芯片,由于在所述膜片与所述极板之间设有一个支撑单元,所述支撑单元位于所述膜片和所述极板的中心区域,所述支撑单元将所述膜片和所述极板进行间隔支撑成两个相互连通的平行板电容器单元区域,与所述支撑单元相对的所述膜片位置固定在所述基底上,所述基底上设有两个贯通孔,所述每一个贯通孔分别与一个平行板电容器单元区域相对应,所述极板上设有两个与所述两个平行板电容器单元区域对应的极板孔。可以制作较大面积的膜片和极板,从而提高MEMS麦克风整体的灵敏度和信噪比,同时由于在膜片与极板之间设有一个支撑单元,所述支撑单元位于所述膜片和所述极板的中心区域,所述支撑单元将所述膜片和所述极板进行间隔支撑成两个相互连通的平行板电容器单元区域,所述膜片与所述支撑单元对应的区域固定在所述基底上,此结构的MEMS麦克风芯片大幅度的提升了膜片和极板的机械可靠性,避免了因膜片和极板面积过大造成的抗跌落性能差等缺陷,有效提升了产品的成品率。
实施例三:如图5所示,本实施例的MEMS麦克风芯片,包括基底1以及设置在所述基底1上的平行板电容器,所述平行板电容器由一体成型的膜片2、一体成型的极板3以及设置在所述膜片2和所述极板3之间的方形隔离层4构成,所述膜片2与所述极板3之间设有四个支撑单元41,所述四个支撑单元41均匀设置将所述膜片2和所述极板3进行间隔支撑成四个相互连通的平行板电容器单元区域40,所述平行板电容器与所述支撑单元41对应的区域固定在所述基底1上,所述基底1上设有四个贯通孔10,所述四个贯通孔10分别与四个平行板电容器单元区域40相对应,所述极板3上设有四个分别与所述四个平行板电容器单元区域40对应的极板孔30。
本实施例中,所述平行板电容器极板3端与所述基底1邻设,所述平行板电容器膜片2端远离所述基底1,所述平行板电容器与所述各支撑单元41相对的所述极板3位置固定在所述基底1上。
作为实现本实用新型一种优选的技术方案,所述支撑单元41以及所述隔离层4为同一材料通过蚀刻设置在所述膜片2和所述极板3之间。
本实用新型的MEMS麦克风芯片,由于在所述膜片与所述极板之间设有四个支撑单元,所述四个支撑单元将所述膜片和所述极板进行间隔支撑成四个相互连通的平行板电容器单元区域,与所述四个支撑单元相对的所述极板位置固定在所述基底上,所述基底上设有四个贯通孔,所述每一个贯通孔分别与一个平行板电容器单元区域相对应,所述极板上设有四个与所述四个平行板电容器单元区域对应的极板孔。可以制作较大面积的膜片和极板,从而提高MEMS麦克风整体的灵敏度和信噪比,同时由于在膜片与极板之间设有四个支撑单元,所述各支撑单元将所述膜片和所述极板进行间隔支撑成四个相互连通的平行板电容器单元区域,所述极板与所述各支撑单元对应的区域固定在所述基底上,此结构的MEMS麦克风芯片大幅度的提升了膜片和极板的机械可靠性,避免了因膜片和极板面积过大造成的抗跌落性能差等缺陷,有效提升了产品的成品率。
实施例四:如图6所示,本实施例的MEMS麦克风芯片,包括基底1以及设置在所述基底1上的平行板电容器,所述平行板电容器由一体成型的膜片2、一体成型的极板3以及设置在所述膜片2和所述极板3之间的方形隔离层4构成,所述膜片2与所述极板3之间设有四个支撑单元41,所述四个支撑单元41均匀设置将所述膜片2和所述极板3进行间隔支撑成四个相互连通的平行板电容器单元区域40,所述平行板电容器与所述支撑单元41对应的区域固定在所述基底1上,所述基底1上设有四个贯通孔10,所述四个贯通孔10分别与四个平行板电容器单元区域40相对应,所述极板3上设有四个分别与所述四个平行板电容器单元区域40对应的极板孔30。
本实施例中,所述平行板电容器膜片2端与所述基底1邻设,所述平行板电容器极板3端远离所述基底1,所述平行板电容器与所述各支撑单元41相对的所述膜片2位置固定在所述基底1上。
作为实现本实用新型一种优选的技术方案,所述支撑单元41以及所述隔离层4为同一材料通过蚀刻设置在所述膜片2和所述极板3之间。
本实用新型的MEMS麦克风芯片,由于在所述膜片与所述极板之间设有四个支撑单元,所述四个支撑单元将所述膜片和所述极板进行间隔支撑成四个相互连通的平行板电容器单元区域,与所述四个支撑单元相对的所述膜片位置固定在所述基底上,所述基底上设有四个贯通孔,所述每一个贯通孔分别与一个平行板电容器单元区域相对应,所述极板上设有四个与所述四个平行板电容器单元区域对应的极板孔。可以制作较大面积的膜片和极板,从而提高MEMS麦克风整体的灵敏度和信噪比,同时由于在膜片与极板之间设有四个支撑单元,所述各支撑单元将所述膜片和所述极板进行间隔支撑成四个相互连通的平行板电容器单元区域,所述膜片与所述各支撑单元对应的区域固定在所述基底上,此结构的MEMS麦克风芯片大幅度的提升了膜片和极板的机械可靠性,避免了因膜片和极板面积过大造成的抗跌落性能差等缺陷,有效提升了产品的成品率。
实施例五:如图7所示,本实施例的MEMS麦克风芯片,包括基底1以及设置在所述基底1上的平行板电容器,所述平行板电容器由一体成型的膜片2、一体成型的极板3以及设置在所述膜片2和所述极板3之间的由两个相互连通的八边形隔离圈一体成型的隔离层4构成,所述膜片2与所述极板3之间设有一个支撑单元41,所述支撑单元41将所述膜片2和所述极板3进行间隔支撑成两个相互连通的平行板电容器单元区域40,所述平行板电容器与所述支撑单元41对应的区域固定在所述基底1上,所述基底1上设有两个贯通孔10,所述两个贯通孔10分别与两个平行板电容器单元区域40相对应,所述极板3上设有两个分别与所述两个平行板电容器单元区域40对应的极板孔30。
本实施例中,所述平行板电容器极板3端与所述基底1邻设,所述平行板电容器膜片2端远离所述基底1,所述平行板电容器与所述支撑单元41相对的所述极板3位置固定在所述基底1上。
作为实现本实用新型一种优选的技术方案,所述支撑单元41以及所述隔离层4为同一材料通过蚀刻设置在所述膜片2和所述极板3之间。
本实用新型的MEMS麦克风芯片,由于在所述膜片与所述极板之间设有一个支撑单元,所述支撑单元将所述膜片和所述极板进行间隔支撑成两个相互连通的平行板电容器单元区域,与所述支撑单元相对的所述极板位置固定在所述基底上,所述基底上设有两个贯通孔,所述每一个贯通孔分别与一个平行板电容器单元区域相对应,所述极板上设有两个与所述两个平行板电容器单元区域对应的极板孔。可以制作较大面积的膜片和极板,从而提高MEMS麦克风整体的灵敏度和信噪比,同时由于在膜片与极板之间设有一个支撑单元,所述支撑单元将所述膜片和所述极板进行间隔支撑成两个相互连通的平行板电容器单元区域,所述极板与所述支撑单元对应的区域固定在所述基底上,此结构的MEMS麦克风芯片大幅度的提升了膜片和极板的机械可靠性,避免了因膜片和极板面积过大造成的抗跌落性能差等缺陷,有效提升了产品的成品率。
实施例六:如图8所示,本实施例的MEMS麦克风芯片,包括基底1以及设置在所述基底1上的平行板电容器,所述平行板电容器由一体成型的膜片2、一体成型的极板3以及设置在所述膜片2和所述极板3之间的由两个相互连通的八边形隔离圈一体成型的隔离层4构成,所述膜片2与所述极板3之间设有一个支撑单元41,所述支撑单元41将所述膜片2和所述极板3进行间隔支撑成两个相互连通的平行板电容器单元区域40,所述平行板电容器与所述支撑单元41对应的区域固定在所述基底1上,所述基底1上设有两个贯通孔10,所述两个贯通孔10分别与两个平行板电容器单元区域40相对应,所述极板3上设有两个分别与所述两个平行板电容器单元区域40对应的极板孔30。
本实施例中,所述平行板电容器膜片2端与所述基底1邻设,所述平行板电容器极板3端远离所述基底1,所述平行板电容器与所述支撑单元41相对的所述膜片2位置固定在所述基底1上。
作为实现本实用新型一种优选的技术方案,所述支撑单元41以及所述隔离层4为同一材料通过蚀刻设置在所述膜片2和所述极板3之间。
本实用新型的MEMS麦克风芯片,由于在所述膜片与所述极板之间设有一个支撑单元,所述支撑单元将所述膜片和所述极板进行间隔支撑成两个相互连通的平行板电容器单元区域,与所述支撑单元相对的所述膜片位置固定在所述基底上,所述基底上设有两个贯通孔,所述每一个贯通孔分别与一个平行板电容器单元区域相对应,所述极板上设有两个与所述两个平行板电容器单元区域对应的极板孔。可以制作较大面积的膜片和极板,从而提高MEMS麦克风整体的灵敏度和信噪比,同时由于在膜片与极板之间设有一个支撑单元,所述支撑单元将所述膜片和所述极板进行间隔支撑成两个相互连通的平行板电容器单元区域,所述膜片与所述支撑单元对应的区域固定在所述基底上,此结构的MEMS麦克风芯片大幅度的提升了膜片和极板的机械可靠性,避免了因膜片和极板面积过大造成的抗跌落性能差等缺陷,有效提升了产品的成品率。
实施例七:如图9至图12所示,本实施例的MEMS麦克风芯片,包括基底1以及设置在所述基底1上的平行板电容器,所述平行板电容器由一体成型的膜片2、一体成型的极板3以及设置在所述膜片2和所述极板3之间的由四个相互连通的八边形隔离圈一体成型的隔离层4构成,所述膜片2与所述极板3之间设有四个支撑单元41,所述四个支撑单元41将所述膜片2和所述极板3进行间隔支撑成四个相互连通的平行板电容器单元区域,所述平行板电容器与所述支撑单元41对应的区域固定在所述基底1上,所述基底1上设有四个贯通孔10,所述四个贯通孔10分别与四个平行板电容器单元区域相对应,所述极板3上设有四个分别与所述四个平行板电容器单元区域对应的极板孔30。
本实施例中,所述平行板电容器极板3端与所述基底1邻设,所述平行板电容器膜片2端远离所述基底1,所述平行板电容器与所述支撑单元41相对的所述极板3位置固定在所述基底1上。
作为实现本实用新型一种优选的技术方案,所述支撑单元41以及所述隔离层4为同一材料通过蚀刻设置在所述膜片2和所述极板3之间。
本实用新型的MEMS麦克风芯片,由于在所述膜片与所述极板之间设有四个支撑单元,所述四个支撑单元将所述膜片和所述极板进行间隔支撑成四个相互连通的平行板电容器单元区域,与所述支撑单元相对的所述极板位置固定在所述基底上,所述基底上设有四个贯通孔,所述四个贯通孔分别与四个平行板电容器单元区域相对应,所述极板上设有四个分别与所述四个平行板电容器单元区域对应的极板孔。可以制作较大面积的膜片和极板,从而提高MEMS麦克风整体的灵敏度和信噪比,同时由于在膜片与极板之间设有四个支撑单元,所述各支撑单元将所述膜片和所述极板进行间隔支撑成四个相互连通的平行板电容器单元区域,所述极板与所述各支撑单元对应的区域固定在所述基底上,此结构的MEMS麦克风芯片大幅度的提升了膜片和极板的机械可靠性,避免了因膜片和极板面积过大造成的抗跌落性能差等缺陷,有效提升了产品的成品率。
如图13所示,实施例七中的支撑单元41也可以为一个柱状支撑单元41,将所述柱状支撑单元41设置在由四个相互连通的八边形隔离圈一体成型的隔离层4中间位置,来实现一个 总的支撑效果。
实施例八:本实施例与实施例七的区别在于:所述平行板电容器膜片端与所述基底邻设,所述平行板电容器极板端远离所述基底,所述平行板电容器与所述四个支撑单元相对的所述膜片位置固定在所述基底上。
以上实施例,由于在所述膜片与所述极板之间设有一个或多个支撑单元,所述支撑单元或所述支撑单元的至少一部分位于所述膜片和所述极板的中心区域,所述各支撑单元将所述膜片和所述极板进行间隔支撑成多个相互连通的平行板电容器单元区域,所述平行板电容器与所述支撑单元对应的区域固定在所述基底上,所述基底上设有多个贯通孔,所述每一个贯通孔分别与一个平行板电容器单元区域相对应,在极板上设有分别与平行板电容器单元区域相对应的极板孔,当然,在实际设计时可以在与其中的一个或其中的几个平行板电容器单元区域对应的位置设有极板孔,不需要与每个平行板电容器单元区域相对应的位置都设有极板孔,可以减少极板孔的数量,同理,贯通孔的数量也可以是一个或几个,不需要与每个平行板电容器单元相对应的位置都分别设有一个贯通孔,可以减少贯通孔的数量。此种结构的MEMS麦克风芯片可以制作较大面积的膜片和极板,从而提高MEMS麦克风整体的灵敏度和信噪比,同时由于在膜片与极板之间设有一个或两个以上的支撑单元,所述各支撑单元将所述膜片和所述极板进行间隔支撑成两个以上相互连通的平行板电容器单元区域,所述平行板电容器与所述支撑单元对应的区域固定在所述基底上,此结构的MEMS麦克风芯片大幅度的提升了膜片和极板的机械可靠性,避免了因膜片和极板面积过大造成的抗跌落性能差等缺陷,有效提升了产品的成品率。
以上实施例显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (7)

1.一种MEMS麦克风芯片,其特征在于:包括基底以及设置在所述基底上的平行板电容器,所述平行板电容器由一体成型的膜片、一体成型的极板以及设置在所述膜片和所述极板之间的隔离层构成,所述膜片与所述极板之间设有一个或两个以上的支撑单元,所述支撑单元或所述支撑单元的至少一部分位于所述膜片和所述极板的中心区域,所述各支撑单元将所述膜片和所述极板进行间隔支撑成两个以上相互连通的平行板电容器单元区域,所述平行板电容器与所述支撑单元对应的区域固定在所述基底上,所述基底上设有一个或两个以上的贯通孔,所述每一个贯通孔分别与一个平行板电容器单元区域相对应,所述极板上设有至少一个与所述平行板电容器单元区域对应的极板孔。
2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风芯片,其特征在于:所述极板上与所述平行板电容器单元区域对应位置处分别设有极板孔。
3.根据权利要求1所述的MEMS麦克风芯片,其特征在于:所述平行板电容器极板端与所述基底邻设,所述平行板电容器膜片端远离所述基底,所述平行板电容器与所述各支撑单元相对的所述极板位置固定在所述基底上。
4.根据权利要求1所述的MEMS麦克风芯片,其特征在于:所述平行板电容器膜片端与所述基底邻设,所述平行板电容器极板端远离所述基底,所述平行板电容器与所述各支撑单元相对的所述膜片位置固定在所述基底上。
5.根据权利要求1所述的MEMS麦克风芯片,其特征在于:所述各支撑单元以及所述隔离层为同一材料通过蚀刻设置在所述膜片和所述极板之间。
6.根据权利要求1所述的MEMS麦克风芯片,其特征在于:所述隔离层的形状为方形。
7.根据权利要求1所述的MEMS麦克风芯片,其特征在于:所述隔离层由两个以上的八边形隔离圈一体成型,所述各个隔离圈之间相互连通。
CN 201220239636 2012-05-25 2012-05-25 Mems麦克风芯片 Expired - Lifetime CN202587374U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201220239636 CN202587374U (zh) 2012-05-25 2012-05-25 Mems麦克风芯片

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201220239636 CN202587374U (zh) 2012-05-25 2012-05-25 Mems麦克风芯片

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN202587374U true CN202587374U (zh) 2012-12-05

Family

ID=47256727

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201220239636 Expired - Lifetime CN202587374U (zh) 2012-05-25 2012-05-25 Mems麦克风芯片

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN202587374U (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103200508A (zh) * 2013-03-26 2013-07-10 歌尔声学股份有限公司 Mems麦克风
CN104902403A (zh) * 2015-06-30 2015-09-09 歌尔声学股份有限公司 一种mems麦克风
CN107484051A (zh) * 2017-09-29 2017-12-15 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Mems麦克风

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103200508A (zh) * 2013-03-26 2013-07-10 歌尔声学股份有限公司 Mems麦克风
CN103200508B (zh) * 2013-03-26 2016-01-13 歌尔声学股份有限公司 Mems麦克风
CN104902403A (zh) * 2015-06-30 2015-09-09 歌尔声学股份有限公司 一种mems麦克风
CN107484051A (zh) * 2017-09-29 2017-12-15 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Mems麦克风
CN107484051B (zh) * 2017-09-29 2021-04-09 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Mems麦克风

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN202587373U (zh) Mems麦克风芯片
CN104760924B (zh) 一种mems麦克风芯片及其封装结构
CN103347808B (zh) 硅基mems麦克风、包含该麦克风的系统和封装
US8731220B2 (en) MEMS microphone
CN203368757U (zh) 具有强化结构的mems麦克风
CN102244827A (zh) 声音传感器及麦克风
CN104541521A (zh) 抗冲击硅基mems麦克风、包含该麦克风的系统和封装
CN202587374U (zh) Mems麦克风芯片
CN203883992U (zh) 一种mems麦克风
CN101478710B (zh) 硅电容传声器
CN202334882U (zh) Mems麦克风
CN102711027A (zh) Mems麦克风芯片
CN201042077Y (zh) 硅电容麦克风
CN202679624U (zh) Mems麦克风
CN202353807U (zh) Mems麦克风
CN103200508B (zh) Mems麦克风
CN203225886U (zh) Mems麦克风
CN201854425U (zh) 硅麦克风
CN202679623U (zh) Mems麦克风
CN104754480A (zh) 微型机电系统麦克风及其制造方法
CN205864743U (zh) 一种mems麦克风与环境传感器的集成装置
CN116405857A (zh) 一种降噪式mems麦克风及电子设备
CN204681598U (zh) 一种mems麦克风的封装结构
CN201138865Y (zh) 硅电容麦克风
CN203722818U (zh) 一种新型麦克风结构

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Industrial Development Zone, Shandong, China, No. 268

Patentee after: Goertek Inc.

Address before: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Industrial Development Zone, Shandong, China, No. 268

Patentee before: Goertek Inc.

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20200611

Address after: 266104 room 103, 396 Songling Road, Laoshan District, Qingdao, Shandong Province

Patentee after: Goer Microelectronics Co.,Ltd.

Address before: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Industrial Development Zone, Shandong, China, No. 268

Patentee before: GOERTEK Inc.

TR01 Transfer of patent right
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20121205

CX01 Expiry of patent term