CN204681598U - 一种mems麦克风的封装结构 - Google Patents
一种mems麦克风的封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN204681598U CN204681598U CN201520454247.0U CN201520454247U CN204681598U CN 204681598 U CN204681598 U CN 204681598U CN 201520454247 U CN201520454247 U CN 201520454247U CN 204681598 U CN204681598 U CN 204681598U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- copper
- chip
- mems
- mems chip
- encapsulating structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Micromachines (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种MEMS麦克风的封装结构，PCB基板的实铜层上设置有MEMS芯片；还包括固定在实铜层上的盖体，盖体与PCB基板形成了用于封装MEMS芯片的密封空间；其中，实铜层上位于MEMS芯片与盖体之间的位置设置有第一凹槽。本实用新型的封装结构，PCB基板上设置一层实铜层，可以减小PCB基板应力变形对贴装芯片的影响，在MEMS芯片的贴装区域没有设置阻焊剂层，从而可以降低MEMS芯片贴装的高度，节省了封装的空间，使得产品可以做的更小，以满足现代电子产品的小型化发展；通过设置的第一凹槽，可以将MEMS芯片与焊锡的路径隔离开，以防止焊锡进入至MEMS芯片中。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种麦克风，属于声电转换领域，更具体地，涉及一种MEMS麦克风的封装结构。
背景技术
MEMS(微型机电系统)麦克风是基于MEMS技术制造的麦克风，其中的振膜、背极板是MEMS麦克风中的重要部件，振膜、背极板构成了电容器并集成在硅晶片上，实现声电的转换。
近年来，随着科学技术的发展，手机、笔记本电脑等电子产品的体积在不断减小，而且人们对这些便携电子产品的性能要求也越来越高，这就要求与之配套的电子零部件的体积也必须随着减小。
现有的MEMS麦克风，包括由电路板、外壳围成的封装结构，以及位于该封装结构中的MEMS芯片、ASIC芯片，为了防止焊锡进入到芯片的贴装区域，一般在电路板的实铜层上设置一层阻焊剂层，MEMS芯片和ASIC芯片贴装在该阻焊剂层上。采用这种结构，使得MEMS芯片的贴装高度较高，而且还需要给芯片的打线预留出足够的空间来，从而不利于MEMS麦克风的小型化发展。
实用新型内容
本实用新型的一个目的是一种MEMS麦克风的封装结构。
根据本实用新型的一个方面，提供一种MEMS麦克风的封装结构，其特征在于：包括PCB基板，以及设置在PCB基板上的实铜层，所述实铜层上设置有MEMS芯片；还包括固定在实铜层上的盖体，所述盖体与PCB基板形成了用于封装MEMS芯片的密封空间；其中，所述实铜层上位于MEMS芯片与盖体之间的位置设置有第一凹槽。
优选地，所述第一凹槽环绕所述MEMS芯片分布。
优选地，还包括位于密封空间内的ASIC芯片。
优选地，部分实铜层上设置有阻焊剂层，所述ASIC芯片设置在所述阻焊剂层上。
优选地，所述ASIC芯片直接固定在实铜层上，且所述实铜层上位于ASIC芯片与盖体之间的位置设置有第二凹槽。
优选地，所述第二凹槽环绕所述ASIC芯片分布。
优选地，所述第一凹槽、第二凹槽整体呈环绕所述MEMS芯片、ASIC芯片的“口”字形。
本实用新型的封装结构，PCB基板上设置一层实铜层，可以减小PCB基板应力变形对贴装芯片的影响，其中，在MEMS芯片的贴装区域没有设置阻焊剂层，从而可以降低MEMS芯片贴装的高度，节省了封装的空间，使得产品可以做的更小，以满足现代电子产品的小型化发展；通过设置的第一凹槽，可以将MEMS芯片与焊锡的路径隔离开，以防止焊锡进入至MEMS芯片中。本实用新型的封装结构，其制造工艺简单，制程效率高，生产成本低。
通过以下参照附图对本实用新型的示例性实施例的详细描述，本实用新型的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本实用新型的实施例，并且连同说明书一起用于解释本实用新型的原理。
图1是本实用新型麦克风封装结构的示意图。
图2是图1中PCB基板的俯视图。
图3是本实用新型封装结构另一种实施方式的示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本实用新型的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
参考图1，本实用新型提供了一种MEMS麦克风的封装结构，包括PCB基板1，其中，为了减小PCB基板1应力变形对贴装芯片的影响，在所述PCB基板1上铺设一层实铜层5。本实用新型的封装结构，还包括与PCB基板1形成密封空间的盖体2。该盖体2可以呈平板状，此时，还需要设置一侧壁部将盖体2支撑在PCB基板1上，共同形成麦克风的外部封装。所述封装结构上还设置有与封闭空间连通的声孔，以便声音的流入；其中，声孔可以设置在盖体2上，也可以设置在PCB基板1上，在此不再具体说明。
本实用新型的封装结构，还包括MEMS芯片3，MEMS芯片3为将声音信号转化为电信号的换能部件，其可以利用MEMS(微机电系统)工艺制作。具体地，所述MEMS芯片3贴装在PCB基板1的实铜层5上。
盖体2可通过焊接的方式固定在PCB基板1的实铜层5上，以形成用于封装所述MEMS芯片3的密封空间。在焊接盖体2的时候，为了防止熔化的焊锡流入至MEMS芯片3中，所述实铜层5上位于MEMS芯片3与盖体2之间的位置设置有第一凹槽6，以将MEMS芯片3与盖体2的焊接区域隔离开来。
本实用新型的封装结构，PCB基板上设置一层实铜层，可以减小PCB基板应力变形对贴装芯片的影响，其中，MEMS芯片直接贴装在PCB板基板的实铜层上，并摒弃了传统阻焊剂层的使用，从而可以降低MEMS芯片贴装的高度，节省了封装的空间，使得产品可以做的更小，以满足现代电子产品的小型化发展。通过在实铜层上设置的第一凹槽，可以将MEMS芯片与焊锡的路径隔离开，以防止焊锡进入至MEMS芯片中。
本实用新型的第一凹槽6可以通过刻蚀实铜层5来形成，例如可以将实铜层5上相应位置的铜刻蚀掉，将该位置的PCB基板1露出，形成第一凹槽6。其中，在本实用新型一个优选的实施方式中，所述第一凹槽6环绕所述MEMS芯片3，以使焊锡的路径与MEMS芯片3完全隔离开来，参考图2。
在另一具体的实施方式中，本实用新型的封装结构还包括位于密封空间内的ASIC芯片4，ASIC芯片4是MEMS麦克风中的重要部件，其主要用于将MEMS芯片3输出的电信号进行放大，以便后续处理。对于本领域的技术人员来说，ASIC芯片4本身的高度就较低，所以，ASIC芯片4的安装依然可以采用传统的结构。参考图3，在所述PCB基板1的实铜层5上用于贴装ASIC芯片4的区域铺设有阻焊剂层8，所述ASIC芯片4设置在阻焊剂层8上，通过该阻焊剂层8，使得在焊接盖体2的时候，可以防止熔化的焊锡流入至ASIC芯片4中对芯片造成损坏。
在本实用新型一个优选的实施方式中，参考图1，所述ASIC芯片4直接固定在实铜层5上。在焊接盖体2的时候，为了防止熔化的焊锡流入至ASIC芯片4中，所述实铜层5上位于ASIC芯片4与盖体2之间的位置设置有第二凹槽9。该第二凹槽9优选环绕所述ASIC芯片4，以使ASIC芯片4与焊锡的路径完全隔离开。
本实用新型中，ASIC芯片4和MEMS芯片3贴装在同一PCB基板1上，因此，为了便于工艺制造，所述第一凹槽6、第二凹槽9连通在一起，整体呈环绕所述MEMS芯片3、ASIC芯片4的“口”字形。
虽然已经通过示例对本实用新型的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本实用新型的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本实用新型的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本实用新型的范围由所附权利要求来限定。
Claims (7)
1.一种MEMS麦克风的封装结构，其特征在于：包括PCB基板(1)，以及设置在PCB基板(1)上的实铜层(5)，所述实铜层(5)上设置有MEMS芯片(3)；还包括固定在实铜层(5)上的盖体(2)，所述盖体(2)与PCB基板(1)形成了用于封装MEMS芯片(3)的密封空间；其中，所述实铜层(5)上位于MEMS芯片(3)与盖体(2)之间的位置设置有第一凹槽(6)。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述第一凹槽(6)环绕所述MEMS芯片(3)分布。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：还包括位于密封空间内的ASIC芯片(4)。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于：部分实铜层(5)上设置有阻焊剂层(8)，所述ASIC芯片(4)设置在所述阻焊剂层(8)上。
5.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于：所述ASIC芯片(4)直接固定在实铜层(5)上，且所述实铜层(5)上位于ASIC芯片(4)与盖体(2)之间的位置设置有第二凹槽(9)。
6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于：所述第二凹槽(9)环绕所述ASIC芯片(4)分布。
7.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于：所述第一凹槽(6)、第二凹槽(9)整体呈环绕所述MEMS芯片(3)、ASIC芯片(4)的“口”字形。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520454247.0U CN204681598U (zh) | 2015-06-29 | 2015-06-29 | 一种mems麦克风的封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520454247.0U CN204681598U (zh) | 2015-06-29 | 2015-06-29 | 一种mems麦克风的封装结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN204681598U true CN204681598U (zh) | 2015-09-30 |
Family
ID=54181264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201520454247.0U Active CN204681598U (zh) | 2015-06-29 | 2015-06-29 | 一种mems麦克风的封装结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN204681598U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105203233A (zh) * | 2015-10-16 | 2015-12-30 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | Mems压力传感器 |
| CN110572763A (zh) * | 2019-10-22 | 2019-12-13 | 朝阳聚声泰（信丰）科技有限公司 | 一种侧壁焊接的小尺寸mems麦克风 |
| CN115057407A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-09-16 | 潍坊歌尔微电子有限公司 | Mems产品及电子设备 |
-
2015
- 2015-06-29 CN CN201520454247.0U patent/CN204681598U/zh active Active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105203233A (zh) * | 2015-10-16 | 2015-12-30 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | Mems压力传感器 |
| CN110572763A (zh) * | 2019-10-22 | 2019-12-13 | 朝阳聚声泰（信丰）科技有限公司 | 一种侧壁焊接的小尺寸mems麦克风 |
| CN115057407A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-09-16 | 潍坊歌尔微电子有限公司 | Mems产品及电子设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104760924B (zh) | 一种mems麦克风芯片及其封装结构 | |
| CN206100450U (zh) | 一种mems麦克风的封装结构 | |
| CN101316462B (zh) | 微机电系统麦克风封装体及其封装组件 | |
| CN204761710U (zh) | 一种mems麦克风 | |
| CN204681598U (zh) | 一种mems麦克风的封装结构 | |
| CN202663538U (zh) | Mems麦克风 | |
| CN204442688U (zh) | Mems麦克风 | |
| CN202799144U (zh) | Mems麦克风 | |
| CN209526835U (zh) | 一种麦克风及环境传感器的封装结构 | |
| CN209105453U (zh) | Mems麦克风和电子设备 | |
| CN203225886U (zh) | Mems麦克风 | |
| CN104780490A (zh) | 一种mems麦克风的封装结构及其制造方法 | |
| CN204550046U (zh) | 一种mems麦克风芯片及其封装结构 | |
| CN203845811U (zh) | 多功能传感器 | |
| CN103347239A (zh) | Mems麦克风及其组装方法 | |
| CN203368746U (zh) | 微机电系统麦克风 | |
| CN204442689U (zh) | Mems麦克风 | |
| CN204046819U (zh) | 一种增大后腔的硅电容麦克风 | |
| CN202085303U (zh) | 一种硅麦克风 | |
| CN204887468U (zh) | 一种mems麦克风的封装结构 | |
| CN202799143U (zh) | Mems麦克风 | |
| CN204206460U (zh) | 一种mems麦克风 | |
| CN202957979U (zh) | Mems麦克风 | |
| CN204518088U (zh) | 一种mems麦克风的封装结构 | |
| CN202019450U (zh) | 一种mems麦克风 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Development Zone, Shandong, China, No. 268 Patentee after: Goertek Inc. Address before: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Development Zone, Shandong, China, No. 268 Patentee before: Goertek Inc. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200610 Address after: 266104 room 103, 396 Songling Road, Laoshan District, Qingdao, Shandong Province Patentee after: Goer Microelectronics Co.,Ltd. Address before: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Development Zone, Shandong, China, No. 268 Patentee before: GOERTEK Inc. |