CN206100450U - 一种mems麦克风的封装结构 - Google Patents
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- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种MEMS麦克风的封装结构,包括电路板、金属盖体,以及由电路板和金属盖体包围起来的封闭空间,还包括设置在封闭空间内的麦克风芯片、ASIC芯片;其中,所述电路板为层叠电路板,其包括至少一层基材以及至少一层铜层,还包括设置在电路板上的声孔,所述声孔包括设置在至少一层铜层上的微孔结构,以及电路板上其它层在声孔位置形成的通孔。本实用新型的封装结构由金属盖体和电路板围成,通过在电路板铜层上设置的微孔结构作为封装结构的声孔,这不但可以大大提高封装结构的防水、防尘能力,而且还可以提高封装结构在声孔位置的电磁屏蔽、防静电效果,从而提高了该麦克风封装结构的抗干扰能力。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种麦克风,属于声电转换领域,更具体地,涉及一种MEMS麦克风的封装结构。
背景技术
MEMS(微型机电系统)麦克风是基于MEMS技术制造的麦克风,其中的振膜、背极板是MEMS麦克风中的重要部件,振膜、背极板构成了电容器并集成在硅晶片上,实现声电的转换。
近年来,随着科学技术的发展,手机、笔记本电脑等电子产品的体积在不断减小,而且人们对这些便携电子产品的性能要求也越来越高,例如人们对电子产品的防尘防水性能提出了更高的要求。
实用新型内容
本实用新型的一个目的是提供了一种MEMS麦克风的封装结构。
根据本实用新型的一个方面,提供一种MEMS麦克风的封装结构,包括电路板、金属盖体,以及由电路板和金属盖体包围起来的封闭空间,还包括设置在封闭空间内的麦克风芯片、ASIC芯片;其中,所述电路板为层叠电路板,其包括至少一层基材以及至少一层铜层,还包括设置在电路板上的声孔,所述声孔包括设置在至少一层铜层上的微孔结构,以及电路板上其它层在声孔位置形成的通孔。
可选的是,所述铜层设置在电路板的内部。
可选的是,所述铜层设置在电路板的外部。
可选的是,所述铜层至少设置有两层,至少有一层设置在电路板的内部,至少有一层设置在电路板的外部。
可选的是,所述铜层至少设置有三层,两层分别设置在电路板的上端面、下端面,至少有一层设置在电路板的内部。
可选的是,所述麦克风芯片、ASIC芯片通过植锡球焊接或键合的方式连接到电路板上,所述麦克风芯片与电路板之间还设有密封。
可选的是,所述密封设置在麦克风芯片的边缘位置。
可选的是,所述密封为COB胶。
本实用新型的封装结构由金属盖体和电路板围成,通过在电路板铜层上设置的微孔结构作为封装结构的声孔,这不但可以大大提高封装结构的防水、防尘能力,而且还可以提高封装结构在声孔位置的电磁屏蔽、防静电效果,从而提高了该麦克风封装结构的抗干扰能力。
通过以下参照附图对本实用新型的示例性实施例的详细描述,本实用新型的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本实用新型的实施例,并且连同说明书一起用于解释本实用新型的原理。
图1是本实用新型封装结构的结构示意图。
图2是本实用新型电路板另一优选的实施结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本实用新型的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
本实用新型公开了一种MEMS麦克风的封装结构,包括电路板2、金属盖体1,以及由电路板2和金属盖体1包围起来的封闭空间,其中,该金属盖体1也可以是呈平板状,此时,还需要设置一侧壁部将金属盖体1支撑在电路板2上,共同形成麦克风的外部封装。
本实用新型的封装结构,还包括设置在封闭空间内的麦克风芯片3、ASIC芯片5,其中,所述麦克风芯片3为将声音信号转化为电信号的换能部件,其可以是利用MEMS(微机电系统)工艺制作的MEMS芯片。ASIC芯片5主要用来将麦克风芯片3输出的电信号进行后续处理。所述麦克风芯片3、ASIC芯片5可通过植锡球焊接或键合的方式连接到在电路板2上;当然,可以采用本领域技术人员所熟知的贴装方式进行安装,麦克风芯片3与ASIC芯片5之间可以采用引线4进行电连接,以实现信号的传输。
为了密封声腔,在所述麦克风芯片3与电路板2之间还设有密封6,为了工艺的方便,该密封6设置在麦克风芯片3的边缘位置。例如采用COB胶进行密封,保证了声腔的气密封。
本实用新型的电路板2为层叠电路板,其包括至少一层基材24以及至少一层铜层21,基材24与铜层21之间通过层叠的技术压合在一起,从而形成了层叠电路板,这种层叠电路板的结构属于本领域技术人员的公知常识,在此不再具体说明。
其中,本实用新型的封装结构,还包括设置在电路板2上的声孔,所述声孔包括设置在至少一层铜层21上的微孔结构20,以及电路板2上其它层在声孔位置形成的通孔22。也就是说,电路板2上在声孔的位置只有铜层21,电路板2上的其它层在该声孔位置形成镂空的通孔22,通过该镂空的通孔22可将铜层21暴露出来,外界的声音经过微孔结构20进入到封装结构内部,并作用在麦克风芯片3上,使麦克风芯片3发出相应的电信号。微孔结构的孔径可以根据本领域技术人员的实际需求进行调整。
在本实用新型一个具体的实施方式中,所述铜层21设置在电路板2的外部,例如所述铜层21可以设置在电路板2的下端面,铜层21上面的其它层在声孔的位置形成通孔22,使得将铜层21暴露出来,参考图1;或者设置在电路板2的上端面,在此不再具体说明。
在本实用新型另一具体的实施方式中,所述铜层21设置在电路板2的内部,参考图2,在该实施方式中,所述铜层21两侧的其它层在声孔的位置形成通孔22,使得将铜层21暴露出来。
本实用新型优选的是,所述铜层21至少设置有两层,其中,至少有一层设置在电路板2的内部,至少有一层设置在电路板2的外部。还可以是,所述铜层21至少设置有三层,两层分别设置在电路板2的上端面、下端面,至少有一层设置在电路板2的内部。
本实用新型的封装结构由金属盖体和电路板围成,通过在电路板铜层上设置的微孔结构作为封装结构的声孔,这不但可以大大提高封装结构的防水、防尘能力,而且还可以提高封装结构在声孔位置的电磁屏蔽、防静电效果,从而提高了该麦克风封装结构的抗干扰能力。
虽然已经通过示例对本实用新型的一些特定实施例进行了详细说明,但是本领域的技术人员应该理解,以上示例仅是为了进行说明,而不是为了限制本实用新型的范围。本领域的技术人员应该理解,可在不脱离本实用新型的范围和精神的情况下,对以上实施例进行修改。本实用新型的范围由所附权利要求来限定。
Claims (8)
1.一种MEMS麦克风的封装结构,其特征在于:包括电路板(2)、金属盖体(1),以及由电路板(2)和金属盖体(1)包围起来的封闭空间,还包括设置在封闭空间内的麦克风芯片(3)、ASIC芯片(5);其中,所述电路板(2)为层叠电路板,其包括至少一层基材(24)以及至少一层铜层(21),还包括设置在电路板(2)上的声孔,所述声孔包括设置在至少一层铜层(21)上的微孔结构(20),以及电路板(2)上其它层在声孔位置形成的通孔(22)。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述铜层(21)设置在电路板(2)的内部。
3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述铜层(21)设置在电路板(2)的外部。
4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述铜层(21)至少设置有两层,至少有一层设置在电路板(2)的内部,至少有一层设置在电路板(2)的外部。
5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述铜层(21)至少设置有三层,两层分别设置在电路板(2)的上端面、下端面,至少有一层设置在电路板(2)的内部。
6.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述麦克风芯片(3)、ASIC芯片(5)通过植锡球焊接或键合的方式连接到电路板(2)上,所述麦克风芯片(3)与电路板(2)之间还设有密封(6)。
7.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于:所述密封(6)设置在麦克风芯片(3)的边缘位置。
8.根据权利要求7所述的封装结构,其特征在于:所述密封(6)为COB胶。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201621010761.6U CN206100450U (zh) | 2016-08-31 | 2016-08-31 | 一种mems麦克风的封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201621010761.6U CN206100450U (zh) | 2016-08-31 | 2016-08-31 | 一种mems麦克风的封装结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN206100450U true CN206100450U (zh) | 2017-04-12 |
Family
ID=58477653
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201621010761.6U Active CN206100450U (zh) | 2016-08-31 | 2016-08-31 | 一种mems麦克风的封装结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN206100450U (zh) |
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-
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