CN201975396U - 一种单层芯片超高压半导体整流器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种单层芯片超高压半导体整流器，包括由区熔硅片扩散而成的单层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体，单层硅芯片位于两铜引线端面之间，通过焊料与铜引线焊接，硅橡胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中，而整个超高压半导体整流器除铜引线两端头外，其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内。本实用新型的有益效果是：采用单层硅芯片，可以显著降低产品的正向压降，使产品自身的功耗降低，提高产品的可靠性；另一个优点是，可以提高装填工艺的效率，提高产品的合格率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半导体器件，特别涉及一种单层芯片超高压半导体整流器。
背景技术
普通型超高压半导体整流二极管，它是一种半导体整流器件，广泛应用于各种离频电源、汽车等消费电子、消毒器、电脑显示器、负离子发生器、以及高档的电蚊拍等设施中。其输出电流从20毫安到1000毫安分类不等，反向击穿电压据芯片规格不同有3000V、4000V、5000V到上万伏等类别。目前，产品是通过3层或以上芯片叠加焊接完成，其反向电压可以达到4000V、5000V及上万伏的标准，但其正向压降在4伏以上。
实用新型内容
本实用新型公开了一种单层芯片超离压半导体整流器，对现有同类产品进行了改进，使其正向压降低、效率高、节能。
为了实现上述技术效果，本实用新型采用的技术方案如下：包括单层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体，多层硅芯片位于两铜引线端面之间，通过焊料与铜引线焊接，硅橡胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中，而整个超高压半导体整流器除铜引线两端头外，其余部分均包裹在环氧树脂注 塑成的塑封体内。
其中，所述单层硅芯片由区熔硅片扩散而成。
本实用新型的有益效果是：将同类产品的多层硅芯片叠焊的结构改为单层硅芯片，其正向压降只有同等电压水平产品的三分之一，这样就可使产品的正向压降得到明显改善，因此本实用新型不仅有耐压高的特点，而且具有正向压降低、效率高、节能等特点。
附图说明
图1为本实用新型结构图。
具体实施方式
为了使本实用新型更容易被理解，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型做更详细说明。
参阅图1，一种超高压半导体整流器，包括单层硅芯片3、两铜引线2、环氧塑封体1，单层硅芯片3位于两铜引线2端面之间，通过焊料与铜引线2焊接，硅橡胶5将两铜引线2端面间的单层硅芯片3以及焊料层4包裹在其中，而整个超高压半导体整流器除铜引线2端头外，其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体1内。铜引线2的端头为其与单层硅芯片3焊接的端面对应的另一端。
其中，所述单层硅芯片3由区熔硅片扩散而成。
Claims (1)
1.一种单层芯片超高压半导体整流器，其特征在于：包括由区熔硅片扩散而成的单层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体，单层硅芯片位于两铜引线端面之间，通过焊料与铜引线焊接，硅橡胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中，而整个超高压半导体整流器除铜引线两端头外，其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010205639108U CN201975396U (zh) | 2010-10-18 | 2010-10-18 | 一种单层芯片超高压半导体整流器 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN2010205639108U CN201975396U (zh) | 2010-10-18 | 2010-10-18 | 一种单层芯片超高压半导体整流器 |
Publications (1)
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| CN201975396U true CN201975396U (zh) | 2011-09-14 |
Family
ID=44580494
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN2010205639108U Expired - Lifetime CN201975396U (zh) | 2010-10-18 | 2010-10-18 | 一种单层芯片超高压半导体整流器 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN201975396U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111987067A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-11-24 | 吉林华微电子股份有限公司 | 器件引线组件及半导体器件 |
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2010
- 2010-10-18 CN CN2010205639108U patent/CN201975396U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Legal Events
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