CN103035739A - 硅塑封整流二极管 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种硅塑封整流二极管，包括二极管主体，二极管主体包括一个PN结、一个正极端子和一个负极端子，PN结、正极端子和负极端子位于同一块硅基片上，正极端子和负极端子分布在硅基片的两端，正极端子和负极端子各焊接有一根引出线，硅基片、与正极端子和负极端子焊接的引出线部分塑封在环氧树脂管内，环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管主体工作参数的涂层。本发明结构简单，二极管主体塑封在环氧树脂管内确保其电气特性不受影响，环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管主体工作参数的涂层，在更换新硅塑封整流二极管时，就不会出现错将工作参数不符合要求的管子换上，从而避免了硅塑封整流二极管击穿损坏。

Description

硅塑封整流二极管
技术领域
本发明涉及一种半导体器件，尤其是一种硅塑封整流二极管。
背景技术
整流二极管是最基本的半导体器件，主要作用为将交流电转变为直流电，广泛应用于各种电子线路。为了便于运输、使用，一般都会给整流二极管塑封封装，现在最常用的是硅塑封整流二极管。选用硅塑封整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数，但当更换新硅塑封整流二极管错将工作参数不符合要求的管子换上时，则会造成硅塑封整流二极管击穿损坏。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：基于上述问题，本发明提供一种可以清楚显示出工作参数的硅塑封整流二极管。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种硅塑封整流二极管，包括二极管主体，所述的二极管主体包括一个PN结、一个正极端子和一个负极端子，所述的PN结、正极端子和负极端子位于同一块硅基片上，正极端子和负极端子分布在硅基片的两端，正极端子和负极端子各焊接有一根引出线，所述的硅基片、与正极端子和负极端子焊接的引出线部分塑封在环氧树脂管内，所述的环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管主体工作参数的涂层。
所述的引出线采用电镀轴向式的，可焊性较强。
所述的涂层的原料为紫外光固化油墨，可经过氟利昂、酒精、异丙醇及类似溶剂清洗，涂层也不会剥落。
本发明的有益效果是：本发明结构简单，二极管主体塑封在环氧树脂管内确保其电气特性不受影响，环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管主体工作参数的涂层，在更换新硅塑封整流二极管时，就不会出现错将工作参数不符合要求的管子换上，从而避免了硅塑封整流二极管击穿损坏。
附图说明
下面结合附图实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的结构示意图。
图2是图1的剖视结构示意图。
图中：1.二极管主体，2.PN结，3.正极端子，4.负极端子，5.硅基片，6.引出线，7.环氧树脂管，8.涂层。
具体实施方式
现在结合具体实施例对本发明作进一步说明，以下实施例旨在说明本发明而不是对本发明的进一步限定。
如图1～2所示的硅塑封整流二极管，包括二极管主体1，二极管主体1包括一个PN结2、一个正极端子3和一个负极端子4，PN结2、正极端子3和负极端子4位于同一块硅基片5上，正极端子3和负极端子4分布在硅基片5的两端，正极端子3和负极端子4各焊接有一根引出线6，硅基片5、与正极端子3和负极端子4焊接的引出线6部分塑封在环氧树脂管7内，环氧树脂管7外涂覆有一层可以清楚显示出二极管主体1工作参数的涂层8。
引出线6采用电镀轴向式的，可焊性较强。
涂层8的原料为紫外光固化油墨，可经过氟利昂、酒精、异丙醇及类似溶剂清洗，涂层也不会剥落。
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (3)

1.硅塑封整流二极管，包括二极管主体(1)，其特征在于：所述的二极管主体包括一个PN结(2)、一个正极端子(3)和一个负极端子(4)，所述的PN结(2)、正极端子(3)和负极端子(4)位于同一块硅基片(5)上，正极端子(3)和负极端子(4)分布在硅基片(5)的两端，正极端子(3)和负极端子(4)各焊接有一根引出线(6)，所述的硅基片(5)、与正极端子(3)和负极端子(4)焊接的引出线(6)部分塑封在环氧树脂管(7)内，所述的环氧树脂管(7)外涂覆有一层可以清楚显示出二极管主体(1)工作参数的涂层(8)。
2.根据权利要求1所述的硅塑封整流二极管，其特征在于：所述的引出线(6)采用电镀轴向式的。
3.根据权利要求1所述的硅塑封整流二极管，其特征在于：所述的涂层(8)的原料为紫外光固化油墨。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU193911U1 (ru) * 2019-09-10 2019-11-21 Акционерное общество «Оптрон-Ставрополь» Силовой полупроводниковый диод

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Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20130410