CN201975394U - 一种超高压半导体整流器 - Google Patents

一种超高压半导体整流器 Download PDF

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王艳明
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Chongqing Pingwei Enterprise Co Ltd
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Abstract

本实用新型公开了一种超高压半导体整流器,包括多层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体,多层硅芯片位于两铜引线端面之间,通过焊料与铜引线端面焊接,硅橡胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中,而整个超高压半导体整流器除两铜引线的另一端头外,其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内,其中,晶粒尺寸为36mil。本实用新型的有益效果是:结构简单,并将原设计43mil晶粒更改为36mil晶粒,因此本实用新型不仅有耐压高的特点,而且以满足工艺条件降低成本为目的,提高产品市场竞争能力。

Description

一种超高压半导体整流器
技术领域
本实用新型涉及一种半导体器件,特别涉及一种超高压半导体整流器。
背景技术
普通型超高压半导体整流二极管,它是一种半导体整流器件,广泛应用于各种高频电源、汽车等消费电子、消毒器、电脑显示器、负离子发生器、以及高档的电蚊拍等设施中。其输出电流从20毫安到1000毫安分类不等,反向击穿电压据芯片规格不同有1000V、2000V、3000V、4000V、5000V等类别。目前,产品反向电压可以达到4000V及5000V的标准,但因晶粒重叠层数过多,从而生产成本一直居高不下。
实用新型内容
针对上述工艺条件要求高导致成本过高的问题,本实用新型公开了一种超高压半导体整流器,该超高压半导体包括多层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体,多层硅芯片位于两铜引线端面之间,通过焊料与铜引线端面焊接,硅橡胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中,而整个超高压半导体整流器除两铜引线的另一端头外,其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内,其中,晶粒尺寸为36mil。
本实用新型的有益效果是:结构简单,并将原设计43mil晶粒更改为36mil 晶粒,因此本实用新型不仅有耐压高的特点,而且以满足工艺条件降低成本为目的,提高产品市场竞争能力。
附图说明
图1为本实用新型结构图。
具体实施方式
为了使本实用新型更容易被理解,下面结合附图和具体实施方式对本实用新型做更详细说明。
参阅图1,一种超高压半导体整流器,包括多层硅芯片3、两铜引线2、环氧塑封体1,多层硅芯片3位于两铜引线2端面之间,通过焊料与两铜引线2端面焊接,硅橡胶5将两铜引线2端面间的多层硅芯片3以及焊料层4包裹在其中,形成硅胶层,而整个超高压半导体整流器除两铜引线2的另一端头外,其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的环氧塑封体1内。铜引线2的端头为其与多层硅芯片3焊接的端面对应的另一端,并将晶粒尺寸从原设计43mil晶粒更改为36mil晶粒。

Claims (1)

1.一种超高压半导体整流器,其特征在于:包括多层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体,多层硅芯片位于两铜引线端面之间,通过焊料与铜引线端面焊接,硅橡胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中,而整个超高压半导体整流器除两铜引线的另一端头外,其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内,其中,晶粒尺寸为36mil。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN111987067A (zh) * 2020-07-30 2020-11-24 吉林华微电子股份有限公司 器件引线组件及半导体器件

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