CN201820750U - 一种大功率管的封装结构 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及大功率管的封装结构，有效解决外接散热模块，降低芯片温度，提高芯片寿命的问题，结构是，第一封装模块中部的凹槽内下部有框架的第一、二焊接点，框架下部有电极引脚，芯片上有芯片第一、二焊接点，第二封装模块上有第一、二焊接点，芯片置于凹槽内，第二封装散热模块封装在芯片上面，引线框架第一焊接点、芯片焊接点通过第二封装模块的焊接点相连接，芯片上的电极与电极引线框架引脚相接，第二封装模块小于第一封装模块中的凹槽，第二封装模块和芯片周边在凹槽内灌装有导热绝缘胶，本实用新型可在L/F上面直接完成，可进行批量流水线生产，提高产能，降低成本，缩减工艺。

Description

一种大功率管的封装结构
一、技术领域
本实用新型涉及半导体功率器件，特别是一种大功率管的封装结构。
二、背景技术
半导体功率器件的的应用非常广泛，可以说是无处不在，汽车的牵引，轮船的推进，自然资源发电中(包括太阳能，风能等)新能源系统中，日常生活家电洗衣机，冰箱，空调等家电中用来控制系统中发挥着非常重要的作用，电子电路，电源开关等各个方面都有着功率管的存在。随着环境和生活品质的提高，以及在发电系统中的变换效率，品质的要求的更加高，所以半导体功率器件朝着高效率，高频率，高耐压，高功率，集成化，智能化等方面发展。
在传统的芯片封装工艺中都是用金线丝或铜线丝来完成与引线框架的电气连接，这样会对功率进行很大限制，因为功率的大小和电流的大小是至关重要的，传统封装用金线或铝线进行连接，因技术和设备等各方面的限制，线径受到限制，从而限制了电流大小，因金线成本和连接工艺造成成本增加。
在功率器件中晶粒一般都会做成N型或P型，再在上面刻画出源极和漏极，所以一般在传统封装流程中会对源极和漏极进行金线或铝线连接，而N型或P型结进行背金，通过银胶直接与L/F进行连接。这种封装在mosfet，三极管，等功率管中应用比较多。
有上所述对功率管进行金线或铝线进行连接，线径的粗细直接影响到功率的大小，因一些限制，太粗的线径不好进行连接，造成成本过高，电流不大。从而限制了功率管的耐压，功率的提高。因此，其创新和改进势在必行。
三、实用新型内容
针对上述情况，为克服现有技术缺陷，本实用新型之目的就是提供一种大功率管的封装结构，可有效解决外接散热模块，降低芯片温度，提高芯片寿命的问题。
本实用新型解决的技术方案是，包括散热模块和芯片，散热模块包括第一封装模块和第二封装模块，第一封装模块是，第一封装模块中部有凹槽，凹槽内下部有框架的第一焊接点和框架的第二焊接点，框架下部有电极引脚，芯片上有芯片第一焊接点和芯片第二焊接点，第二封装模块上有第一焊接点和第二焊接点，芯片置于第一封装散热模块的凹槽内，第二封装散热模块封装在置于凹槽内的芯片而，引线框架第一焊接点、芯片第一焊接点通过第二封装模块的第一焊接点相连接，引线框架第二焊接点、芯片的第二焊接点通过第二封装模块的第二焊接点相连接，芯片上的电极与电极引线框架引脚相接，第二封装模块小于第一封装模块中的凹槽，第二封装模块和芯片周边在凹槽内灌装有导热绝缘胶，通过导热绝缘胶连接外部散热块。
本实用新型可以在L/F(L/F是引线框架lend frame的简写)上面直接来完成，所以可以进行批量流水线生产，提高产能，降低成本，缩减工艺，经济和社会效益显著。
四、附图说明
图1为本实用新型的结构立体图。
图2为本实用新型的结构立体分裂图。
图3为本实用新型的第一封装散热模块结构主视图。
图4为本实用新型芯片焊接点示意图。
图5为本实用新型第二封装散热模块结构立体图。
五、具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的具体实施方式作详细说明。
由图1-5所示，本实用新型包括散热模块和芯片，散热模块包括第一封装模块1和第二封装模块3，第一封装模块1是，第一封装模块1中部有凹槽7，凹槽7内下部有框架4的第一焊接点9和框架4的第二焊接点8，框架4下部有电极引脚，芯片2上有芯片第一焊接点10和芯片第二焊接点11，第二封装模块3上有第一焊接点12和第二焊接点13，芯片2置于第一封装散热模块1的凹槽7内，第二封装散热模块3封装在置于凹槽内的芯片2上面，引线框架第一焊接点9、芯片第一焊接点10通过第二封装模块3的第一焊接点12相连接，引线框架第二焊接点8芯片2的第二焊接点11通过第二封装模块3的第二焊接点13相连接，芯片上的电极与电极引线框架引脚相接，第二封装模块3小于第一封装模块1中的凹槽7，第二封装模块和芯片周边在凹槽内灌装有导热绝缘胶5，通过导热绝缘胶连接外部散热块。
为了保证使用效果，所说的第一焊接点12高于第二焊接点13，芯片第一焊接点10高于芯片第二焊接点11，第二封装散热模块3的尺寸小于第一封装模块的凹槽7(空穴)。
本实用新型是利用分开独立的工艺进行封装，对引线框架先进行半封，再进行组合封装，回流焊，灌胶来完成封装。根据背景技术里面提到的源极，漏极是刻画出来进行金线或铝线的连接来完成，而本实用新型是无需打线(金线或铝线的连接)，是对分离部分进行封装处理过的，内部是金线或铝线。再进行组合封装的时候内部的金线或铝线就是连接L/F的。
因为金线或铝线是在分离部分单独做的，所以可以做到线径很大，来完成大电流的承，从而提高功率。而且还可以进行外部散热片连接，来解决芯片发热的问题。本实用新型进行组装结合的时候用的是导热胶，而且可以进行外连散热块，所以对内部芯片散热有很好的效果。
本实用新型特别实用于高电压，大电流的功率管封装，因为连接线径较粗。耐压，承载电流都会提高，从而可以提高本实用新型的应用范围好领域。
本实用新型不需要传统工艺中的W/B，这样就减小了封装工艺的难度和
本实用新型是进行分离组合，用回流焊和灌胶来完成的封装，而且提高了芯片散热能力，从而对芯片寿命也有所提高。
本实用新型可以在L/F上面直接来完成，所以可以进行批量流水线生产，提高产能，降低成本，缩减工艺。
在具体生产时，本实用新型是对单颗粒IC芯片进行，在生产中可以应用到整条L/F，可以进行批量生产。
本实用新型是有1第一封装模块，芯片2、第二封装散热模块3，引线框架第一焊接点9，引线框架第二焊接点8，第一焊接点10，第二焊接点11，第一焊接点12，第二焊接点13组成。图中第一焊接点10凸起高于第二焊接点11，第一焊接点12凸起高于第二焊接点13。
第一封装模块是有塑封来完成，可先在引线框架上贴上芯片2，然后进行环氧树脂第一次封装，封装成第一封装散热模块1，也可第一次封装完成后再进行芯片2的粘贴，粘贴银胶要是导电类型，这样才能使芯片下面的整个极与引线框架完成导电连接。
在第一封装散热模块1和芯片2而进行粘贴后，再进行第二封装散热模块3和第一封装散热模块1的组装结合，第二封装散热模块3尺寸小于第一封装散热模块1空穴，这样是为了便于组装和灌胶，当第二封装散热模块3和第一封装散热模块1组合后，第一焊接点12对应第二焊接点11，第二焊接点13对应第二焊接点11，同时第一焊接点12对应引线框架第一焊接点9和第二焊接点13对应引线框架第二焊接点8，然后进行回流焊，来完成芯片焊点与L/F的连接，最后进行绝缘导热胶灌入，来完成对芯片密封保护封装，绝缘灌胶的时候如果有必要带散热块，可以一起把散热块一起粘上。

Claims (2)

1.一种大功率管的封装结构，包括散热模块和芯片，其特征在于，散热模块包括第一封装模块(1)和第二封装模块(3)，第一封装模块(1)是，第一封装模块(1)中部有凹槽(7)，凹槽(7)内下部有框架(4)的第一焊接点(9)和框架(4)的第二焊接点(8)，框架(4)下部有电极引脚，芯片(2)上有芯片第一焊接点(10)和芯片第二焊接点(11)，第二封装模块(3)上有第一焊接点(12)和第二焊接点(13)，芯片(2)置于第一封装散热模块(1)的凹槽(7)内，第二封装散热模块(3)封装在置于凹槽内的芯片(2)上面，引线框架第一焊接点(9)、芯片第一焊接点(10)通过第二封装模块(3)的第一焊接点(12)相连接，引线框架第二焊接点(8)、芯片(2)的第二焊接点(11)通过第二封装模块(3)的第二焊接点(13)相连接，芯片(2)上的电极与电极引线框架引脚相接，第二封装模块(3)小于第一封装模块(1)中的凹槽(7)，第二封装模块和芯片周边在凹槽内灌装有导热绝缘胶(5)，通过导热绝缘胶连接外部散热块。
2.根据权利要求1所述的大功率管的封装结构，其特征在于，为了保证使用效果，所说的第一焊接点(12)高于第二焊接点(13)，芯片第一焊接点(10)高于芯片第二焊接点(11)。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102368490A (zh) * 2011-10-25 2012-03-07 张轩 一种改进型三极管引线框架
CN104392977A (zh) * 2014-10-16 2015-03-04 东莞市柏尔电子科技有限公司 一种封装三极管

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102368490A (zh) * 2011-10-25 2012-03-07 张轩 一种改进型三极管引线框架
CN104392977A (zh) * 2014-10-16 2015-03-04 东莞市柏尔电子科技有限公司 一种封装三极管
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