CN206099739U - 一种igbt半桥电路 - Google Patents
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Abstract
一种IGBT半桥电路，在外壳底板上真空烧结氮化铝DBC基板，在氮化铝DBC基板上真空烧结IGBT芯片和FWD芯片；氮化铝DBC基板与主电极引线间用真空烧结的连接桥进行电联接，氮化铝DBC基板与IGBT芯片、FWD芯片及辅助电极引线间用超声压焊高纯铝丝进行电联接；壳盖扣设在外壳底板上。其优点是：它采用金属全封装外壳，芯片采用真空烧结工艺，通过氮化铝DBC基板实现同壳体的绝缘，其耐温度循环性能和密封性、散热性能等都比较理想。它体积小、重量轻、大电流、抗冲击、抗振动、散热性好，能耐更高的冷热剧变，可组合为H桥电路与三相全桥电路。适合于在高压、高频、自然条件恶劣的环境下对直流电进行逆变；壳盖与壳体的连接采用平行缝焊工艺，使其能耐更高的温度冲击。
Description
技术领域
本实用新型属于交直流转换电路技术领域，具体涉及一种IGBT半桥电路。
背景技术
现在国内进口的IGBT，大多为工业级，一般采用裸芯片灌胶工艺。封装多采用塑封外壳灌胶，其耐温度循环性能及密封性能、散热性能重量等均不能满足用户及标准的要求。同时进口IGBT的采购，也存在限购和停产的风险。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是：克服现有技术改进的不足，提供一种体积小、重量轻、大电流、抗冲击、振动、散热性好的IGBT半桥电路。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种IGBT半桥电路，包括一外壳底板、一壳盖，其特征在于：在所述外壳底板上设置一氮化铝DBC基板，在所述氮化铝DBC基板上设置一IGBT芯片和FWD芯片；所述氮化铝DBC基板与主电极引线之间采用真空烧结的一连接桥进行电联接，所述氮化铝DBC基板与所述IGBT芯片和FWD芯片及辅助电极引线之间采用高纯铝丝进行电联接；所述壳盖扣设在所述外壳底板上。
优选的，所述氮化铝DBC基板真空烧结在外壳底板上。
优选的，所述外壳底板为钼铜材料。
优选的，所述IGBT芯片和FWD芯片真空烧结在所述氮化铝DBC基板上。
优选的，所述连接桥为一无氧铜导带。
优选的，所述高纯铝丝与氮化铝DBC基板、所述IGBT芯片和FWD芯片及辅助电极引线之间采用超声压焊工艺进行焊接。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型工艺标准采用GJB2438A-2002金属全封装的外壳，芯片采用真空烧结工艺，通过氮化铝DBC基板实现同壳体的绝缘，同时底板材料采用钼铜。耐温度循环性能和密封性、散热性能等都比较理想，满足指标要求，并且此种体积小重量轻，可与原进口产品实现功能互换。本实用新型体积小、重量轻、大电流、抗冲击、抗振动、散热性好，能耐更高的冷热剧变等，可以组合为H桥电路与三相全桥电路。它适合于在高压、高频、自然条件恶劣的环境下对直流电进行逆变，绝缘电压大于2000V，壳盖与壳体的连接采用平行缝焊工艺，使其能耐更高的温度冲击。
附图说明
图1是本实用新型实施例的半剖结构示意图；
图2是本实用新型实施例中去除壳盖后的结构俯视图。
图中标记为：
1、外壳底板；2、氮化铝DBC基板；3、IGBT芯片和FWD芯片；4、连接桥；
5、高纯铝丝；6、壳盖。
具体实施方式
下面结合附图实施例，对本实用新型做进一步描述：
实施例一
如图1、2所示，一种IGBT半桥电路，包括钼铜材料制作的外壳底板1、壳盖6，钼铜的膨胀系数与硅芯片相当，使产品耐更大的冷热剧变；在外壳底板1上真空烧结氮化铝DBC基板2，氮化铝DBC基板2的导热率大，使产品耐更高温度；在氮化铝DBC基板2上真空烧结IGBT芯片和FWD芯片3，氮化铝DBC基板2的膨胀系数与IGBT芯片和FWD芯片3相当，使产品耐更大的冷热剧变；氮化铝DBC基板2与主电极引线之间采用真空烧结的连接桥4进行电联接，连接桥4材料为一根无氧铜导带，使产品电流过载能力显著提高；氮化铝DBC基板2与IGBT芯片和FWD芯片3及辅助电极引线之间采用超声压焊高纯铝丝5进行电联接；壳盖6扣设在外壳底板1上。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非是对本实用新型作其它形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本实用新型技术方案的保护范围。
Claims (6)
1.一种IGBT半桥电路，包括一外壳底板、一壳盖，其特征在于：在所述外壳底板上设置一氮化铝DBC基板，在所述氮化铝DBC基板上设置一IGBT芯片和FWD芯片；所述氮化铝DBC基板与主电极引线之间采用真空烧结的一连接桥进行电联接，所述氮化铝DBC基板与所述IGBT芯片和FWD芯片及辅助电极引线之间采用高纯铝丝进行电联接；所述壳盖扣设在所述外壳底板上。
2.根据权利要求1所述的IGBT半桥电路，其特征在于：所述氮化铝DBC基板真空烧结在外壳底板上。
3.根据权利要求2所述的IGBT半桥电路，其特征在于：所述外壳底板为钼铜材料。
4.根据权利要求1至3任一所述的IGBT半桥电路，其特征在于：所述IGBT芯片和FWD芯片真空烧结在所述氮化铝DBC基板上。
5.根据权利要求4所述的IGBT半桥电路，其特征在于：所述连接桥为一无氧铜导带。
6.根据权利要求5所述的IGBT半桥电路，其特征在于：所述高纯铝丝与氮化铝DBC基板、所述IGBT芯片和FWD芯片及辅助电极引线之间采用超声压焊工艺进行焊接。
Priority Applications (1)
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| CN201621115445.5U CN206099739U (zh) | 2016-10-12 | 2016-10-12 | 一种igbt半桥电路 |
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| CN201621115445.5U CN206099739U (zh) | 2016-10-12 | 2016-10-12 | 一种igbt半桥电路 |
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Family
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Family Applications (1)
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| CN201621115445.5U Active CN206099739U (zh) | 2016-10-12 | 2016-10-12 | 一种igbt半桥电路 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108831865A (zh) * | 2018-10-10 | 2018-11-16 | 常州江苏大学工程技术研究院 | 一种igbt封装模块及其连接桥 |
| CN110767645A (zh) * | 2019-10-25 | 2020-02-07 | 苏师大半导体材料与设备研究院(邳州)有限公司 | 一种混合集成电路模块及其制造方法 |
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2016
- 2016-10-12 CN CN201621115445.5U patent/CN206099739U/zh active Active
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