CN203746828U - 一种高频大功率碳化硅mosfet模块 - Google Patents
一种高频大功率碳化硅mosfet模块 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203746828U CN203746828U CN201420045476.2U CN201420045476U CN203746828U CN 203746828 U CN203746828 U CN 203746828U CN 201420045476 U CN201420045476 U CN 201420045476U CN 203746828 U CN203746828 U CN 203746828U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chip
- power
- carborundum
- mosfet
- shell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 89
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 55
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims abstract description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 8
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 4
- 238000010992 reflux Methods 0.000 claims description 4
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910007637 SnAg Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 abstract 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 3
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000013017 mechanical damping Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Inverter Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
一种高频大功率碳化硅MOSFET模块，它包括散热基板、壳体，封装于壳体内的电路结构，壳体包括外壳和盖于外壳上的外盖，电路结构包括功率端子、信号端子、绝缘陶瓷基板、碳化硅mosfet芯片、碳化硅SBD芯片；所述绝缘陶瓷基板通过高温回流焊接到散热基板上，在绝缘陶瓷基板上焊接有碳化硅mosfet芯片和碳化硅SBD芯片，碳化硅mosfet芯片、碳化硅SBD芯片与绝缘陶瓷基板上刻蚀的电路结构连接起来，并通过铝线将碳化硅mosfet芯片、碳化硅SBD芯片相互之间连接起来，至少三个功率端子焊接在绝缘陶瓷基板的对应位置上；所述壳体包括外壳和盖于外壳上的外盖，所述外壳通过密封胶与散热基板的外侧部分粘结在一起，壳体内部灌有硅凝胶，所述外盖和外壳之间通过螺丝紧固在一起；它具有高温、高频、大功率等优势，可应用于开关频率超过500kHz、输出功率超过100kW应用领域。
Description
技术领域
本实用新型涉及的是一种高频大功率碳化硅MOSFET模块，属于半导体模块封装技术领域。
技术背景
高频大功率半导体模块主要应用于电能转换的应用场合，如：感应加热、逆变焊机、UPS、电解电镀电源等，传统大功率半导体模块主要包括：IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、功率MOSFET（场效应晶体管）、晶闸管以及功率二极管等，功率半导体模块是将以上功率半导体芯片封装成各种电路基本单元，应用于电力电子系统功率回路。
目前对于大功率器件开关频率高达100kHz以上的应用，一般使用硅基高压mosfet器件或硅基coolmos器件，而传统的IGBT器件一般只适用于开关频率低于100kHz的应用领域。目前利用硅基高压mosfet和硅基coolmos设计的高频系统因为器件本身的损耗较高、最高可允许工作结温不超过175度、价格昂贵、需要多片分立器件并联以提供大电流输出等诸多原因，导致电力电子高频系统频率做到500kHz就难以再继续提升，同时面临系统效率低、体积大等缺点。
当前以碳化硅mosfet和碳化硅SBD为代表的新一代宽禁带半导体器件取得突破，业界已经有600V和1200V的碳化硅mosfet和SBD分离器件可供客户选用，但因为分离器件不适合应用于大功率系统，如存在需要大量并联、器件间连线复杂、寄生参数大、安装拆换复杂、系统可靠性低、参数一致性难以控制等问题，致使碳化硅器件难以应用于大功率高频高压系统中，目前唯一的解决办法是解决碳化硅芯片的模块设计问题，为用户提供高集成度、高压、高频、大电流的模块产品，可以从根本上解决高频系统面临的诸多问题，大幅提升系统性能。
碳化硅器件模块着重需要解决的技术问题主要有：低寄生电感设计以满足高频要求，高温封装材料及封装工艺的开发。
目前电力电子行业使用量最大的功率模块封装仍然采用的是34mm、62mm宽度的封装结构，该模块结构具有30mm高度，这种类型的功率模块功率密度不高，其内部功率回路的寄生电感较大，无法适应某些应用领域对高功率密度和低寄生电感的要求，故本专利提出使用新型的16mm紧凑型低寄生电感封装以解决该问题，模块内部采用低寄生电感功率回路设计，同时模块内部选用高温封装材料，如：硅凝胶、焊料、密封胶等，要求以上材料可以承受200度以上连续工作，如此碳化硅模块可以充分发挥宽禁带半导体器件的高工作结温的优势。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术存在的不足，而提供一种具有高温、高频、大功率的优势，可应用于开关频率超过500kHz、输出功率超过100kW应用领域的紧凑型高频大功率碳化硅MOSFET模块。
本实用新型的目的是通过如下技术方案来实现的：所述的高频大功率碳化硅MOSFET模块，它包括散热基板、壳体，封装于壳体内的电路结构，壳体包括外壳和盖于外壳上的外盖，电路结构包括功率端子、信号端子、绝缘陶瓷基板、碳化硅mosfet芯片、碳化硅SBD芯片；所述绝缘陶瓷基板通过高温回流焊接到散热基板上，在绝缘陶瓷基板上焊接有碳化硅mosfet芯片和碳化硅SBD芯片，碳化硅mosfet芯片、碳化硅SBD芯片与绝缘陶瓷基板上刻蚀的电路结构连接起来，并通过铝线将碳化硅mosfet芯片、碳化硅SBD芯片相互之间连接起来，至少三个功率端子焊接在绝缘陶瓷基板的对应位置上。
所述壳体包括外壳和盖于外壳上的外盖，所述外壳通过密封胶与散热基板的外侧部分粘结在一起，壳体内部灌有硅凝胶，所述外盖和外壳之间通过螺丝紧固在一起。
所述壳体内部封装的电路结构包含半桥电路结构，包括抑制mosfet体二极管形式和利用mosfet体二极管两种形式；所述半桥电路结构有三个功率端子引出壳体外部，所述碳化硅mosfet芯片上串联一片碳化硅SBD芯片，另在两者旁边反并联一片碳化硅SBD芯片；所述碳化硅mosfet芯片和碳化硅SBD芯片的栅极各串接一片以改善各并联芯片之间动态均流的贴片电阻。
所述碳化硅mosfet芯片和碳化硅SBD芯片的上表面之间采用铝线键合，碳化硅mosfet芯片和碳化硅SBD芯片对绝缘陶瓷基板的焊接采用PbSnAg或SnAu高温焊料；所述绝缘陶瓷基板采用SnAgCu或SnAg焊料与散热基板基板焊接；所述绝缘陶瓷基板上灌有玻璃化温度超过200度的硅凝胶，灌封的硅凝胶高度以将所有键合铝线浸没为准。
所述功率端子在模块外盖以上部分折成90度，外盖对应功率端子折弯后的安装孔处嵌有安装螺母；所述功率端子顶部与壳体内的散热基板底部距离，即模块的总高在15-18mm，优选16mm。
所述壳体内焊接有两块或四块绝缘陶瓷基板，所述绝缘陶瓷基板为三层结构，上下层均为高导无氧铜，中间层为Al2O3或AlN或Si3N4陶瓷层，该陶瓷层在将功率芯片产生的热量传到模块底部散热基板的同时，提供模块内部的电气部件对散热基板的绝缘，该绝缘陶瓷基板上刻蚀有可提供功率芯片之间互联的联接电路。
所述壳体的外壳上设置有用于安装信号端子的嵌孔，同时在外壳的四侧设置有用于和外盖通过螺丝紧固的螺母孔。
本实用新型主要解决的是开发高压、高频、高温的碳化硅功率半导体模块，解决相应的低寄生电感电路设计、高温封装材料选型及高工作结温封装工艺开发等问题；它具有高温、高频、大功率等优势，可应用于开关频率超过500kHz、输出功率超过100kW应用领域。
附图说明
图1为本实用新型的外部结构示意图。
图2为本实用新型的内部结构示意图。
图3为本实用新型的内部平面示意图。
图4为半桥模块的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步的说明。图1-5所示，本实用新型所述的高频大功率碳化硅MOSFET模块，它包括散热基板1、壳体，封装于壳体内的电路结构，壳体包括外壳2和盖于外壳上的外盖3，电路结构包括功率端子6、信号端子7、绝缘陶瓷基板9、碳化硅mosfet芯片10、碳化硅SBD芯片12、13；所述绝缘陶瓷基板9通过高温回流焊接到散热基板1上，在绝缘陶瓷基板9上焊接有碳化硅mosfet芯片10和碳化硅SBD芯片12、13，碳化硅mosfet芯片10、碳化硅SBD芯片12、13与绝缘陶瓷基板9上刻蚀的电路结构连接起来，并通过铝线将碳化硅mosfet芯片10、碳化硅SBD芯片12相互之间连接起来，至少3个功率端子6焊接在绝缘陶瓷基板9的对应位置上。
本实用新型所述的壳体包括外壳2和盖于外壳上的外盖3，所述外壳2通过密封胶与散热基板1的外侧部分粘结在一起，壳体内部灌有硅凝胶，所述外盖和外壳之间通过螺丝紧固在一起。
本实用新型所述壳体内部封装的电路结构包含半桥电路结构，包括抑制mosfet体二极管形式和利用mosfet体二极管两种形式；所述半桥电路结构有三个功率端子引出壳体外部，所述碳化硅mosfet芯片10上串联一片碳化硅SBD芯片12，另在两者旁边反并联一片碳化硅SBD芯片13，所述碳化硅mosfet芯片10和碳化硅SBD芯片12、13的栅极各串接一片贴片电阻以改善各并联芯片之间的动态均流。
所述碳化硅mosfet芯片10和碳化硅SBD芯片12、13上表面之间采用铝线键合，碳化硅mosfet芯片和碳化硅SBD芯片12、13对绝缘陶瓷基板的焊接采用PbSnAg或SnAu高温焊料；所述绝缘陶瓷基板采用SnAgCu或SnAg焊料与散热基板基板焊接；所述绝缘陶瓷基板上灌有玻璃化温度超过200度的硅凝胶，灌封的硅凝胶高度以将所有键合铝线浸没为准。
本实用新型所述功率端子6在模块外盖以上部分折成90度，外盖对应功率端子折弯后的安装孔处嵌有安装螺母；所述功率端子6顶部与壳体内的散热基板底部距离，即模块的总高在15-18mm，优选16mm。
所述壳体内焊接有两块或四块绝缘陶瓷基板，所述绝缘陶瓷基板为三层结构，上下层均为高导无氧铜，中间层为Al2O3或AlN或Si3N4陶瓷层，该陶瓷层在将功率芯片产生的热量传到模块底部散热基板的同时，提供模块内部的电气部件对散热基板的绝缘，该绝缘陶瓷基板9上刻蚀有可提供功率芯片之间互联的电路。
所述壳体的外壳上设置有用于安装信号端子的嵌孔，同时在外壳的四侧设置有用于和外盖通过螺丝紧固的螺母孔14。
实施例：如图所示，本实用新型主要包括：散热基板1、壳体，封装于壳体内的电路结构；所述壳体包括外壳2和盖于外壳上的外盖3，电路结构包括功率端子6、信号端子7、绝缘陶瓷基板9、碳化硅mosfet芯片10、碳化硅SBD芯片12、13；
绝缘陶瓷基板9通过高温回流焊接到散热基板1上，在绝缘陶瓷基板9上焊接有碳化硅mosfet芯片10和碳化硅SBD芯片12、13，碳化硅mosfet芯片10和碳化硅SBD芯片12、13与绝缘陶瓷基板9上刻蚀的电路结构连接起来，并通过铝线5将碳化硅mosfet芯片10和碳化硅SBD芯片12、13相互之间连接起来，至少三个功率端子6焊接在绝缘陶瓷基板9的对应位置上；
模块采用低高度（最佳16mm）设计以降低寄生电感提高开关频率，模块内部封装材料采用高温材料（焊料、硅凝胶、密封胶）和有利于高温工作的封装工艺（银浆烧结技术、扩散焊接技术、超声焊接技术及铝线键合技术）以充分利用碳化硅器件高工作结温优势。
注塑外壳2通过环氧密封胶与铜散热基板1的外侧部分粘结在一起，模块内部灌有硅凝胶，固化后对模块内部的功率芯片提供保护作用，避免来自外界环境的污染，
外盖3和外壳2之间通过螺丝紧固，功率端子6在模块外盖以上部分使用专利用工具折成90度，外盖对应功率端子折弯后的安装孔处嵌有安装螺母，这样模块的用户可以将外部电路与该功率端子通过螺丝紧固的方式连接在一起。
模块内部封装的电路结构主要为半桥电路结构，包括抑制mosfet体二极管形式和利用mosfet体二极管两种形式。
半桥模块的电路原理图见图4所示，外形见图1，它有三个功率端子引出到模块外部，模块内部封装成半桥电路结构。
该半桥模块散热底板底部到功率端子顶部的高度最合适为16mm，极低的模块高度有利于降低模块内部寄生电感，提供模块的开关频率。该系列模块的信号端子如图1所示分布在模块两侧，每个模块的总量不超过8个，功率端子的分布位置见图1，方便用户将模块连接到外部功率电路。
该系列模块的功率端子采用具有机械缓冲的结构，避免外界在安装等过程中所施加的力传递到功率端子的焊接部位，影响功率端子的可靠性。在模块内部一般焊接有2块或四块绝缘陶瓷基板，该类型绝缘陶瓷基板为三层结构，上下层均为高导无氧铜，中间层为Al2O3或AlN陶瓷层或Si3N4陶瓷层，该陶瓷层在将功率芯片产生的热量传到模块底部散热器的同时，提供模块内部的电气部件对散热器的绝缘，该绝缘陶瓷基板9上刻蚀有涉及的电路结构，提供功率芯片之间的互联。外壳上涉及有嵌孔用于安装信号端子，同时在外壳的四侧设计有螺母孔14，用于和外盖部分通过螺丝紧固。
此系列模块因为总高为16mm，相较于传统的30mm高度的模块，总高度减小了近一半，这样在模块内部可以减小功率的高度，体现在模块性能上就是减小了模块的功率回路寄生电感，在模块的高频应用中可以减小功率半导体器件关断时的电压过冲，有利于提高功率半导体模块的可靠性，是在传统封装系列上的改进。
Claims (7)
1.一种高频大功率碳化硅MOSFET模块，它包括散热基板、壳体，封装于壳体内的电路结构，壳体包括外壳和盖于外壳上的外盖，电路结构包括功率端子、信号端子、绝缘陶瓷基板、碳化硅mosfet芯片、碳化硅SBD芯片； 其特征在于所述绝缘陶瓷基板（9）通过高温回流焊接到散热基板（1）上，在绝缘陶瓷基板（9）上焊接有碳化硅mosfet芯片（10）和碳化硅SBD芯片（12、13），碳化硅mosfet芯片（10）、碳化硅SBD芯片（12、13）与绝缘陶瓷基板（9）上刻蚀的电路结构连接起来，并通过铝线将碳化硅mosfet芯片（10）、碳化硅SBD芯片（12、13）相互之间连接起来，至少三个功率端子（6）焊接在绝缘陶瓷基板（9）的对应位置上。
2.根据权利要求1所述的高频大功率碳化硅MOSFET模块，其特征在于壳体包括外壳（2）和盖于外壳上的外盖（3），所述外壳（2）通过密封胶与散热基板（1）的外侧部分粘结在一起，壳体内部灌有硅凝胶，所述外盖（3）和外壳（2）之间通过螺丝紧固在一起。
3.根据权利要求1或2所述的高频大功率碳化硅MOSFET模块，其特征在于所述壳体内部封装的电路结构包含半桥电路结构，包括抑制mosfet体二极管形式和利用mosfet体二极管两种形式；所述半桥电路结构有三个功率端子（6）引出壳体外部，所述碳化硅mosfet芯片（10）上串联一片碳化硅SBD芯片（12），另在两者旁边反并联一片碳化硅SBD芯片（13），所述碳化硅mosfet芯片和碳化硅SBD芯片的栅极均串接一片以改善各并联芯片之间动态均流的贴片电阻。
4.根据权利要求3所述的高频大功率碳化硅MOSFET模块，其特征在于所述碳化硅mosfet芯片（10）和碳化硅SBD芯片（12、13）的上表面之间采用铝线键合，碳化硅mosfet芯片（10）和碳化硅SBD芯片（12、13）对绝缘陶瓷基板（9）的焊接采用PbSnAg或SnAu高温焊料；所述绝缘陶瓷基板（9）采用SnAgCu或SnAg焊料与散热基板（1）焊接；所述绝缘陶瓷基板（9）上灌有玻璃化温度超过200度的硅凝胶，灌封的硅凝胶高度以将所有键合铝线浸没为准。
5.根据权利要求3所述的高频大功率碳化硅MOSFET模块，其特征在于所述功率端子（6）在模块外盖以上部分折成90度，外盖（3）对应功率端子折弯后的安装孔处嵌有安装螺母；所述功率端子（6）顶部与壳体内的散热基板（1）底部距离，即模块的总高在15-18mm。
6.根据权利要求3所述的高频大功率碳化硅MOSFET模块，其特征在于所述壳体内焊接有两块或四块绝缘陶瓷基板（9），所述绝缘陶瓷基板（9）为三层结构，上下层均为高导无氧铜，中间层为Al2O3或AlN或Si3N4陶瓷层，该陶瓷层在将功率芯片产生的热量传到模块底部散热基板（1）的同时，提供模块内部的电气部件对散热基板（1）的绝缘，该绝缘陶瓷基板（9）上刻蚀有可提供功率芯片之间互联的电路。
7.根据权利要求6所述的高频大功率碳化硅MOSFET模块，其特征在于所述壳体的外壳（2）上设置有用于安装信号端子的嵌孔，同时在外壳（2）的四侧设置有用于和外盖通过螺丝紧固的螺母孔（14）。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420045476.2U CN203746828U (zh) | 2014-01-24 | 2014-01-24 | 一种高频大功率碳化硅mosfet模块 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420045476.2U CN203746828U (zh) | 2014-01-24 | 2014-01-24 | 一种高频大功率碳化硅mosfet模块 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203746828U true CN203746828U (zh) | 2014-07-30 |
Family
ID=51346591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201420045476.2U Expired - Lifetime CN203746828U (zh) | 2014-01-24 | 2014-01-24 | 一种高频大功率碳化硅mosfet模块 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203746828U (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103794578A (zh) * | 2014-01-24 | 2014-05-14 | 嘉兴斯达微电子有限公司 | 一种高频大功率碳化硅mosfet模块 |
| CN105655307A (zh) * | 2016-03-09 | 2016-06-08 | 上海道之科技有限公司 | 一种均热板散热基板功率模块结构 |
| CN107946273A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-04-20 | 江苏宏微科技股份有限公司 | 一种插接功率模块封装装置 |
| CN113345871A (zh) * | 2021-04-25 | 2021-09-03 | 华中科技大学 | 一种低寄生电感串联功率模块 |
-
2014
- 2014-01-24 CN CN201420045476.2U patent/CN203746828U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103794578A (zh) * | 2014-01-24 | 2014-05-14 | 嘉兴斯达微电子有限公司 | 一种高频大功率碳化硅mosfet模块 |
| CN105655307A (zh) * | 2016-03-09 | 2016-06-08 | 上海道之科技有限公司 | 一种均热板散热基板功率模块结构 |
| CN107946273A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-04-20 | 江苏宏微科技股份有限公司 | 一种插接功率模块封装装置 |
| CN113345871A (zh) * | 2021-04-25 | 2021-09-03 | 华中科技大学 | 一种低寄生电感串联功率模块 |
| CN113345871B (zh) * | 2021-04-25 | 2022-09-13 | 华中科技大学 | 一种低寄生电感串联功率模块 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11139278B2 (en) | Low parasitic inductance power module and double-faced heat-dissipation low parasitic inductance power module | |
| CN102064158B (zh) | 一种紧凑型功率模块 | |
| CN103794578A (zh) | 一种高频大功率碳化硅mosfet模块 | |
| CN103311193B (zh) | 半导体功率模块封装结构及其制备方法 | |
| CN102201449B (zh) | 一种功率mos器件低热阻封装结构 | |
| CN203746828U (zh) | 一种高频大功率碳化硅mosfet模块 | |
| CN110246835B (zh) | 一种三维集成高压碳化硅模块封装结构 | |
| CN111916438B (zh) | 一种碳化硅维也纳整流器半桥模块的封装结构 | |
| CN201845769U (zh) | 一种紧凑型功率模块 | |
| CN105161477A (zh) | 一种平面型功率模块 | |
| CN103872013A (zh) | 功率模块封装 | |
| CN207165543U (zh) | 一种低寄生电感双面散热功率模块 | |
| CN107146775A (zh) | 一种低寄生电感双面散热功率模块 | |
| CN220155541U (zh) | 一种多芯片串联的igbt模块封装结构 | |
| CN209545454U (zh) | 智能功率模块及空调器 | |
| CN117080182A (zh) | GaN合封器件 | |
| CN114093856A (zh) | 一种多芯片并联的半桥型mosfet模块 | |
| CN103779343A (zh) | 功率半导体模块 | |
| CN202888153U (zh) | 带散热功能的覆金属陶瓷基板 | |
| CN206099739U (zh) | 一种igbt半桥电路 | |
| CN214705909U (zh) | 一种3d双面散热封装结构的功率模块 | |
| CN109887893B (zh) | 大功率ipm模块的先进封装结构及加工工艺 | |
| CN115116986A (zh) | 一种3d双面散热封装结构的功率模块 | |
| CN203746841U (zh) | 功率半导体模块 | |
| CN218735128U (zh) | 一种散热增强电机控制器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20171222 Address after: Jiaxing City, Zhejiang province 314006 Nanhu District Branch Road No. 988 Patentee after: STARPOWER SEMICONDUCTOR Ltd. Address before: Jiaxing City, Zhejiang province 314006 Ring Road No. 18 Sidalu Patentee before: JIAXING STARPOWER MICROELECTRONICS Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20140730 |
|
| CX01 | Expiry of patent term |