CN103311193B - 半导体功率模块封装结构及其制备方法 - Google Patents

Abstract

一种半导体功率模块的封装结构，包括：双列直插式封装外壳；覆铜陶瓷基板，其顶层包括第一引线焊盘、绝缘槽和焊接平台；至少一个功率驱动芯片，贴装在该覆铜陶瓷基板顶层的焊接平台上，引脚与第一引线焊盘相连；印刷电路板，其上布设辅助电路和第二引线焊盘，且贴装有至少一个变频控制芯片；该变频控制芯片的引脚与相应的第二引线焊盘连接；引线框架，包括负责功率驱动信号传输的第一侧连接管脚和负责变频控制信号传输的第二侧连接管脚，该第一侧连接管脚分别与第一引线焊盘和第二引线焊盘连接；第二侧连接管脚与相应的第二引线焊盘连接。本发明将功率驱动电路和变频控制电路封装在一起并具有较小的体积，便于用户使用、应用场合更广。

Description

半导体功率模块封装结构及其制备方法

技术领域

本发明涉及半导体芯片的封装技术，更具体地说，涉及一种半导体功率模块封装结构及其制备方法。

背景技术

功率半导体模块主要应用于电能转换的应用场合，如控制和监测设备、电机驱动和输变电等领域。功率驱动电路通常包括绝缘栅双极性晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，简称IGBT)、金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，简称MOSFET)、晶闸管和功率二极管等。

随着功率半导体模块性能的增加，智能功率模块中所含的芯片的数量在急剧增加，对大规模集成电路提出了更高的要求。评估功率半导体模块性能的优劣，不仅仅体现在电子电路的设计和连接技术方面，还体现在封装集成度和散热技术设计。根据封装集成度不同，功率半导体模块可分为标准模块、智能功率模块和(集成)子系统。智能功率模块的特点在于：在智能功率模块中，除了集成有功率半导体模块外，还需要集成有有控制驱动电路。例如，一种三相变频交流马达驱动器，其包括变频控制电路和IGBT功率驱动电路的组合，即需要集成三颗控制集成电路芯片和六颗IGBT芯片在一个封装结构中。本领域技术人员应该明白，该种功率半导体器件的开关和传导损耗会影响整个三相变频交流马达驱动器所需的尺寸和散热设计。

在现有的功率半导体模块制备工艺中，功率半导体模块采用双列直插形式封装(DualIn-linePackage，简称DIP)，封装后的功率半导体模块有负责芯片的信号导入导出的两排引脚，该两排引脚优化设计与引线框架有很大程度的关联性。这种引线框架需要同时处理两种信号(变频电路控制信号&功率驱动信号)。在现有技术中，考虑到功率半导体模块的散热性和生产难度，其引线框架引脚间的间距不可能作的很小，以至于容易使变频电路控制信号和功率驱动信号相互间产生影响。此外，功率半导体模块的支撑平台一般是用纯铜制的而且是一体的。现有技术的功率半导体模块封装结构和制备工艺具有如下缺点：

①、传统半导体功率器件的支撑平台一般是纯铜制的而且是一体的，无法在它的表面设计复杂的电路，同时也无法集成更多的芯片。如果要集成多个功率器件，只能先将单个的芯片，例如IGBT，封装好再通过外部辅助电路来实现，这样就会形成一个庞大的电路结构体积。

②、其散热片是芯片的G极，功率半导体模块在工作时，支撑平台(散热片)是带电的、不安全。

③、铜的膨胀系数是17×10^-6/℃，与硅(芯片主要成分)的膨胀系数3.2×10^-6/℃比，差别较大，使用过程中的热膨胀容易产生分层问题，影响功率半导体模块的寿命。

④、由于功率半导体模块的散热片与引线框架一同生产，一旦做成就定型，一种散热片绑定一种引线框架，不能够根据需求灵活组合，增加了设计和生产的难度。

因此，寻求满足功率半导体模块封装集成度和散热技术的要求，从而获得结构简单、体积较小的可驱动三相变频AC电动机的功率半导体模块封装结构，是目前功率半导体模块研发领域的迫切目标之一。

发明内容

本发明的目的在于提供一种功率半导体模块，通过在覆铜陶瓷基板(Directbondingcopper，简称DBC)上集成多颗功率驱动芯片和变频控制电路且封装在一个封装结构中，同时满足功率半导体模块封装集成度和散热技术的要求，从而使功率半导体模块的应用场合更广。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种半导体功率模块的封装结构，包括：双列直插式封装外壳；覆铜陶瓷基板，包括铜底层、氧化铝陶瓷中间层和具有蚀刻图案的铜顶层；该顶层包括第一引线焊盘、绝缘槽和焊接平台，该焊接平台和第一引线焊盘以绝缘槽相隔开；至少一个功率驱动芯片，用于产生功率驱动信号，该功率驱动芯片贴装在该覆铜陶瓷基板顶层的焊接平台上，功率驱动芯片的引脚与相应的第一引线焊盘以铝线键合工艺连接；印刷电路板，其上布设辅助电路和第二引线焊盘，且贴装有至少一个变频控制芯片，该变频控制芯片用于产生变频控制信号；该变频控制芯片分别与相应的第二引线焊盘和辅助电路以金线键合工艺连接；引线框架，包括分别位于该封装外壳两侧的第一侧连接管脚和第二侧连接管脚，该第一侧连接管脚负责功率驱动信号传输，第二侧连接管脚负责变频控制信号传输；其中，该第一侧连接管脚分别与第一引线焊盘和第二引线焊盘以铝线键合工艺连接，该第二侧连接管脚与相应的第二引线焊盘连接，其中，所述印刷电路板位于所述双列直插式封装外壳内。

优选地，覆铜陶瓷基板的铜底层和具有蚀刻图案的顶层的厚度为0.3mm，氧化铝陶瓷中间层的厚度为1mm。

优选地，绝缘槽宽度为0.3至0.8mm。

优选地，引线框架的厚度为0.5mm。

优选地，所述功率驱动芯片G极与相应的所述第一引线焊盘电性相连。

优选地，所述印刷电路板的镀金厚度为0.3至1.0um。

优选地，本发明上述功率模块封装结构中，功率模块芯片为绝缘栅双极性晶体管、场效应晶体管、晶闸管或功率二极管。

优选地，所述功率模块为三相变频交流电动机驱动模块，所述三相变频交流电动机驱动模块包括六块所述功率驱动芯片，三块所述变频控制芯片。

优选地，所述的封装外壳所用材料不含卤族元素。

为实现上述目的，本发明的又一技术方案如下：

一种制备上述的半导体功率模块封装结构的方法，其包括如下步骤：

步骤1：将刷好锡膏的覆铜陶瓷基板和引线框架一起放到夹具中，且通过回流焊，将引线框架与所述覆铜陶瓷基板顶层上相应的第一引线焊盘焊接在一起；

步骤2：在所述覆铜陶瓷基板上相应的焊接区域刷上锡膏，将所述功率驱动芯片贴装到所述覆铜陶瓷基板顶层的焊接平台上；

步骤3：在所述印刷电路板相应的区域刷上锡膏，将辅助电路贴装到所述印刷电路板上；

步骤4：将已焊接有所述覆铜陶瓷基板的引线框架和刷好锡膏的印刷电路板一同放到回流焊夹具中，通过真空回流焊工艺将所述印刷电路板焊接到所述引线框架上以及将所述引线框架的第二侧连接管脚与所述印刷电路板上相应的第二引线焊盘的引脚焊接连接；

步骤5：将所述变频控制芯片贴装到所述印刷电路板上相应的位置；

步骤6：将所述功率驱动芯片的引脚分别与覆铜陶瓷基板上的第一引线焊盘、所述印刷电路板上的第二引线焊盘以铝线键合工艺连接，再将所述引线框架第一侧连接管脚分别与第一引线焊盘、第二引线焊盘以铝线键合工艺连接；

步骤7：将所述变频控制芯片与所述印刷电路板上的第二引线焊盘以金线键合工艺连接；

步骤8：以双列直插式封装外壳进行模封工艺，将负责功率驱动信号传输的第一侧连接管脚和负责变频控制信号传输的第二侧连接管脚分别封装在所述封装外壳的两侧，并依次进行电镀工艺、打印工艺、切筋成型工艺，以形成功率模块封装结构。

优选地，所述夹具定位尺寸精度的误差小于等于0.01mm。

优选地，在所述的步骤4和步骤5之间还包括将焊接到所述引线框架上的所述印刷电路板产品上所残留的助焊剂清洗干净的步骤。

从上述技术方案可以看出，本发明通过在DBC上将多颗功率驱动芯片和变频控制芯片集成在一个微型模封体中；同时将DBC上表面的铜箔蚀刻成相应的应用图案，使得DBC在具有支撑和散热功能的同时，确保了多颗功率驱动芯片和变频控制芯片之间的电路不会相互影响。

尤其值得一提的是，DBC中氧化铝陶瓷的线性膨胀系数(7.3×10^-6/℃)接近硅(芯片的主要成分)的膨胀系数(3.2×10^-6/℃)，从而减少使用中热膨胀造成的管理半导体模块分层问题，不仅提高了模块使用寿命且使一款DBC可以和多款不同的引线框架分别组合，提升了原材料的利用率，大大缩小了功率半导体模块的物理体积、节省了其占用空间，从而扩大了功率半导体模块的应用领域。

附图说明

图1为本发明实施例中覆铜陶瓷基板的三层结构示意图；

图2为本发明实施例中覆铜陶瓷基板上表面电路图案的示意图；

图3为本发明一具体实施例中用于驱动三相变频交流马达驱动模块封装结构的分布示意图；

图4为本发明的功率模块封装结构引线框架具体实施例的示意图；

图5为本发明实施例中的功率模块封装结构的制备方法示意图。

具体实施方式

下面结合附图1-4，对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。

本发明所提供的基于覆铜陶瓷基板的功率半导体模块封装结构，适用于任何一种包括多颗功率驱动芯片和变频控制芯片集成于具有紧凑的物理体积和细小外形尺寸的功率半导体模块封装结构中。在介绍本发明之前，先简要介绍一下覆铜陶瓷基板。

覆铜陶瓷基板是将铜箔在高温下直接键合到陶瓷基片上下表面而制成的，具有电绝缘性能、高导热特性和高机械强度等性能，其不仅具有优异的软钎焊性和高的附着强度，而且，热膨胀系数接近硅，是很理想的基板材料，可像印制电路板(printedcircuitboard，简称PCB)一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力。

请参阅图1，图1为本发明实施例中覆铜陶瓷基板三层结构示意图。如图1所示，该覆铜陶瓷基板10包括主要起散热作用的铜底层103、起绝缘和散热作用的陶瓷中间层102和作为芯片载体且具有蚀刻图案的铜顶层101。其中，陶瓷中间层102的材料一般为氧化铝(AL₂Q₃)或氮化铝(ALN)。

请参阅图2，图2为本发明实施例中覆铜陶瓷基板上表面电路图案的示意图。如图所示，铜顶层101包括第一引线焊盘113、绝缘槽112和焊接平台111，其中，焊接平台111和第一引线焊盘113以绝缘槽112相隔开。通常可以根据需要，在DBC的铜顶层101上设计不同的电路，即通过在DBC上集成功率驱动芯片，实现将功率电路集成在微型模封体中的目的。

应用DBC作为功率驱动芯片11的支撑平台的一个优势在于，实现了将多块功率驱动芯片11(例如，IGBT)直接模封在同一个模封体中，以较小体积的优势扩大了功率半导体模块的应用场合。同时，将DBC铜顶层101的铜箔蚀刻成相应的应用图案，使得DBC在具有支撑和散热功能的同时兼顾部分功率驱动芯片11内部电路的导通作用，并可以确保多个功率驱动芯片11之间的电路不会相互影响。

应用DBC作为功率驱动芯片11的支撑平台，进而形成一个功率半导体模块封装结构，其另一个优势在于，一款DBC可以和多款不同的引线框架14分别组合，从而提升了原材料的利用率。

应用DBC作为功率驱动芯片11的支撑平台的再一个优势在于，因DBC的氧化铝陶瓷的线性膨胀系数(7.3×10^-6/℃)接近硅(芯片的主要成分)的膨胀系数(3.2×10^-6/℃)，从而减少使用中热膨胀造成的功率半导体模块分层问题，提高了功率半导体模块使用寿命。

下面以一种功率半导体(三相变频交流马达驱动)模块封装结构为例进行详细说明。该种功率半导体模块封装结构集成了三颗变频控制芯片和六颗功率驱动芯片，其将传统的复杂变频驱动组件集成在一个细小的模封体中，从而作为一款结构紧凑、高性能的变频交流马达驱动器被广泛应用在各种节能家用电器上，例如：变频冰箱、变频空调、变频洗衣机等。其它的功率半导体模块封装结构，只是其内部的变频控制芯片和功率驱动芯片的数量不同而已，其封装结构的原理相同，在此不再一一进行赘述。

请参阅图3，图3为本发明一具体实施例中用于驱动三相变频交流马达驱动模块封装结构的分布示意图。如图所示，该功率半导体模块封装结构具体包括覆铜陶瓷基板10、六颗功率驱动芯片11、印刷电路板12、三颗变频控制芯片13和引线框架14。其中，六颗功率驱动芯片11贴装在该覆铜陶瓷基板10顶层的焊接平台101上，辅助电路和三颗变频控制芯片13布设在印刷电路板12上；引线框架14分别与覆铜陶瓷基板10、功率驱动芯片11、印刷电路板12、变频控制芯片13连接，用于实现对功率驱动信号和变频控制信号的导入、导出。

在本实施例中，覆铜陶瓷基板10的铜底层103和具有蚀刻图案的铜顶层101的厚度可以为0.3mm，氧化铝陶瓷中间层102的厚度可以为1mm；绝缘槽112宽度可以为0.3至0.8mm。

本发明功率模块封装结构中的功率驱动芯片11，用于产生功率驱动信号，该功率驱动芯片11贴装在覆铜陶瓷基板10顶层101的焊接平台111上。铜顶层101具有六个焊接平台111，每个焊接平台111贴装有一颗功率驱动芯片11，功率驱动芯片11的引脚与覆铜陶瓷基板10顶层101的第一引线焊盘113以引线键合工艺连接，所用的键合材料为铝。功率驱动芯片G极与第一引线焊盘113电性相连，再通过DBC正面的电路传导到引线框架14的第一侧连接管脚141，而使DBC底面(暴露在模封体外面做散热用)不带电，使用时更安全。

根据本发明的实施例，功率驱动芯片11为绝缘栅双极性晶体管、场效应晶体管、晶闸管或功率二极管。

功率模块封装结构中的印刷电路板12上布设辅助电路和第二引线焊盘，且贴装有至少一个变频控制芯片13，该变频控制芯片13用于产生变频控制信号；变频控制芯片13的引脚分别与相应的第二引线焊盘和辅助电路以金线键合工艺连接。为了提高印刷电路板表面焊盘镀金厚度、优化电镀工艺，使印刷电路板12表面焊盘具备引线键合能力，从而实现将半导体引线键合技术(金线键合和铝线键合)直接应用到印刷电路板区域，需加厚印刷电路板12表面焊盘的镀金厚度。在本发明的实施例中，印刷电路板12表面焊盘镀金厚度0.3至1.0um，这样能很好地将变频控制芯片13的引脚和功率驱动芯片11的引脚以引线键合工艺连接到第二引线焊盘上，键合材料为金。

上述功率半导体模块的封装集成可以采用任何一种封装形式，在本发明的实施例中采用双列直插式封装(DualIn-linePackage，简称DIP)外壳(图未示)。

请参阅图4，图4为本发明的功率模块封装结构引线框架具体实施例的示意图。如图所示，引线框架14包括第一侧连接管脚141和第二侧连接管脚142，分别位于双列直插式封装外壳的两侧。其中，第一侧连接管脚141负责变频控制信号的传输，第二侧连接管脚142负责功率驱动信号的传输。这样，不仅功率电路集成在同一DBC上并不相互影响，同时也做到了连接管脚功能区的划分清晰，以及方便了终端用户使用。

具体地，第一侧连接管脚141分别与第一引线焊盘113和第二引线焊盘以铝线键合工艺连接，第二侧连接管脚142与相应的第二引线焊盘焊接连接。设计合理的引线框架14的厚度，使其可以较方便地同时处理变频控制信号和功率驱动信号。在本发明的实施例中，引线框架的厚度可以为0.4-0.6mm，优选地，可以为0.5mm。

本发明的功率模块封装结构长为44.4mm、宽为22mm、高为11.67mm；与现有技术中的三相变频交流电动机驱动器相比，本发明的功率模块封装结构将变频控制电流和功率驱动电路封装在一个结构紧凑的封装结构中，并将功率驱动信号的传输、变频控制信号传输分置于该封装结构引脚的两侧，拓宽了其应用场合，更便于用户使用。另外，本发明的封装外壳所用材料中不含卤族元素，为绿色环保材料。

由上述可以看出，使用印刷电路板12作为变频控制芯片13的支撑平台，实现将多个变频控制芯片13直接键合在同一块印刷电路板12上，同时通过印刷电路板12上的辅助电路实现变频控制芯片13信号的传输，并可以确保芯片之间的电路不会相互影响。

另外，本发明功率模块封装结构的印刷电路板12位于整块封装结构的内部，可以避免印刷电路板12以及板上的元器件受到外界环境的影响，从而提高元器件的使用寿命。

请参阅图5，如图5所示，本发明还提供了一种制造上述功率模块封装结构的方法，包括如下步骤：

步骤S201、将DBC与引线框架14焊接在一起。其具体包括：

在DBC上刷锡膏，将刷好锡膏的DBC和引线框架14一起放到夹具中，夹具专为本产品设计，通过回流焊，将DBC和引线框架14上相应的第一引线焊盘113焊接在一起。

根据本发明上述功率模块封装结构的制备方法的较佳实施例，专用夹具需要较高的精度，其定位尺寸精度的误差小于等于0.01mm。

步骤S202、将功率驱动芯片11贴装到DBC上。其具体包括：

在DBC上相应的区域刷上锡膏，把功率驱动芯片11按分布要求贴装到DBC上顶层101的焊接平台111上。

步骤S203、将辅助元器件贴装到印刷电路板12上。其具体包括：

在印刷电路板12上相应的区域刷上锡膏，把辅助元器件按分布要求贴装到印刷电路板12上以形成辅助电路。

步骤S204、将带有辅助电路的印刷电路板12焊接到引线框架14上。其具体包括：

在带有辅助电路的印刷电路板12上相应的将与引线框架14相连的第二引线焊盘上刷上锡膏，把已焊接有DBC的引线框架14和印刷电路板12一同放到回流焊夹具中，通过真空回流焊工艺将带有辅助电路的印刷电路板12焊接到引线框架14上以及将引线框架14的第二侧连接管脚142与印刷电路板12上相应的第二引线焊盘的引脚焊接连接。

步骤S205、将焊接到引线框架14上的印刷电路板12上所残留的助焊剂清洗干净。

步骤S206、将变频控制芯片13贴装到印刷电路板12上相应的位置。

步骤S207、采用引线键合工艺，将功率驱动芯片11的引脚分别与DBC上的第一引线焊盘113、印刷电路板12上相应的第二引线焊盘连接，再将引线框架14的第一侧连接管脚141分别与第一引线焊盘113、第二引线焊盘连接，键合材料为铝线。

步骤S208、采用引线键合工艺，将变频控制芯片13与印刷电路板12上相应的第二引线焊盘连接，键合材料为金线。

步骤S209、以双列直插式封装外壳进行模封工艺，将负责功率驱动信号传输的第一侧连接管脚和负责变频控制信号传输的第二侧连接管脚分别封装在所述封装外壳的两侧，并依次进行电镀工艺、打印工艺、切筋成型工艺，最终形成本发明所述的功率模块封装结构。

以上所述的仅为本发明的优选实施例，所述实施例并非用以限制本发明的专利保护范围，因此凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本发明的保护范围内。

Claims (13)

1.一种半导体功率模块的封装结构，包括：

双列直插式封装外壳；

覆铜陶瓷基板，包括铜底层、氧化铝陶瓷中间层和具有蚀刻图案的铜顶层；所述铜顶层包括第一引线焊盘、绝缘槽和焊接平台，所述焊接平台和第一引线焊盘以所述绝缘槽相隔开；

至少一个功率驱动芯片，用于产生功率驱动信号，所述功率驱动芯片贴装在所述覆铜陶瓷基板顶层的焊接平台上，所述功率驱动芯片的引脚与相应的第一引线焊盘以铝线键合工艺连接；

印刷电路板，其上布设辅助电路和第二引线焊盘，且贴装有至少一个变频控制芯片，所述变频控制芯片用于产生变频控制信号；所述变频控制芯片的引脚分别与相应的第二引线焊盘和辅助电路以金线键合工艺连接；

引线框架，包括分别位于所述封装外壳两侧的第一侧连接管脚和第二侧连接管脚，所述第一侧连接管脚负责功率驱动信号传输，第二侧连接管脚负责变频控制信号传输；其中，所述第一侧连接管脚分别与第一引线焊盘和第二引线焊盘以铝线键合工艺连接，所述第二侧连接管脚与相应的第二引线焊盘焊接连接；

其中，所述印刷电路板位于所述双列直插式封装外壳内。

2.如权利要求1所述的半导体功率模块封装结构，其特征在于，所述覆铜陶瓷基板的铜底层和具有蚀刻图案的铜顶层的厚度均为0.3mm，所述氧化铝陶瓷中间层的厚度为1mm。

3.如权利要求1所述的半导体功率模块封装结构，其特征在于，所述绝缘槽的宽度为0.3至0.8mm。

4.如权利要求1所述的半导体功率模块封装结构，其特征在于，所述引线框架的厚度为0.5mm。

5.如权利要求1所述的半导体功率模块封装结构，其特征在于，所述功率驱动芯片G极与相应的所述第一引线焊盘电性相连。

6.如权利要求1所述的半导体功率模块封装结构，其特征在于，所述印刷电路板的镀金厚度为0.3至1.0um。

7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体功率模块封装结构，其特征在于，所述功率驱动芯片为绝缘栅双极性晶体管、场效应晶体管或晶闸管。

8.如权利要求7所述的半导体功率模块封装结构，其特征在于，所述功率模块为三相变频交流电动机驱动模块，所述三相变频交流电动机驱动模块包括六块所述功率驱动芯片，三块所述变频控制芯片。

9.如权利要求8所述的半导体功率模块封装结构，其特征在于，所述的封装外壳所用材料不含卤族元素。

10.如权利要求1至4或6中任一项所述的半导体功率模块封装结构，其特征在于，所述功率驱动芯片为功率二极管。

11.一种制备如权利要求1所述的半导体功率模块封装结构的方法，其包括如下步骤：

步骤1：将刷好锡膏的覆铜陶瓷基板和引线框架一起放到夹具中，且通过回流焊，将引线框架与所述覆铜陶瓷基板顶层上相应的第一引线焊盘焊接在一起；

步骤2：在所述覆铜陶瓷基板上相应的焊接区域刷上锡膏，将所述功率驱动芯片贴装到所述覆铜陶瓷基板顶层的焊接平台上；

步骤3：在所述印刷电路板相应的区域刷上锡膏，将辅助电路贴装到所述印刷电路板上；

步骤4：将已焊接有所述覆铜陶瓷基板的引线框架和刷好锡膏的印刷电路板一同放到回流焊夹具中，通过真空回流焊工艺将所述印刷电路板焊接到所述引线框架上以及将所述引线框架的第二侧连接管脚与所述印刷电路板上相应的第二引线焊盘的引脚焊接连接；

步骤5：将所述变频控制芯片贴装到所述印刷电路板上相应的位置；

步骤6：将所述功率驱动芯片的引脚分别与覆铜陶瓷基板上的第一引线焊盘、所述印刷电路板上的第二引线焊盘以铝线键合工艺连接，再将所述引线框架的第一侧连接管脚分别与第一引线焊盘、第二引线焊盘以铝线键合工艺连接；

步骤7：将所述变频控制芯片与所述印刷电路板上的第二引线焊盘以金线键合工艺连接；

步骤8：以双列直插式封装外壳进行模封工艺，将负责功率驱动信号传输的第一侧连接管脚和负责变频控制信号传输的第二侧连接管脚分别封装在所述封装外壳的两侧，并依次进行电镀工艺、打印工艺、切筋成型工艺，以形成功率模块封装结构。

12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述夹具定位尺寸精度的误差小于等于0.01mm。

13.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，在所述的步骤4和步骤5之间还包括将焊接到所述引线框架上的所述印刷电路板产品上所残留的助焊剂清洗干净的步骤。