CN102130021A - 碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块 - Google Patents

碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块 Download PDF

Info

Publication number
CN102130021A
CN102130021A CN2011100005196A CN201110000519A CN102130021A CN 102130021 A CN102130021 A CN 102130021A CN 2011100005196 A CN2011100005196 A CN 2011100005196A CN 201110000519 A CN201110000519 A CN 201110000519A CN 102130021 A CN102130021 A CN 102130021A
Authority
CN
China
Prior art keywords
molybdenum
silicon carbide
molybdenum plate
lead
carborundum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011100005196A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102130021B (zh
Inventor
丁荣军
罗海辉
雷云
李继鲁
吴煜东
刘国友
彭勇殿
张明
温家良
金锐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
China Electric Power Research Institute Co Ltd CEPRI
Zhuzhou CRRC Times Electric Co Ltd
Original Assignee
Zhuzhou CSR Times Electric Co Ltd
China Electric Power Research Institute Co Ltd CEPRI
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhuzhou CSR Times Electric Co Ltd, China Electric Power Research Institute Co Ltd CEPRI filed Critical Zhuzhou CSR Times Electric Co Ltd
Priority to CN201110000519A priority Critical patent/CN102130021B/zh
Publication of CN102130021A publication Critical patent/CN102130021A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102130021B publication Critical patent/CN102130021B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thyristors (AREA)

Abstract

本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，在引线上设置一压环，压环内放置弹簧，弹簧压接引线，收集引线并引出；用环氧树脂将钼板、氮化硅隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。本发明还公开一种碳化硅功率模块。本发明可使碳化硅功率模块在大功率、高温工作条件下具有较高的可靠性，较强的热循环能力。

Description

碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块
技术领域
本发明涉及碳化硅功率器件封装领域，特别是涉及一种碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块。
背景技术
功率半导体器件广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、工业控制、汽车电子、机车牵引、钢铁冶炼、大功率电源、电力系统等领域，除了保证这些设备的正常运行以外，功率器件还能起到有效的节能作用，在发展低碳经济、节能减排、控制气候变暖等方面不可或缺。
传统的硅基功率器件受制于硅材料所固有的物理属性的限制，在高频高功率应用领域已经遇到了难以克服的困难。在这种情况下，基于碳化硅的功率器件脱颖而出，凭借碳化硅材料击穿电场强度高、热稳定性好、载流子饱和漂移速度高和热导率高等特点，可大幅降低逆变器及变频器等电力转换类器件的能量损失和体积重量。可以预见，碳化硅功率器件将在未来能源系统中扮演越来越重要的角色。自从碳化硅功率肖特基二极管问世以来，围绕碳化硅功率器件的开发和应用日趋活跃，高品质、大直径的碳化硅衬底和大幅改善的元件接连亮相，并成功应用于开关模式电源、燃料电动车逆变器、空调变频器和太阳能发电系统等领域。
碳化硅功率模块的封装按管芯或芯片的组装工艺及安装固定方法的不同，主要分为压接结构、焊接结构、直接敷铜基板结构等。压接式结构采用平板型或螺栓型封装的管芯压接互连技术，电接触依靠内外部施加压力实现，较好地解决了热疲劳稳定性问题，可制作大电流、高功率密度的功率模块。但是这种封装方式对管芯、压块、底板等零部件平整度要求很高，否则不仅将增大模块的接触热阻，而且会损伤芯片，严重时芯片会碎裂。这些问题在多芯片并联压接封装的情况下尤为严重。
由于碳化硅在晶体生长过程中形成微管和其它缺陷的问题至今尚未彻底解决，制造大电流碳化硅分立器件所需要的大尺寸晶片还难以得到。为了使碳化硅功率器件能在大电流条件下工作，必须将多个碳化硅芯片并联封装。碳化硅功率器件的工作温度可达600℃，远高于硅功率器件的150℃。碳化硅功率器件的高温工作能力不仅使其在实际应用中充分发挥高频高功率的优势，而且降低了对系统热预算的要求。但是，传统的并联封装技术采用焊接合金把器件的一个端面贴合在衬板上，另外的端面与铝线或金线键合在一起。这种方法在大功率、高温工作条件下缺乏可靠性，热循环能力差，而且不具备足够的机械强度。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是一种碳化硅功率模块的封装方法，该封装方法可使碳化硅功率模块在大功率、高温工作条件下具有较高的可靠性，较强的热循环能力。
本发明一种碳化硅功率模块的封装方法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，在引线上设置一压环，压环内放置弹簧，弹簧压接引线，收集引线并引出；用环氧树脂将钼板、氮化硅隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。
优选的，在安装底座、管壳和管盖之前，还包括：在环氧树脂与钼板、氮化硅隔离层和碳化硅芯片的接触面填充硅胶。
优选的，打磨钼板的阴极面，使钼板的阴极面平整并与钼板阳极面平行。
优选的，在碳化硅芯片上焊接钼块时，使用Au-20％Ge作为焊料。
优选的，收集引线并引出具体为：在钼板中央收集引线并引出，引线引出之后采用套环绝缘。
优选的，管壳材料为柯阀合金，与瓷环的匹配封接成圆环形。
优选的，所述封装为使用冷压焊密封。
本发明还提供一种碳化硅功率模块，该封装方法可使碳化硅功率模块在大功率、高温工作条件下具有较高的可靠性，较强的热循环能力。
本发明一种碳化硅功率模块，碳化硅芯片焊接在钼板的阳极钼片和阴极钼片之间，碳化硅芯片的外周为氮化铝隔离层；碳化硅芯片上设有钼块，门极引线从钼块的门极引线槽内引出，由内置弹簧的压环固定；环氧树脂填充在钼板、氮化铝隔离层及碳化硅芯片上，外周分别安装有底座、管壳和管盖。
优选的，环氧树脂与钼板、氮化硅隔离层和碳化硅芯片的接触面填充有硅胶。
优选的，所述钼板的阴极面平整并与钼板阳极面平行。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
本发明通过合理的封装材料和结构选择避免了模块承受过大的热冲击和热膨胀失配。本发明在碳化硅芯片和氮化铝隔壁层的热膨胀系数非常相近，有效避免热膨胀失配。氮化铝隔离层和钼板都具有高的热导率，利于碳化硅芯片的散热，避免碳化硅芯片承受过大的热冲击。这样保证碳化硅功率模块能在250℃的高温下工作。
本发明通过高温环氧树脂整体成型和单面研磨的办法解决了多芯片并联压装的受力不均匀问题，提高碳化硅功率模块的机械强度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对现有技术和实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明碳化硅功率模块封装流程图；
图2为本发明钼板、氮化铝隔离层和碳化硅芯片示意图；
图3为本发明在碳化硅芯片上焊接钼板示意图；
图4为本发明引线设置示意图；
图5为图4的局部放大图；
图6为本发明浇注环氧树脂示意图；
图7为本发明安装底座、管壳示意图；
图8为本发明安装管盖示意图；
图9为本发明碳化硅功率模块立体分解图；
图10为本发明碳化硅功率模块剖视图；
图11为图10的局部放大图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
本发明提出了一套适用于碳化硅多芯片并联的压接式封装方案，这个方案采用合理的结构设计与合适的封装材料，广泛适用于碳化硅晶闸管、二极管、MOSFET、IGBT、JEFT、BJT等功率器件，使器件能在250℃高温下稳定工作，散热密度可达450W/cm2。此外，该方法不仅解决了多芯片压接受力不均匀的问题，而且封装非常方便。
碳化硅多芯片并联压接式封装具有操作方便、稳定性高、热循环能力强等优点，但是，要将压接式封装技术应用于碳化硅芯片的并联封装需要解决多芯片封装的操作方便性、芯片受力均匀性、热应力失配和控制极(比如IGBT的栅极或晶闸管的门极)的引出等关键问题。
参见图1，示出本发明碳化硅功率模块弹簧压接引线流程图，具体包括以下步骤：
步骤S101、选择一圆形钼板21(见图2)，在钼板21上焊接一层氮化铝(AlN)隔离层22，将碳化硅芯片23放置到AlN隔离层22的方格中，与钼板21焊接。AlN隔离层22次序设置次序多个方格，每个方格距离相当，每个方格放置一个碳化硅芯片23。
钼板21、AlN隔离层22及碳化硅芯片23的热膨胀系数相近，可避免因热膨胀系数相差较大导致的断裂。AlN隔离层22具有高的热导率，利于碳化硅芯片23的散热。
步骤S102、在碳化硅芯片23上焊接钼块24(见图3)，钼块24上预留门极引线槽241，焊接时选择Au-20％Ge作为焊料。
步骤S103、将引线25放置在门极引线槽241内(见图4、图5)，再在引线25上设置一压环26，压环26内放置弹簧27，弹簧27压接引线25，在钼板21中央收集并引出。压环26选用耐高温的陶瓷材料，引线25引出之后采用套环绝缘。该引线25为碳化硅芯片23的门极引线。这样，实现多个碳化硅芯片23的并联设置。
步骤S104、采用环氧树脂将钼板21、AlN隔离层22及碳化硅芯片23整体浇筑成一个圆片(见图6)，环氧树脂与各封装元件的接触面采用硅胶过渡，将阴极面打磨平整并确保与阳极面平行。
双组分硅胶在250℃能长期保持弹性，并具有优良的电气性能和化学稳定性。碳化硅功率模块整体成型后表面研磨可以解决多芯片压接遇到的受力不均匀的问题，并使后续封装步骤易于操作。
步骤S105、为圆片安装底座28，装入管壳29(见图7)。底座28为镀镍铜，热导率高，散热性能良好；管壳29材料为柯阀合金，与95％Al2O3瓷环的匹配封接成圆环，包住圆片。
步骤S106、合上管盖30，使用冷压焊密封(见图8)。压装后压力通过管盖30和管座28传递给各接触面，以保证良好的热学和电学连接。
参见图9，示出本发明碳化硅功率模块立体分解图，从上到下依次为管盖30、环氧树脂和硅胶等填充物32、门极引线25、阳极钼片211、碳化硅芯片23、氮化铝隔离层22、阴极钼片212、定位销31和管座28。
参见图10和11，碳化硅功率模块剖视图和局部放大图，在钼板21的阳极钼片211和阴极钼片212之间固定碳化硅芯片23，碳化硅芯片23的外周是氮化铝隔离层22，环氧树脂和硅胶等填充物32填充在钼板21、AlN隔离层22及碳化硅芯片23上。
碳化硅芯片上设有钼块(图中未示出)，门极引线25从钼块的门极引线槽内引出，由内置弹簧的压环(图中未示出)固定；该碳化硅功率模块上线分别安装管盖30和管座28，四周安装有管壳29。该碳化硅功率模块中心设有定位销31。
参见表1，示出本发明主要封装材料的热学和导电特定及用途。
Figure BDA0000042682380000051
Figure BDA0000042682380000061
本发明通过合理的封装材料和结构选择避免了模块承受过大的热冲击和热膨胀失配。由表1可见，本发明在碳化硅芯片23和氮化铝隔壁层22的热膨胀系数非常相近，有效避免热膨胀失配。同时，AlN隔离层22和钼板21都具有高的热导率，利于碳化硅芯片23的散热，避免碳化硅芯片23承受过大的热冲击。这样保证碳化硅功率模块能在250℃的高温下工作。
本发明通过高温环氧树脂整体成型和单面研磨的办法解决了多芯片并联压装的受力不均匀问题，提高碳化硅功率模块的机械强度。
本发明操作方便，易于置换，应用广泛，适用于绝大部分碳化硅二端和三端功率器件。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，也可以上述具体实施方式的进行组合，这些改进、润饰及组合形成的技术方案也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种碳化硅功率模块的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；
在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；
将引线放置在门极引线槽内，在引线上设置一压环，压环内放置弹簧，弹簧压接引线，收集引线并引出；
用环氧树脂将钼板、氮化硅隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在安装底座、管壳和管盖之前，还包括：
在环氧树脂与钼板、氮化硅隔离层和碳化硅芯片的接触面填充硅胶。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，打磨钼板的阴极面，使钼板的阴极面平整并与钼板阳极面平行。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在碳化硅芯片上焊接钼块时，使用Au-20％Ge作为焊料。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，收集引线并引出具体为：
在钼板中央收集引线并引出，引线引出之后采用套环绝缘。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，管壳材料为柯阀合金，与瓷环的匹配封接成圆环形。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述封装为使用冷压焊密封。
8.一种碳化硅功率模块，其特征在于，碳化硅芯片焊接在钼板的阳极钼片和阴极钼片之间，碳化硅芯片的外周为氮化铝隔离层；碳化硅芯片上设有钼块，门极引线从钼块的门极引线槽内引出，由内置弹簧的压环固定；
环氧树脂填充在钼板、氮化铝隔离层及碳化硅芯片上，外周分别安装有底座、管壳和管盖。
9.如权利要求8所述的模块，其特征在于，环氧树脂与钼板、氮化硅隔离层和碳化硅芯片的接触面填充有硅胶。
10.如权利要求8所述的模块，其特征在于，所述钼板的阴极面平整并与钼板阳极面平行。
CN201110000519A 2011-01-04 2011-01-04 碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块 Active CN102130021B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110000519A CN102130021B (zh) 2011-01-04 2011-01-04 碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110000519A CN102130021B (zh) 2011-01-04 2011-01-04 碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102130021A true CN102130021A (zh) 2011-07-20
CN102130021B CN102130021B (zh) 2012-10-24

Family

ID=44268045

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110000519A Active CN102130021B (zh) 2011-01-04 2011-01-04 碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102130021B (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107393884A (zh) * 2017-06-30 2017-11-24 西安中车永电电气有限公司 一种压接式igbt模块叠层组件及压接式igbt模块内部封装结构
CN107785279A (zh) * 2017-10-18 2018-03-09 天津力芯伟业科技有限公司 一种电子碳化硅芯片
CN108649022A (zh) * 2018-05-17 2018-10-12 江苏芯澄半导体有限公司 一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构
CN108682655A (zh) * 2018-05-17 2018-10-19 江苏芯澄半导体有限公司 一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装方法
CN108766941A (zh) * 2018-04-12 2018-11-06 全球能源互联网研究院有限公司 一种压接型SiC混合模块封装结构
CN111180345A (zh) * 2018-11-10 2020-05-19 天津力芯伟业科技有限公司 一种电子碳化硅芯片
CN111540718A (zh) * 2020-05-07 2020-08-14 全球能源互联网研究院有限公司 一种碳化硅器件的封装结构
CN113380879A (zh) * 2021-05-25 2021-09-10 西安交通大学 一种SiC MOSFET子模组单元及其压接型封装
CN113838810A (zh) * 2020-06-24 2021-12-24 深圳第三代半导体研究院 一种压接式功率模块及其封装方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6261868B1 (en) * 1999-04-02 2001-07-17 Motorola, Inc. Semiconductor component and method for manufacturing the semiconductor component
US6464409B1 (en) * 1999-10-08 2002-10-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Package for optical communications modules
US20030205806A1 (en) * 2002-05-01 2003-11-06 The Boeing Company Integrated power module with reduced thermal impedance
US20080029875A1 (en) * 2006-06-07 2008-02-07 Weidong Zhuang Hermetically sealed semiconductor device module
CN101443910A (zh) * 2006-05-12 2009-05-27 本田技研工业株式会社 功率半导体模块
CN101569009A (zh) * 2006-09-29 2009-10-28 美高森美公司 塑料表面安装大面积功率器件

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6261868B1 (en) * 1999-04-02 2001-07-17 Motorola, Inc. Semiconductor component and method for manufacturing the semiconductor component
US6464409B1 (en) * 1999-10-08 2002-10-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Package for optical communications modules
US20030205806A1 (en) * 2002-05-01 2003-11-06 The Boeing Company Integrated power module with reduced thermal impedance
CN101443910A (zh) * 2006-05-12 2009-05-27 本田技研工业株式会社 功率半导体模块
US20080029875A1 (en) * 2006-06-07 2008-02-07 Weidong Zhuang Hermetically sealed semiconductor device module
CN101569009A (zh) * 2006-09-29 2009-10-28 美高森美公司 塑料表面安装大面积功率器件

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107393884A (zh) * 2017-06-30 2017-11-24 西安中车永电电气有限公司 一种压接式igbt模块叠层组件及压接式igbt模块内部封装结构
CN107393884B (zh) * 2017-06-30 2024-04-26 西安中车永电电气有限公司 一种压接式igbt模块叠层组件及压接式igbt模块内部封装结构
CN107785279A (zh) * 2017-10-18 2018-03-09 天津力芯伟业科技有限公司 一种电子碳化硅芯片
CN108766941A (zh) * 2018-04-12 2018-11-06 全球能源互联网研究院有限公司 一种压接型SiC混合模块封装结构
CN108649022A (zh) * 2018-05-17 2018-10-12 江苏芯澄半导体有限公司 一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构
CN108682655A (zh) * 2018-05-17 2018-10-19 江苏芯澄半导体有限公司 一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装方法
CN108649022B (zh) * 2018-05-17 2020-04-10 江苏芯澄半导体有限公司 一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构
CN111180345A (zh) * 2018-11-10 2020-05-19 天津力芯伟业科技有限公司 一种电子碳化硅芯片
CN111540718A (zh) * 2020-05-07 2020-08-14 全球能源互联网研究院有限公司 一种碳化硅器件的封装结构
CN113838810A (zh) * 2020-06-24 2021-12-24 深圳第三代半导体研究院 一种压接式功率模块及其封装方法
CN113380879A (zh) * 2021-05-25 2021-09-10 西安交通大学 一种SiC MOSFET子模组单元及其压接型封装
CN113380879B (zh) * 2021-05-25 2024-03-29 西安交通大学 一种SiC MOSFET子模组单元及其压接型封装

Also Published As

Publication number Publication date
CN102130021B (zh) 2012-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102130021B (zh) 碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块
CN104285294B (zh) 半导体装置及该半导体装置的制造方法
CN105679750B (zh) 压接式半导体模块及其制作方法
CN108172617B (zh) 一种圆形大尺寸igbt芯片压接封装结构及制造方法
CN105070695A (zh) 双面散热电动汽车功率模块
CN101308838B (zh) 一种高导通电压倒装led集成芯片及制造方法
CN106298695A (zh) 封装模组、封装模组堆叠结构及其制作方法
CN110323186A (zh) 半导体装置、半导体装置的制造方法以及电力变换装置
CN102130020A (zh) 一种碳化硅功率器件的封装方法
CN102148169B (zh) 碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块
CN110265385B (zh) 一种功率器件的封装结构及其制造方法
US20230395464A1 (en) Power semiconductor module and manufacturing method thereof
CN203746828U (zh) 一种高频大功率碳化硅mosfet模块
CN103295920B (zh) 非绝缘型功率模块及其封装工艺
CN112271141A (zh) 一种双面散热功率半导体模块及制造方法
CN209545454U (zh) 智能功率模块及空调器
WO2021056604A1 (zh) 功率型半导体器件封装结构的制备工艺
CN101582414A (zh) 功率端子直接键合的功率模块
CN201550296U (zh) 一种半导体陶瓷加热器
CN208422903U (zh) 一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构
CN206099739U (zh) 一种igbt半桥电路
CN213936163U (zh) 一种晶闸管封装结构
CN213816250U (zh) 一种基于导热凝胶的电池芯散热模组
CN202948921U (zh) 非绝缘型功率模块
CN109887893B (zh) 大功率ipm模块的先进封装结构及加工工艺

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant