CN201788990U - 一种用于硅片镀膜的承载装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种用于硅片镀膜的承载装置,包括石墨碳板,石墨碳板上设有至少1个承载位,所述承载位向内凹陷形成承载槽,承载槽的大小与硅片配合,承载槽的深度为0.3~0.7mm。本实用新型用于硅片镀膜工艺,无需使用定位销,不仅减少了定位销这部分的成本,而且大大方便了操作,提高了工作效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及在太阳能电池生产过程中使用的一种辅助工具,具体涉及一种用于硅片镀膜的承载装置。
背景技术
目前,常规能源的持续使用带来了能源紧缺以及环境恶化等一系列经济和社会问题,发展太阳能电池是解决上述问题的途经之一。现有的制造晶体硅太阳电池的制造流程为:表面清洗及织构化、扩散、清洗刻蚀去边、镀膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触、测试。其中,镀膜工序是指将硅片装在承载装置(如石墨载板)上,再放入镀膜设备进行镀膜的工艺,例如采用常用的PECVD工艺。
现有的用于硅片镀膜的承载装置一般都是一块石墨碳板,其上设有一排或多排放硅片的承载位,承载位四周设有定位孔;将硅片放到承载位之后,在定位孔内插入定位销,以避免硅片在腔内运行时发生移位,然后再进行镀膜,定位销是为了防止硅片因移位而发生镀膜异常现象。
然而,由于石墨碳板需要定期清洗,清洗前需要人工将定位销全部拨出,而定位销在插拨过程中易发生断裂,这造成了定位销需经常更换,不仅增加了制造成本,而且操作麻烦,工作效率较低。
发明内容
本实用新型目的是提供一种用于硅片镀膜的承载装置。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种用于硅片镀膜的承载装置,包括石墨碳板,石墨碳板上设有至少1个承载位,所述承载位向内凹陷形成承载槽,承载槽的大小与硅片配合,承载槽的深度为0.3~0.7mm。
上文中,所述石墨碳板上一般设有一排或多排用于放置硅片的承载位,本实用新型是在各个承载位均设置承载槽。承载槽的大小与硅片配合,以便将硅片顺利的放入其中,并能顺利取出。
优选的技术方案,所述承载槽的深度为0.5mm。
由于上述技术方案运用,本实用新型与现有技术相比具有的优点是:
1、本实用新型在石墨碳板的各个承载位设置了与硅片配合的承载槽,因而硅片可以放置于承载槽内,因而无需使用定位销,不仅减少了定位销这部分的成本,而且大大方便了操作,提高了工作效率。
2、硅片可以直接放入本实用新型的承载槽内,避免了工艺点的产生,太阳能电池片外观得到了改善,并能提升太阳能电池的转换效率。
3、本实用新型结构简单,便于制备,适于推广应用。
附图说明
图1是本实用新型实施例一的结构示意图;
图2是图1的A-A剖视图;
图3是图2的B部放大图。
其中:1、石墨碳板;2、承载槽。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:
实施例一
参见图1~3所示,一种用于硅片镀膜的承载装置,包括石墨碳板1,石墨碳板上设有多个承载位,所述承载位向内凹陷形成承载槽2,承载槽的大小与硅片配合,承载槽的深度为0.5mm。
上文中,所述石墨碳板上一般设有多排用于放置硅片的承载位,本实用新型是在各个承载位均设置承载槽。承载槽呈方形,其大小与硅片配合,以便将硅片顺利的放入其中,并能顺利取出。
Claims (2)
1.一种用于硅片镀膜的承载装置,包括石墨碳板(1),石墨碳板上设有至少1个承载位,其特征在于:所述承载位向内凹陷形成承载槽(2),承载槽的大小与硅片配合,承载槽的深度为0.3~0.7mm。
2.根据权利要求1所述的用于硅片镀膜的承载装置,其特征在于:所述承载槽的深度为0.5mm。
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CN2010202672922U CN201788990U (zh) | 2010-07-22 | 2010-07-22 | 一种用于硅片镀膜的承载装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN103177999A (zh) * | 2011-12-20 | 2013-06-26 | 浚鑫科技股份有限公司 | 一种沉积减反射膜工序用的石墨框 |
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- 2010-07-22 CN CN2010202672922U patent/CN201788990U/zh not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
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GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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