CN203055879U - 一种用于硅片扩散制结的石英舟 - Google Patents

一种用于硅片扩散制结的石英舟 Download PDF

Info

Publication number
CN203055879U
CN203055879U CN2012207037446U CN201220703744U CN203055879U CN 203055879 U CN203055879 U CN 203055879U CN 2012207037446 U CN2012207037446 U CN 2012207037446U CN 201220703744 U CN201220703744 U CN 201220703744U CN 203055879 U CN203055879 U CN 203055879U
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon chip
diffusion
lead
quartz boat
guide columns
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2012207037446U
Other languages
English (en)
Inventor
孙祥
王登志
王栩生
章灵军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CSI Solar Technologies Inc
Original Assignee
CSI Solar Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CSI Solar Technologies Inc filed Critical CSI Solar Technologies Inc
Priority to CN2012207037446U priority Critical patent/CN203055879U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN203055879U publication Critical patent/CN203055879U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种用于硅片扩散制结的石英舟,包括上底板和下底板,上下底板之间设有左导向柱、右导向柱和后导向柱,左导向柱、右导向柱和后导向柱的内侧面均平行设置有复数个卡槽,所述卡槽与相邻卡槽位于同一平面且相互配合,形成硅片承载槽;所述下底板的底面设有一对与高温扩散炉配合的定位板。本实用新型设计得到了一种新的用于硅片扩散制结的石英舟,可以改变扩散制结步骤中硅片的放置形式,采用硅片水平放置的方式,使两片硅片更加紧密的粘合在一起,很好的解决了在扩散过程中因硅片分离而造成的绕射问题。

Description

一种用于硅片扩散制结的石英舟
技术领域
本实用新型涉及一种用于硅片扩散制结的石英舟,是太阳能电池生产过程中使用的一种辅助工具,属于太阳能领域。
背景技术
光伏发电是最具可持续发展理想特征的发电技术之一。常规的化石燃料日益消耗殆尽,在所有的可持续能源中,太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前,在所有的太阳能电池中,硅太阳能电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一,这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量,同时硅太阳能电池相比其他类型的太阳能电池,有着优异的电学性能和机械性能。在未来光伏技术的发展中,随着硅太阳能电池光电性能的进一步提高,硅材料价格的进一步降低,硅太阳能电池将在光伏领域占据重要的地位。
目前,硅太阳能电池的生产工艺已经工业化,其制造流程一般为:表面清洗及织构化、扩散、清洗刻蚀去边、镀膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触、测试。其中,用于制作PN结的扩散工序是核心工序之一。
现有的扩散工序普遍采用高温扩散炉进行扩散。生产时,首先在石英舟内插入硅片,然后将盛有硅片的石英舟转移到扩散炉内的碳化硅桨上,继而运行扩散工艺。常规的扩散工艺通常采用在同一卡槽中插两片靠在一起(即背靠背),进行单面扩散。然而,由于两片背靠背的硅片是竖直放置的,在高温扩散炉管中,由于气流的扰动或者硅片热应力造成硅片弯曲等原因,造成了两片硅片之间贴合不紧密,会出现扩散源绕射的问题,这对要求只做单面扩散的工艺造成很大困扰。
针对上述问题,现有的方法是采用掩模的方式来避免绕射,但该方法的工艺复杂,不仅增加了操作难度,而且成本较高。
发明内容
本实用新型目的是提供一种用于硅片扩散制结的石英舟。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种用于硅片扩散制结的石英舟,包括上底板和下底板,上下底板之间设有左导向柱、右导向柱和后导向柱,
左导向柱、右导向柱和后导向柱的内侧面均平行设置有复数个卡槽,所述卡槽与相邻卡槽位于同一平面且相互配合,形成硅片承载槽;
所述下底板的底面设有一对与高温扩散炉配合的定位板。
上文中,所述左导向柱、右导向柱和后导向柱的内侧面上均设有复数个卡槽,对于单个导向柱而言,这些卡槽是从上到下平行设置的;而对于3种导向柱之间而言,相邻卡槽之间是位于同一平面且相互配合的,形成硅片承载槽。因而这些硅片承载槽基本上是处于水平状态。本实用新型采用硅片基本水平的方式放置,依靠上面硅片自身的重量,压住下面的硅片,使得同一卡槽内两硅片贴紧,同时将卡槽宽度减小,使硅片不容易被气流吹动,这种硅片的放置方法,能够最大程度减少硅片的背面饶射。
所述左导向柱、右导向柱和后导向柱的数量可以根据实际情况设定,一般是各有2根。
上述技术方案中,所述硅片承载槽所在的平面的入口高于水平面,且其与水平面之间的夹角为3~15度。
上述技术方案中,所述上底板和下底板上均设有石英套管。
上述技术方案中,所述卡槽的宽度为0.5~0.7 mm。
上述技术方案中,所述左导向柱和右导向柱均向后倾斜设置。
由于上述技术方案运用,本实用新型与现有技术相比具有的优点是:
1、本实用新型设计得到了一种新的用于硅片扩散制结的石英舟,可以改变扩散制结步骤中硅片的放置形式,采用硅片水平放置的方式,使两片硅片更加紧密的粘合在一起,很好的解决了在扩散过程中因硅片分离而造成的绕射问题。
2.本实用新型在实现硅片水平放置的同时,进一步减小了卡槽的宽度,使硅片不容易被气流吹动,最大程度地减少了硅片的背面饶射。
3、本实用新型结构简单,便于制备,且具有良好的可操作性、实用性,适于推广应用。
4.本实用新型方便多种类型硅片进行扩散工艺,且其结构简单便于插片,充分考虑了现场的可操作性、安全性和工艺卫生的要求,具有积极的现实意义。
附图说明
图1是本实用新型实施例一的立体图;
图2是本实用新型实施例一的又一立体图;
图3是本实用新型实施例一中左导向柱的结构示意图;
图4是本实用新型实施例一中后导向柱的结构示意图;
图5是本实用新型实施例一中右导向柱的结构示意图。
其中:1、上底板;2、下底板;3、左导向柱;4、右导向柱;5、后导向柱;6、卡槽;7、定位板;8、石英套管。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:
实施例一
参见图1~5所示,一种用于硅片扩散制结的石英舟,包括上底板1和下底板2,上下底板之间设有左导向柱3、右导向柱4和后导向柱5,
左导向柱、右导向柱和后导向柱的内侧面均平行设置有复数个卡槽6,所述卡槽与相邻卡槽位于同一平面且相互配合,形成硅片承载槽;
所述下底板的底面设有一对与高温扩散炉配合的定位板7。
所述左导向柱3、右导向柱4和后导向柱5各有2根。
所述硅片承载槽所在的平面的入口高于水平面,且其与水平面之间的夹角为10度。
所述上底板和下底板上均设有石英套管8。
所述卡槽的宽度为0.6 mm。
所述左导向柱和右导向柱均向后倾斜设置。

Claims (5)

1.一种用于硅片扩散制结的石英舟,其特征在于:包括上底板(1)和下底板(2),上下底板之间设有左导向柱(3)、右导向柱(4)和后导向柱(5),
左导向柱、右导向柱和后导向柱的内侧面均平行设置有复数个卡槽(6),所述卡槽与相邻卡槽位于同一平面且相互配合,形成硅片承载槽;
所述下底板的底面设有一对与高温扩散炉配合的定位板(7)。
2.根据权利要求1所述的用于硅片扩散制结的石英舟,其特征在于:所述硅片承载槽所在的平面的入口高于水平面,且其与水平面之间的夹角为3~15度。
3.根据权利要求1所述的用于硅片扩散制结的石英舟,其特征在于:所述上底板和下底板上均设有石英套管(8)。
4.根据权利要求1所述的用于硅片扩散制结的石英舟,其特征在于:所述卡槽的宽度为0.5~0.7 mm。
5.根据权利要求1所述的用于硅片扩散制结的石英舟,其特征在于:所述左导向柱和右导向柱均向后倾斜设置。
CN2012207037446U 2012-12-18 2012-12-18 一种用于硅片扩散制结的石英舟 Expired - Fee Related CN203055879U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012207037446U CN203055879U (zh) 2012-12-18 2012-12-18 一种用于硅片扩散制结的石英舟

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012207037446U CN203055879U (zh) 2012-12-18 2012-12-18 一种用于硅片扩散制结的石英舟

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN203055879U true CN203055879U (zh) 2013-07-10

Family

ID=48738804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012207037446U Expired - Fee Related CN203055879U (zh) 2012-12-18 2012-12-18 一种用于硅片扩散制结的石英舟

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN203055879U (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107527971A (zh) * 2017-08-14 2017-12-29 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 一种硅片扩散装置及硅片插片方法
CN117133693A (zh) * 2023-10-26 2023-11-28 江苏微导纳米科技股份有限公司 基片载具及镀膜设备

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107527971A (zh) * 2017-08-14 2017-12-29 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 一种硅片扩散装置及硅片插片方法
CN117133693A (zh) * 2023-10-26 2023-11-28 江苏微导纳米科技股份有限公司 基片载具及镀膜设备
CN117133693B (zh) * 2023-10-26 2024-01-30 江苏微导纳米科技股份有限公司 基片载具及镀膜设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN201966219U (zh) 一种n型硅太阳能电池
CN107039544B (zh) P型perc双面太阳能电池及其制备方法、组件和系统
CN205657066U (zh) 一种背面钝化接触电池电极结构
CN102280519A (zh) 一种利用硼磷共扩散制备高效全背电极n型太阳电池的工艺
CN110459638A (zh) 一种Topcon钝化的IBC电池及其制备方法
CN110034193A (zh) 一种Topcon钝化结构的多细栅IBC电池及其制备方法
CN102623563B (zh) 一种双面受光型晶体硅太阳电池的制备方法
CN205657073U (zh) 一种具有透明电极晶体硅光伏电池的连接结构
CN203055879U (zh) 一种用于硅片扩散制结的石英舟
CN103594530A (zh) 正面热氧化、选择性发射结与背钝化结合的晶硅太阳能电池及其制造方法
CN203812893U (zh) 一种n型背结太阳能电池
CN201796897U (zh) 晶体硅太阳电池的正面电极结构
CN109713054A (zh) 一种新型太阳能电池片
CN203312314U (zh) 一种全覆盖铝背发射结的n型晶硅太阳电池
CN203491268U (zh) 一种新型双面受光太阳电池
CN103035771B (zh) N型mwt太阳能电池结构及其制造工艺
WO2018157493A1 (zh) P型perc双面太阳能电池及其制备方法、组件和系统
CN103943693A (zh) 一种p型硅衬底背面接触式太阳电池结构和制备方法
CN202616272U (zh) 一种小花篮放置结构
CN203434166U (zh) 一种四主栅正电极太阳能晶体硅电池结构
CN104282772A (zh) 一种四主栅正电极太阳能晶体硅电池
CN102637770A (zh) 一种小花篮放置结构及方法
CN204067321U (zh) 一种石英舟
CN206060687U (zh) 一种ibc电池的电极测试装置
CN102403379B (zh) 具有背面浮动结的太阳能电池结构及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130710

Termination date: 20161218