CN201796897U - 晶体硅太阳电池的正面电极结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种晶体硅太阳电池的正面电极结构，包括晶体硅片，所述晶体硅片的正面设有至少2个电流收集单元，所述电流收集单元包括电流收集点和收集栅线；所述晶体硅片的电流收集点处设有通孔，通孔内设有银浆，银浆的一端与晶体硅电池正面的电流收集单元连接，另一端构成电池背面的N电极连接点。本实用新型解决了正面电极结构遮蔽入射光的问题，提高了太阳光的利用率，也相应提高了太阳电池的光电转换效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种太阳电池，具体涉及一种晶体硅太阳电池的正面电极结构，属于太阳能应用技术领域。
背景技术
目前，常规能源的持续使用带来了能源紧缺以及环境恶化等一系列经济和社会问题，发展太阳能电池是解决上述问题的途经之一。因此，世界各国都在积极开发太阳电池，而高转换效率、低成本是太阳电池发展的主要趋势，也是技术研究者追求的目标。
现有的制造晶体硅太阳电池的制造流程为：表面清洗及织构化、扩散、清洗刻蚀去边、镀减反射膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触、测试。这种商业化晶体硅电池制造技术相对简单、成本较低，适合工业化、自动化生产，因而得到了广泛应用。其中，丝网印刷用于制备电极，N电极位于晶体硅电池的正面，P电极位于晶体硅电池的背面；现有的丝网印刷的正面电极结构如附图1所示，包括设于晶体硅片正面的两条主栅线3和若干条垂直于主栅线的细栅线4，形成晶体硅电池的N电极；其背面P电极结构一般包括2条印刷于硅片背面的银导体条，形成P电极，N、P电极均需用焊带引出，从而形成晶体硅太阳电池的互连。
然而，上述结构的晶体硅太阳电池存在如下问题：由于晶体硅片正面的两条主栅线的长度几乎贯穿整个硅片背面，占据了较大的面积，使得该正面电极结构遮光面积比较大，理论值在7％左右，从而减少了太阳光的利用率，降低了组件的光电转换效率。
发明内容
本实用新型目的是提供一种晶体硅太阳电池的正面电极结构，以提高太阳电池的光电转换效率。
为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种晶体硅太阳电池 的正面电极结构，包括晶体硅片，所述晶体硅片的正面设有至少2个电流收集单元，所述电流收集单元包括电流收集点和收集栅线；所述晶体硅片的电流收集点处设有通孔，通孔内设有银浆，银浆的一端与晶体硅电池正面的电流收集单元连接，另一端构成电池背面的N电极连接点。
上文中，所述电流收集单元的电流收集点优选位于收集栅线的中央，所述收集栅线可以是曲线或直线，各电流收集单元可以相互连通或分别独立。各个电流收集单元可采用丝网印刷或喷墨打印的的方法等距或不等距的分布在电池片的正面。
所述晶体硅片的电流收集点处的通孔可以采用激光打孔或化学腐蚀的方法制作。
优选的技术方案，所述电流收集单元为9～25个，呈点阵排列，均布于晶体硅片的正面。例如，当电流收集单元为9个，可以设成3排，每排3个电流收集单元，各电流收集单元等距分布于晶体硅片的正面。
上述技术方案中，所述收集栅线为细银栅线。
上文中，所述晶体硅片的边缘设有细栅线，该细栅线可以采用闭合或者非闭合连接，并可跨越多个电流收集单元。
由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有的优点是：
1、本实用新型在晶体硅片的正面设置电流收集单元，代替了现有的主栅线和细栅线结构，由于电流收集单元占据的面积较小，理论值在5％左右，从而解决了正面电极结构遮蔽入射光的问题，提高了太阳光的利用率，也相应提高了太阳电池的光电转换效率。
2、本实用新型在晶体硅片的电流收集点处设置通孔，通孔内设有银浆，从而将晶体硅电池的正面N电极引到背面，即将晶体硅电池的互连放在了一个平面上，既有利于组件的生产操作，增加可靠性；又大幅降低了串联电阻，提升了组件的光电转换效率。
3、本实用新型将电流收集单元设成点阵结构，在实现其引出功能的同时降低了银浆的消耗量，降低了成本。
4、本实用新型结构简单，便于生产制备，且成本较低，适于推广应用。
附图说明
图1是背景技术中晶体硅太阳电池的正面电极结构的示意图；
图2是本实用新型实施例一的结构示意图；
图3是本实用新型实施例二的结构示意图；
图4是本实用新型实施例三的结构示意图。
其中：1、电流收集点；2、收集栅线；3、主栅线；4、细栅线。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：
实施例一
参见图2所示，一种晶体硅太阳电池的正面电极结构，包括晶体硅片，所述晶体硅片的正面设有16个电流收集单元，所述电流收集单元包括电流收集点1和细银栅线；所述晶体硅片的电流收集点处设有通孔，通孔内设有银浆，银浆的一端与晶体硅电池正面的电流收集单元连接，另一端构成电池背面的N电极连接点。所述电流收集单元呈点阵排列，设成4排，每排4个电流收集单元，均布于晶体硅片的正面。晶体硅片的边缘设有细栅线，细栅线边缘采用环状闭合连接。
电流收集点通过通孔中的银浆引到电池片背面实现背接触，其中电流收集点与所述的孔为同一位置。所述收集栅线为直线，相邻的4个电流收集点之间构成复数个回字形结构。
实施例二
参见图3所示，一种晶体硅太阳电池的正面电极结构，包括晶体硅片，所述晶体硅片的正面设有9个电流收集单元，所述电流收集单元包括电流收集点1和细银栅线；所述晶体硅片的电流收集点处设有通孔，通孔内设有银浆，银浆的一端与晶体硅电池正面的电流收集单元连接，另一端构成电池背面的N电极连接点。所述电流收集单元呈点阵排列，设成3排，每排3个电流收集单元，均布于晶体硅片的正面。晶体硅片的边缘设有细栅线，细栅线边缘采用环状闭合连接。
电流收集点通过通孔中的银浆引到电池片背面实现背接触，其中电流收集点与所述的孔为同一位置。
实施例三
参见图4所示，一种晶体硅太阳电池的正面电极结构，包括晶体硅片，所述晶体硅片的正面设有25个电流收集单元，所述电流收集单元包括电流收集点1和细银栅线；所述晶体硅片的电流收集点处设有通孔，通孔内设有银浆，银浆的一端与晶体硅电池正面的电流收集单元连接，另一端构成电池背面的N电极连接点。所述电流收集单元呈点阵排列，设成5排，每排5个电流收集单元，均布于晶体硅片的正面。
电流收集点通过通孔中的银浆引到电池片背面实现背接触，其中电流收集点与所述的孔为同一位置。所述电流收集单元的收集栅线为曲线，形成网状，且各电流收集单元相互独立。
Claims (3)
1.一种晶体硅太阳电池的正面电极结构，包括晶体硅片，其特征在于：所述晶体硅片的正面设有至少2个电流收集单元，所述电流收集单元包括电流收集点(1)和收集栅线(2)；所述晶体硅片的电流收集点处设有通孔，通孔内设有银浆，银浆的一端与晶体硅电池正面的电流收集单元连接，另一端构成电池背面的N电极连接点。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池的正面电极结构，其特征在于：所述电流收集单元为9～25个，呈点阵排列，均布于晶体硅片的正面。
3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池的正面电极结构，其特征在于：所述收集栅线为细银栅线。
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