CN101339965A - 晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法 - Google Patents

晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及晶体硅太阳能电池的生产方法，特别是一种晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法。这种方法首先是将磷浆按照一定间隔选择印刷在晶体硅片表面，烘干磷浆，扩散，去磷硅玻璃。按照上述方法可以方便地得到太阳能电池选择性发射极结构，方法简单，易实现，污染小，适于产业化生产。

Description

晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法
技术领域
本发明涉及晶体硅太阳能电池的生产方法，特别是一种晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法。
背景技术
晶体硅太阳能电池占据了光伏市场的90％以上的份额，如何进一步提高效率，降低成本是国内外晶体硅太阳能电池研究领域的基本目标。
在硅片上实现选择性发射极结构是p-n结晶体硅太阳能电池实现高效的方法之一。所谓选择性发射极结构有两个特征：1)在电极栅线下及其附近形成高掺杂深扩散区；2)在其他区域形成低掺杂浅扩散区。实现选择性发射极结构的关键便是如何形成上面所说的两个区域。实现选择性发射区的方法有很多种，最常见的有光刻、激光开槽。但这些方法对太阳能电池制造而言过于复杂，只能应用于实验室或小规模的生产中，难于在常规电池的产业化生产中推广。
发明内容
本发明的目的是要提供一种实现晶体硅太阳能电池选择性扩散的方法，该方法可提高晶体硅太阳能电池的效率，适用于产业化生产且无污染。
本发明采用的技术方案是：一种晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法，首先将磷浆按照一定间隔选择印刷在晶体硅片表面，烘干磷浆，扩散，去磷硅玻璃。扩散在链式扩散炉中进行。
磷浆按照一定间隔选择印刷位置与正面电极的印刷位置相同。
本发明的有益效果是：按照上述方法可以方便地得到太阳能电池选择性发射极结构，方法简单，易实现，污染小，适于产业化生产。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的选择性扩散结构示意图。
图2是本发明的工艺流程图。
图中：1.硅片，2.高掺杂区，3.低掺杂区，4.磷浆，5.沉积磷层。。
具体实施方式
如图1、2所示一种晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法，硅片1表面首先进行清洗制绒处理，然后将磷浆4按照一定间隔选择性地印刷在硅片1表面，即将磷浆4如电极栅线状印刷到硅片1表面。烘干磷浆4，然后将此硅片1放入链式扩散炉中进行扩散，在磷浆4印刷区下形成高掺杂区2。磷浆4中的部分磷原子在扩散炉中会挥发到空气中，最后沉积到磷浆4的非印刷区形成沉积磷层5，沉积到非印刷区的沉积磷层5在非印刷进行扩散形成低掺杂区3。最后去硅片1表面形成的磷硅玻璃。
硅片1完成选择性扩散后进行刻边，镀氮化硅、减反射膜，印刷背面电极、印刷铝背场，印刷正面电极，烧结成成品。

Claims (3)

1、一种晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法，其特征在于：将磷浆(4)按照一定间隔选择印刷在晶体硅片(1)表面，烘干磷浆(4)，扩散，去磷硅玻璃。
2、根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法，其特征在于：所述的扩散在链式扩散炉中进行。
3、根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法，其特征在于：所述的磷浆(4)按照一定间隔选择印刷的位置与正面电极的印刷位置相同。
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Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20090107