CN101339963A - 晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法 - Google Patents

晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及晶体硅太阳能电池的生产方法，特别是一种晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法，这种方法是将磷不可渗透浆料或膜按照一定间隔选择性地覆盖在晶体硅片表面，然后扩散，去除磷不可渗透浆料或膜，再扩散。按照上述方法可以方便地得到太阳能电池选择性发射极结构，方法简单，易实现，污染小，适于产业化生产。

Description

晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法
技术领域
本发明涉及晶体硅太阳能电池的生产方法，特别是一种晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法。
背景技术
晶体硅太阳能电池占据了光伏市场的90％以上的份额，如何进一步提高效率，降低成本是国内外晶体硅太阳能电池研究领域的基本目标。
在硅片上实现选择性发射极结构是p-n结晶体硅太阳能电池实现高效的方法之一。所谓选择性发射极结构有两个特征：1)在电极栅线下及其附近形成高掺杂深扩散区；2)在其他区域形成低掺杂浅扩散区。实现选择性发射极结构的关键便是如何形成上面所说的两个区域。实现选择性发射区的方法有很多种，最常见的有光刻、激光开槽。但这些方法对太阳能电池制造而言过于复杂，只能应用于实验室或小规模的生产中，难于在常规电池的产业化生产中推广。
发明内容
本发明的目的是要提供一种实现晶体硅太阳能电池选择性扩散的方法，该方法可提高晶体硅太阳能电池的效率，适用于产业化生产。
本发明采用的技术方案是：一种晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法，将磷不可渗透浆料或膜按照一定间隔选择性地覆盖在晶体硅片表面，然后扩散，去除磷不可渗透浆料或膜，再扩散。
磷不可渗透浆料在扩散前需要进行烘干。
本发明的有益效果是：按照上述方法可以方便地得到太阳能电池选择性扩散结构，方法简单，易实现，污染小，适于产业化生产。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的选择性扩散结构示意图。
图中：1.硅片，2.高掺杂区，3.低掺杂区，4.磷不可渗透浆料或膜。
具体实施方式
一种晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法，硅片1表面首先进行清洗制绒处理，将磷不可渗透浆料或膜4按照一定间隔选择性地覆盖在硅片1表面。磷不可渗透浆料在扩散前需要烘干，然后将此硅片1放入扩散炉中进行扩散，在磷不可渗透浆料或膜4没有覆盖的区域形成高掺杂区2。然后去除硅片1上的磷不可渗透浆料或膜4，再将硅片1放入扩散炉中进行扩散，用于在磷不可渗透浆料或膜4覆盖的区域形成低掺杂区3。正面电极印刷在高掺杂区2上。
硅片1完成选择性扩散后进行去硅磷玻璃，然后进行刻边，镀氮化硅、减反射膜，印刷背面电极、印刷铝背场，印刷正面电极，烧结制成电池成品。

Claims (2)

1、一种晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法，其特征在于：将磷不可渗透浆料或膜(4)按照一定间隔选择性地覆盖在晶体硅片(1)表面，然后扩散，去除磷不可渗透浆料或膜(4)，再扩散。
2、根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法，其特征在于：磷不可渗透浆料在扩散前需要进行烘干。
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PB01 Publication
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C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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