CN201233898Y - 采用后制绒工艺的太阳能电池 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及晶体硅太阳能电池技术领域，特别是一种采用后制绒工艺的太阳能电池。它包括硅片，硅片表面下通过扩散工艺形成的高掺杂区和低掺杂区，将通过扩散工艺形成的高掺杂区和低掺杂区的上层作为制绒层，在高掺杂区和低掺杂区内的制绒层制绒以形成绒层。在理想状态，高掺杂区的截面形状应该是上下宽度一致的，但是在实际生产中，高掺杂区的截面上宽下窄呈现漏斗状，为此在扩散完成后，进行制绒，在制绒过程中，会使高掺杂区一薄层被去除，相应的高掺杂区的厚度降低，高掺杂区的截面此时更接近于上下宽度一致的理性状态。最终生产出来的太阳能电池的转换效率更高。

Description

采用后制绒工艺的太阳能电池
技术领域
本实用新型涉及晶体硅太阳能电池技术领域，特别是一种采用后制绒工艺的太阳能电池。
背景技术
晶体硅太阳能电池占据了光伏市场的90％以上的份额，如何进一步提高效率，降低成本是国内外晶体硅太阳能电池研究领域的基本目标。
在硅片上实现选择性发射极结构是p-n结晶体硅太阳能电池实现高效的方法之一。所谓选择性发射极结构有两个特征：1)在电极栅线下及其附近形成高掺杂深扩散区；2)在其他区域形成低掺杂浅扩散区。实现选择性发射极结构的关键便是如何形成上面所说的两个区域。实现选择性发射区的方法有很多种，最常见的有光刻、激光开槽。但这些方法对太阳能电池制造而言过于复杂，只能应用于实验室或小规模的生产中，难于在常规电池的产业化生产中推广。近年来，也出现了用丝网印刷磷浆实现选择性发射区的方法，但由于丝网印刷带来的污染等问题，该方法也没有得到广泛应用。
实用新型内容
本实用新型的目的是要提供一种采用后制绒工艺的太阳能电池，太阳能电池具有更为理想的选择性扩散发射极，光电转换效率高。
本实用新型所采用的技术方案为：一种采用后制绒工艺的太阳能电池，包括硅片，硅片表面下通过扩散工艺形成的高掺杂区和低掺杂区，将通过扩散工艺形成的高掺杂区和低掺杂区的上层作为制绒层，在高掺杂区和低掺杂区内的制绒层制绒以形成绒层。
本实用新型的有益效果是：硅片在进行选择扩散后，形成高掺杂区和低掺杂区，在理想状态，高掺杂区的截面形状应该是上下宽度一致的，但是在实际生产中，高掺杂区的截面上宽下窄呈现漏斗状，为此在扩散完成后，进行制绒，在制绒过程中，会使高掺杂区一薄层被去除，相应的高掺杂区的厚度降低，高掺杂区的截面此时更接近于上下宽度一致的理性状态。最终生产出来的太阳能电池的转换效率更高。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图。
图中，1.硅片，2.高掺杂区，3.低掺杂区，4.制绒层。
具体实施方式
如图1所示的一种采用后制绒工艺的太阳能电池，包括硅片1，硅片1表面下通过扩散工艺形成的高掺杂区2和低掺杂区3，将通过扩散工艺形成的高掺杂区2和低掺杂区3的上层作为制绒层4，在高掺杂区2和低掺杂区3内的制绒层4制绒以形成绒层。在高掺杂区2上的硅片1表面设置正面电极，在硅片1后为背面电极、铝背场。
当进行两次扩散以形成选择性发射极的工艺中，在第一次扩散工艺后会在硅片1表面下形成上宽下窄的高掺杂区2，这次扩散为磷浆扩散，然后进行去磷硅玻璃的工艺，为了使高掺杂区2的截面形状是上下宽度基本一致，在这次扩散后进行制绒，使在制绒过程中，会使硅片1表面一薄层被去除成为绒层，制得的硅片1还要进扩散炉再进行一次扩散，用以在硅片1上形成低掺杂区3，然后再去磷硅玻璃。自此硅片1完成选择性扩散，完成选择性扩散后硅片1进行下面的加工，依次是刻边，镀氮化硅、减反射薄膜，印刷背面电极，印刷铝背场，印刷正面电极，烧结最终得到太阳能电池。

Claims (1)

1、一种采用后制绒工艺的太阳能电池，包括硅片(1)，硅片(1)表面下通过扩散工艺形成的高掺杂区(2)和低掺杂区(3)，其特征是：将所述的通过扩散工艺形成的高掺杂区(2)和低掺杂区(3)的上层作为制绒层(4)，在高掺杂区(2)和低掺杂区(3)内的制绒层(4)制绒以形成绒层。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN111081797A (zh) * 2019-12-31 2020-04-28 北京北方华创真空技术有限公司 一种单晶硅片的处理方法及其单晶硅片和太阳能电池

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