CN111081797B - 一种单晶硅片的处理方法及其单晶硅片和太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种单晶硅片的处理方法及其单晶硅片和太阳能电池。本发明所述单晶硅片的处理包括如下步骤：1)在所述单晶硅片的一个表面进行第一次制绒和第一次扩散制备形成p‑n结；2)酸清洗去除不稳固p‑n结和不稳固的绒面结构；3)在所述单晶硅片的表面进行第二次制绒和第二次扩散。所述第二次制绒后形成的绒面结构的厚度小于10纳米，可实现太阳光的透射。本发明通过两次制绒和两次扩散不仅增加了硅片的上表面单位比表面积，尤其是第二次制绒后的绒面结构可实现太阳光的透射，使得光的吸收效率得到提高，而且上述处理后得到的p‑n结更为均匀，将其制备成太阳能电池，所得电池对太阳光的吸收效率更高。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种单晶硅片的处理方法及其单晶硅片和太阳能电池。
背景技术
太阳能是一种取之不尽、用之不竭的可再生清洁能源，不仅能降低传统化石能源的使用量还可减少环境污染。太阳能光伏发电可以解决偏远山区和常规电网输送不便地区的用电难问题。常见的制绒目的都是制作出金字塔形貌的绒面结构，使得入射光在硅片表面多次反射和折射，增加了光的吸收，降低了反射率。制绒效果直接影响电池的产能和最终的电池的性能，是因为制绒过程中形成的绒面直接关系着吸收太阳光能的多少。扩散制结是光伏电池生产过程中最基本也最为核心的一个环节，因为只有形成PN结后才能够形成电流。光伏电池的性能与扩散制结的质量有着密切的关系。
现有技术中存在大量通过制绒来改善太阳能电池效率的方法，但是依然存在转化效果不高等问题。
发明内容
本发明首先提供一种单晶硅片的处理方法，其主要改进之处为，依次包括如下步骤：
1)在所述单晶硅片的一个表面进行第一次制绒和第一次扩散制备形成p-n结；
2)酸清洗去除不稳固p-n结和不稳固的绒面结构；
3)在所述单晶硅片的所述一个表面进行第二次制绒和第二次扩散；
所述第二次制绒后形成的绒面结构的厚度小于10纳米，可实现太阳光的透射。
本发明所述方法通过对硅片进行两次制绒，且第二次制绒后绒面可实现太阳光的透射，透过第二层绒面结构照射到第一层绒面后的反射光会被第二层绒面吸收和反射，由原来的平面吸收太阳光转换成立体吸收太阳光，可提高电池片吸收太阳能的效率。而且在第一次扩散后进行酸清洗去除不稳定p-n结和绒面结构，可使得二次制绒后的表面更加均匀，增加硅片上表面的比表面积，形成更加均匀的p-n结，提高单晶硅片的吸收率。
本发明所述制绒和扩散的操作均在硅片的正面即太阳光的入射面进行。
优选的，所述第一次制绒的具体操作包括：使用包括2～3wt％的氢氧化钠的溶液进行制绒，温度控制在60～80℃，制绒时间控制在200～1000s。
优选的，所述第二次制绒的具体操作包括：使用包括2～3wt％的氢氧化钠溶液进行制绒，温度控制在60～80℃，制绒时间为100～500s，且为第一次制绒时间的1/3～2/3。
在上述碱制绒的过程中，可在氢氧化钠溶液中添加制绒添加剂以提高制绒的效率，其中制绒添加剂可为有机硅、聚醚硅和硅酸钠中的一种几种，其添加量或添加总量为2～3wt％。
通过上述的处理，第二次制绒后绒面结构的厚度较薄，可实现太阳光的透射，有利于提高太阳光的吸收效率。
优选的，所述第一次扩散制备p-n结的具体操作包括：在温度790～830℃下，通入氧气2～3slm，氮气3～4slm，通气时间4-6min；
提升温度10～50℃，通入氧气0.2～1slm，氮气8～9slm，N2-POCl：800-900sccm，通气时间13～15min，快速降温到700～740℃，出舟；
优选的，所述第二次扩散制备p-n结的具体操作包括，在750-810℃下，通入氧气2～3slm，氮气3-4slm，通气时间4～6min，在单晶硅片表面形成二氧化硅氧化层；
升温至810～830℃，通入氮气8～9slm，氧气0.3～0.8slm，N2-POCl：800-900sccm，通气时间100～150min，扩散磷原子进入硅片；控制本次处理温度高于第一次扩散制备p-n结的温度；
升温至850～880℃，不再通入磷源，仅通入氮气4～5slm，氧气：3～4slm，通气时间15～30min，进行深度扩散；
降温至790～810℃，通入氮气8～9slm，氧气0.5～0.8slm，N2-POCl400～500sccm，通气时间8～10min，进行低温扩散；
急速降温至700～740℃，出舟。
采用上述两种不同的工艺，可形成更加均匀的p-n结，提高单晶硅片的吸收率。
优选的，所述酸清洗的具体操作包括：采用氢氟酸和盐酸的混合酸进行清洗，所述混合酸中氢氟酸的浓度为5-7wt％；盐酸的浓度为9-11wt％。通过酸清洗，可去除第一次制绒面和扩散后形成的不稳定的p-n结和不稳定的硅面，为第二次制绒和扩散做准备，而若不进行酸清洗，会导致第二次制绒界面容易脱落，不利于形成均匀的p-n结。
进一步优选的，采用所述混合酸清洗90～100s。采用上述混合酸在上述时间下进行清洗，既可将不稳定的硅面和p-n结完全去除，还不会因时间过长而破坏单晶硅片表面的结构，导致时间的浪费。
优选的，在第一次制绒之前还包括对所述单晶硅片进行纯铁溅射刻蚀的处理。
优选的，所述纯铁溅射刻蚀包括如下步骤：将碱抛光后的硅片用去离子水清洗后烘干，将其作为靶材，以平均粒度为50～80μm的纯铁粉作为溅射材料，向所述靶材上进行溅射；然后使用盐酸体积浓度12～18wt％，硝酸体积浓度为3～7wt％的混合酸对溅射得到的所述含铁的硅片进行清洗；
优选的，溅射过程中的功率为50～400W，溅射时间为30～180min。
通过纯铁表面溅射刻蚀，可在单晶硅片表面形成多孔结构，有利于绒面的形成。
优选的，对所述单晶硅片进行纯铁溅射刻蚀前还包括碱抛光的操作。
优选的，所述碱抛光的操作包括：采用浓度为2～5wt％的氢氧化钠溶液，在温度50～60℃的条件下抛光150～200s。通过上述碱抛光可理想地去除硅片表面的损伤层。
本发明的另一目的是保护本发明所述处理方法制备得到的单晶硅片。
本发明的最后一个目的是保护一种太阳能电池，所述太阳能电池由本发明所述单晶硅片制备得到。
制备本发明所述太阳能电池还包括如下步骤，将第二次扩散后的单晶硅片冷却后，进行刻蚀，镀膜，印刷，烧结等常规工艺，得到太阳能电池片。
作为优选的操作方式，本发明所述太阳能电池的制备方法包括如下步骤：
1)碱抛光，将切割好的单晶硅片采用氢氧化钠溶液抛光，去除硅片损伤层；
2)纯铁溅射刻蚀，在单晶硅片表面形成多孔结构；
3)第一次制绒，在硅片的多孔结构表面形成多孔结构绒面；
4)第一次扩散，在多孔结构绒面进行第一次制备p-n结；
5)混酸清洗，去除不稳固p-n结和不稳固硅面；
6)第二次制绒，重新在硅片的多孔结构表面形成多孔结构绒面；
7)第二次扩散，在硅片的多孔结构绒面上制备更为均匀的p-n结；
8)冷却后，进行刻蚀，镀膜，印刷，烧结等常规工艺，得到太阳能电池片。
本发明的另一目的是保护本发明所述方法制备得到的太阳能电池。
本发明具有如下有益效果：
1)本发明通过两次制绒和两次扩散不仅增加了硅片的上表面单位比表面积，使得吸收效率得到提高，而且使得p-n结更为均匀，对太阳能光的吸收效率更好。
2)在第一次扩散完成后，通过酸清洗，可去除不稳定的p-n结和绒面结构，有利于硅片表面形成均匀的结构，对于电池整体性能的提高具有重要的作用。
3)本发明通过纯铁溅射刻蚀在硅片表面形成多孔结构，有利于第一次制绒的制绒深度扩大，提升了硅片的上表面单位比表面积。
4)第一次制绒和扩散在电池表面会形成一层p-n结绒面，经过酸洗后再次制绒和扩散会形成再次形成一层薄的p-n结绒面，第二层形成的绒面可以看成是透光的，光线照射到第一层绒面后的反射光会被第二层绒面吸收和反射，由原来的平面吸收太阳光转换成立体吸收太阳光，进而提高了电池片吸收太阳能的效率。
具体实施方式
以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
本申请实施例在制绒的过程中均添加制绒添加剂，其中制绒添加实施例1
本实施例涉及一种单晶硅太阳能电池的制备方法，单晶硅片的处理包括如下步骤：
1)碱抛光，将切割好的单晶硅片采用采用浓度为4wt％的氢氧化钠溶液抛光，抛光温度控制在60℃，抛光时间控制在160s，去除硅片损伤层；
2)纯铁溅射刻蚀，首先将碱抛光后的硅片用去离子水清洗后烘干，然后作为靶材安装在靶架上，把平均粒度为60μm的纯铁粉样品皿中，溅射功率为300W，溅射时间为60min；然后对含铁的硅片使用盐酸浓度15wt％、硝酸浓度为5wt％的混合酸进行清洗，然后用去离子水清洗，去除铁和硅粉，在单晶硅片表面形成多孔结构；
3)第一次制绒，使用2.4wt％的氢氧化钠溶液进行制绒，温度控制在70℃，制绒时间控制在300s，制绒添加剂为2.4wt％的聚氧丙烯基钠，然后用去离子水清洗后烘干，在硅片的多孔结构表面形成多孔结构绒面；
4)第一次扩散，升温至790℃，通入氧气：2.8slm，氮气：3.8slm，时间：5min，在硅片表面形成约6nm厚的二氧化硅氧化层；升温至810℃，通入氮气：8.7slm，氧气：0.45slm，N2-POCl：850sccm，时间：14min，扩散磷原子进入单晶硅片，进行深度扩散；快速降温到730℃出舟，自然冷却到室温；制备得到p-n结；
5)混酸清洗，混酸中氢氟酸浓度6wt％；盐酸浓度10wt％；混酸清洗时间90s，然后用去离子水清洗后烘干,去除不稳固p-n结和不稳固硅面；
6)第二次制绒，氢氧化钠/制绒添加剂混合液中氢氧化钠浓度2wt％，制绒添加剂聚醚硅的浓度为3wt％，制绒温度78℃，制绒时间120s；然后用去离子水清洗，再次在硅片的多孔结构表面形成多孔结构绒面；
7)第二次扩散，升温至810℃，通入氧气2.1slm，氮气3.6slm，通气时间5min，在单晶硅片表面形成二氧化硅氧化层；升温至830℃，通入氮气8.6slm，氧气0.6slm，N2-POCl870sccm，通气时间：120min，扩散磷原子进入硅片；升温至880℃，不再通入磷源，仅通入氮气4.5slm，氧气3.4slm，时间15min，进行深度扩散；降温至810℃，恒温约10min，通入N2-POCl 500sccm，氮气8.9slm，氧气0.7slm进行低温扩散，急速降温至740℃出舟。
实施例2
本实施例涉及一种单晶硅太阳能电池的制备方法，单晶硅片的处理包括如下步骤：
1)碱抛光，将切割好的单晶硅片采用浓度为2wt％的氢氧化钠溶液抛光，抛光温度控制在60℃，抛光时间控制在150s，去除硅片损伤层；
2)纯铁溅射刻蚀，首先将碱抛光后的硅片用去离子水清洗后烘干，然后作为靶材安装在靶架上，把平均粒度为50μm的纯铁粉样品皿中，溅射功率为50W，溅射时间为30min；然后对含铁的硅片使用盐酸浓度12wt％、硝酸浓度为3wt％的混合酸进行清洗，然后用去离子水清洗，去除铁和硅粉，在单晶硅片表面形成多孔结构；
3)第一次制绒，使用2wt％的氢氧化钠溶液进行制绒，温度控制在60℃，制绒时间控制在200s，制绒添加剂为聚醚硅，其添加量为3wt％，然后用去离子水清洗后烘干，在硅片的多孔结构表面形成多孔结构绒面；
4)第一次扩散，升温至790℃，通入氧气：2slm，氮气：3slm，时间：4min，在硅片表面形成约6nm厚的二氧化硅氧化层；
升温至810℃，反应条件：氮气：8slm，氧气：0.2slm，N2-POCl：800sccm，时间：13min，扩散磷原子进入单晶硅片，进行深度扩散，快速降温到730℃出舟，自然冷却到室温；在多孔结构绒面形成p-n结；
5)混酸清洗，混酸中氢氟酸浓度5wt％；盐酸浓度9wt％；混酸清洗时间90s，然后用去离子水清洗后烘干,去除不稳固p-n结和不稳固绒面；
6)第二次制绒，氢氧化钠/制绒添加剂混合液中氢氧化钠浓度2wt％，制绒添加剂浓度3wt％，制绒温度78℃，制绒时间120s；制绒添加剂的主要成分为硅酸钠，然后用去离子水清洗；
7)第二次扩散，升温至750℃，通入氧气2slm，氮气3slm，通气时间4min，在单晶硅片表面形成二氧化硅氧化层；升温至810℃，通入氮气8slm，氧气0.3slm，N2-POCl 800sccm，通气时间：100min，扩散磷原子进入硅片；升温至850℃，不再通入磷源，仅通入氮气4slm，氧气3slm，时间15min，进行深度扩散；降温至790℃，恒温约8min，通入N2-POCl 400sccm，氮气8slm，氧气0.5slm进行低温扩散，急速降温至700℃出舟。
实施例3
本实施例涉及一种单晶硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
1)碱抛光，将切割好的单晶硅片采用采用浓度为4wt％的氢氧化钠溶液抛光，抛光温度控制在60℃，抛光时间控制在160s，去除硅片损伤层；
2)纯铁溅射刻蚀，首先将碱抛光后的硅片用去离子水清洗后烘干，然后作为靶材安装在靶架上，把平均粒度为60μm的纯铁粉样品皿中，溅射功率为300W，溅射时间为60min；然后对含铁的硅片使用盐酸浓度15wt％、硝酸浓度为5wt％的混合酸进行清洗，然后用去离子水清洗，去除铁和硅粉，在单晶硅片表面形成多孔结构；
3)第一次制绒，使用2.4wt％的氢氧化钠溶液进行制绒，温度控制在70℃，制绒时间控制在300s，制绒添加剂为聚氧丙烯基钠，其添加量为2wt％，然后用去离子水清洗后烘干，在硅片的多孔结构表面形成多孔结构绒面；
4)第一次扩散，升温至790℃，通入氧气：2.8slm，氮气：3.8slm，时间：5min，在硅片表面形成约6nm厚的二氧化硅氧化层3；升温至810℃，通入氮气：8.7slm，氧气：0.45slm，N2-POCl：850sccm，时间：14min，扩散磷原子进入单晶硅片，进行深度扩散，快速降温到730℃出舟，自然冷却到室温；在多孔结构绒面进行第一次制备p-n结；
5)混酸清洗，混酸中氢氟酸浓度6wt％；盐酸浓度10wt％；混酸清洗时间90s，然后用去离子水清洗后烘干,去除不稳固p-n结和不稳固硅面；
6)第二次制绒，氢氧化钠/制绒添加剂混合液中氢氧化钠浓度2wt％，制绒添加剂硅酸钠浓度3wt％，制绒温度78℃，制绒时间120s；然后用去离子水清洗重新在硅片的多孔结构表面形成多孔结构绒面；
7)第二次扩散，升温至810℃，通入氧气2.1slm，氮气3.6slm，通气时间5min，在单晶硅片表面形成二氧化硅氧化层；升温至830℃，通入氮气8.6slm，氧气0.6slm，N2-POCl870sccm，通气时间：120min，扩散磷原子进入硅片；升温至880℃，在高温下，不再通入磷源，仅通入氮气4.5slm，氧气3.4slm，时间15min，进行深度扩散；降温至810℃，恒温约10min，通入N2-POCl 500sccm，氮气8.9slm，氧气0.7slm进行低温扩散，急速降温至740℃出舟。
对比例1
与实施例1相比，其区别在于，不进行步骤5)所述的混酸清洗的操作，第一次扩散完成后直接进行第二次制绒。
对比例2
与实施例1相比，其区别在于，不进行第二次扩散即步骤7)的操作。
对比例3
与实施例1相比，其区别在于，第二次制绒和第一次制绒的工艺相同，即步骤3)和步骤6)的操作相同。在这种操作下第二次制绒后绒面的厚度较大，无法实现太阳光的透射。
实验例
将实施例和对比例中的制备得到的单晶硅片采用相同的工艺进行刻蚀，镀膜，印刷，烧结处理，得到太阳能电池片。
其中刻蚀的具体操作为：
1)背面去除PSG，采用链式湿法设备，在硅片正面采用水膜保护的条件下，利用氢氟酸水溶液中对硅片背面扩散后形成的PSG进行去除；去PSG中要防止正面过刻，否则后续进一步抛光时会破坏pn结，保证正面亲水，背面疏水。氢氟酸水溶液中，氢氟酸质量百分比浓度为5％-10％，当质量百分比浓度小于5％时，补液量约20mL/100pcs。
2)背面碱抛光，整个背面碱抛光过程控制硅片减重0.2±0.01g，，背面碱抛光按照预清洗、碱抛光、碱清洗、酸清洗进行，预清洗过程采用氢氧化钾和双氧水溶液进行清洗，碱抛光采用化学辅助剂进行抛光，碱清洗采用氢氧化钾和双氧水溶液混合液进行清洗，酸清洗采用氢氟酸和盐酸混合水溶液进行。可以在槽式机中进行，使硅片经历预清洗、碱抛光(刻蚀)、碱清洗、酸洗完成背面抛光工艺过程；
步骤2)，预清洗工艺条件为，预清洗溶液中，氢氧化钾的质量百分比浓度为0.18％-0.22％，双氧水的质量百分比浓度为5％-6％，清洗时间为50-90s，温度为40℃。
步骤2)，碱抛光工艺条件为，化学辅助剂中氢氧化钾浓度为150克/升-280克/升，亚硝酸钾浓度为100克/升-150克/升，氟化钾浓度为1克/升-1.2克/升，磷酸钾浓度为10克/升-20克/升，溶剂为水，清抛光时间为3-4min，温度为70℃。
步骤2)中，碱清洗工艺条件为，碱清洗溶液中，氢氧化钾的质量百分比浓度为0.38％-0.42％，双氧水的质量百分比浓度为5％-6％，清洗时间为,2-3min，温度为60℃。
步骤2)中，酸清洗工艺条件为，酸清洗溶液中，氢氟酸质量百分比浓度为9％-11％，盐酸质量百分比浓度为9％-11％，清洗2-3min。每400片(后简称pcs)需要置换槽内5-10L溶液，保证刻蚀液的活性，另外需要保证前后清洗槽内的双氧水的浓度，从而保证硅片表面的清洁度。
抛光工艺槽需要严格的配补液，具体为碱液补充200mL/100pcs，化学辅助剂随着生产的不断进行为阶段性补液，在4000pcs以内，补液400mL/400pcs；在4000pcs-8000pcs，补液500mL/400pcs；在8000pcs-16000pcs以内，补液700mL/400pcs；刻蚀过程中，主工艺槽需要开启定量排液功能，每400pcs需要置换槽内5-10L溶液，保证刻蚀液的活性，另外需要保证前后清洗槽内的双氧水的体积比浓度维持在5％-6％。
镀膜的具体操作为：
CVD镀膜前，将多晶硅片基材和纯银靶材置于等离子合金化炉内，抽真空至0.5Pa后，通入NH3，气压控制在35Pa，同时开启工件电源和源极电源，使工件电压高于源极电压，压差保持250V。缓慢升高电压，温度升至930℃后，保温30min，对工件两面分别进行溅射2-4秒；使在多晶硅片背面表面形成一层银硅掺杂层，控制银硅掺杂层的银硅原子比为1:100-1:50，提高了多晶硅太阳能电池背面开压。将温度冷到430℃-450℃进行PECVD镀膜，背面层膜镀膜时，SiH4气体流量为3.6slm，NH3的气体流量为1100sccm，镀膜时间150s，射频功率为5650W，折射率控制为2.31，正面层膜镀膜时，SiH4气体流量为6.8slm，NH3的气体流量为680sccm，镀膜时间150s，射频功率为5650W，折射率控制为2.02。
印刷的具体操作为：
主栅数量12根，主栅之间线间距相等都是12.4mm，将主栅的宽度0.1mm，同时为了保证探针连接，在每根主栅上设置12个探针测试点，每两个探针测试点之间相距12.78mm，主栅在每个探针测试点与一根细珊垂直相交，每根主栅上的12个探针测试点中，其中中间10个探针测试点，每个都为12边形，其中边长为0.23mm，对边相距0.8mm，线宽0.1mm，两边两个探针测试点为长方形，长1.45mm，宽0.8mm。两边长方形探针测试点与网版上下边框组成梯形分布，其中梯形的上底或者下底为长方形探针测试点的一边，长0.8mm，下底或者上底为网版边框，长为2mm，使主栅探针测试点与组件端焊接点位置相互交错，保证焊接拉力。
对太阳能电池片的性能进行测定，其结果如表1：
表1太阳能电池片的相关性能
实施例1、2、3中形成了双层的P-N结层，并且二次P-N结层很薄，其可以吸收利用反射的太阳能光，所以功率高，对比例1中，由于没有进行酸洗两层P-N结之间存在不稳定结构，破坏了P-N结对光的吸收，功率很大程度了进行了减少，对比例2中，不进行扩散，二次P-N结不能形成，反而对一次P-N结的吸收进行了阻挡，功率最低，对比例3中，由于二次P-N结层厚度与一次P-N结层厚度都比较厚，因此二次P-N结层透光效率低，很大一部分光直接被二次P-N结层进行了反射，因此功率较低，与正常一次P-N结层功率大致相同。
虽然，上文中已经用一般性说明、具体实施方式及试验，对本发明作了详尽的描述，但在本发明基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本发明要求保护的范围。
Claims (12)
1.一种单晶硅片的处理方法，其特征在于，依次包括如下步骤：
1)在所述单晶硅片的一个表面进行第一次制绒和第一次扩散制备形成p-n结；
2)酸清洗去除不稳固p-n结和不稳固的绒面结构；
3)在所述单晶硅片的所述一个表面进行第二次制绒和第二次扩散；
所述第二次制绒后形成的绒面结构的厚度小于10纳米，可实现太阳光的透射；
所述第二次制绒的具体操作包括：使用包括2～3wt％的氢氧化钠溶液进行制绒，温度控制在60～80℃，制绒时间为100～500s，且为第一次制绒时间的1/3～2/3。
2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述第一次制绒的具体操作包括：使用包括2～3wt％的氢氧化钠的溶液进行制绒，温度控制在60～80℃，制绒时间控制在200～1000s。
3.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述第一次扩散的具体操作包括：在温度790～830℃下，通入氧气2～3slm，氮气3～4slm，通气时间4～6min；
提升温度10～50℃，通入氧气0.2～1slm，氮气8～9slm，N2～POCl：800～900sccm，通气时间13～15min，快速降温到700～740℃，出舟；
和/或，所述第二次扩散的具体操作包括，在750～810℃下，通入氧气2～3slm，氮气3～4slm，通气时间4～6min，在单晶硅片表面形成二氧化硅氧化层；
升温至810～830℃，通入氮气8～9slm，氧气0.3～0.8slm，N2～POCl：800～900sccm，通气时间100～150min，扩散磷原子进入硅片；
升温至850～880℃，不再通入磷源，仅通入氮气4～5slm，氧气：3～4slm，通气时间15～30min，进行深度扩散；
降温至790～810℃，通入氮气8～9slm，氧气0.5～0.8slm，N2～POCl 400～500sccm，通气时间8～10min，进行低温扩散；
急速降温至700～740℃，出舟。
4.根据权利要求1～3任一项所述的处理方法，其特征在于，所述酸清洗的具体操作包括：采用氢氟酸和盐酸的混合酸进行清洗，所述混合酸中氢氟酸的浓度5～7wt％；盐酸的浓度9～11wt％。
5.根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，酸清洗的时间为90～100s。
6.根据权利要求1～3任一项所述的处理方法，其特征在于，在第一次制绒之前还包括对所述单晶硅片进行纯铁溅射刻蚀的处理。
7.根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，在第一次制绒之前还包括对所述单晶硅片进行纯铁溅射刻蚀的处理。
8.根据权利要求6所述的处理方法，其特征在于，所述纯铁溅射刻蚀包括如下步骤：将碱抛光后的硅片用去离子水清洗后烘干，将其作为靶材，以平均粒度为50～80μm的纯铁粉作为溅射材料，向所述靶材上进行溅射；然后使用盐酸体积浓度12～18wt％，硝酸体积浓度为3～7wt％的混合酸对溅射得到的含铁的硅片进行清洗。
9.根据权利要求8所述的处理方法，其特征在于，溅射过程中的功率为50～400W，溅射时间为30～180min。
10.根据权利要求8所述的处理方法，其特征在于，对所述单晶硅片进行纯铁溅射刻蚀前还包括碱抛光的操作；
所述碱抛光的操作包括：采用浓度为2～5wt％的氢氧化钠溶液，在温度50～60℃的条件下抛光150～200s。
11.根据权利要求1～10任一项所述处理方法制备得到的单晶硅片。
12.一种太阳能电池，其特征在于，由权利要求11所述单晶硅片制备得到。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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