CN110544726A - 一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片及其制备方法，该多晶硅太阳能电池片包括多晶硅片，多晶硅片的正面为绒面，绒面的上表面沉积三层氮化硅，多晶硅片的正面印刷有正电极，背面印刷有负电极；该多晶硅太阳能电池片的制备方法为：检测、清洗；制绒；扩散制结；去磷硅玻璃处理；制备氮化硅反射层；印刷正、负电极；烧结；通过两次制绒可在多晶硅片的表面形成比较均匀的绒面，有利于提高多晶硅片的光电转换效率；在多晶硅片表面沉积三层氮化硅，使多晶硅片表面产生良好的钝化效果，提升多晶硅片的光电转换效率；电性能测试结果表明，本发明所制得的多晶硅太阳能电池片具有很高的光电转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及多晶硅太阳能电池技术领域，具体是一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片及其制备方法。
背景技术
随着社会和经济的飞速发展，能源的需要日益增加，化石能源的日趋枯竭和给生态环境造成的污染，严重威胁着社会和经济的可持续发展。因此，迫切需要采用可再生能源进行替代。太阳能电池，是一种将太阳能直接转化为电能的半导体器件，由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且是可再生资源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池是一种具有广阔发展前途的新型能源。在众多种类的太阳能电池中，多晶硅太阳能电池价格较低且转换效率较高，在光伏市场中占据了绝对的主导地位。随着光伏行业竞争加剧，各太阳能电池生产厂家都在想尽办法提升电池的转换效率。
对于多晶硅太阳能电池片而言，其一般通过酸性溶液腐蚀来实现制绒，例如，一般采用硝酸和氢氟酸的混合溶液对多晶硅太阳能电池片表面进行腐蚀，进而在其表面形成蜂窝状结构。当太阳光照射在腐蚀后的多晶硅太阳能电池片表面时，光线会因为绒面的存在而发生多次反射，进而减小了太阳光的反射率，增加了电池片对太阳光的利用率，最终可提高电池片的光电转换效率。但是，依照现有技术对多晶硅太阳能电池片进行制绒后，所得硅片绒面的均匀性较差，不利于提高多晶硅太阳能电池片的光电转换效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片及其制备方法，以解决现有技术中的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片，该多晶硅太阳能电池片包括多晶硅片，多晶硅片的正面为腐蚀制绒所成的绒面，绒面的上表面沉积三层减反射膜，多晶硅片的正面印刷有正电极，多晶硅片的背面印刷有负电极。
作为优化，三层减反射膜均为氮化硅膜，三层减反射膜包括第一层膜、第二层膜和第三层膜，第一层膜覆盖于多晶硅片的正面，具有第一折射率和第一厚度，第二层膜覆盖于第一层膜的上表面，具有第二折射率和第二厚度，第三层膜覆盖于第二层膜的上表面，具有第三折射率和第三厚度，第一折射率为2.5-3，第一厚度为20-25nm，第二折射率为1.7-2.1，第二厚度为50-55nm，第三折射率为2.1-2.6，第三厚度为25-40nm。
作为优化，正电极包括主栅线和细栅线，主栅线与细栅线垂直连接，细栅线之间彼此平行，细栅线的数量为100-105根，细栅线的宽度为32-35μm，主栅线的数量为3-5根，主栅线的宽度为1.0-1.5mm，主栅线和细栅线的材质均为银浆，负电极为若干导电胶带。
作为优化，绒面的凹槽深度为3-4μm，绒面的凹槽长度为8-12μm，所述绒面的凹槽宽度为1-3μm。
一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片的制备方法，该制备方法包括以下步骤：
(1)检测、清洗；
(2)制绒；
(3)扩散制结；
(4)去磷硅玻璃处理；
(5)制备氮化硅反射层；
(6)印刷正、负电极；
(7)烧结。
作为优化，一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片的制备方法，该制备方法包括以下步骤：
(1)检测、清洗：对多晶硅片进行检测，去除不合格的多晶硅片，对合格的多晶硅片进行清洗；
(2)制绒：
(a)将步骤(1)所得的多晶硅片置于硝酸和氢氟酸的混合溶液中浸泡，进行第一次制绒，然后用去离子水进行清洗；
(b)将步骤(a)所得的多晶硅片置于硝酸和氢氟酸的混合溶液中浸泡，进行第二次制绒，然后用去离子水进行清洗；
(3)扩散制结：
(a1)将步骤(b)所得的多晶硅片放入扩散炉中进行进舟处理；
(b1)将步骤(a1)所得的多晶硅片进行中低温沉积处理；
(c1)对步骤(b1)所得的多晶硅片进行高温沉积处理；
(d1)将步骤(c1)所得的多晶硅片进行退火吸杂处理；
(e1)将步骤(d1)所得的多晶硅片进行中低温出舟处理；
(4)去磷硅玻璃处理：将步骤(e1)所得的多晶硅片置于盐酸溶液中进行去磷硅玻璃处理，然后用去离子水喷淋进行清洗；
(5)制备氮化硅反射层：
(a2)通入反应气体，在步骤(4)所得的多晶硅片的表面沉积第一氮化硅层，然后进行第一沉积停顿处理；
(b2)通入反应气体，在步骤(a2)所得的第一氮化硅层的表面沉积第二氮化硅层，然后进行第二沉积停顿处理；
(c2)通入反应气体，在步骤(b2)所得的第二氮化硅层的表面沉积第三氮化硅层；
(6)印刷正、负电极：在步骤(c2)所得的多晶硅片的正面印刷细栅线和主栅线端部，烘干，再在多晶硅片正面印刷完整主栅线，烘干，在多晶硅片的背面印刷负电极；
(7)将步骤(6)所得的多晶硅片放入烧结设备中进行烧结处理，得到高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片。
作为优化，一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片的制备方法，该制备方法包括以下步骤：
(1)检测、清洗：对多晶硅片进行检测，去除不合格的多晶硅片，对合格的多晶硅片进行清洗；
(2)制绒：
(a)将步骤(1)所得的多晶硅片置于10-20℃的硝酸和氢氟酸的混合溶液中浸泡30-50s，进行第一次制绒，然后用去离子水喷淋进行清洗；对多晶硅片进行第一次制绒的目的是去除多晶硅片表面的损伤层，用去离子水对多晶硅片进行喷淋清洗，是为了洗去多晶硅片上的氢氟酸和硝酸的混合溶液；
(b)将步骤(a)所得的多晶硅片置于40-60℃的硝酸和氢氟酸的混合溶液中浸泡60-70s，进行第二次制绒，然后用去离子水喷淋进行清洗；对多晶硅片进行第二次制绒的目的是在多晶硅片表面形成均匀、细致的绒面，用去离子水对多晶硅片进行喷淋清洗，是为了洗去多晶硅片上的氢氟酸和硝酸的混合溶液；
(3)扩散制结：
(a1)将步骤(b)所得的多晶硅片放入扩散炉中进行进舟处理，进舟处理的时间为10-15min，扩散炉的温度为700-900℃，大氮流量为25-30slm，进舟速度为200-300mm/min；
(b1)将步骤(a1)所得的多晶硅片进行中低温沉积处理，中低温沉积处理的时间为8-12min，扩散炉的温度为750-800℃，小氮流量为0.5-1.5slm，小氧流量为0.5-1.5slm，大氮流量为20-30slm；
(c1)对步骤(b1)所得的多晶硅片进行高温沉积处理，高温沉积处理的时间为5-10min，扩散炉的温度为800-850℃，小氮流量为1.2-1.9slm，小氧流量为1.2-1.9slm，大氮流量为20-30slm；
(d1)将步骤(c1)所得的多晶硅片进行退火吸杂处理，退火吸杂处理的时间为15-20min，扩散炉的温度为600-700℃，大氮流量为20-30slm；
(e1)将步骤(d1)所得的多晶硅片进行中低温出舟处理，中低温出舟处理的时间为10-15min，扩散炉的温度为780-820℃，大氮流量为25-33slm，出舟速度200-300mm/min；多晶硅片的扩散制结包括中低温进舟、中低温沉积、高温沉积、退火吸杂及中低温出舟等步骤，中低温沉积以仅0.5-1.5slm流量的小氮携带磷源进行沉积，有利于降多晶低硅片表面浓度，使硅片更快达到我们所需的方阻，从而节省时间用于后续的退火吸杂，这样就可以提多晶硅片的高光电转换效率；
(4)去磷硅玻璃处理：将步骤(e1)所得的多晶硅片置于浓度为20-30％的盐酸溶液中进行去磷硅玻璃处理，然后用去离子水喷淋进行清洗；
(5)制备氮化硅反射层：
(a2)采用气体流量为氨气:硅烷为3000-3200:1000-1100通入反应气体，在步骤(4)所得的多晶硅片的表面沉积第一氮化硅层，沉积第一氮化硅层的时间为80-100s，然后进行第一沉积停顿处理，停止通入反应气体，将沉积功率调整为0，压力维持在160-180Pa，维持3-8s；
(b2)采用气体流量为氨气:硅烷为3300-3500:600-700通入反应气体，在步骤(a2)所得的第一氮化硅层的表面沉积第二氮化硅层，沉积第二氮化硅层的时间为60-80s，然后进行第二沉积停顿处理，停止通入反应气体，将沉积功率调整为0，压力维持在160-180Pa，维持3-8s；
(c2)采用气体流量为氨气:硅烷为3600-3900:300-500通入反应气体，在步骤(b2)所得的第二氮化硅层的表面沉积第三氮化硅层，沉积第三氮化硅层的时间为7-10min；在多晶硅片表面沉积三层氮化硅，三层氮化硅可使多晶硅片表面产生良好的钝化效果，提高多晶硅片的短路电流，降低反向漏电流，提升多晶硅片的光电转换效率；
(6)印刷正、负电极：将包含若干条细栅线印刷区和若干条主栅线印刷区的网版固定在印刷机上，然后将步骤(c2)所得的多晶硅片送入所述印刷机内，将细栅银浆印刷在细栅线印刷区、主栅线印刷区端部，在多晶硅片正面上形成细栅线和主栅线端部，细栅线与主栅线端部相交，然后烘干所述多晶硅片，将网版更换成主栅线印刷区部分区域布置遮盖物的网版，再将烘干的多晶硅片送入印刷机，用主栅银浆印刷在剩余的主栅线印刷区形成形成完整主栅线，并烘干，细栅银浆中银的质量分数为75-88％，主栅银浆中银的质量分数为40-55％，在多晶硅片的背面印刷负电极，负电极为若干导电胶带；先在多晶硅片正面的细栅线印刷区、主栅线印刷区端部印刷细栅银，形成完整的细栅线以及主栅线的端部，克服了多晶硅片主栅线、细栅线结合偏移的问题，延长了网版使用寿命；主栅线的中间部分印刷含银量较少的主栅银浆，明显降低了主栅线的银浆耗量，降低多晶硅片的制造成本；
(7)将步骤(6)所得的多晶硅片放入烧结设备中进行烧结处理，得到高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片，烧结温度为800-1000℃，烧结时间为1-2min。
作为优化，步骤(1)中对多晶硅片进行清洗的具体步骤为：将多晶硅片置于丙酮中超声清洗1-2min，然后置于无水乙醇中超声清洗1-2min，再用去离子水喷淋清洗3-5min。
作为优化，步骤(a)中氢氟酸的质量浓度为30-60g/L，硝酸的质量浓度为400-500g/L；步骤(b)氢氟酸的质量浓度为40-60g/L，所述硝酸的质量浓度为300-400g/L。对多晶硅片进行两次制绒，且第二次制绒时所用硝酸和氢氟酸的质量浓度比小于第一次制绒时所用硝酸和氢氟酸的质量浓度比，在第一次制绒是对多晶硅片起到抛光作用，去除多晶硅片表面的损伤层，第二次制绒，是对多晶硅片起到制绒作用，使用硝酸和氢氟酸的混合溶液对多晶硅片分别进行抛光和制绒，最终可在多晶硅片的表面形成比较均匀的绒面，均匀的绒面有利于提高多晶硅片的光电转换效率。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
一是本发明一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片及其制备方法，对多晶硅片进行第一次制绒的目的是去除多晶硅片表面的损伤层；对多晶硅片进行第二次制绒的目的是在多晶硅片表面形成均匀、细致的绒面；对多晶硅片进行两次制绒，且第二次制绒时所用硝酸和氢氟酸的质量浓度比小于第一次制绒时所用硝酸和氢氟酸的质量浓度比，在第一次制绒是对多晶硅片起到抛光作用，去除多晶硅片表面的损伤层，第二次制绒，是对多晶硅片起到制绒作用，使用硝酸和氢氟酸的混合溶液对多晶硅片分别进行抛光和制绒，最终可在多晶硅片的表面形成比较均匀的绒面，均匀的绒面有利于提高多晶硅片的光电转换效率；
二是本发明一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片及其制备方法，多晶硅片的扩散制结包括中低温进舟、中低温沉积、高温沉积、退火吸杂及中低温出舟等步骤，中低温沉积以仅0.5-1.5slm流量的小氮携带磷源进行沉积，有利于降多晶低硅片表面浓度，使硅片更快达到我们所需的方阻，从而节省时间用于后续的退火吸杂，这样就可以提多晶硅片的高光电转换效率；
三是本发明一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片及其制备方法，在多晶硅片表面沉积三层氮化硅，三层氮化硅可使多晶硅片表面产生良好的钝化效果，提高多晶硅片的短路电流，降低反向漏电流，提升多晶硅片的光电转换效率；
四是本发明一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片及其制备方法，在多晶硅片正、背面印刷正、负电极，先在多晶硅片正面的细栅线印刷区、主栅线印刷区端部印刷细栅银，形成完整的细栅线以及主栅线的端部，克服了多晶硅片主栅线、细栅线结合偏移的问题，延长了网版使用寿命；主栅线的中间部分印刷含银量较少的主栅银浆，明显降低了主栅线的银浆耗量，降低多晶硅片的制造成本。
附图说明
图1为本发明一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片的剖面结构示意图；
图2为本发明一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片的主视结构示意图。
图中：1-多晶硅片、11-正面、12-背面、2-绒面、21-凹槽、3-减反射膜、31-第一层膜、32-第二层膜、33-第三层膜、4-正电极、41-主栅线、42-细栅线、5-负电极。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1：
一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片，该多晶硅太阳能电池片包括多晶硅片1，多晶硅片1的正面11为腐蚀制绒所成的绒面2，绒面2的凹槽21深度为3μm，绒面2的凹槽22长度为8μm，绒面2的凹槽22宽度为1μm，绒面2的上表面沉积三层减反射膜3，三层减反射膜3均为氮化硅膜，三层减反射膜3包括第一层膜31、第二层膜32和第三层膜33，第一层膜31覆盖于多晶硅片1的正面11，具有第一折射率和第一厚度，第二层膜覆32盖于第一层膜31的上表面，具有第二折射率和第二厚度，第三层膜33覆盖于第二层膜32的上表面，具有第三折射率和第三厚度，第一折射率为2.5，第一厚度为20nm，第二折射率为1.7，第二厚度为50nm，第三折射率为2.1，第三厚度为25nm，多晶硅片1的正面11印刷有正电极4，正电极4包括主栅线41和细栅线42，主栅线41与若干条细栅线42垂直连接，细栅线42之间彼此平行，细栅线42的数量为100根，细栅线42的宽度为32μm，主栅线41的数量为3根，主栅线41的宽度为1.0mm，主栅线41和细栅线42的材质均为银浆，多晶硅片1的背面12印刷有负电极5，负电极5为若干导电胶带。
一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片的制备方法，该制备方法包括以下步骤：
(1)检测、清洗：对多晶硅片进行检测，去除不合格的多晶硅片，对合格的多晶硅片进行清洗，将多晶硅片置于丙酮中超声清洗1min，然后置于无水乙醇中超声清洗1min，再用去离子水喷淋清洗3min；
(2)制绒：
(a)将步骤(1)所得的多晶硅片置于10℃的硝酸和氢氟酸的混合溶液中浸泡30s，进行第一次制绒，然后用去离子水喷淋进行清洗，氢氟酸的质量浓度为30g/L，硝酸的质量浓度为400g/L；
(b)将步骤(a)所得的多晶硅片置于40℃的硝酸和氢氟酸的混合溶液中浸泡60s，进行第二次制绒，然后用去离子水喷淋进行清洗，氢氟酸的质量浓度为40g/L，所述硝酸的质量浓度为300g/L；
(3)扩散制结：
(a1)将步骤(b)所得的多晶硅片放入扩散炉中进行进舟处理，进舟处理的时间为10min，扩散炉的温度为700℃，大氮流量为25slm，进舟速度为200mm/min；
(b1)将步骤(a1)所得的多晶硅片进行中低温沉积处理，中低温沉积处理的时间为8min，扩散炉的温度为750℃，小氮流量为0.5slm，小氧流量为0.5slm，大氮流量为20slm；
(c1)对步骤(b1)所得的多晶硅片进行高温沉积处理，高温沉积处理的时间为5min，扩散炉的温度为800℃，小氮流量为1.2slm，小氧流量为1.2slm，大氮流量为20slm；
(d1)将步骤(c1)所得的多晶硅片进行退火吸杂处理，退火吸杂处理的时间为15min，扩散炉的温度为600℃，大氮流量为20slm；
(e1)将步骤(d1)所得的多晶硅片进行中低温出舟处理，中低温出舟处理的时间为10min，扩散炉的温度为780℃，大氮流量为25slm，出舟速度200mm/min；
(4)去磷硅玻璃处理：将步骤(e1)所得的多晶硅片置于浓度为20-30％的盐酸溶液中进行去磷硅玻璃处理，然后用去离子水喷淋进行清洗；
(5)制备氮化硅反射层：
(a2)采用气体流量为氨气:硅烷为3000:1000通入反应气体，在步骤(4)所得的多晶硅片的表面沉积第一氮化硅层，沉积第一氮化硅层的时间为80s，然后进行第一沉积停顿处理，停止通入反应气体，将沉积功率调整为0，压力维持在160Pa，维持3s；
(b2)采用气体流量为氨气:硅烷为3300:600通入反应气体，在步骤(a2)所得的第一氮化硅层的表面沉积第二氮化硅层，沉积第二氮化硅层的时间为60s，然后进行第二沉积停顿处理，停止通入反应气体，将沉积功率调整为0，压力维持在160Pa，维持3s；
(c2)采用气体流量为氨气:硅烷为3600:300通入反应气体，在步骤(b2)所得的第二氮化硅层的表面沉积第三氮化硅层，沉积第三氮化硅层的时间为7min；
(6)印刷正、负电极：将包含若干条细栅线印刷区和若干条主栅线印刷区的网版固定在印刷机上，然后将步骤(c2)所得的多晶硅片送入所述印刷机内，将细栅银浆印刷在细栅线印刷区、主栅线印刷区端部，在多晶硅片正面上形成细栅线和主栅线端部，细栅线与主栅线端部相交，然后烘干所述多晶硅片，将网版更换成主栅线印刷区部分区域布置遮盖物的网版，再将烘干的多晶硅片送入印刷机，用主栅银浆印刷在剩余的主栅线印刷区形成形成完整主栅线，并烘干，细栅银浆中银的质量分数为75％，主栅银浆中银的质量分数为40％，在多晶硅片的背面印刷负电极，负电极为若干导电胶带；
(7)将步骤(6)所得的多晶硅片放入烧结设备中进行烧结处理，得到高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片，烧结温度为800℃，烧结时间为1min。
实施例2：
一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片，该多晶硅太阳能电池片包括多晶硅片1，多晶硅片1的正面11为腐蚀制绒所成的绒面2，绒面2的凹槽21深度为3.2μm，绒面2的凹槽21长度为8.5μm，绒面2的凹槽21宽度为1.5μm，绒面2的上表面沉积三层减反射膜3，三层减反射膜3均为氮化硅膜，三层减反射膜3包括第一层膜31、第二层膜32和第三层膜33，第一层膜31覆盖于多晶硅片1的正面11，具有第一折射率和第一厚度，第二层膜32覆盖于第一层膜31的上表面，具有第二折射率和第二厚度，第三层膜33覆盖于第二层膜32的上表面，具有第三折射率和第三厚度，第一折射率为2.6，第一厚度为21nm，第二折射率为1.8，第二厚度为51nm，第三折射率为2.2，第三厚度为28nm，多晶硅片1的正面11印刷有正电极4，正电极4包括主栅线41和细栅线42，主栅线41与若干条细栅线42垂直连接，细栅线42之间彼此平行，细栅线42的数量为101根，细栅线42的宽度为33μm，主栅线41的数量为3根，主栅线41的宽度为1.1mm，主栅线41和细栅线42的材质均为银浆，多晶硅片1的背面12印刷有负电极5，负电极5为若干导电胶带。
一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片的制备方法，该制备方法包括以下步骤：
(1)检测、清洗：对多晶硅片进行检测，去除不合格的多晶硅片，对合格的多晶硅片进行清洗，将多晶硅片置于丙酮中超声清洗1min，然后置于无水乙醇中超声清洗1min，再用去离子水喷淋清洗3min；
(2)制绒：
(a)将步骤(1)所得的多晶硅片置于12℃的硝酸和氢氟酸的混合溶液中浸泡35s，进行第一次制绒，然后用去离子水喷淋进行清洗，氢氟酸的质量浓度为35g/L，硝酸的质量浓度为420g/L；
(b)将步骤(a)所得的多晶硅片置于42℃的硝酸和氢氟酸的混合溶液中浸泡62s，进行第二次制绒，然后用去离子水喷淋进行清洗，氢氟酸的质量浓度为45g/L，所述硝酸的质量浓度为320g/L；
(3)扩散制结：
(a1)将步骤(b)所得的多晶硅片放入扩散炉中进行进舟处理，进舟处理的时间为11min，扩散炉的温度为750℃，大氮流量为26slm，进舟速度为220mm/min；
(b1)将步骤(a1)所得的多晶硅片进行中低温沉积处理，中低温沉积处理的时间为9min，扩散炉的温度为760℃，小氮流量为0.7slm，小氧流量为0.7slm，大氮流量为22slm；
(c1)对步骤(b1)所得的多晶硅片进行高温沉积处理，高温沉积处理的时间为6min，扩散炉的温度为810℃，小氮流量为1.3slm，小氧流量为1.3slm，大氮流量为22slm；
(d1)将步骤(c1)所得的多晶硅片进行退火吸杂处理，退火吸杂处理的时间为16min，扩散炉的温度为620℃，大氮流量为22slm；
(e1)将步骤(d1)所得的多晶硅片进行中低温出舟处理，中低温出舟处理的时间为11min，扩散炉的温度为785℃，大氮流量为26slm，出舟速度220mm/min；
(4)去磷硅玻璃处理：将步骤(e1)所得的多晶硅片置于浓度为22％的盐酸溶液中进行去磷硅玻璃处理，然后用去离子水喷淋进行清洗；
(5)制备氮化硅反射层：
(a2)采用气体流量为氨气:硅烷为3050:1020通入反应气体，在步骤(4)所得的多晶硅片的表面沉积第一氮化硅层，沉积第一氮化硅层的时间为85s，然后进行第一沉积停顿处理，停止通入反应气体，将沉积功率调整为0，压力维持在165Pa，维持4s；
(b2)采用气体流量为氨气:硅烷为3350:620通入反应气体，在步骤(a2)所得的第一氮化硅层的表面沉积第二氮化硅层，沉积第二氮化硅层的时间为65s，然后进行第二沉积停顿处理，停止通入反应气体，将沉积功率调整为0，压力维持在165Pa，维持4s；
(c2)采用气体流量为氨气:硅烷为3650:350通入反应气体，在步骤(b2)所得的第二氮化硅层的表面沉积第三氮化硅层，沉积第三氮化硅层的时间为8min；
(6)印刷正、负电极：将包含若干条细栅线印刷区和若干条主栅线印刷区的网版固定在印刷机上，然后将步骤(c2)所得的多晶硅片送入所述印刷机内，将细栅银浆印刷在细栅线印刷区、主栅线印刷区端部，在多晶硅片正面上形成细栅线和主栅线端部，细栅线与主栅线端部相交，然后烘干所述多晶硅片，将网版更换成主栅线印刷区部分区域布置遮盖物的网版，再将烘干的多晶硅片送入印刷机，用主栅银浆印刷在剩余的主栅线印刷区形成形成完整主栅线，并烘干，细栅银浆中银的质量分数为78％，主栅银浆中银的质量分数为45％，在多晶硅片的背面印刷负电极，负电极为若干导电胶带；
(7)将步骤(6)所得的多晶硅片放入烧结设备中进行烧结处理，得到高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片，烧结温度为850℃，烧结时间为2min。
实施例3：
一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片，该多晶硅太阳能电池片包括多晶硅片1，多晶硅片1的正面11为腐蚀制绒所成的绒面2，绒面2的凹槽21深度为3.5μm，绒面2的凹槽21长度为10μm，绒面2的凹槽21宽度为2μm，绒面2的上表面沉积三层减反射膜3，三层减反射膜3均为氮化硅膜，三层减反射膜3包括第一层膜31、第二层膜32和第三层膜33，第一层膜31覆盖于多晶硅片1的正面11，具有第一折射率和第一厚度，第二层膜32覆盖于第一层膜31的上表面，具有第二折射率和第二厚度，第三层膜33覆盖于第二层膜32的上表面，具有第三折射率和第三厚度，第一折射率为2.75，第一厚度为22.5nm，第二折射率为1.9，第二厚度为52.5nm，第三折射率为2.35，第三厚度为32.5nm，多晶硅片1的正面11印刷有正电极4，正电极4包括主栅线41和细栅线42，主栅线41与若干条细栅线42垂直连接，细栅线42之间彼此平行，细栅线42的数量为102.5根，细栅线42的宽度为33.5μm，主栅线41的数量为4根，主栅线41的宽度为1.25mm，主栅线41和细栅线42的材质均为银浆，多晶硅片1的背面12印刷有负电极5，负电极5为若干导电胶带。
一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片的制备方法，该制备方法包括以下步骤：
(1)检测、清洗：对多晶硅片进行检测，去除不合格的多晶硅片，对合格的多晶硅片进行清洗，将多晶硅片置于丙酮中超声清洗1.5min，然后置于无水乙醇中超声清洗1.5min，再用去离子水喷淋清洗4min；
(2)制绒：
(a)将步骤(1)所得的多晶硅片置于15℃的硝酸和氢氟酸的混合溶液中浸泡40s，进行第一次制绒，然后用去离子水喷淋进行清洗，氢氟酸的质量浓度为45g/L，硝酸的质量浓度为450g/L；
(b)将步骤(a)所得的多晶硅片置于50℃的硝酸和氢氟酸的混合溶液中浸泡65s，进行第二次制绒，然后用去离子水喷淋进行清洗，氢氟酸的质量浓度为50g/L，所述硝酸的质量浓度为350g/L；
(3)扩散制结：
(a1)将步骤(b)所得的多晶硅片放入扩散炉中进行进舟处理，进舟处理的时间为12.5min，扩散炉的温度为800℃，大氮流量为27.5slm，进舟速度为250mm/min；
(b1)将步骤(a1)所得的多晶硅片进行中低温沉积处理，中低温沉积处理的时间为10min，扩散炉的温度为775℃，小氮流量为1.0slm，小氧流量为1.0slm，大氮流量为25slm；
(c1)对步骤(b1)所得的多晶硅片进行高温沉积处理，高温沉积处理的时间为7.5min，扩散炉的温度为825℃，小氮流量为1.55slm，小氧流量为1.55slm，大氮流量为25slm；
(d1)将步骤(c1)所得的多晶硅片进行退火吸杂处理，退火吸杂处理的时间为17.5min，扩散炉的温度为650℃，大氮流量为25slm；
(e1)将步骤(d1)所得的多晶硅片进行中低温出舟处理，中低温出舟处理的时间为12.5min，扩散炉的温度为800℃，大氮流量为28.5slm，出舟速度250mm/min；
(4)去磷硅玻璃处理：将步骤(e1)所得的多晶硅片置于浓度为25％的盐酸溶液中进行去磷硅玻璃处理，然后用去离子水喷淋进行清洗；
(5)制备氮化硅反射层：
(a2)采用气体流量为氨气:硅烷为3100:1050通入反应气体，在步骤(4)所得的多晶硅片的表面沉积第一氮化硅层，沉积第一氮化硅层的时间为90s，然后进行第一沉积停顿处理，停止通入反应气体，将沉积功率调整为0，压力维持在170Pa，维持5.5s；
(b2)采用气体流量为氨气:硅烷为3400:650通入反应气体，在步骤(a2)所得的第一氮化硅层的表面沉积第二氮化硅层，沉积第二氮化硅层的时间为70s，然后进行第二沉积停顿处理，停止通入反应气体，将沉积功率调整为0，压力维持在170Pa，维持5.5s；
(c2)采用气体流量为氨气:硅烷为3750:400通入反应气体，在步骤(b2)所得的第二氮化硅层的表面沉积第三氮化硅层，沉积第三氮化硅层的时间为8.5min；
(6)印刷正、负电极：将包含若干条细栅线印刷区和若干条主栅线印刷区的网版固定在印刷机上，然后将步骤(c2)所得的多晶硅片送入所述印刷机内，将细栅银浆印刷在细栅线印刷区、主栅线印刷区端部，在多晶硅片正面上形成细栅线和主栅线端部，细栅线与主栅线端部相交，然后烘干所述多晶硅片，将网版更换成主栅线印刷区部分区域布置遮盖物的网版，再将烘干的多晶硅片送入印刷机，用主栅银浆印刷在剩余的主栅线印刷区形成形成完整主栅线，并烘干，细栅银浆中银的质量分数为81.5％，主栅银浆中银的质量分数为47.5％，在多晶硅片的背面印刷负电极，负电极为若干导电胶带；
(7)将步骤(6)所得的多晶硅片放入烧结设备中进行烧结处理，得到高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片，烧结温度为900℃，烧结时间为1.5min。
实施例4：
一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片，该多晶硅太阳能电池片包括多晶硅片1，多晶硅片1的正面11为腐蚀制绒所成的绒面2，绒面2的凹槽21深度为3.8μm，绒面2的凹槽21长度为11μm，绒面2的凹槽21宽度为2.5μm，绒面2的上表面沉积三层减反射膜3，三层减反射膜3均为氮化硅膜，三层减反射膜3包括第一层膜31、第二层膜32和第三层膜33，第一层膜31覆盖于多晶硅片1的正面11，具有第一折射率和第一厚度，第二层膜32覆盖于第一层膜31的上表面，具有第二折射率和第二厚度，第三层膜33覆盖于第二层膜32的上表面，具有第三折射率和第三厚度，第一折射率为2.9，第一厚度为24nm，第二折射率为2.0，第二厚度为54nm，第三折射率为2.5，第三厚度为38nm，多晶硅片1的正面11印刷有正电极4，正电极4包括主栅线41和细栅线42，主栅线41与若干条细栅线42垂直连接，细栅线42之间彼此平行，细栅线42的数量为104根，细栅线42的宽度为34μm，主栅线41的数量为4根，主栅线41的宽度为1.4mm，主栅线41和细栅线42的材质均为银浆，多晶硅片1的背面12印刷有负电极5，负电极5为若干导电胶带。
一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片的制备方法，该制备方法包括以下步骤：
(1)检测、清洗：对多晶硅片进行检测，去除不合格的多晶硅片，对合格的多晶硅片进行清洗，将多晶硅片置于丙酮中超声清洗1min，然后置于无水乙醇中超声清洗1min，再用去离子水喷淋清洗3min；
(2)制绒：
(a)将步骤(1)所得的多晶硅片置于18℃的硝酸和氢氟酸的混合溶液中浸泡45s，进行第一次制绒，然后用去离子水喷淋进行清洗，氢氟酸的质量浓度为55g/L，硝酸的质量浓度为480g/L；
(b)将步骤(a)所得的多晶硅片置于55℃的硝酸和氢氟酸的混合溶液中浸泡68s，进行第二次制绒，然后用去离子水喷淋进行清洗，氢氟酸的质量浓度为55g/L，所述硝酸的质量浓度为380g/L；
(3)扩散制结：
(a1)将步骤(b)所得的多晶硅片放入扩散炉中进行进舟处理，进舟处理的时间为14min，扩散炉的温度为850℃，大氮流量为29slm，进舟速度为280mm/min；
(b1)将步骤(a1)所得的多晶硅片进行中低温沉积处理，中低温沉积处理的时间为11min，扩散炉的温度为790℃，小氮流量为1.3slm，小氧流量为1.3slm，大氮流量为28slm；
(c1)对步骤(b1)所得的多晶硅片进行高温沉积处理，高温沉积处理的时间为9min，扩散炉的温度为840℃，小氮流量为1.8slm，小氧流量为1.8slm，大氮流量为28slm；
(d1)将步骤(c1)所得的多晶硅片进行退火吸杂处理，退火吸杂处理的时间为19min，扩散炉的温度为680℃，大氮流量为28slm；
(e1)将步骤(d1)所得的多晶硅片进行中低温出舟处理，中低温出舟处理的时间为14min，扩散炉的温度为810℃，大氮流量为32slm，出舟速度280mm/min；
(4)去磷硅玻璃处理：将步骤(e1)所得的多晶硅片置于浓度为28％的盐酸溶液中进行去磷硅玻璃处理，然后用去离子水喷淋进行清洗；
(5)制备氮化硅反射层：
(a2)采用气体流量为氨气:硅烷为3180:1080通入反应气体，在步骤(4)所得的多晶硅片的表面沉积第一氮化硅层，沉积第一氮化硅层的时间为95s，然后进行第一沉积停顿处理，停止通入反应气体，将沉积功率调整为0，压力维持在175Pa，维持7s；
(b2)采用气体流量为氨气:硅烷为3450:680通入反应气体，在步骤(a2)所得的第一氮化硅层的表面沉积第二氮化硅层，沉积第二氮化硅层的时间为75s，然后进行第二沉积停顿处理，停止通入反应气体，将沉积功率调整为0，压力维持在175Pa，维持7s；
(c2)采用气体流量为氨气:硅烷为3850:450通入反应气体，在步骤(b2)所得的第二氮化硅层的表面沉积第三氮化硅层，沉积第三氮化硅层的时间为9min；
(6)印刷正、负电极：将包含若干条细栅线印刷区和若干条主栅线印刷区的网版固定在印刷机上，然后将步骤(c2)所得的多晶硅片送入所述印刷机内，将细栅银浆印刷在细栅线印刷区、主栅线印刷区端部，在多晶硅片正面上形成细栅线和主栅线端部，细栅线与主栅线端部相交，然后烘干所述多晶硅片，将网版更换成主栅线印刷区部分区域布置遮盖物的网版，再将烘干的多晶硅片送入印刷机，用主栅银浆印刷在剩余的主栅线印刷区形成形成完整主栅线，并烘干，细栅银浆中银的质量分数为85％，主栅银浆中银的质量分数为53％，在多晶硅片的背面印刷负电极，负电极为若干导电胶带；
(7)将步骤(6)所得的多晶硅片放入烧结设备中进行烧结处理，得到高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片，烧结温度为950℃，烧结时间为1min。
实施例5：
一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片，该多晶硅太阳能电池片包括多晶硅片1，多晶硅片1的正面11为腐蚀制绒所成的绒面2，绒面2的凹槽21深度为4μm，绒面2的凹槽21长度为12μm，绒面2的凹槽21宽度为3μm，绒面2的上表面沉积三层减反射膜3，三层减反射膜3均为氮化硅膜，三层减反射膜3包括第一层膜31、第二层膜32和第三层膜33，第一层膜31覆盖于多晶硅片1的正面11，具有第一折射率和第一厚度，第二层膜32覆盖于第一层膜31的上表面，具有第二折射率和第二厚度，第三层膜33覆盖于第二层膜32的上表面，具有第三折射率和第三厚度，第一折射率为3，第一厚度为25nm，第二折射率为2.1，第二厚度为55nm，第三折射率为2.6，第三厚度为40nm，多晶硅片1的正面11印刷有正电极4，正电极4包括主栅线41和细栅线42，主栅线41与若干条细栅线42垂直连接，细栅线42之间彼此平行，细栅线42的数量为105根，细栅线42的宽度为35μm，主栅线41的数量为5根，主栅线41的宽度为1.5mm，主栅线41和细栅线42的材质均为银浆，多晶硅片1的背面12印刷有负电极5，负电极5为若干导电胶带。
一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片的制备方法，该制备方法包括以下步骤：
(1)检测、清洗：对多晶硅片进行检测，去除不合格的多晶硅片，对合格的多晶硅片进行清洗，将多晶硅片置于丙酮中超声清洗2min，然后置于无水乙醇中超声清洗2min，再用去离子水喷淋清洗5min；
(2)制绒：
(a)将步骤(1)所得的多晶硅片置于20℃的硝酸和氢氟酸的混合溶液中浸泡50s，进行第一次制绒，然后用去离子水喷淋进行清洗，氢氟酸的质量浓度为60g/L，硝酸的质量浓度为500g/L；
(b)将步骤(a)所得的多晶硅片置于60℃的硝酸和氢氟酸的混合溶液中浸泡70s，进行第二次制绒，然后用去离子水喷淋进行清洗，氢氟酸的质量浓度为60g/L，所述硝酸的质量浓度为400g/L；
(3)扩散制结：
(a1)将步骤(b)所得的多晶硅片放入扩散炉中进行进舟处理，进舟处理的时间为15min，扩散炉的温度为900℃，大氮流量为30slm，进舟速度为300mm/min；
(b1)将步骤(a1)所得的多晶硅片进行中低温沉积处理，中低温沉积处理的时间为12min，扩散炉的温度为800℃，小氮流量为1.5slm，小氧流量为1.5slm，大氮流量为30slm；
(c1)对步骤(b1)所得的多晶硅片进行高温沉积处理，高温沉积处理的时间为10min，扩散炉的温度为850℃，小氮流量为1.9slm，小氧流量为1.9slm，大氮流量为30slm；
(d1)将步骤(c1)所得的多晶硅片进行退火吸杂处理，退火吸杂处理的时间为20min，扩散炉的温度为700℃，大氮流量为30slm；
(e1)将步骤(d1)所得的多晶硅片进行中低温出舟处理，中低温出舟处理的时间为15min，扩散炉的温度为820℃，大氮流量为33slm，出舟速度300mm/min；
(4)去磷硅玻璃处理：将步骤(e1)所得的多晶硅片置于浓度为30％的盐酸溶液中进行去磷硅玻璃处理，然后用去离子水喷淋进行清洗；
(5)制备氮化硅反射层：
(a2)采用气体流量为氨气:硅烷为3200:1100通入反应气体，在步骤(4)所得的多晶硅片的表面沉积第一氮化硅层，沉积第一氮化硅层的时间为100s，然后进行第一沉积停顿处理，停止通入反应气体，将沉积功率调整为0，压力维持在180Pa，维持8s；
(b2)采用气体流量为氨气:硅烷为3500:700通入反应气体，在步骤(a2)所得的第一氮化硅层的表面沉积第二氮化硅层，沉积第二氮化硅层的时间为80s，然后进行第二沉积停顿处理，停止通入反应气体，将沉积功率调整为0，压力维持在180Pa，维持8s；
(c2)采用气体流量为氨气:硅烷为3900:500通入反应气体，在步骤(b2)所得的第二氮化硅层的表面沉积第三氮化硅层，沉积第三氮化硅层的时间为10min；
(6)印刷正、负电极：将包含若干条细栅线印刷区和若干条主栅线印刷区的网版固定在印刷机上，然后将步骤(c2)所得的多晶硅片送入所述印刷机内，将细栅银浆印刷在细栅线印刷区、主栅线印刷区端部，在多晶硅片正面上形成细栅线和主栅线端部，细栅线与主栅线端部相交，然后烘干所述多晶硅片，将网版更换成主栅线印刷区部分区域布置遮盖物的网版，再将烘干的多晶硅片送入印刷机，用主栅银浆印刷在剩余的主栅线印刷区形成形成完整主栅线，并烘干，细栅银浆中银的质量分数为88％，主栅银浆中银的质量分数为55％，在多晶硅片的背面印刷负电极，负电极为若干导电胶带；
(7)将步骤(6)所得的多晶硅片放入烧结设备中进行烧结处理，得到高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片，烧结温度为1000℃，烧结时间为2min。
对比例1：
按照本发明实施5的方法制得多晶硅太阳能电池片，所不同的是将多晶硅片置于40℃的硝酸和氢氟酸的混合溶液中浸泡120s，进行制绒，然后用去离子水喷淋进行清洗，氢氟酸的质量浓度为60g/L，硝酸的质量浓度为500g/L。
对比例2：
按照本发明实施5的方法制得多晶硅太阳能电池片，所不同的是在多晶硅片的表面只沉积一层氮化硅。
效果例：
对本发明实施例1至5所制得的多晶硅太阳能电池片和对比例1至2所制得的多晶硅太阳能电池片进行电性能测试，测试结果见表1。
表1
从表1中可以看出，本发明实施1至5所制得的多晶硅太阳能电池片的开路电压、短路电流和光电转换效率均高于对比例1和2所制得的多晶硅太阳能电池片的开路电压、短路电流和光电转换效率，结果表明本发明实施例1至5所制得的多晶硅太阳能电池片具有很高的光电转换效率。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何标记视为限制所涉及的权利要求。
Claims (10)
1.一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片，其特征在于：该多晶硅太阳能电池片包括多晶硅片(1)，所述多晶硅片(1)的正面(11)为腐蚀制绒所成的绒面(2)，所述绒面(2)的上表面沉积三层减反射膜(3)，所述多晶硅片(1)的正面(11)印刷有正电极(4)，所述多晶硅片(1)的背面(12)印刷有负电极(5)。
2.根据权利要求1所述的一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片，其特征在于：所述三层减反射膜(3)均为氮化硅膜，所述三层减反射膜(3)包括第一层膜(31)、第二层膜(32)和第三层膜(33)，所述第一层膜(31)覆盖于多晶硅片(1)的正面(11)，具有第一折射率和第一厚度，所述第二层膜(32)覆盖于第一层膜(31)的上表面，具有第二折射率和第二厚度，所述第三层膜(33)覆盖于第二层膜(32)的上表面，具有第三折射率和第三厚度，所述第一折射率为2.5-3，所述第一厚度为20-25nm，所述第二折射率为1.7-2.1，所述第二厚度为50-55nm，所述第三折射率为2.1-2.6，所述第三厚度为25-40nm。
3.根据权利要求2所述的一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片，其特征在于：所述正电极(4)包括主栅线(41)和细栅线(42)，所述主栅线(41)与细栅线(42)垂直连接，所述细栅线(42)之间彼此平行，所述细栅线(42)的数量为100-105根，所述细栅线(42)的宽度为32-35μm，所述主栅线(41)的数量为3-5根，所述主栅线(41)的宽度为1.0-1.5mm，所述主栅线(41)和细栅线(42)的材质均为银浆，所述负电极(5)为若干导电胶带。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片，其特征在于：所述绒面(2)的凹槽(21)深度为3-4μm，所述绒面(2)的凹槽(21)长度为8-12μm，所述绒面(2)的凹槽(21)宽度为1-3μm。
5.一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：
(1)检测、清洗；
(2)制绒；
(3)扩散制结；
(4)去磷硅玻璃处理；
(5)制备氮化硅反射层；
(6)印刷正、负电极；
(7)烧结。
6.根据权利要求5所述的一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：
(1)检测、清洗：对多晶硅片进行检测，去除不合格的多晶硅片，对合格的多晶硅片进行清洗；
(2)制绒：
(a)将步骤(1)所得的多晶硅片置于硝酸和氢氟酸的混合溶液中浸泡，进行第一次制绒，然后用去离子水进行清洗；
(b)将步骤(a)所得的多晶硅片置于硝酸和氢氟酸的混合溶液中浸泡，进行第二次制绒，然后用去离子水进行清洗；
(3)扩散制结：
(a1)将步骤(b)所得的多晶硅片放入扩散炉中进行进舟处理；
(b1)将步骤(a1)所得的多晶硅片进行中低温沉积处理；
(c1)对步骤(b1)所得的多晶硅片进行高温沉积处理；
(d1)将步骤(c1)所得的多晶硅片进行退火吸杂处理；
(e1)将步骤(d1)所得的多晶硅片进行中低温出舟处理；
(4)去磷硅玻璃处理：将步骤(e1)所得的多晶硅片置于盐酸溶液中进行去磷硅玻璃处理，然后用去离子水喷淋进行清洗；
(5)制备氮化硅反射层：
(a2)通入反应气体，在步骤(4)所得的多晶硅片的表面沉积第一氮化硅层，然后进行第一沉积停顿处理；
(b2)通入反应气体，在步骤(a2)所得的第一氮化硅层的表面沉积第二氮化硅层，然后进行第二沉积停顿处理；
(c2)通入反应气体，在步骤(b2)所得的第二氮化硅层的表面沉积第三氮化硅层；
(6)印刷正、负电极：在步骤(c2)所得的多晶硅片的正面印刷细栅线和主栅线端部，烘干，再在所述多晶硅片正面印刷完整主栅线，烘干，在所述多晶硅片的背面印刷负电极；
(7)将步骤(6)所得的多晶硅片放入烧结设备中进行烧结处理，得到高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片。
7.根据权利要求6所述的一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：
(1)检测、清洗：对多晶硅片进行检测，去除不合格的多晶硅片，对合格的多晶硅片进行清洗；
(2)制绒：
(a)将步骤(1)所得的多晶硅片置于10-20℃的硝酸和氢氟酸的混合溶液中浸泡30-50s，进行第一次制绒，然后用去离子水喷淋进行清洗；
(b)将步骤(a)所得的多晶硅片置于40-60℃的硝酸和氢氟酸的混合溶液中浸泡60-70s，进行第二次制绒，然后用去离子水喷淋进行清洗；
(3)扩散制结：
(a1)将步骤(b)所得的多晶硅片放入扩散炉中进行进舟处理，所述进舟处理的时间为10-15min，所述扩散炉的温度为700-900℃，大氮流量为25-30slm，进舟速度为200-300mm/min；
(b1)将步骤(a1)所得的多晶硅片进行中低温沉积处理，所述中低温沉积处理的时间为8-12min，所述扩散炉的温度为750-800℃，小氮流量为0.5-1.5slm，小氧流量为0.5-1.5slm，大氮流量为20-30slm；
(c1)对步骤(b1)所得的多晶硅片进行高温沉积处理，所述高温沉积处理的时间为5-10min，所述扩散炉的温度为800-850℃，小氮流量为1.2-1.9slm，小氧流量为1.2-1.9slm，大氮流量为20-30slm；
(d1)将步骤(c1)所得的多晶硅片进行退火吸杂处理，所述退火吸杂处理的时间为15-20min，所述扩散炉的温度为600-700℃，大氮流量为20-30slm；
(e1)将步骤(d1)所得的多晶硅片进行中低温出舟处理，所述中低温出舟处理的时间为10-15min，所述扩散炉的温度为780-820℃，大氮流量为25-33slm，出舟速度200-300mm/min；
(4)去磷硅玻璃处理：将步骤(e1)所得的多晶硅片置于浓度为20-30％的盐酸溶液中进行去磷硅玻璃处理，然后用去离子水喷淋进行清洗；
(5)制备氮化硅反射层：
(a2)采用气体流量为氨气:硅烷为3000-3200:1000-1100通入反应气体，在步骤(4)所得的多晶硅片的表面沉积第一氮化硅层，沉积所述第一氮化硅层的时间为80-100s，然后进行第一沉积停顿处理，停止通入所述反应气体，将沉积功率调整为0，压力维持在160-180Pa，维持3-8s；
(b2)采用气体流量为氨气:硅烷为3300-3500:600-700通入反应气体，在步骤(a2)所得的第一氮化硅层的表面沉积第二氮化硅层，沉积所述第二氮化硅层的时间为60-80s，然后进行第二沉积停顿处理，停止通入所述反应气体，将沉积功率调整为0，压力维持在160-180Pa，维持3-8s；
(c2)采用气体流量为氨气:硅烷为3600-3900:300-500通入反应气体，在步骤(b2)所得的第二氮化硅层的表面沉积第三氮化硅层，沉积所述第三氮化硅层的时间为7-10min；
(6)印刷正、负电极：将包含若干条细栅线印刷区和若干条主栅线印刷区的网版固定在印刷机上，然后将步骤(c2)所得的多晶硅片送入所述印刷机内，将细栅银浆印刷在所述细栅线印刷区、主栅线印刷区端部，在所述多晶硅片正面上形成细栅线和主栅线端部，所述细栅线与主栅线端部相交，然后烘干所述多晶硅片，将所述网版更换成主栅线印刷区部分区域布置遮盖物的网版，再将烘干的多晶硅片送入印刷机，用主栅银浆印刷在剩余的主栅线印刷区形成形成完整主栅线，并烘干，所述细栅银浆中银的质量分数为75-88％，所述主栅银浆中银的质量分数为40-55％，在所述多晶硅片的背面印刷负电极，所述负电极为若干导电胶带；
(7)将步骤(6)所得的多晶硅片放入烧结设备中进行烧结处理，得到高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片，烧结温度为800-1000℃，烧结时间为1-2min。
8.根据权利要求7所述的一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中对多晶硅片进行清洗的具体步骤为：将所述多晶硅片置于丙酮中超声清洗1-2min，然后置于无水乙醇中超声清洗1-2min，再用去离子水喷淋清洗3-5min。
9.根据权利要求7或8所述的一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片的制备方法，其特征在于：所述步骤(a)中氢氟酸的质量浓度为30-60g/L，所述硝酸的质量浓度为400-500g/L。
10.根据权利要求9所述的一种高光电转换效率的多晶硅太阳能电池片的制备方法，其特征在于：所述步骤(b)氢氟酸的质量浓度为40-60g/L，所述硝酸的质量浓度为300-400g/L。
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