CN111276568A - 一种钝化接触太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种钝化接触太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括N型晶体硅基体，所述N型晶体硅基体的正表面从下至上依次包括发射极层、氧化铝钝化层、氮化硅减反射层、以及金属浆料层；所述N型晶体硅基体的背表面从下至上依次包括隧穿氧化层、磷掺杂多晶硅层、氮化硅减反射层和金属浆料层。本发明的太阳能电池可以显著提高电池的开路电压及短路电流，进而可以提高n型钝化接触电池的效率；并且，本发明还能提高光利用率，降低背表面复合速率，使得电池效率提升0.15％以上，同时无需增加额外的工艺步骤，方法简单，适合量产。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种钝化接触太阳能电池及其制备方法。
背景技术
n型电池采用n型硅作为衬底材料，其耐金属杂质污染性能好、少数载流子扩散长度长，相对于传统的p型电池具有无光致衰减，电池效率更高等优点，目前受到了市场的青睐。n型钝化接触电池是一种新型的n型电池结构，其隧穿钝化层对n+面提供了良好的表面钝化，极大地降低了金属接触复合，提高电池的开路电压及短路电流。这种结构的电池效率远高于传统晶硅电池产品，从而更有利于降低光伏发电成本。
对于电池来讲，光利用率越高，其光生电流越大，一般来讲正表面要制备金字塔状的绒面来降低反射率，而背表面则要求尽量光滑，使得入射到硅片体内的光有更多机会在背表面被反射再次吸收利用。另一方面，表面越光滑，则比表面积越小，钝化层的钝化效果更好，背表面复合速率越低，电池效率越高。
现有的n型钝化接触电池的金字塔绒面制备工艺是一种双面工艺，受工艺限制，无法做成一面绒面，一面镜面的结构。如能找到一种简单的工艺方法实现单面制绒、单面镜面的结构，在不增加工艺成本的条件下提高电池效率，则将显著提升产品的竞争力。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种钝化接触太阳能电池及其制备方法。
本发明的一种钝化接触太阳能电池制备方法，其技术方案为：包括以下步骤：
(1)、在N型晶体硅基体的背表面制备隧穿氧化层，并在所述隧穿氧化层上制备磷掺杂多晶硅层；
(2)、在N型晶体硅基体背表面的所述掺磷多晶硅层上制备氮化硅减反射层；所述氮化硅减反射层兼做N型晶体硅基体背表面的掩膜；
(3)、将N型晶体硅基体放入碱性溶液中，对N型晶体硅基体正表面进行碱制绒处理，在处理过程中，N型晶体硅基体背表面的氮化硅掩膜减薄；
(4)、对N型晶体硅基体的正表面进行硼扩散处理，形成发射极层；
(5)、在N型晶体硅基体正表面的所述发射极层上制备氧化铝钝化层，并在所述氧化铝钝化层上制备氮化硅减反射层；所述氮化硅减反射层兼做N型晶体硅基体背表面的掩膜；
(6)对N型晶体硅基体的正表面和背表面均进行丝网印刷金属化浆料处理，并烧结。
本发明提供的一种钝化接触太阳能电池的制备方法，还包括如下附属技术方案：
其中，在步骤(1)之前，该方法还包括：
在步骤(1)之前，所述方法还包括：
(1)’、对N型晶体硅基体的正表面和背表面均进行抛光处理。
其中，在步骤(1)’中，将N型晶体硅基体放入质量浓度为15-25wt％的NaOH或KOH溶液中，在温度范围为80-90℃时，处理90-200s，使得N型晶体硅基体表面的反射率大于35％。
其中，在步骤(1)中，
所述隧穿氧化层的厚度为0.5-3nm，其制作材料为二氧化硅，制备方法为热氧化、HNO3氧化、O3氧化、或原子层沉积法；
所述磷掺杂多晶硅层的制备方法为：先在温度为550～650℃时，采用低压化学沉积法制备厚度为50-400nm的多晶硅层；然后采用离子注入法对所述晶硅层进行掺杂，并退火处理。
其中，掺杂处理的掺杂源为磷烷或红磷，掺杂剂量为2e15/cm2-8e15/cm2，退火处理的温度为750-900℃、时间为20-80min，掺杂方阻20-100Ω/sq。
其中，采用等离子体增强化学的气相沉积的方式在N型晶体硅基体背表面的所述掺磷多晶硅层上制备50-150nm厚的氮化硅减反射层。
其中，在步骤(3)中，对N型晶体硅基体背表面的所述氮化硅减反射层进行减薄处理，使得所述氮化硅减反射层的厚度为40-130nm。
其中，在步骤(4)中，采用BBr3气态源，在温度为900-1100℃时，扩散30-120min后，形成发射极层，所述发射极层的方阻值为50～150Ω/sq，表面浓度8e18/cm3～4e19/cm3。
其中，在步骤(5)中，氧化铝钝化层的厚度为1-10nm，其采用ALD或PECVD方式制备。
其中，在步骤(6)中，
在N型晶体硅基体的正表面采用银浆印刷背表面主栅和背表面副栅，并进行烘干，其中，背表面副栅线宽40-100um，互相平行；
在N型晶体硅基体的正表面采用掺铝银浆印刷正表面主栅和正表面副栅，并进行烘干，其中，正表面副栅线宽40～100um且互相平行。
本发明还公开了一种钝化接触太阳能电池，包括N型晶体硅基体，
所述N型晶体硅基体的正表面从下至上依次包括发射极层、氧化铝钝化层、氮化硅减反射层、以及金属浆料层；
所述N型晶体硅基体的背表面从下至上依次包括隧穿氧化层、磷掺杂多晶硅层、氮化硅减反射层和金属浆料层。
本发明的实施包括以下技术效果：
本发明将背表面的氮化硅减反膜兼用做背表面制绒的掩模，在不增加工艺步骤的前提下将背表面进行镜面抛光，不仅使得背表面反射率从约10％提高到35％以上，而且还实现了N型晶体硅基体的正表面为金字塔绒面，背表面为镜面的结构，从而可以显著提高电池的开路电压及短路电流，进而可以提高n型钝化接触电池的效率；并且，本发明还能提高光利用率，降低背表面复合速率，使得电池效率提升0.15％以上，同时无需增加额外的工艺步骤，方法简单，适合量产。
附图说明
图1为本发明实施例的一种钝化接触太阳能电池的制备方法步骤一后的电池结构截面示意图。
图2为本发明实施例的一种钝化接触太阳能电池的制备方法步骤二后的电池结构截面示意图。
图3为本发明实施例的一种钝化接触太阳能电池的制备方法步骤三后的电池结构截面示意图。
图4为本发明实施例的一种钝化接触太阳能电池的制备方法步骤四后的电池结构截面示意图。
图5为本发明实施例的一种钝化接触太阳能电池的制备方法步骤五后的电池结构截面示意图。
图6为本发明实施例的一种钝化接触太阳能电池的制备方法步骤六后的电池结构截面示意图。
图7为本发明实施例的一种钝化接触太阳能电池的制备方法步骤七后的电池结构截面示意图。
图8为本发明实施例的一种钝化接触太阳能电池的制备方法步骤八后的电池结构截面示意图。
图9为本发明的太阳能电池的背表面形貌反射率与比参照组的背表面形貌反射率的对比图。
具体实施方式
下面结合实例对本发明进行详细的说明。
具体实施例仅仅是对本发明的解释，并不是对本发明的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本发明的权利要求范围内都受到保护。
本发明提供的一种钝化接触太阳能电池制备方法，包括以下步骤：
(1)、在N型晶体硅基体的背表面制备隧穿氧化层，并在所述隧穿氧化层上制备磷掺杂多晶硅层；
(2)、在N型晶体硅基体背表面的掺磷多晶硅层上制备氮化硅减反射层；所述氮化硅减反射层兼做N型晶体硅基体背表面的掩膜；
(3)、将N型晶体硅基体放入碱性溶液中，对N型晶体硅基体正表面进行碱制绒处理，在处理过程中，N型晶体硅基体背表面的氮化硅掩膜减薄；
(4)、对N型晶体硅基体的正表面进行硼扩散处理，形成发射极层；
(5)、在N型晶体硅基体正表面的所述发射极层上制备氧化铝钝化层，并在所述氧化铝钝化层上制备氮化硅减反射层；所述氮化硅减反射层兼做N型晶体硅基体背表面的掩膜；
(6)对N型晶体硅基体的正表面和背表面均进行丝网印刷金属化浆料处理，并烧结。
本发明提供的一种钝化接触太阳能电池的制备方法，还包括如下附属技术方案：
在一个实施例中，在步骤(1)之前，该方法还包括：
(1)’、对N型晶体硅基体的正表面和背表面均进行抛光处理。
在一个实施例中，在步骤(1)’中，将N型晶体硅基体放入质量浓度为15-25wt％的NaOH或KOH溶液中，在温度范围为80-90℃时，处理90-200s，使得N型晶体硅基体表面的反射率大于35％。
在一个实施例中，在步骤(1)中，
所述隧穿氧化层的厚度为0.5-3nm，其制作材料为二氧化硅，制备方法为热氧化、HNO3氧化、O3氧化、或原子层沉积法；
所述磷掺杂多晶硅层的制备方法为：先在温度为550～650℃时，采用低压化学沉积法制备厚度为50-400nm的多晶硅层；然后采用离子注入法对所述晶硅层进行掺杂，并退火处理。
在一个实施例中，掺杂处理的掺杂源为磷烷或红磷，掺杂剂量为2e15/cm2-8e15/cm2，退火处理的温度为750-900℃、时间为20-80min，掺杂方阻20-100Ω/sq。
在一个实施例中，采用等离子体增强化学的气相沉积的方式在N型晶体硅基体背表面的所述掺磷多晶硅层上制备50-150nm厚的氮化硅减反射层。
在一个实施例中，在步骤(3)中，对N型晶体硅基体背表面的所述氮化硅减反射层进行减薄处理，使得所述氮化硅减反射层的厚度为40-130nm。
在一个实施例中，在步骤(4)中，采用BBr3气态源，在温度为900-1100℃时，扩散30-120min后，形成发射极层，所述发射极层的方阻值为50～150Ω/sq，表面浓度8e18/cm3～4e19/cm3。
在一个实施例中，在步骤(5)中，氧化铝钝化层的厚度为1-10nm，其采用ALD或PECVD方式制备。
在一个实施例中，在步骤(6)中，
在N型晶体硅基体的正表面采用银浆印刷背表面主栅和背表面副栅，并进行烘干，在一个实施例中背表面副栅线宽40-100um，互相平行；
在N型晶体硅基体的正表面采用掺铝银浆印刷正表面主栅和正表面副栅，在一个实施例中正表面副栅线宽40～100um且互相平行。
下面将以具体的实施例对发明的钝化接触太阳能电池制备方法进行详细地说明。
实施例1
(1)取电阻率1Ω·cm，厚度为170μm的N型晶体硅基体1，并将该电阻率1Ω·cm，厚度为170μm的N型晶体硅基体1置于质量浓度为20wt％NaOH溶液中，在温度85℃，反应130s，形成双面镜面抛光，处理后的N型晶体硅基体1反射率为36％。完成本步骤的电池结构如图1所示。
(2)在N型晶体硅基体1的背表面采用热氧化方式以二氧化硅为材料，制备隧穿氧化层2，隧穿氧化层2的厚度为nm，，在隧穿氧化层2上先采用低压化学沉积方式制备多晶硅层，沉积温度为600℃，多晶硅层厚度为100nm；然后采用离子注入方式对多晶硅进行掺杂、并退火处理，形成磷掺杂多晶硅层3。在掺杂过程中，采用磷烷作为掺杂源，剂量3e15/cm2，退火温度850℃、时间60min，掺杂方阻60Ω/sq。完成本步骤的电池结构如图2所示。
(3)采用等离子体增强化学的气相沉积(PECVD)的方式在N型晶体硅基体1背表面的磷掺杂多晶硅层3上制备氮化硅减反射层4，该氮化硅减反射层4可以作为步骤(4)中制绒过程中的背表面的掩模，该氮化硅减反射层4的厚度100nm。完成本步骤的电池结构如图3所示。
(4)、将N型晶体硅基体放入碱性溶液中，对N型晶体硅基体正表面进行碱制绒处理，并对N型晶体硅基体背表面的所述氮化硅减反射层4进行减薄处理，使N型晶体硅基体背表面的所述氮化硅减反射层减薄到80nm。完成本步骤的电池结构如图4所示。
(5)在N型晶体硅基体的正表面采用三溴化硼扩散形成发射极层5，推进温度900℃，推进时间80min，方阻70Ω/sq，表面浓度1e19/cm，扩散后清洗去除BSG。完成本步骤的电池结构如图5所示。
(6)在N型晶体硅基体正表面的发射极层5采用ALD方式制备氧化铝钝化层6，氧化铝厚度2nm。完成本步骤的电池结构如图6所示。
(7)采用等离子体增强化学的气相沉积(PECVD)的方式在N型晶体硅基体正表面中的氧化铝钝化层6上制备氮化硅减反射层7，该氮化硅减反射层7的厚度80nm。完成本步骤的电池结构如图7所示。
(8)在N型晶体硅基体的正表面采用银浆印刷背表面主栅8和背表面副栅，并进行烘干，其中，背表面副栅线宽40um，互相平行，烧结峰值温度700℃；在N型晶体硅基体的正表面采用掺铝银浆印刷正表面主栅9和正表面副栅，并进行烘干，其中，正表面副栅线宽40um，且互相平行烧结峰值温度700℃。完成本步骤的电池结构如图8所示。
实施例2
(1)取电阻率1Ω·cm，厚度为170μm的N型晶体硅基体1，并将该电阻率1Ω·cm，厚度为170μm的N型晶体硅基体1置于质量浓度为20wt％KOH溶液中，在温度90℃，反应200s，形成双面镜面抛光，处理后的N型晶体硅基体1反射率为39％。完成本步骤的电池结构如图1所示。
(2)在N型晶体硅基体1的背表面采用HNO3氧化方式以二氧化硅为材料，制备隧穿氧化层2，隧穿氧化层2的厚度为2nm，在隧穿氧化层2上先采用低压化学沉积方式制备多晶硅层，沉积温度为650℃，多晶硅层厚度为200nm；然后采用离子注入方式对多晶硅进行掺杂、并退火处理，形成磷掺杂多晶硅层3。在掺杂过程中，采用红磷作为掺杂源，剂量4e15/cm2，退火温度900℃、时间80min，掺杂方阻80Ω/sq。完成本步骤的电池结构如图2所示。
(3)采用等离子体增强化学的气相沉积(PECVD)的方式在N型晶体硅基体1背表面的磷掺杂多晶硅层3上制备氮化硅减反射层4，该氮化硅减反射层4可以作为步骤(4)中制绒过程中的背表面的掩模，该氮化硅减反射层4的厚度120nm。完成本步骤的电池结构如图3所示。
(4)、将N型晶体硅基体放入碱性溶液中，对N型晶体硅基体正表面进行碱制绒处理，并对N型晶体硅基体背表面的所述氮化硅减反射层4进行减薄处理，使N型晶体硅基体背表面的所述氮化硅减反射层减薄到120nm。完成本步骤的电池结构如图4所示。
(5)在N型晶体硅基体的正表面采用三溴化硼扩散形成发射极层5，推进温度1100℃，推进时间120min，方阻150Ω/sq，表面浓度4e19/cm，扩散后清洗去除BSG。完成本步骤的电池结构如图5所示。
(6)在N型晶体硅基体正表面的发射极层5采用PECVD方式制备氧化铝钝化层6，氧化铝厚度10nm。完成本步骤的电池结构如图6所示。
(7)采用等离子体增强化学的气相沉积(PECVD)的方式在N型晶体硅基体正表面中的氧化铝钝化层6上制备氮化硅减反射层7，该氮化硅减反射层7的厚度80nm。完成本步骤的电池结构如图7所示。
(8)在N型晶体硅基体的正表面采用银浆印刷背表面主栅8和背表面副栅，并进行烘干，其中，背表面副栅线宽100um，互相平行，烧结峰值温度900℃；在N型晶体硅基体的正表面采用掺铝银浆印刷正表面主栅9和正表面副栅，并进行烘干，其中，正表面副栅线宽100um，且互相平行烧结峰值温度700℃。完成本步骤的电池结构如图8所示。
实施例3
(1)取电阻率1Ω·cm，厚度为170μm的N型晶体硅基体1，并将该电阻率1Ω·cm，厚度为170μm的N型晶体硅基体1置于质量浓度为20wt％NaOH溶液中，在温度85℃，反应90s，形成双面镜面抛光，处理后的N型晶体硅基体1反射率为35.5％。完成本步骤的电池结构如图1所示。
(2)在N型晶体硅基体1的背表面采用O3氧化方式以二氧化硅为材料，制备隧穿氧化层2，隧穿氧化层2的厚度为0.5nm，在隧穿氧化层2上先采用低压化学沉积方式制备多晶硅层，沉积温度为550℃，厚度为50nm；然后采用离子注入方式对多晶硅进行掺杂、并退火处理，形成磷掺杂多晶硅层3。在掺杂过程中，采用红磷作为掺杂源，剂量2e15/cm2，退火温度750℃、时间20min，掺杂方阻20Ω/sq。完成本步骤的电池结构如图2所示。
(3)采用等离子体增强化学的气相沉积(PECVD)的方式在N型晶体硅基体1背表面的磷掺杂多晶硅层3上制备氮化硅减反射层4，该氮化硅减反射层4可以作为步骤(4)中制绒过程中的背表面的掩模，该氮化硅减反射层4的厚度100nm。完成本步骤的电池结构如图3所示。
(4)、将N型晶体硅基体放入碱性溶液中，对N型晶体硅基体正表面进行碱制绒处理，在处理过程中，N型晶体硅基体背表面的氮化硅掩膜减薄，使N型晶体硅基体背表面的所述氮化硅减反射层减薄到50nm。完成本步骤的电池结构如图4所示。
(5)在N型晶体硅基体的正表面采用三溴化硼扩散形成发射极层5，推进温度900℃，推进时间80min，方阻70Ω/sq，表面浓度1e19/cm，扩散后清洗去除BSG。完成本步骤的电池结构如图5所示。
(6)在N型晶体硅基体正表面的发射极层5采用ALD方式制备氧化铝钝化层6，氧化铝厚度1nm。完成本步骤的电池结构如图6所示。
(7)采用等离子体增强化学的气相沉积(PECVD)的方式在N型晶体硅基体正表面中的氧化铝钝化层6上制备氮化硅减反射层7，该氮化硅减反射层7的厚度80nm。完成本步骤的电池结构如图7所示。
(8)在N型晶体硅基体的正表面采用银浆印刷背表面主栅8和背表面副栅，并进行烘干，其中，背表面副栅线宽60um，互相平行，烧结峰值温度800℃；在N型晶体硅基体的正表面采用掺铝银浆印刷正表面主栅9和正表面副栅，并进行烘干，其中，正表面副栅线宽60um，且互相平行烧结峰值温度800℃。完成本步骤的电池结构如图8所示。
本发明还公开了一种钝化接触太阳能电池，如图8所示，包括N型晶体硅基体1，
所述N型晶体硅基体1的正表面从下至上依次包括发射极层5、氧化铝钝化层6、氮化硅减反射层7、以及金属浆料层9；
所述N型晶体硅基体1的背表面从下至上依次包括隧穿氧化层2、磷掺杂多晶硅层3、氮化硅减反射层4和金属浆料层8。
本发明的实施包括以下技术效果：
本发明将背表面的氮化硅减反膜兼用做背表面制绒的掩模，在不增加工艺步骤的前提下将背表面进行镜面抛光，不仅使得背表面反射率从约10％提高到35％以上，而且还实现了N型晶体硅基体的正表面为金字塔绒面，背表面为镜面的结构，从而可以显著提高电池的开路电压及短路电流，进而可以提高n型钝化接触电池的效率；并且，本发明还能提高光利用率，降低背表面复合速率，使得电池效率提升0.15％以上，同时无需增加额外的工艺步骤，方法简单，适合量产。
如图9所示，本发明的太阳能电池的背表面形貌反射率比参照组大很多。
如下表1所示，本发明的太阳能电池开路电压、短路电流密度、以及太阳能转化效率均优于参照组。
表1
| 开路电压mV | 短路电流密度mA/cm<sup>2</sup> | 填充因子 | 转化效率 | |
| 参照组 | 700 | 40.49 | 81.18 | 23.02 |
| 本发明 | 702 | 40.71 | 81.08 | 23.18 |
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (11)
1.一种钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)、在N型晶体硅基体的背表面制备隧穿氧化层，并在所述隧穿氧化层上制备磷掺杂多晶硅层；
(2)、在N型晶体硅基体背表面的掺磷多晶硅层上制备氮化硅减反射层；所述氮化硅减反射层兼做N型晶体硅基体背表面的掩膜；
(3)、将N型晶体硅基体放入碱性溶液中，对N型晶体硅基体正表面进行碱制绒处理，在处理过程中，N型晶体硅基体背表面的氮化硅掩膜减薄；
(4)、对N型晶体硅基体的正表面进行硼扩散处理，形成发射极层；
(5)、在N型晶体硅基体正表面的所述发射极层上制备氧化铝钝化层，并在所述氧化铝钝化层上制备氮化硅减反射层；
(6)对N型晶体硅基体的正表面和背表面均进行丝网印刷金属化浆料处理，并烧结。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)之前，所述方法还包括：
(1)’、对N型晶体硅基体的正表面和背表面均进行抛光处理。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)’中，将N型晶体硅基体放入质量浓度为15-25wt％的NaOH或KOH溶液中，在温度范围为80-90℃时，处理90-200s，使得N型晶体硅基体表面的反射率大于35％。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，
所述隧穿氧化层的厚度为0.5-3nm，其制作材料为二氧化硅，制备方法为热氧化、HNO3氧化、O3氧化、或原子层沉积法；
所述磷掺杂多晶硅层的制备方法为：先在温度为550～650℃时，采用低压化学沉积法制备厚度为50-400nm的多晶硅层；然后采用离子注入法对所述晶硅层进行掺杂，并退火处理。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，掺杂处理的掺杂源为磷烷或红磷，掺杂剂量为2e15/cm2-8e15/cm2，退火处理的温度为750-900℃、时间为20-80min，掺杂方阻20-100Ω/sq。
6.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，采用等离子体增强化学的气相沉积的方式在N型晶体硅基体背表面的所述掺磷多晶硅层上制备50-150nm厚的氮化硅减反射层。
7.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，在步骤(3)中，对N型晶体硅基体背表面的所述氮化硅减反射层进行减薄处理，使得所述氮化硅减反射层的厚度为40-130nm。
8.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，在步骤(4)中，采用BBr3气态源，在温度为900-1100℃时，扩散30-120min后，形成发射极层，所述发射极层的方阻值为50～150Ω/sq，表面浓度8e18/cm3～4e19/cm3。
9.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，在步骤(5)中，氧化铝钝化层的厚度为1-10nm，其采用ALD或PECVD方式制备。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在步骤(6)中，
在N型晶体硅基体的正表面采用银浆印刷背表面主栅和背表面副栅，并进行烘干，其中，背表面副栅线宽40-100um，互相平行；
在N型晶体硅基体的正表面采用掺铝银浆印刷正表面主栅和正表面副栅，并进行烘干，其中，正表面副栅线宽40～100um且互相平行。
11.一种钝化接触太阳能电池，包括N型晶体硅基体，其特征在于：
所述N型晶体硅基体的正表面从下至上依次包括发射极层、氧化铝钝化层、氮化硅减反射层、以及金属浆料层；
所述N型晶体硅基体的背表面从下至上依次包括隧穿氧化层、磷掺杂多晶硅层、氮化硅减反射层和金属浆料层。
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