CN105957906A - 一种太阳能电池光伏制绒方法 - Google Patents
一种太阳能电池光伏制绒方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105957906A CN105957906A CN201610499539.5A CN201610499539A CN105957906A CN 105957906 A CN105957906 A CN 105957906A CN 201610499539 A CN201610499539 A CN 201610499539A CN 105957906 A CN105957906 A CN 105957906A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- nanosphere
- etching
- solar cell
- cell photovoltaic
- etching method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000002077 nanosphere Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 36
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 21
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 9
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 claims description 6
- 239000011805 ball Substances 0.000 claims description 4
- 241000628997 Flos Species 0.000 claims description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000011807 nanoball Substances 0.000 claims description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 5
- 239000004744 fabric Substances 0.000 abstract 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N tunicamycin Natural products CC(C)CCCCCCCCCC=CC(=O)NC1C(O)C(O)C(CC(O)C2OC(C(O)C2O)N3C=CC(=O)NC3=O)OC1OC4OC(CO)C(O)C(O)C4NC(=O)C MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/08—Etching
- C30B33/10—Etching in solutions or melts
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开一种太阳能电池光伏制绒方法，属于太阳能电池技术领域，包括以下步骤，1)制备单层纳米球薄膜：在硅基体表面制备单层纳米球膜，膜厚度为纳米球直径；2)刻蚀：对硅基体表面的单层纳米球薄膜采用等离子刻蚀或湿法刻蚀。本发明采用纳米球层膜作为掩膜，经等离子刻蚀或湿法刻蚀方法获得规则排列，纳米级尺寸的小绒面结构，可将太阳能电池片制绒表面反射率降低到2％以下。
Description
技术领域
本发明涉及一种制绒方法，具体涉及一种太阳能电池光伏制绒方法，属于太阳能电池技术领域。
背景技术
太阳能电池是将光能转化成电能的装置，太阳能电池在使用过程中为零排放，对环境无污染，是现代低碳社会最具代表性的能源。
为了增加晶硅太阳电池表面太阳光的吸收，一般将电池片浸泡在以氢氟酸和硝酸为主体的酸性腐蚀液，或以NaOH或KOH为主体的碱性腐蚀液中，在电池片表面形成粗糙化的减反射绒面。多晶一般用酸腐蚀，单晶一般采用碱液腐蚀。其中，酸腐蚀后在表面形成不规则的凹坑状绒面，反射率高达26～30％；碱腐蚀在单晶硅表面形成大小不一的金字塔结构的绒面，反射率为11～15％。
为了进一步降低太阳能电池表面的光损失，现有技术中也有公开采用光刻胶作掩膜，可在硅片表面形成蛾眼结构的绒面，其表面反射率可达4％，表面少子复合也很少，但该方法工艺复杂、成本高，且难以批量生产。现有技术中也有公开在酸碱制绒的基础上再利用等离子撞击，表面反射率达到5％。但没有掩膜，采用离子刻蚀方法获得的绒面表面缺陷很大，使得电池的表面少子复合严重，电池性能提升有限。
发明内容
针对上述现有技术存在的问题，本发明提供一种太阳能电池光伏制绒方法，可在硅基体表面制备纳米级绒面，其形状及排列方式可控，有效降低硅片表面反射率。
为了实现上述目的，本发明采用的一种太阳能电池光伏制绒方法，包括以下步骤，
1)制备单层纳米球薄膜：在硅基体表面制备单层纳米球膜，膜厚度为纳米球直径；
2)刻蚀：对硅基体表面的单层纳米球薄膜采用等离子刻蚀或湿法刻蚀。
作为改进，所述步骤1)中单层纳米球薄膜采用纳米球排列组成，相邻纳米球间有排列空隙，纳米球的直径为200-300nm。
作为改进，所述纳米球采用PS纳米球或二氧化钛纳米球。
作为改进，所述步骤2)中等离子刻蚀具体包括：以工作气体在高频磁场和感生电场作用下电离产生等离子体，等离子体透过纳米分子球间的排列空隙轰击硅基体表面，使得硅原子溅射达到刻蚀。
作为改进，溅射后制备的绒面尺寸为50-200nm。
作为改进，采用的工作气体为六氟化硫和氧气的混合气体，或采用六氟化硫、三氟甲烷和氧气的混合气体。
作为改进，步骤2)中湿法刻蚀具体包括：先在纳米球膜表面制备SiO2、Ag或Au纳米结构，使用有机物除去纳米球，再经溶液湿法刻蚀，多晶使用酸刻蚀，单晶使用碱刻蚀。
作为改进，所述酸刻蚀采用HF与HNO3的混合水溶液，所述HF：HNO3为1:1.5-6。
作为改进，所述碱刻蚀采用氢氧化钠与异丙醇的混合物，氢氧化钠质量分数为1％-2％，异丙醇的体积分数为1-5％，反应温度为80℃，反应时间为15-25min。
作为改进，反应时间为20min。
与现有技术相比，本发明采用纳米球层膜作为掩膜，经等离子刻蚀或湿法刻蚀方法获得规则排列，纳米级尺寸的小绒面结构，可将太阳能电池片制绒表面反射率降低到2％以下。
附图说明
图1为本发明中纳米球膜表面结构示意图；
图2为本发明中酸蚀后硅片表面陷光结构示意图；
图3为本发明中碱蚀后硅片表面陷光结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面通过附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。但是应该理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限制本发明的范围。除非另有定义，本文所使用的所有的技术术语和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同，本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。
一种太阳能电池光伏制绒方法，包括以下步骤，
1)制备单层纳米球膜：
采用LB膜法、旋转涂膜法或提拉法在硅基体表面制备单层纳米球薄膜，膜厚度为分子直径，本发明采用PS纳米球(聚苯乙烯)、二氧化钛纳米球，直径为200-300nm；单层纳米球在硅基体表面紧密排列形成掩膜，纳米球之间的排列空隙可作为湿法刻蚀或等离子刻蚀的位置，纳米球膜表面结构如图1所示。
2)当采用等离子刻蚀时，该方法的具体过程为：
工作气体在高频磁场和感生电场作用下电离产生等离子体，等离子体透过分子球之间的空隙轰击硅基体表面，使得硅原子溅射达到刻蚀效果。由于纳米球为周期紧密排列，因此通过等离子轰击空隙位置的硅基体，达到绒面规则排列的效果，最终制备的绒面尺寸为50-200nm之间；采用的工作气体为六氟化硫和氧气的混合气体，也可以采用六氟化硫、三氟甲烷和氧气的混合气体。
或采用湿法刻蚀，湿法刻蚀首先在纳米球膜表面采用溅射、蒸镀或喷涂方式制备SiO2或者Ag、Au纳米结构，使用有机物，如丙醇除去纳米球；再经溶液湿法刻蚀，多晶使用酸刻蚀，单晶使用碱刻蚀。
其中，酸刻蚀溶液采用HF和HNO3的混合水溶液，HF和HNO3的比例范围为1:1.5-6，酸蚀后硅片表面陷光结构如图2所示；
碱刻蚀选用氢氧化钠与异丙醇的混合物，氢氧化钠的质量分数为1％-2％，异丙醇的体积分数为1-5％，反应温度为80℃，反应时间为15-25min；优选的反应时间为20min，有效满足湿法刻蚀要求，碱蚀后硅片表面陷光结构如图3所示。
本发明的纳米球掩膜，经等离子刻蚀或湿法刻蚀方法获得规则排列，纳米级尺寸的小绒面结构，可将太阳能电池片制绒表面反射率降低到2％以下。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种太阳能电池光伏制绒方法，其特征在于，包括以下步骤，
1)制备单层纳米球薄膜：在硅基体表面制备单层纳米球膜，膜厚度为纳米球直径；
2)刻蚀：对硅基体表面的单层纳米球薄膜采用等离子刻蚀或湿法刻蚀。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池光伏制绒方法，其特征在于，所述步骤1)中单层纳米球薄膜采用纳米球排列组成，相邻纳米球间有排列空隙，纳米球的直径为200-300nm。
3.根据权利要求2所述的一种太阳能电池光伏制绒方法，其特征在于，所述纳米球采用PS纳米球或二氧化钛纳米球。
4.根据权利要求3所述的一种太阳能电池光伏制绒方法，其特征在于，所述步骤2)中等离子刻蚀具体包括：以工作气体在高频磁场和感生电场作用下电离产生等离子体，等离子体透过纳米分子球间的排列空隙轰击硅基体表面，使得硅原子溅射达到刻蚀。
5.根据权利要求4所述的一种太阳能电池光伏制绒方法，其特征在于，溅射后制备的绒面尺寸为50-200nm。
6.根据权利要求5所述的一种太阳能电池光伏制绒方法，其特征在于，采用的工作气体为六氟化硫和氧气的混合气体，或采用六氟化硫、三氟甲烷和氧气的混合气体。
7.根据权利要求3所述的一种太阳能电池光伏制绒方法，其特征在于，步骤2)中湿法刻蚀具体包括：先在纳米球膜表面制备SiO2、Ag或Au纳米结构，使用有机物除去纳米球，再经溶液湿法刻蚀，多晶使用酸刻蚀，单晶使用碱刻蚀。
8.根据权利要求7所述的一种太阳能电池光伏制绒方法，其特征在于，所述酸刻蚀采用HF与HNO3的混合水溶液，所述HF：HNO3为1:1.5-6。
9.根据权利要求7所述的一种太阳能电池光伏制绒方法，其特征在于，所述碱刻蚀采用氢氧化钠与异丙醇的混合物，氢氧化钠质量分数为1％-2％，异丙醇的体积分数为1-5％，反应温度为80℃，反应时间为15-25min。
10.根据权利要求9所述的一种太阳能电池光伏制绒方法，其特征在于，反应时间为20min。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610499539.5A CN105957906A (zh) | 2016-06-29 | 2016-06-29 | 一种太阳能电池光伏制绒方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610499539.5A CN105957906A (zh) | 2016-06-29 | 2016-06-29 | 一种太阳能电池光伏制绒方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105957906A true CN105957906A (zh) | 2016-09-21 |
Family
ID=56902973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610499539.5A Pending CN105957906A (zh) | 2016-06-29 | 2016-06-29 | 一种太阳能电池光伏制绒方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105957906A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110783417A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-02-11 | 国家纳米科学中心 | 一种硅表面制作密度可调的锥状陷光结构的方法及制得的黑硅 |
| CN111081797A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-28 | 北京北方华创真空技术有限公司 | 一种单晶硅片的处理方法及其单晶硅片和太阳能电池 |
| CN111803231A (zh) * | 2020-06-28 | 2020-10-23 | 深圳大学 | 一种仿生微/纳米抗菌结构及其制造方法与应用 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101308219A (zh) * | 2008-06-27 | 2008-11-19 | 吉林大学 | 以单层纳米粒子为刻蚀阻挡层构筑抗反射微结构的方法 |
| CN102173376A (zh) * | 2011-02-25 | 2011-09-07 | 复旦大学 | 高度有序的小尺寸硅基纳米坑阵列的制备方法 |
| US20130206222A1 (en) * | 2012-02-13 | 2013-08-15 | Jungmin Ha | Solar cell |
-
2016
- 2016-06-29 CN CN201610499539.5A patent/CN105957906A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101308219A (zh) * | 2008-06-27 | 2008-11-19 | 吉林大学 | 以单层纳米粒子为刻蚀阻挡层构筑抗反射微结构的方法 |
| CN102173376A (zh) * | 2011-02-25 | 2011-09-07 | 复旦大学 | 高度有序的小尺寸硅基纳米坑阵列的制备方法 |
| US20130206222A1 (en) * | 2012-02-13 | 2013-08-15 | Jungmin Ha | Solar cell |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110783417A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-02-11 | 国家纳米科学中心 | 一种硅表面制作密度可调的锥状陷光结构的方法及制得的黑硅 |
| CN110783417B (zh) * | 2019-11-08 | 2021-06-29 | 国家纳米科学中心 | 一种硅表面制作密度可调的锥状陷光结构的方法及制得的黑硅 |
| CN111081797A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-28 | 北京北方华创真空技术有限公司 | 一种单晶硅片的处理方法及其单晶硅片和太阳能电池 |
| CN111081797B (zh) * | 2019-12-31 | 2021-04-27 | 北京北方华创真空技术有限公司 | 一种单晶硅片的处理方法及其单晶硅片和太阳能电池 |
| CN111803231A (zh) * | 2020-06-28 | 2020-10-23 | 深圳大学 | 一种仿生微/纳米抗菌结构及其制造方法与应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103112816B (zh) | 一种在单晶硅衬底上制备金字塔阵列的方法 | |
| CN108054224B (zh) | 一种晶体硅太阳能电池的绒面结构及其制备方法 | |
| CN103499847B (zh) | 一种具有光学增透功能的中空纳米锥阵列膜的制备方法 | |
| CN105070772A (zh) | 在单晶硅表面制备均匀倒金字塔绒面的湿化学方法 | |
| CN101789467B (zh) | 一种多晶硅太阳能电池湿法制绒工艺 | |
| CN111254497B (zh) | 单晶硅片二次制绒制备多孔金字塔结构用添加剂及其应用 | |
| CN103572373B (zh) | 一种单晶硅片碱式制绒工艺 | |
| Lin et al. | Ultrathin single-crystalline silicon solar cells for mechanically flexible and optimal surface morphology designs | |
| CN105957906A (zh) | 一种太阳能电池光伏制绒方法 | |
| CN101937946A (zh) | 一种太阳电池硅片的表面织构方法 | |
| CN102270688A (zh) | 一种太阳能电池 | |
| CN105405755A (zh) | 用于硅片金字塔制绒的酸性制绒液、制绒方法以及采用该制绒方法制绒而成的硅片 | |
| CN104362221A (zh) | 一种rie制绒的多晶硅太阳电池的制备方法 | |
| Leng et al. | Progress in metal-assisted chemical etching of silicon nanostructures | |
| CN109853044A (zh) | 基于全波段减反的单晶硅表面复合微结构及其制备方法 | |
| CN101976704B (zh) | 一种激光与酸刻蚀结合的制绒工艺 | |
| CN105133038A (zh) | 具有高效纳米绒面结构的多晶硅的制备方法及其应用 | |
| CN103643289B (zh) | 基于化学刻蚀的单晶硅表面结构及其制备及应用 | |
| TWI506122B (zh) | 一種半導體晶片之蝕刻組成物及蝕刻方法 | |
| CN103541017A (zh) | 一种多晶硅太阳电池湿法制绒方法 | |
| CN102795785B (zh) | 减反射玻璃及二次酸腐蚀制备减反射玻璃的方法 | |
| CN101414641A (zh) | 一种太阳能电池绒面结构及制作方法 | |
| CN102544200B (zh) | 一种纳米太阳电池陷光结构的制备方法 | |
| CN103597604B (zh) | 太阳能电池的制造方法 | |
| CN205194713U (zh) | 一种用于太阳能电池的硅片 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160921 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |