CN203103339U - 一种镀膜舟 - Google Patents

一种镀膜舟 Download PDF

Info

Publication number
CN203103339U
CN203103339U CN201320085799XU CN201320085799U CN203103339U CN 203103339 U CN203103339 U CN 203103339U CN 201320085799X U CN201320085799X U CN 201320085799XU CN 201320085799 U CN201320085799 U CN 201320085799U CN 203103339 U CN203103339 U CN 203103339U
Authority
CN
China
Prior art keywords
groove
plated film
edge
bearing unit
silicon chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201320085799XU
Other languages
English (en)
Inventor
余可
王立建
蔡岳莑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fai Fai investment management company
Original Assignee
ZHEJIANG YUHUI SOLAR ENERGY JIANGSU CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ZHEJIANG YUHUI SOLAR ENERGY JIANGSU CO Ltd filed Critical ZHEJIANG YUHUI SOLAR ENERGY JIANGSU CO Ltd
Priority to CN201320085799XU priority Critical patent/CN203103339U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN203103339U publication Critical patent/CN203103339U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本实用新型提供了一种镀膜舟,包括至少一个承载单元,承载单元上包括凹槽,凹槽的侧壁与放置在其内部的硅片的边缘的距离大于0mm,小于或等于2mm。本实用新型所提供的镀膜舟,通过在承载单元上设置凹槽,凹槽的侧壁与放置在其内部的硅片的边缘的距离为大于0mm,即硅片能够放入槽内,并且凹槽侧壁与所对应的硅片边缘距离很小,因此凹槽侧壁能够保护硅片的边缘,减少了边缘侧面镀膜,从而降低了由于边缘侧面被镀膜而引起的太阳能电池边缘漏电,有益于提高太阳能电池的转换效率,进一步的,通过在承载单元上设置探针形卡扣,镀膜后所形成的卡点面积减小,太阳能电池片的表面颜色均匀,外观有所改善。

Description

一种镀膜舟
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,更具体地说,涉及一种镀膜舟。
背景技术
太阳能电池,也称光伏电池,是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品,不会引起环境污染,而且利用的是可再生资源,所以在当今能源短缺的情形下,太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源。
常见的太阳能电池片的制作过程中,硅片在经过表面织构化和扩散制结工序后,为了增加太阳能电池片对光能的吸收,并减少载流子复合,会在硅片的表面镀上钝化减反射膜。
目前镀膜主要采用的工艺为PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition,等离子体增强化学气相沉积法)。镀膜舟是管式PECVD过程中的必要配件,利用镀膜舟装载硅片进入PECVD设备中进行镀膜。
在实际应用的过程中发现,采用现有技术的镀膜舟制作的太阳能电池片边缘漏电较高,导致电池片光电转换效率下降。
实用新型内容
本实用新型提供一种镀膜舟,以减轻太阳能电池片边缘漏电的问题,提高电池片的光电转换效率。
为实现上述目的,本实用新型实施例提供了如下技术方案:
一种镀膜舟,包括至少一个承载单元,所述承载单元上包括凹槽,所述凹槽的侧壁与放置在其内部的硅片的边缘的距离大于0mm,小于或等于2mm。
优选的,所述凹槽的侧壁与放置在其内部的硅片的边缘的距离为0.5mm~2mm,包括端点值。
优选的,所述凹槽的深度为0.2mm~1mm,包括端点值。
优选的,所述承载单元的底部为实心结构。
优选的,所述承载单元具有至少一个贯穿所述承载单元底部和所述凹槽底部的开口。
优选的,所述开口的数目为一个,所述开口侧壁与所述凹槽侧壁的距离为15mm~50mm,包括端点值。
优选的,所述镀膜舟为石墨舟。
优选的,所述镀膜舟还包括,位于所述承载单元侧壁上表面的至少3个卡扣,且3个卡扣分别位于所述承载单元的3个侧壁上表面。
优选的,所述卡扣的端部为探针形。
与现有技术相比,本实用新型所提供的技术方案具有以下优点:
本实用新型所提供的镀膜舟,通过在承载单元上设置凹槽,凹槽的侧壁与放置在其内部的硅片的边缘的距离为大于0mm,即硅片能够放入槽内,并且凹槽侧壁与所对应的硅片边缘距离很小,因此凹槽侧壁能够保护硅片的边缘,减少了边缘侧面镀膜,从而降低了由于边缘侧面被镀膜而引起的太阳能电池边缘漏电,提高了太阳能电池的转换效率。
进一步的,本实用新型所提供的镀膜舟的卡扣的端部采用探针形结构,使卡扣与硅片表面的接触面积减小,卡扣与硅片接触的区域内气流更均匀,因此,卡扣对该区域镀膜均匀性的影响较小,太阳能电池片表面膜层颜色更为均匀,改善了太阳能电池片外观。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例所提供的镀膜舟承载单元的俯视图;
图2为本实用新型实施例所提供镀膜舟舟片的主视图;
图3为本实用新型实施例所提供的另外一种镀膜舟承载单元的俯视图;
图4为现有技术中镀膜舟的部分结构图。
具体实施方式
正如背景技术所述,现有技术中的镀膜舟制作的太阳能电池片边缘漏电较高。发明人经研究发现,管式PECVD的镀膜方式为将硅片正面朝上放置在平面结构的镀膜舟上进行镀膜,硅片在镀膜时正面和边缘侧面暴露在镀膜的气氛中,硅片的边缘侧面不可避免的被镀膜,膜层内含有氢,因此具有一定的导电性的,增加了太阳能电池正背面载流子的复合,即硅片边缘被镀膜使太阳能电池的边缘漏电增大,进而使太阳能电池片的转换效率较低;
并且,发明人还发现,现有技术中镀膜时,硅片通过卡扣固定在镀膜舟上,卡扣通常为圆柱形卡扣,与硅片的接触面积较大,造成卡扣与硅片的接触区域(即卡点处)所镀膜层非常薄,太阳能电池片整体所镀膜层不均匀,由于膜层的薄厚不同所表现出的颜色也就不同,因此,太阳能电池片卡点区域与非卡点区域的颜色不同,影响了电池片的外观。
基于上述原因,本实用新型提供了一种镀膜舟,包括至少一个承载单元,所述承载单元上包括凹槽,所述凹槽的侧壁与放置在其内部的硅片的边缘的距离大于0mm,小于或等于2mm。
本实用新型所提供的镀膜舟,通过在承载单元上设置凹槽,凹槽的侧壁与放置在其内部的硅片的边缘的距离大于0mm,即硅片能够放入槽内,并且凹槽侧壁与所对应的硅片边缘距离很小,因此凹槽侧壁能够保护硅片的边缘,减少了边缘侧面镀膜,从而降低了由于边缘侧面被镀膜而引起的太阳能电池边缘漏电,提高了太阳能电池的转换效率。
以上是本实用新型的核心思想,为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型,但是本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广,因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。
其次,本实用新型结合示意图进行详细描述,在详述本实用新型实施例时,为便于说明,表示装置结构的示意图会不依一般比例作局部放大,而且所述示意图只是示例,其在此不应限制本实用新型保护的范围。此外,在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
本实用新型提供了一种镀膜舟,其结构如图1所示,包括至少一个承载单元101,所述承载单元101上包括凹槽102,所述凹槽102的侧壁与放置在其内部的硅片的边缘的距离大于0mm,小于或等于2mm。
凹槽102的侧壁与硅片边缘的距离大于0mm,简单来说,就是凹槽102的尺寸比硅片的尺寸大,所以硅片能够顺利的放入凹槽102内。需要给硅片的正面镀膜时,硅片放入凹槽102内后,其背面与凹槽102的底面直接接触。
根据硅片尺寸的不同,凹槽102的尺寸要进行相应的变化,凹槽102尺寸过小,则硅片不容易放入,造成硅片易破裂;凹槽102尺寸过大,则凹槽102侧壁对硅片边缘所起的保护作用不大,造成减少硅片边缘镀膜的效果不明显。本实施例优选的使凹槽102的侧壁与放置在其内部的硅片的边缘的距离为0.5mm~2mm,包括端点值。
为了使凹槽102的侧壁更好的遮挡硅片边缘,侧壁的高度需要大于硅片的厚度,即凹槽102的深度要略大于硅片的厚度。根据常规硅片的厚度,本实施例优选的使凹槽的深度为0.2mm~1mm,包括端点值。
如图4所示,现有技术中硅片PECVD镀膜时,直接放置在镀膜舟402的平面上,硅片需镀膜的一面和边缘均暴露在空气中,硅片的边缘不可避免的被镀上薄膜。由于所镀膜层中含有氢,是具有一定导电性的,所以硅片被镀膜导致太阳能电池片边缘漏电比较严重,影响电池片的转换效率。
本实施例中,硅片的一面暴露在镀膜气氛中,凹槽102的侧壁距离硅片边缘非常近,对硅片的边缘侧面具有一定的遮挡作用,能够减少硅片边缘侧面被镀膜,从而减少了由于硅片边缘侧面被镀膜而导致的边缘漏电,进而采用本实施例所提供的镀膜舟镀膜的太阳能电池片转换效率提高。
所述镀膜舟的承载单元101还包括,位于凹槽102周围的至少3个卡扣,且3个卡扣分别位于凹槽102不同边的一侧。
由于镀膜时镀膜舟是竖直放置在工艺炉管中的,即硅片为竖直状态进行镀膜的,所以至少需要3个卡扣用以固定硅片,并且3个卡扣要分别位于凹槽102不同边的一侧,以固定硅片至少3个边。
卡扣包括端部103和固定部104,硅片放入凹槽102后,端部103能够挡住硅片,使硅片不会脱离凹槽102,起固定硅片的作用。端部103通过固定部104固定在承载单元101上。
如图4所示,现有技术中的卡扣401为圆柱形,硅片镀膜时,圆柱形的卡扣与硅片表面的接触面积较大,卡扣会影响周围气流,致使接触区域(即卡点)所镀膜层较非接触区域膜层薄,膜层的厚度会影响自身所呈现出的颜色,因此,太阳能电池片卡点处的颜色与非卡点处颜色不同,影响了电池片的外观。
本实施例优选的使卡扣的端部103为探针形,相对于圆柱形,探针形的卡扣与硅片的接触面积减小,周围气流更均匀,镀膜后所形成的卡点面积减小,即硅片上厚度较薄的薄膜的面积减小,因此,太阳能电池片的表面颜色均匀,外观有所改善;并且,卡点处较薄膜层面积减小,也使薄膜的钝化和减反射作用提高,对太阳能电池的转换效率有提高的作用。
为了使硅片能够顺利的放入凹槽102内,卡扣端部103的低端与固定部104所在的平面之间要有一定的缝隙,高度差优选为0.2mm~1mm。
本实施例中,为了提高承载单元101的利用率,可以在承载单元101的两面都设置凹槽102,并在凹槽102的周围设置用于固定硅片的卡扣,使承载单元101形成两侧对称的结构。具体结构可参考图1,镀膜时承载单元竖直放置,一个承载单元101上的两个凹槽102可放置两片硅片,同时对两片硅片镀膜。
另外,在实际应用中,镀膜舟是由多个舟片并排组装而成的,舟片的结构如图2所示,每个舟片205包括多个承载单元101,每个承载单元上具有一个凹槽102,镀膜时硅片206放入凹槽102内。
本实施例中,承载单元101的底部优选为实心结构,可以使硅片与凹槽102底面接触的一面(即不需要被镀膜的一面)被完全遮挡,不会被镀膜,避免了镀膜物料不必要的浪费;
参考图3,为了节省制作镀膜舟的材料,降低成本,承载单元101的底部还可以优选的具有至少一个贯穿承载单元101底部和102凹槽底部的开口307,简单来说,就是承载单元101为镂空的结构。
开口307的数目和尺寸可根据实际情况进行设计,当开口307为多个时,承载单元101的底部可以设计成网状结构等;本实施例优选的为开口数目为一个,开口的尺寸要小于放入凹槽内的硅片的尺寸,开口侧壁与凹槽侧壁的距离优选的为15mm~50mm,包括端点值。
需要说明的是,上述承载单元的结构组合成舟片时,优选的可以另舟片两端的承载单元为实心结构,中间部分的承载单元为镂空结构,这样既可以避免硅片与凹槽接触的一面不必要的镀膜,又可以节省镀膜舟的材料,降低成本。
另外,镀膜舟的材料可以根据实际情况选择,优选为导电性好和加工易成型的金属或其它材料,例如不锈钢、石墨等;本实施例镀膜舟优选的为石墨舟。
虽然本实用新型已以较佳实施例披露如上,然而并非用以限定本实用新型。任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本实用新型技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的方法和技术内容对本实用新型技术方案作出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。因此,凡是未脱离本实用新型技术方案的内容,依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰,均仍属于本实用新型技术方案保护的范围内。

Claims (9)

1.一种镀膜舟,其特征在于,包括至少一个承载单元,所述承载单元上包括凹槽,所述凹槽的侧壁与放置在其内部的硅片的边缘的距离大于0mm,小于或等于2mm。
2.根据权利要求1所述的镀膜舟,其特征在于,所述凹槽的侧壁与放置在其内部的硅片的边缘的距离为0.5mm~2mm,包括端点值。
3.根据权利要求1所述的镀膜舟,其特征在于,所述凹槽的深度为0.2mm~1mm,包括端点值。
4.根据权利要求1所述的镀膜舟,其特征在于,所述承载单元的底部为实心结构。
5.根据权利要求1所述的镀膜舟,其特征在于,所述承载单元具有至少一个贯穿所述承载单元底部和所述凹槽底部的开口。
6.根据权利要求5所述的镀膜舟,其特征在于,所述开口的数目为一个,所述开口侧壁与所述凹槽侧壁的距离为15mm~50mm,包括端点值。
7.根据权利要求1所述的镀膜舟,其特征在于,所述镀膜舟为石墨舟。
8.根据权利要求1所述的镀膜舟,其特征在于,还包括,位于所述承载单元侧壁上表面的至少3个卡扣,且3个卡扣分别位于所述承载单元的3个侧壁上表面。
9.根据权利要求8所述的镀膜舟,其特征在于,所述卡扣的端部为探针形。
CN201320085799XU 2013-02-25 2013-02-25 一种镀膜舟 Expired - Fee Related CN203103339U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201320085799XU CN203103339U (zh) 2013-02-25 2013-02-25 一种镀膜舟

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201320085799XU CN203103339U (zh) 2013-02-25 2013-02-25 一种镀膜舟

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN203103339U true CN203103339U (zh) 2013-07-31

Family

ID=48854719

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201320085799XU Expired - Fee Related CN203103339U (zh) 2013-02-25 2013-02-25 一种镀膜舟

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN203103339U (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106531839A (zh) * 2015-09-11 2017-03-22 镇江鹏飞光伏技术有限公司 石墨舟直型槽工艺点及其生产工艺
CN109695026A (zh) * 2018-12-29 2019-04-30 无锡松煜科技有限公司 一种原子层沉积装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106531839A (zh) * 2015-09-11 2017-03-22 镇江鹏飞光伏技术有限公司 石墨舟直型槽工艺点及其生产工艺
CN109695026A (zh) * 2018-12-29 2019-04-30 无锡松煜科技有限公司 一种原子层沉积装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110137274B (zh) 一种双面钝化接触的p型高效电池及其制备方法
CN105870215A (zh) 一种背面钝化接触电池电极结构及其制备方法
CN102468365B (zh) 双面太阳能电池的制造方法
CN201966219U (zh) 一种n型硅太阳能电池
CN102969399B (zh) Mwt太阳能电池及其制作方法
CN205657066U (zh) 一种背面钝化接触电池电极结构
CN109473492A (zh) 适合规模化量产的mwt异质结硅太阳电池及其制备方法
WO2020211207A1 (zh) 一种双面太阳能电池及其制备方法
CN103746040A (zh) 一种低成本、适合规模化量产的背接触电池生产方法
CN105655424A (zh) 全背场扩散n型硅基电池及其制备方法
CN203103339U (zh) 一种镀膜舟
CN101866971A (zh) 具有选择性发射级太阳能电池片
Aberle et al. Crystalline silicon thin-film solar cells via high-temperature and intermediate-temperature approaches
CN209056506U (zh) 适合规模化量产的mwt异质结硅太阳电池
CN110223950B (zh) 一种用于化学气相沉积硅基薄膜钝化层的托盘结构及其制作方法
CN205564764U (zh) 一种背面钝化接触电池结构
CN202076297U (zh) 基于p型硅片的背接触式hit太阳能电池结构
CN107425085A (zh) 一种背面钝化的背接触晶硅太阳能电池的制备方法
CN204102912U (zh) 一种石墨烯硅太阳电池
US11916158B2 (en) Photovoltaic module
CN216624297U (zh) 异质结太阳能电池和光伏组件
US20110056548A1 (en) Wafer-Based Solar Cell with Deeply Etched Structure
CN105839192A (zh) 预处理硅片湿法制绒的方法
CN217298006U (zh) 石墨舟片及石墨舟
CN109461783A (zh) 一种双面晶硅太阳能电池及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20171113

Address after: The British Virgin Islands of Tortola Rodez VG1110

Patentee after: Fai Fai investment management company

Address before: 214200 Jiangsu city of Wuxi province Yixing Qingyuan Road Economic Development Zone No. 27 (East)

Patentee before: Zhejiang Yuhui Solar Energy Jiangsu Co., Ltd.

TR01 Transfer of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130731

Termination date: 20210225

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee