CN201122590Y - 具散热件的电子装置 - Google Patents

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Abstract

一种具散热件的电子装置，包括：一电路板有上、下表面，上表面有导电端；一芯片设置在电路板上表面，有上表面及相对应的下表面，上表面有导电端；一导电件有二端点，二端点分别与电路板导电端及芯片导电端接合；一散热件有第一部分、第二部分、连接部、支架及侧边，连接部分别与第一及第二部分连接，使第一及第二部分呈阶梯状，第二部分下表面更靠近芯片，而支架支撑第一、第二部分及连接部，令第一、第二部分及连接部呈悬空状，支架下表面设置在电路板上表面；一封装体设置在电路板上表面，有上表面及外缘，并包封芯片、导电件及散热件，散热件第一部分上表面及支架上表面的一部分裸露于封装体表面。本实用新型可提高电子装置的散热效率及品质。

Description

具散热件的电子装置
技术领域
本实用新型涉及一种电子装置，尤其涉及一种提高电子装置的品质及实用性具散热件的电子装置。
背景技术
如图13所示，现有的电子装置80包括：一基础件30，实施为电路板(PCB)，具有上表面31及相对应的下表面32、多个导电端33及多个导电电路34供电性连接用；一芯片20，设置在基础件30上表面31，具有上表面21及相对应的下表面22，其中，上表面21具有多个导电端23供电性连接用；多条导电件60，实施为导电线，各具有二端点，并分别与芯片20导电端23及基础件30导电端33接合，使芯片20的电性借导电件60传输至基础件30；一散热件5，具有第一部分1、支架7及侧边3，其中，第一部分1及支架7各具有上表面1a、7a及相对应下表面1b、7b，而支架7下表面7b设置在基础件30上表面31，且支架7支撑第一部分1使第一部分1呈悬空状，令芯片20可容置在散热件5第一部分1的下方；一封装体40，设置在基础件30上表面31，并包封芯片20、导电件60及散热件5，其中，散热片5第一部分1上表面1a裸露于封装体40上表面41；此散热件1的特征使具散热件的电子装置80具有下列三项缺点：
1.散热效率不佳的散热路径：芯片20产生热的散热路径P1是自芯片20上表面21经封装体40传到散热件5再经由散热件5第一部分1上表面1a传到大气中，其中，介于芯片20上表面21与散热件5第一部分1下表面1b间的封装体40厚度T其通常均大于0.4mm，且为热传导性低的环氧树脂(Resin)制品，以日东电工(NITTO DENKO)生产的封装体GE-100-HT为例，其热传导性仅为3.1W/m-k，使散热路径P1的热阻无法有效降低而造成散热效率不佳。
2.可靠性不佳的散热路径：通常封装体的热膨胀系数比散热件低，以日东电工生产的封装体GE-100-HT为例，其热膨胀系数为15ppm/℃，而散热件通常实施为高热膨胀系数的铜或铝等金属，以铜为例，其热膨胀系数为21ppm/℃，因封装体40与散热件5的热膨胀系数不同，使封装体40与散热件5第一部分1下表面1b的接口会因工作环境温度的升高而产生热应力，此热应力即易造成封装体40与散热件5第一部分1间的接口产生间隙G，此间隙G造成散热路径的热阻增加，使具散热件的电子装置80的散热效率更降低。
3.较短的散热件支架两内缘间长度：通常散热件5支架7下表面7b与基础件30上表面31结合处的长度均大于1mm，因散热件5侧边3及支架7下表面7b受封装体40包封，使支架7内缘7c无法向封装体40外缘42延伸设置，令支架7内缘7c与封装体40外缘42间的距离D大于1mm，使两支架7内缘7c间的长度L无法增大，因而限制了此具散热件的电子装置80的使用，因为，在使用较大面积的芯片时，导电件60接合于基础件30上表面31的导电端33亦须向封装体40外缘42延伸设置以利导电件60的接合作业，若长度L较短则基础件30导电端33将无法配合向封装体40外缘42延伸设置的需求而无法使用。
实用新型内容
本实用新型所要解决的主要技术问题在于，克服现有技术存在的上述缺陷，而提供一种具散热件的电子装置，其可提高具散热件的电子装置的散热效率及品质。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种具散热件的电子装置，其特征在于，包括：一电路板，具有上表面及相对应的下表面，其中，上表面具有导电端；一芯片，设置在电路板上表面，具有上表面及相对应的下表面，其中，上表面具有导电端；一导电件，具有二端点，二端点分别与电路板导电端及芯片导电端接合；一散热件，具有第一部分、第二部分、连接部、支架及侧边，第一部分、第二部分、连接部及支架各具有上表面及相对应的下表面，其中，连接部分别与第一部分及第二部分连接，使第一部分及第二部分呈阶梯状，令第二部分下表面更靠近芯片，而支架是支撑第一部分、第二部分及连接部，令第一部分、第二部分及连接部呈悬空状，且不与电路板接触，同时，支架下表面设置在电路板上表面；一封装体，设置在电路板上表面，具有上表面及外缘，并包封芯片、导电件及散热件，其中，散热件第一部分上表面及支架上表面的一部分裸露于封装体表面。
本实用新型解决其技术问题还可采用如下技术方案：
一种具散热件的电子装置，其特征在于，包括：一电路板，具有上表面及相对应的下表面，其中，上表面具有导电端；一芯片，设置在电路板上表面，具有上表面及相对应的下表面，其中，上表面具有导电端；一导电件，具有二端点，二端点分别与电路板导电端及芯片导电端接合；一散热件，具有第一部分、第二部分、连接部、支架及侧边，第一部分、第二部分、连接部及支架各具有上表面及相对应的下表面，其中，支架是支撑第一部分、第二部分及连接部，令第一部分、第二部分及连接部呈悬空状，且不与电路板接触，同时，支架下表面设置在电路板上表面；一封装体，设置在电路板上表面，具有上表面及外缘，并包封芯片、导电件及散热件，其中，支架的上表面至少一部分裸露于封装体表面。
前述的具散热件的电子装置，其中散热件第一部分下表面与第二部分下表面是呈阶梯状。
前述的具散热件的电子装置，其中散热件第一部分上表面与第二部分上表面是呈阶梯状。
前述的具散热件的电子装置，其中散热件第一部分上表面裸露于封装体上表面。
前述的具散热件的电子装置，其中散热件具有贯穿孔洞。
前述的具散热件的电子装置，其中散热件第一部分、第二部分及连接部的各上表面均位于一共平面上，且未受封装体包封。
本实用新型解决其技术问题仍可采用如下技术方案：
一种具散热件的电子装置，其特征在于，包括：一电路板，具有上表面及相对应的下表面，其中，上表面具有导电端；一芯片，设置在电路板上表面，具有上表面及相对应的下表面，其中，上表面具有导电端；一导电件，具有二端点，二端点分别与电路板导电端及芯片导电端接合；一散热件，不与电路板接触，具有第一部分、第二部分、连接部及侧边，第一部分、第二部分及连接部各具有上表面及相对应的下表面，其中，连接部分别与第一部分及第二部分连接，令第一部分及第二部分呈阶梯状，使第二部分下表面更靠近芯片；一封装体，设置在电路板上表面，具有上表面及外缘，并包封芯片、导电件及散热件，其中，散热件第一部分上表面裸露于封装体上表面。
前述的具散热件的电子装置，其中散热件具有贯穿孔洞。
本实用新型的有益效果是，通过缩小散热路径中封装体的厚度，增加新的散热路径，增加散热件受热应力冲击的能力及增加散热件支架内缘间的长度，提高具散热件的电子装置的品质及实用性。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是具有阶梯状的散热件剖视图；
图2是阶梯状散热件结合在具散热件的电子装置中的剖视图；
图3是具散热件的电子装置具散热板的剖视图；
图4是散热件支架上表面未受封装体包封的剖视图；
图5是散热件具缓冲层的剖视图；
图6是散热件具贯穿孔洞及保护层的剖视图；
图7是散热件上表面受封装体包封的剖视图；
图8是散热件上表面受封装体包封且具贯穿孔洞的剖视图；
图9是散热件具有开口的俯视图；
图10是散热件具有多个下表面的剖视图；
图11是散热件不具支架的剖视图；
图12是散热件无支架及具凹部的剖视图；
图13是现有散热件结合于电子装置中的剖视图。
图中标号说明：
1.......第一部分        3.........侧边
5........散热件         7.........支架
10.......散热件         11......第一部分
12......第二部分        13........侧边
14........凸部          15.......连接部
16......贯穿孔洞        17........支架
18........开口          19........凹部
20、25.....芯片         21.......上表面
22.......下表面         23.......导电端
30.......基础件         31.......上表面
32.......下表面         33.......导电端
34......导电电路        36......贯穿孔洞
40.......封装体         41.......上表面
42........外缘          53........导脚
54.......承载垫         56......贯穿孔洞
60.......导电件         65.......导电件
70.......散热板         71.......上表面
72.......下表面         73........侧边
80......具散热件的电子装置
91.......缓冲层
92.......保护层         1a、7a....上表面
1b、7b....下表面        7c........内缘
111、121..上表面        112、122..下表面
151、171..上表面        152、172..下表面
174.......内缘          531......上表面
532......下表面         911......上表面
912......下表面         913.......侧边
CL.......切割线         D1........距离
D2........段差          G.........间隙
H........最高点         L、L1......长度
P1、P2...散热路径       T、T1......厚度
具体实施方式
如图1所示，本实用新型散热件10的剖视图，其包括：第一部分11，具有上表面111及相对应的下表面112；第二部分12，具有上表面121及相对应的下表面122；连接部15，具有上表面151及相对应的下表面152，此连接部15分别与第一部分11及第二部分12连接，使第一部分11与第二部分12的上表面111、121及下表面112、122皆呈阶梯状；支架17，具有内缘174、上表面171及相对应的下表面172，且支架17是支撑第一部分11、第二部分12及连接部15，使第一部分11、第二部分12及连接部15呈悬空状；一侧边13，设置在散热件10的边缘；此散热件10因第一部分11与第二部分12呈阶梯状而有一段差D2，运用此段差D2的特征于具散热件的电子装置中即可令散热件10更接近产生热的芯片，借此，不仅可提升具散热件的电子装置的散热能力及质量，同时，此散热件10，可变更形状或外观以满足实际的需求。
现结合各附图说明本实用新型的其它特征及功能：
如图2所示，一具散热件的电子装置80的剖视图，包括：一基础件30、一芯片20、多条导电件60及封装体40，此基础件30、芯片20、导电件60及封装体40的特征及功能与图13所示的基础件30、芯片20、导电件60及封装体40相同；本实用新型的散热件10的结构及功能与图1所示的散热件10相似，仅于第一部分11上表面111增加一凹部19的特征，其中，散热件10第一部分11上表面111未受封装体40包封而裸露于封装体40上表面41，且支架17下表面172与基础件30结合，并令第二部分12下表面122更接近芯片20，而第一部分11上表面111的凹部19，用以防止封装体40溢流；本实施例中，因散热件10第二部分12均受封装体40包封，且散热件10的材质通常实施为高热传导性的铜或铝等金属，以铜为例，其热传导性为390W/m-k，使散热件10的热传导性比封装体40的热传导性3.1W/m-k更为优异，因此，此散热件10具有下列二优点：
1.散热效率高的散热路径：此具散热件的电子装置80的散热路径P1是自芯片20上表面21经封装体40传到散热件10第二部分12再经连接部15及第一部分11上表面111传到大气中，因散热件10第二部分12下表面122比第一部分11下表面112更靠近芯片20，使散热路径P1中的封装体40厚度T 1比图13所示的电子装置80的厚度T小，借缩小散热路径P1中散热效率不佳封装体40的厚度T1，令热传导性高的散热件10更接近产生热的芯片20，使芯片20产生的热能够更快速有效的消散于大气中。
2.可靠性高的散热路径：因散热件10第二部分12上表面121及下表面122均受封装体40包封，使散热件10与封装体40接触的面积更多，令散热件10更稳固的被封装体40固定于此封装体40内，借此，可提升散热件10第二部分12下表面122与封装体40的接口受热应力冲击的能力，因而防止接口间产生间隙，使具散热件的电子装置80的可靠性能够提升。
图3所示，一具散热件的电子装置80的剖视图，包括：一基础件30、一芯片20、多条导电件60及散热件10，此基础件30、芯片20、导电件60及散热件10的特征及功能与图2的基础件30、芯片20、导电件60及散热件10相同；一散热板70，具有侧边7
3、上表面71及相对应的下表面72，其中，下表面72设置在基础件30上表面31，而散热件10的支架17下表面172设置在散热板70上表面71；一封装体40，设置在基础件30上表面31，并包封芯片20、导电件60、散热件10及散热板70，其中，散热片10第一部分11上表面111及散热板70上表面71的一部分裸露于封装体40表面；本实施例中，因散热板70与散热件10支架17下表面172结合，且散热板70上表面71的一部分未受封装体40包封，使具散热件的电子装置80具有一新的散热路径P2，此新的散热路径P2令热自芯片20上表面21经封装体40传到散热件10第二部分12再经由第一部分11及支架17传到散热板70上表面71，然后消散于大气中，借此，可提升具散热件的电子装置80的散热能力。
图4所示，一具散热件的电子装置80的剖视图，包括：一基础件30、一芯片20及多条导电件60，此基础件30、芯片20及导电件60的特征及功能与图2的基础件30、芯片20及导电件60相同；一散热件10，具有第一部分11、第二部分12、连接部15、支架17、凹部19、凸部14及侧边13，其中第一部分11、第二部分12、连接部15及支架17各具有上表面111、121、151、171及相对应的下表面112、122、152、172，且连接部15分别与第一部分11及第二部分12连接，使第一部分11与第二部分12呈阶梯状，并令第二部分12下表面122更靠近芯片20上表面21，而支架17是支撑第一部分11、第二部分12及连接部15用，使散热件10第一部分11及第二部分12呈悬空状且不与基础件30接触，此支架17具有内缘174，且支架17下表面172是设置在基础件30上表面31；一封装体40，设置在基础件30上表面31，并包封芯片20、导电件60及散热件10，其中，散热片10第一部分11上表面111及支架17上表面171的一部分裸露于封装体40表面，而散热片10凸部14及凹部19是防止封装体40溢流用；本实施例中，散热件10形状虽然与图2所示的散热片10不同，但第二部分12下表面122仍可较第一部分11下表面112更靠近芯片20，同样可如图2所示的散热件借减少散热路径中封装体的厚度而提升具散热件的电子装置80的散热能力，同时，此散热件10具有下列二优点：
1.增加一新的散热路径：除了现有的散热路径P1外，因支架17上表面171裸露于封装体40表面而增加散热面积，令热能够自芯片20上表面21经封装体40传到散热件10第二部分12再经支架17传到支架17上表面171后传到大气中，使具散热件的电子装置80具有一新的散热路径P2而提升散热能力。
2.更大的支架两内缘间长度：通常支架17下表面172与基础件30上表面31结合处的长度均大于1mm，因支架17侧边13及上表面171的一部分未受封装体40包封，使支架17下表面172位于封装体40内的长度能够缩小，令支架17内缘174可向封装体40外缘42延伸设置，使支架17内缘174与封装体40外缘42间的距离D1比图13所示的距离D更小，借此，支架17内缘174间的长度L1可比图13所示的长度L更大，使具散热件的电子装置80可容置较多或较大的芯片20而更具实用性。
图5所示，一具散热件的电子装置80的剖视图，包括：一基础件30、一芯片20及多条导电件60，此基础件30、芯片20及导电件60的特征及功能与图2的基础件30、芯片20及导电件60相同；一散热件10，此散热件10的结构及功能与图1所示的基本散热件10相似，仅第一部分11、第二部分12及连接部15的上表面111、121、151均位于同一水平面，且第一部分11、第二部分12及连接部的下表面112、122、152仍然是呈阶梯状，而支架17下表面172是设置在基础件30上表面31；一缓冲层91，具有侧边913、上表面911及相对应的下表面912，缓冲层91设置在支架17上表面171，可由防焊剂(Solder mask)或其它受压力就变形的物质构成，使封装体40于填充作业过程中，可减少散热片10与封装体模具(图中未示)间的间隙用以防止溢流现象；一封装体40，设置在基础件30上表面31，并包封芯片20、导电件60及散热件10，其中，散热件10第一部分11上表面111、第二部分12上表面122、连接部15上表面151、缓冲层91上表面911的一部分及支架17上表面171的一部分裸露于封装体40表面；本实施例中，散热件10形状虽然与图1所示的散热片10不同，但第二部分12下表面122仍可较第一部分11下表面112更靠近芯片20，因此可提升具散热件的电子装置80的散热能力。
图6所示，一具散热件的电子装置80的剖视图，包括：一芯片20及多条导电件60，此芯片20及导电件60的特征及功能与图2的芯片20及导电件60相同；一基础件30，实施为电路板，具有上表面31及相对应的下表面32、多个导电端33、多个导电电路34及贯穿孔洞36，其中，芯片20设置在贯穿孔洞36内；一散热件10，此散热件10的结构及功能与图1所示的基本散热件10相似，仅第二部分12上表面121与下表面122间具有一贯穿孔洞16；一保护层92，设置在支架17上表面171，可由金或其它金属制成；一封装体40，设置在基础件30上表面31，并包封芯片20、导电件60及散热件10，其中，散热件10的第一部分11上表面111、支架17上表面171的一部分及保护层92的一部分裸露于封装体40表面；本实施例中，散热件10第二部分12上表面121及下表面122间有贯穿孔洞16，令第二部分12上表面121上方的封装体40与下表面122下方的封装体40能够连结在一起，使散热件10得更稳定的固定于封装体40内，不致产生剥离而造成散热功能失效，同时，可依需求运用贯穿孔洞16的特性将贯穿孔洞16设置在散热件10的第一部分11或支架17或连接部15或其它适当的位置，以利封装体40的充填及散热件10的固定，而保护层92设置在支架上17表面171，令封装体40于充填作业过程中，借保护层92表面而流入封装体模具(图中未示)中，使支架17上表面171不会造成损坏。
图7所示，一具散热件的电子装置80的剖视图，包括：一基础件30、一芯片20、封装体40及多条导电件60，此基础件30、芯片20、封装体40及导电件60的特征及功能与图2所示的相同；一散热件10，具有第一部分11、第二部分12及连接部15、支架17及侧边13，第一部分11、第二部分12及连接部15及支架17各具有上表面111、121、151、171及相对应的下表面112、122、152、172，其中，第一部分11、第二部分12及连接部15的上表面111、121、151均位于一共平面上，且相对应的下表面112、122、152亦均位于一共平面上，而支架17是支撑第一部分11、第二部分12及连接部15，使第一部分11、第二部分12及连接部15呈悬空状，且支架17下表面172设置在基础件30上表面31，并令支架17上表面171的一部分未受封装体40包封；本实施例中，散热件10第一部分11、第二部分12及连接部15的下表面112、122、152均低于导电件60的最高点H，令散热件10可靠近芯片20的面积更多，使芯片20产生的热更有效的排除于封装体40外，因而提升散热效率，同时，因散热件10可非常的靠近芯片20，若将散热件10与基础件30接地性的导电端33电性连通，可令散热件10具有屏避的功能，用以防止电磁辐射对芯片20的干扰。
图8所示，一模块化的具散热件的电子装置80的剖视图，包括：一基础件30、三芯片20、多条导电件60及封装体40，此基础件30、芯片20、导电件60及封装体40的特征及功能与图2所示者相同；一散热件10，此散热件10的结构功能与图7所示的散热件10相似，仅于散热件10的第一部分11中增加一贯穿孔洞16及于支架17上表面171上设置一凸部14；本实施例中，散热件10因具有贯穿孔洞16，使一芯片20能够设置于贯穿孔洞16内，令二个芯片20呈堆栈状，且散热件10第一部分11未裸露于封装体40，可设置另一芯片20于散热件10第一部分11上表面111，借此，即可增加芯片20的数量而提升具散热件的电子装置80的功能，而凸部14使散热件10的表面积增加而提升具散热件的电子装置80的散热效率。
图9所示，一具散热件的电子装置80的俯视图，此具散热件的电子装置80组成的主要组件及结构与图7相似，其不同处包括如下：一基础件30，具保护层92并设置在基础件30上表面31；一散热件10，具有开口18，其与设置在基础件30的保护层92呈相对应设置；一封装体40，设置在基础件30上表面31，具有上表面41，并包封散热件10，其中，散热件10支架17上表面171及开口18裸露于封装体40外；本实施例中，散热件10具有开口18，使封装体40能够借开口18执行填充作业，令封装体40的填充方法更多元化以利产业运用。
图10所示，一模块化的具散热件的电子装置80的剖视图，包括：一基础件30，具有上表面31及相对应的下表面32；一上表面21朝下的芯片25，设置在基础件30上表面31；二芯片20，设置在基础件30上表面31；一散热件10，此散热件10的特征及功能与图1所示的基本散热件10相似，其不同处为此散热件10具有多个第一部分11、多个连接部15及多个第二部分12，且各第二部分12下表面122均比各第一部分11下表面112更接近芯片20、25；一封装体40，设置在基础件30上表面31，并包封芯片25、20及散热件10，其中，散热件10各第一部分11上表面111未被封装体40包封；本实施例中，可依需求于切割线CL处执行切割作业，令该具散热件的电子装置80形成多个独立的具散热件的电子装置。
图11所示，一具散热件的电子装置80的剖视图，此具散热件的电子装置80是运用图10的具散热件的电子装置80经切割后而成的结构，包括：一基础件30，实施为电路板，此基础件30的结构及功能与图2所示的基础件30相同；一上表面21朝下的芯片25，设置在基础件30上表面31，具有上表面21及相对应的下表面22，其中，上表面21具有多个导电端23供电性连接用；多个导电件65，实施为导电凸块(Bump)，导电件65各具有二端点，并分别与芯片25导电端23及基础件30导电端33接合，使芯片25的电性能够借导电件65传输至基础件30；一散热件10，具有第一部分11、第二部分12、连接部15及侧边13，其中，第一部分11、第二部分12及连接部15各具有上表面111、121、151及相对应的下表面112、122、152，而连接部15分别与第一部分11及第二部分12连接，使第一部分11与第二部分12呈阶梯状，并令第二部分12下表面122更靠近芯片25；一封装体40，设置在基础件30上表面31，并包封芯片25、导电件65及散热件10，其中，散热件10第一部分11上表面111及侧边13未被封装体40包封；本实施例中，散热件10不具支架并不与基础件30结合，但散热件10第二部分12下表面122亦可比第一部分11下表面112更靠近芯片25而达到提升散热的功效，且第二部分12上表面121是受封装体40包封，使散热件10能更稳固的被固定于封装体，同时，因不具有支架使导电件65与基础件30接合的导电端33可依需求尽可能的向封装体40外援42延伸设置，因而提升了具散热件的电子装置80的实用性；此具散热件的电子装置80可依需求设置一粘着物(图中未示)于芯片25的下表面22上，此粘着物可实施为高热传导性的物质，使散热件10第二部分12下表面122与芯片25下表面22接合，借此，更可达到固定散热件10及提升具散热件的电子装置80的散热效率，同时，此散热件10亦可依需求设置如图6所示的贯穿孔洞16，使散热件10具有利于封装体40充填及固定的功能。
图12所示，一具散热件的电子装置80的剖视图，包括：一基础件30，实施为导线架(Lead  Frame)，可由铜、铁或其它合金金属制成，基础件30具有多支导脚(Lead)53、承载垫(Die pad)54及贯穿孔洞56，其中，各导脚53具有上表面531及相对应的下表面532，而上表面531及下表面532是实施为基础件30的导电端用供电性连接用；一芯片25、多个导电件65及散热件10，此芯片25、导电件65及散热件10的功能及特征与图11所示的芯片25、导电件65及散热件10相似，其中，不同处为散热件10侧边13增加一凹部19；一封装体40，包封芯片25、导电件65、基础件30及散热件10，其中，散热件10的第一部分11上表面111、侧边13及基础件30导脚53的下表面532未受封装体40包封；本实施例中，因散热件10的侧边13具有一凹部19，借此，可缩小散热件10局部的厚度，使具散热件的电子装置80于执行切割过程中可减少机具损坏及作业效率下降的情形。
上述各图仅为本实用新型的较佳实施例，当不能以此限定本实用新型实施范围，例：如图2～10所示，芯片可实施为半导体芯片或二极管或晶体管等电子组件；如图2～10所示，散热件或芯片可借黏胶、胶片或封装体等粘着物与基础件结合，其中，此粘着物可依需求实施为导电性或非导电性的材质；如图2～6及10～12所示，散热件外露于封装体上表面的部分，亦可依需求被封装体包封；如图4所示，散热件的凸部或凹部可设置在散热件第一部分的表面或第二部分的表面或其它任何适当的地方，供防止封装体溢流；如图4及图11所示，可依需求互相置换芯片及导电件，使具散热件的电子装置的使用更具弹性；如图5所示，散热件的缓冲层亦可局部设置在散热件第一部分上表面或第二部分上表面或散热件其它的任何适当位置，供保护散热件或防止封装体溢流用；如图6所示，散热件的保护层亦可局部设置在散热件第一部分上表面或第二上表面或其它任何适当的位置上；再如图6所示，可扩大散热件贯穿孔洞的尺寸，使此散热件分裂成二个的散热件，令具散热件的电子装置具有二个散热件，同时，可依需求仅设置一分裂后的散热件于具散热件的电子装置中，使散热件设置在封装体的左侧或右侧；如图6及图12所示，不论芯片是设置在基础件的上表面、贯穿孔洞内或下表面，只要运用本实用新型的散热件能更靠近芯片的特征，均可达到提升具散热件的电子装置的散热功效及质量；如图10所示，可依芯片的特性设置多个散热件于封装体内，使具散热件的电子装置更具实用性。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims (9)

1.一种具散热件的电子装置，其特征在于，包括：
一电路板，具有上表面及相对应的下表面，其中，上表面具有导电端；
一芯片，设置在电路板上表面，具有上表面及相对应的下表面，其中，上表面具有导电端；
一导电件，具有二端点，二端点分别与电路板导电端及芯片导电端接合；
一散热件，具有第一部分、第二部分、连接部、支架及侧边，第一部分、第二部分、连接部及支架各具有上表面及相对应的下表面，其中，连接部分别与第一部分及第二部分连接，使第一部分及第二部分呈阶梯状，令第二部分下表面更靠近芯片，而支架是支撑第一部分、第二部分及连接部，令第一部分、第二部分及连接部呈悬空状，且不与电路板接触，同时，支架下表面设置在电路板上表面；
一封装体，设置在电路板上表面，具有上表面及外缘，并包封芯片、导电件及散热件，其中，散热件第一部分上表面及支架上表面的一部分裸露于封装体表面。
2.一种具散热件的电子装置，其特征在于，包括：
一电路板，具有上表面及相对应的下表面，其中，上表面具有导电端；
一芯片，设置在电路板上表面，具有上表面及相对应的下表面，其中，上表面具有导电端；
一导电件，具有二端点，二端点分别与电路板导电端及芯片导电端接合；
一散热件，具有第一部分、第二部分、连接部、支架及侧边，第一部分、第二部分、连接部及支架各具有上表面及相对应的下表面，其中，支架是支撑第一部分、第二部分及连接部，令第一部分、第二部分及连接部呈悬空状，且不与电路板接触，同时，支架下表面设置在电路板上表面；
一封装体，设置在电路板上表面，具有上表面及外缘，并包封芯片、导电件及散热件，其中，支架的上表面至少一部分裸露于封装体表面。
3.根据权利要求2所述的具散热件的电子装置，其特征在于所述散热件第一部分下表面与第二部分下表面是呈阶梯状。
4.根据权利要求2所述的具散热件的电子装置，其特征在于所述散热件第一部分上表面与第二部分上表面是呈阶梯状。
5.根据权利要求4所述的具散热件的电子装置，其特征在于所述散热件第一部分上表面裸露于封装体上表面。
6.根据权利要求2所述的具散热件的电子装置，其特征在于所述散热件具有贯穿孔洞。
7.根据权利要求2所述的具散热件的电子装置，其特征在于所述散热件第一部分、第二部分及连接部的各上表面均位于一共平面上，且未受封装体包封。
8.一种具散热件的电子装置，其特征在于，包括：
一电路板，具有上表面及相对应的下表面，其中，上表面具有导电端；
一芯片，设置在电路板上表面，具有上表面及相对应的下表面，其中，上表面具有导电端；
一导电件，具有二端点，二端点分别与电路板导电端及芯片导电端接合；
一散热件，不与电路板接触，具有第一部分、第二部分、连接部及侧边，第一部分、第二部分及连接部各具有上表面及相对应的下表面，其中，连接部分别与第一部分及第二部分连接，令第一部分及第二部分呈阶梯状，使第二部分下表面更靠近芯片；
一封装体，设置在电路板上表面，具有上表面及外缘，并包封芯片、导电件及散热件，其中，散热件第一部分上表面裸露于封装体上表面。
9.根据权利要求8所述的具散热件的电子装置，其特征在于所述散热件具有贯穿孔洞。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108074889A (zh) * 2016-11-14 2018-05-25 日月光半导体制造股份有限公司 热耗散装置和包含其的半导体封装装置
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