CN1971965A - 膜形成方法、有机电致发光装置的制造方法、有机电致发光装置及电子机器 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 35
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 31
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 30
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 17
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 abstract 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 53
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 37
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 21
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 21
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZPSJGADGUYYRKE-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran-2-one Chemical compound O=C1C=CC=CO1 ZPSJGADGUYYRKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Chemical group 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 210000004276 hyalin Anatomy 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNGKCOFXDHYSGR-UHFFFAOYSA-N perillene Chemical compound CC(C)=CCCC=1C=COC=1 XNGKCOFXDHYSGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Chemical group 0.000 description 2
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical group C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- DXSBUJIEGZVGJZ-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC12)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC12)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12 DXSBUJIEGZVGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004210 cathodic protection Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- VMTCKFAPVIWNOF-UHFFFAOYSA-N methane tetrahydrofluoride Chemical compound C.F.F.F.F VMTCKFAPVIWNOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 108010004350 tyrosine-rich amelogenin polypeptide Proteins 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H05B33/00—Electroluminescent light sources
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
- G02F1/133516—Methods for their manufacture, e.g. printing, electro-deposition or photolithography
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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Abstract
一种膜形成方法,在加压工序中,对墨水(50)的周围的压力加压,从而能够使墨水(50)包含的混合溶剂的蒸发速度减少,使来自墨水(50)的中央部(50a)的溶剂的蒸发量(JE)及来自周边部50b)的蒸发量(JC)都减少。这样JE和JC之差的绝对值|JE-JC|变小,所以能够在墨水(50)的内部,使从中央部(50a)向周边部(50b)流动的混合溶剂的流速减小。混合溶剂的流速减小后,溶质就在墨水(50)的内部扩散,能够使该墨水(50)的中央部(50a)和周边部(50b)的溶质的浓度均匀。提供能够容易控制膜厚,能够获得平坦的膜的膜形成方法、有机电致发光装置的制造方法、有机电致发光装置及电子机器。
Description
技术领域
[0001]
本发明涉及膜形成方法、有机电致发光装置的制造方法、有机电致发光装置及电子机器。
背景技术
[0002]
例如在形成有机电致发光装置(以下称作“有机EL装置”)的发光层等的膜之际,大多采用将使形成发光层的功能材料溶解到混合了多种液体的溶剂中后形成的墨水(ink),涂敷到基板上,使该墨水干燥后形成膜的手法。
[0003]
墨水必须主要具有2个功能。一个是可以涂敷到基板上,另一个是能够形成平坦的膜形状。由于单一成分的溶剂很难满足这2个功能,因此常常使用例如混合了多种溶剂的墨水(例如参照专利文献1)。另外,在干燥该墨水之际,例如以一定的速度,使墨水的周围从常压减压到3~10Pa后,使溶剂蒸发(例如参照专利文献2)。
[0004]
在使涂敷的墨水干燥之际,如图15所示,墨水150的周边部分的溶剂的蒸发速度,大于其中央部。此外,图15及图16是在形成有机EL装置的空穴注入层之际的工序图。符号131表示有机EL装置的阳极,符号135表示象素开口膜,符号136表示隔壁。在墨水150的周边部,形成溶剂从中央部向周边部的流动(用墨水内的黑箭头表示),以便补充蒸发后减少的溶剂。我们知道,这时的流速与中央部和周边部的蒸发量之差成正比。在该溶剂的流动的作用下,墨水内的溶质从中央部流向周边部,集中到周边部。因此,在墨水的中央部和周边部,形成浓度的梯度。另一方面,在墨水内,为了消除浓度的梯度,溶质要在整个墨水内扩散(用墨水内的白箭头表示)。这样,在墨水内,因溶剂的流动而移动的溶质,和要扩散的溶质,就成为平衡状态。
【专利文献1】日本国特开2004-535653号公报
【专利文献2】日本国特开2004-127897号公报
[0005]
可是,采用减压干燥加快蒸发后,墨水的中央部的蒸发量和周边部的蒸发量之差就变大,使溶剂的流动超过溶质的扩散,从而使溶质难以扩散。这样,溶质就停留在墨水的周边部,使溶剂干燥时形成的膜(例如空穴注入层等)132,就如图16所示,成为中央部薄、周边部厚的状态。另一方面,减小干燥速度后,干燥的时间变长,生产量下降。
发明内容
[0006]
鉴于这种情况,本发明的目的在于提供能够获得平坦的膜的膜形成方法、有机电致发光装置的制造方法、有机电致发光装置及电子机器。
[0007]
为了达到上述目的,本发明涉及的膜形成方法,其特征在于,是在基板上配置使功能材料溶解到混合了多种液体的溶剂中后形成的液态组成物,使所述液态组成物干燥后形成膜的膜形成方法,具备:第1减压工序,该工序以第1减压速度,将在所述基板上配置的液态组成物的周围减压;加压工序;该工序在所述第1减压工序之后,将所述液态组成物的周围的压力,加压到规定的压力为止;第2减压工序,该工序在所述加压工序之后,以第2减压速度,将所述液态组成物的周围减压。
[0008]
采用本发明后,在加压工序中,液态组成物的周围的压力,被加压到规定的压力为止,从而使溶剂整体的蒸发速度减小。就是说,来自液态组成物的中央部的溶剂的蒸发量(JE),和来自液态组成物的溶剂的周边部的蒸发量(JC)都减少。这样JE和JC之差变小,所以在液态组成物的内部,从中央部向周边部流动的溶剂的流速也减小。溶剂的流速减小后,溶质就在液态组成物的内部扩散,在该液态组成物的中央部和周边部,溶质的浓度均匀。由于在溶质的浓度均匀的状态下进行第2减压工序,所以可以获得平坦的膜。此外,“规定的压力”是能够减小溶剂整体的蒸发速度的压力,例如最好采用大气压。
[0009]
另外,所述加压工序,最好向所述液态组成物的周围供给惰性气体。
采用本发明后,由于向液态组成物的周围供给惰性气体,所以能够防止液态组成物变质。此外,作为惰性气体,例如最好使用氮气及氩气。
[0010]
另外,所述加压工序,最好向所述液态组成物的周围供给所述溶剂的蒸汽。
采用本发明后,由于向液态组成物的周围供给溶剂的蒸汽,所以能够在防止液态组成物变质的同时,还切实减少溶剂的蒸发。
[0011]
另外,最好采用喷墨法,涂敷所述液滴。
采用本发明后,由于采用喷墨法涂敷液滴,所以能够提高液滴的涂敷性。这样,能够在干燥工序中形成容易使膜厚均匀的环境。
[0012]
本发明涉及的有机电致发光装置,其特征在于:采用以上讲述的有机电致发光装置的制造方法制造。
采用本发明后,由于形成容易膜厚均匀的电荷输送层及发光层,所以能够获得没有显示不匀的有机电致发光装置。
[0013]
本发明涉及的电子机器,其特征在于:搭载了有机电致发光装置。
采用本发明后,由于搭载了没有显示不匀的有机电致发光装置,所以能够获得可以实现良好的显示的电子机器。
附图说明
图1是简要表示本发明的第1实施方式涉及的有机EL装置的整体结构的图形。
图2是表示本实施方式涉及的有机EL装置的平面结构的图形。
图3是表示本实施方式涉及的有机EL装置的剖面结构的图形。
图4是表示本实施方式涉及的有机EL装置的剖面结构的图形。
图5是表示本实施方式中进行干燥工序的干燥装置的结构的图形。
图6是表示墨水周围的压力的变化的曲线图。
图7是有机EL装置的制造工序的图形。
图8是表示墨水周围的压力的变化的曲线图。
图9是表示墨水周围的压力的变化的曲线图。
图10是表示墨水周围的压力的变化的曲线图。
图11是表示墨水周围的压力的变化的曲线图。
图12是表示墨水周围的压力的变化的曲线图。
图13是表示本发明的第2实施方式中的干燥装置的结构的图形。
图14是表示本发明涉及的电子机器的结构的图形。
图15是表示墨水的蒸发的情况的图形。
图16是表示使墨水干燥后形成的膜厚的图形。
具体实施方式
[0014]
[第1实施方式]
下面,参照附图,讲述本发明涉及的第1实施方式。
(有机EL装置)
图1是简要表示本发明的有机EL装置1的整体结构的立体图。在以下参照的附图中,为了将各部件画成能够识别的大小,而适当变更了比例尺。
[0015]
有机EL装置1,具有在基板2上形成布线及绝缘层等的基体10、在该基体10上形成的有机EL元件部3、安装在基体10的端部2a的驱动部4和覆盖有机EL元件部3及基体10的密封部件5,按照由驱动部4供给的电信号,有机EL元件部3发光,从而能够显示图象及动画等。在本实施方式中,以形成薄膜晶体管(Thin film Transistor:TFT)的有源矩阵型、由有机EL元件部3发出的光透过基体10后获得的底部发射型——有机EL装置1为例进行讲述。
[0016]
图2是有机EL装置1的俯视图。在该图中没有示出有机EL元件部3及密封部件5。
如该图所示,基体10被划分成象素部7(点划线内的区域)和周边部8(点划线外的区域),在象素部7内,还进而划分成实际显示区域P(双点划线内的区域)和伪区域Q(点划线和双点划线之间的区域)。在象素部7的实际显示区域P中,来自该发光区域14的光通过的象素区域K,被矩阵状地设置。在象素区域K之间的区域,形成向图中的X方向延伸的扫描线15a和向图中的Y方向延伸的数据线17a。
[0017]
图3是简要地表示有机EL装置1的A-A剖面的图形。图4是简要地表示有机EL装置1的B-B剖面的图形。
如图3及图4所示,基体10的构成要素——基板2,例如是由玻璃、石英、树脂(塑料、塑料薄膜)等构成的透明基板。本实施方式涉及的有机EL装置1,是底部发射型的元件,为了获得光,需要使基板2透明。在基板的表面2b上,作为基底,例如形成由SiO2等构成的透明的基底保护层11。
[0018]
在象素部7的实际显示区域P中,在基底保护层11上,形成硅膜12、第1绝缘层(栅极绝缘层)13、栅电极15、第2绝缘层16、源电极17、漏电极18及第3绝缘层19。另外,在象素部7的伪区域Q中,在基底保护层11上,形成扫描驱动电路20、数据驱动电路21等,还形成电源线(未图示),以便与驱动部4连接。
[0019]
硅膜12,是具有沟道区、源极区及漏极区的驱动用晶体管。硅膜12中,隔着栅极绝缘层13和栅电极15重叠的区域,是沟道区12a。在沟道区12a的源极一侧,形成低浓度的源极区12b及高浓度的源极区12s;在沟道区12a的漏极一侧,形成低浓度的漏极区12c及高浓度的漏极区12d。这样,硅膜12就成为LDD(Lightly Doped Drain)结构。
[0020]
在高浓度的源极区12s及高浓度的漏极区12d中,形成连通栅极绝缘层13和第2绝缘层16后开孔的接触孔23、24。另一方面,在高浓度的漏极区12d一侧,贯通第3绝缘层19后,形成接触孔25,以便与漏电极18连接。
栅极绝缘层13,例如是由SiO2及SiN等形成的透明层,将硅膜12和栅电极15绝缘。
[0021]
栅电极15,例如由铝及铜等形成,与描线15a连接。源电极17和栅电极15一样,由铝及铜等形成,与数据17a连接。源电极17通过接触孔23做媒介,与高浓度的源极区12s连接。另外,漏电极18,与高浓度的漏极区12d连接。
[0022]
第2绝缘层16,是主要由SiO2形成的透明层,分别将栅电极15、源电极17及漏电极18绝缘。
第3绝缘层19,例如以丙烯类的树脂成分为主体,将源电极17、漏电极18及接触孔25绝缘。此外,丙烯类的绝缘膜以外的材料,例如还可以使用SiN、SiO2等。
另外,在伪区域Q中设置的扫描驱动电路20,具有移位寄存器等的存储器及变换信号电平的电平转换机构等的电路,与扫描线15a连接。
[0023]
数据驱动电路21,除了该移位寄存器、电平转换机构之外,还具有视频线及模拟转换机构等的电路,与数据线17a连接。扫描驱动电路20及数据驱动电路21,通过驱动控制信号线28a、28b,与驱动部4连接,在该驱动部的控制下,向扫描线15a及数据线17a输出电信号。扫描驱动电路20及数据驱动电路21,通过驱动电源线29a、29b,与电源连接。
在周边部8中,形成与有机EL元件3连接的连接用布线27。该连接用布线27,与驱动部4连接,通过该连接用布线27做媒介,向有机EL元件3供给来自驱动部4的电信号。
[0024]
另一方面,有机EL元件3具有阳极31、空穴注入层32、发光层33、共同电极(阴极)34、象素开口膜35和隔壁36。它们在上述的基体10上重叠。
[0025]
阳极31,是向空穴注入层32注入空穴的透明的电极,例如由ITO(Indium Tin Oxide)等形成。该阳极31通过接触孔25做媒介,与漏电极18连接,形成凸状,以便压迫空穴注入层32。空穴注入层32,例如由聚链烯烃衍生物——3、4聚乙烯二羟基吩噻/聚苯乙烯磺酸(PEDDOT/PSS)等材料形成。
[0026]
发光层33是来自空穴注入层32的空穴和来自阴极34的电子结合后发光的层,例如最好使用分子量为1000以上的高分子材料。具体的说,可以使用聚芴衍生物(Poly fluorene derivative)、聚(二)苯衍生物(Polyphenylenederivative)、聚乙烯咔唑(Polyvinylkarbazol)、聚噻吩衍生物(Polythiopenderivative),或向这些高分子材料中掺杂二萘嵌苯(perylene)类色素、邻吡喃酮(Coumalin)色素、 若丹明(rhodamine)色素例如红荧烯(rubrene)、紫苏烯(Pherylene)、9、10-联苯基蒽(9、10-diphenyl anthracene)、四苯基丁二烯(tetra Phenyl butadiener)、尼罗红(nile red)、邻吡喃酮6(Coumalin6)、喹吖酮(quinacridonein)等的材料。
[0027]
在发光层33中,有发出红光的层(33R)、发出绿光的层(33G)、发出蓝光的层(33B)等3种。来自这种发光层33的光,透过空穴注入层32、阳极31及基体10,从而能够在基板2的实际显示区域P显示图象及动画。
[0028]
阴极34,是按照来自驱动部4的电信号向发光层33注入电子的层,例如由钙等金属形成。阴极34具有比实际显示区域P及伪区域Q的总面积宽广的面积,覆盖各自的区域地形成,以覆盖了有机EL元件3的外侧的状态在基体10上形成。该阴极34,与连接用布线27连接,再通过该连接用布线27做媒介,与驱动部4连接。为了防止制造时阴极34的腐蚀,可以在阴极34的上层部例如形成铝等的保护层。
[0029]
象素开口膜35,例如是由SiO2等构成的绝缘膜。该象素开口膜35,可以在用壁面35b包围的开口部35a中,使来自阳极31的空穴移动,同时还使没有设置开口部35a的部位的空穴不移动。
隔壁36,是在用喷墨法等液滴喷出法形成空穴注入层32及发光层33之际,隔开各象素的部件。另外,还是使电子在相邻的空穴注入层32及发光层33之间不移动的绝缘部件。隔壁36,例如由丙烯及聚酰亚胺等耐热性·耐溶性的材料形成,隔断各空穴注入层32及发光层33。在隔壁36中,形成表示亲液性的区域和表示斥液性的区域。
[0030]
(干燥装置)
接着,讲述使用液滴喷出法形成的空穴注入层32及发光层33的液滴干燥的干燥装置。
图5是示意性地表示干燥装置40的结构的图形。
[0031]
如该图所示,干燥装置40具备:具有气密性的处理室41,为了将该处理室41减压的排气装置(例如泵等)42,调节处理室41的排气的传导的疏水器43,向处理室41内供给例如氮气等的惰性气体的气体供给源44,调节向处理室41内供给的气体的流量的阀门45。作为气体供给源44,例如可以使用工厂内的氮气管道等。另外,虽然没有图示,但在处理室41内设置着保持基体10的保持部。
[0032]
(有机EL装置的制造方法)
接着,讲述制造这种结构的有机EL装置1的工序。以下,以形成基体10及有机EL元件3的象素部7的区域的工序为中心进行讲述,省略讲述形成周边部8的工序。在本实施方式中,在形成空穴注入层32及发光层33之际,进行使空穴注入层32的材料及发光层33的材料溶解到溶剂中,然后向规定的场所滴下的喷墨法。
[0033]
首先,讲述在基板2上形成TFT元件及绝缘膜等,从而形成基体10的工序。
采用众所周知的方法,在基板2上形成基底保护层11。在该基底保护层11上,形成硅膜12,再经过激光退火,使其聚脂硅化。用栅极绝缘层13覆盖硅膜12后,形成栅电极15,再在其上形成栅极绝缘层13。另外,布图后形成源极侧的接触孔23。
[0034]
接着,形成第2绝缘层16,布图后形成接触孔24及与该接触孔24连接的源电极17。在第2绝缘层16上,布图后形成源电极17及漏电极18。在该源电极17及漏电极18上,形成第3绝缘层19,布图后形成漏极侧的接触孔25。
这样,就形成基体10。
[0035]
接着,讲述形成有机EL元件3的工序。
几乎全面覆盖基体10地形成透明的导电膜,布图形成该导电膜,以便在规定的区域形成阳极31。同时,还形成伪区域Q的伪图案(未图示)。用象素区域K连接接触孔25和阳极31,使阳极和漏电极18导通。
[0036]
接着,在第3绝缘层19上形成象素开口膜35。象素开口膜35,例如与阳极31重叠地形成,以便形成用壁面35b包围的开口部35a。另外,在象素开口膜35上形成隔壁36。采用自旋涂敷法、浸渍涂敷法等各种涂敷方法,涂敷使由丙烯树脂及聚酰亚胺等树脂构成的材料溶解到溶剂中的抗蚀剂,形成抗蚀剂层,再采用光刻蚀术等,进行布图,将开口部35a形成规定的图案。
[0037]
接着,将起整个加热到规定的温度、例如70~80℃左右,实施等离子体处理。通过在大气保护气中,将氧气作为反应气体的O2等离子体处理,分别使隔壁36的壁面36c、阳极31的上面31a及象素开口膜35的上面35c(参照图3)成为亲液性。另外,通过在大气保护气中,将四氟化甲烷作为反应气体的CF4等离子体处理,使隔壁36的上面36e及壁面36c成为斥液性。然后,将各部冷却到室温为止。
[0038]
接着,形成空穴注入层32及发光层33。这些工序,例如采用喷墨法,向用隔壁36包围的区域喷出液滴,再使该液滴干燥后,在用该隔壁36包围的区域形成膜。
首先,讲述空穴注入层32的形成工序。该工序喷出的液滴,例如是使上述的空穴注入材料溶解到混合了二乙二醇和水的混合溶剂中的墨水。如图6所示,将该墨水50由喷嘴51向隔壁36喷出后,它就在进行了亲液化处理的阳极31上散开,填满开口部35a内。另一方面,在进行了斥液化处理的隔壁36的上面,液滴则被弹开不能够附着。
[0039]
图7是示意性地表示在涂敷了墨水50的状态中,该墨水50内的溶剂及溶质的状态的图形。
在涂敷了墨水50的状态中,混合溶剂在大气中蒸发,虽然只有一点点。墨水50的周边部50b的蒸发速度,大于墨水50的中央部50a,在墨水50的周边部,较多的混合溶剂被蒸发。在墨水50内,形成混合溶剂从中央部50a向周边部50b的流动(图中用墨水50内的黑箭头表示。在图9、图10、图11中也一样),以便补充混合溶剂的蒸发。该流速与中央部50a中的混合溶剂的蒸发量Jc和周边部50b中的混合溶剂的蒸发量JE之差的绝对值|JE-JC|成正比。溶质随着该混合溶剂的流动,从中央部50a流向周边部50b移动。
[0040]
另一方面,由于溶质要向整个墨水50内扩散,所以要从周边部50b向中央部50a移动(图中用墨水50内的白箭头表示。在图9、图10、图11中也一样)。在涂敷了墨水50的状态中,由于因扩散而移动的溶质,多于因混合溶剂的流动而移动的溶质,所以墨水50内的溶质的浓度,在中央部50a和周边部50b中大致成为均匀的状态。
[0041]
接着,将墨水50的周围减压后,干燥该墨水50。以下,具体讲述墨水50的干燥工序。图8是表示该墨水50的周围的压力的变化的曲线图。曲线图的纵轴表示压力,横轴表示从开始干燥时起的经过时间。此外,曲线图的纵轴用对数表示。在曲线图中,虚线(1)表示用一定的减压速度将混合溶剂减压时的压力的变化,实线(2)表示本发明中的压力的变化。
[0042]
如实线(2)所示,首先,在室温(例如20℃左右)中,用第1减压速度,具体的说用排气时间t1(t1例如是180秒钟)将墨水50的周围排气到约300Pa为止,将墨水50的周围减压(第1减压工序)。
[0043]
在第1减压工序中,如图9所示,墨水50包含的混合溶剂中的一部分蒸发。在该第1减压工序中,由于与减压前相比,从墨水50的中央部50a及周边部50b蒸发的混合溶剂的量增加,所以|JE-JC|的值变大。|JE-JC|的值变大后,墨水50内的混合溶剂的流速变大。这样,在混合溶剂的流速的作用下移动的溶质,比在扩散的作用下移动的溶质多,溶质略向周边部50b移动。
[0044]
接着,停止排气,向墨水50的周围例如供给氮气及氩气等惰性气体,对该墨水50的周围加压(加压工序)。加压工序中的加压时间t2,约为120秒。对墨水50的周围加压后,如图10所示,来自墨水50的混合溶剂的蒸发受到抑制。混合溶剂的蒸发量,与第1减压工序相比,墨水50的中央部50a和周边部50b都减少,所以|JE-JC|的值小于第1减压工序中的值。这样,在扩散的作用下移动的溶质,比在混合溶剂的流速的作用下移动的溶质多,被墨水50包含的溶质,向墨水50的整体扩散。
[0045]
接着,用第2减压速度,具体的说用排气时间t2(t1例如是50秒钟)将墨水50的周围排气到约10Pa为止,将墨水50的周围减压(第2减压工序)。将墨水50的周围减压后,混合溶剂再次从墨水50中蒸发。
[0046]
在第2减压工序中,如图11所示,与加压工序相比,由于从墨水50的中央部50a及周边部50b蒸发的混合溶剂的量增加,所以JC及JE的值变大。另一方面,在第2减压工序中,与第1减压工序相比,由于墨水50包含的混合溶剂的量减少,所以JC及JE的值也变小。
[0047]
这样,|JE-JC|的值尽管与加压工序相比变大,但是与第1减压工序相比,该值却变小,墨水50内的混合溶剂的流速几乎没有变大。因此,在第2减压工序中,因扩散而移动的溶质,比因混合溶剂的流速而移动的溶质增多,或者几乎相同,所以溶质在混合溶剂的流动的作用下的移动几乎没有。这样,在使墨水50内的溶质的浓度分布均匀的状态下,使混合溶剂从墨水50中蒸发后,形成空穴注入层32。
[0048]
接着,讲述形成发光层33的工序。在该工序中,例如使用将上述发光材料溶解到混合了和空穴注入层32使用的溶剂不同的液体的混合溶剂的墨水60。如图12所示,从喷嘴51向隔壁36之间喷出墨水60。喷出墨水60后,采用和形成空穴注入层32时同样的方法,进行干燥工序。
[0049]
就是说,首先将墨水60的周围排气后减压,使墨水60包含的混合溶剂中的一部分蒸发(第1减压工序)。接着,将墨水60的周围加压,使墨水60内的溶质扩散(加压工序)。再接着,再度将墨水60的周围减压,使墨水60内包含的剩余的混合溶剂蒸发(第2减压工序)。这样,形成发光层33。
[0050]
形成发光层33后,例如采用蒸镀法等物理性的气相蒸镀法,使钙进而还使铝成膜后,形成阴极34。阴极34,覆盖发光层33、隔壁36的上面36e、隔壁36的壁面36c的一部分,与上述的连接用布线27连接地形成。此外,在阴极34上形成阴极保护层时,采用离子镀法等物理性的气相蒸镀法,在阴极34上例如使氮化硅等成膜。这样形成有机EL元件3。
形成基体10及有机EL元件3后,用密封部件5将该基体10及有机EL元件3几乎全部罐密封后,就完成有机EL装置1。
[0051]
这样,采用本实施方式后,在加压工序中,通过对墨水50的周围的压力加压,从而能够减少墨水50包含的混合溶剂的蒸发速度,使来自墨水50的中央部50a的溶剂的蒸发量(JE)及来自周边部50b的溶剂的蒸发量(JC)都减少。这样,由于JE和JC之差的绝对值|JE-JC|变小,所以在墨水50的内部,能够减少从中央部50a向周边部50b流动的混合溶剂的流速。减少混合溶剂的流速后,溶质就在墨水50的内部扩散,能够使溶质的浓度在该墨水50的中央部50a和周边部50b中均匀。
[0052]
[第2实施方式]
下面,讲述本发明的第2实施方式。和第1实施方式一样,在以下参照的附图中,为了将各部件画成能够识别的大小,而适当变更了比例尺。另外,对于和第1实施方式相同的构成要素,赋予相同的符号,不再赘述。此外,关于本实施方式涉及的有机EL装置的整体结构,由于和第1实施方式涉及的有机EL装置1的结构大致相同,所以也不再赘述。
[0053]
在第1实施方式中,在加压工序中,将向墨水50(60)的周围供给的气体,作为惰性气体(氮气、氩气)。而在本实施方式中,供给墨水50(60)包含的混合溶剂的蒸汽。
[0054]
图13是示意性地表示向处理室内供给该混合溶剂的蒸汽的蒸气供给系统的图形。
如该图所示,蒸气供给系统140具备:具有气密性的处理室141,为了将该处理室141减压的排气装置(例如泵等)142,调节处理室141的排气的传导的疏水器143,向处理室41内供给例如氮气等的惰性气体的气体供给源144,调节向处理室141内供给的气体的流量的阀门145,混合溶剂的蒸汽的供给源——贮藏器146,调节气体供给源144供给的惰性气体的流量及贮藏器146供给的混合溶剂的蒸汽的流量的阀门147、148及149。在贮藏器146中,以液体的状态贮存混合溶剂,在未图示的蒸发单元的作用下,作为气体向处理室141内供给。
[0055]
使用上述结构的蒸气供给系统140,进行加压工序之际,通过供给混合溶剂的蒸汽,能够防止墨水50(60)变质。另外,由于墨水50(60)的周围成为混合溶剂的保护气,所以能够切实减少混合溶剂的蒸发。
[0056]
(电子机器)
接着,以手机为例,讲述本发明涉及的电子机器。
图14是表示手机300的整体结构的立体图。
手机300具有:机壳301,设置了多个操作按钮的操作部302,显示图象及动画、文字的显示部303。在显示部303中,搭载着本实施方式涉及的有机EL装置1。
这样,由于搭载了没有显示不匀的有机EL装置1,所以能够获得可以实现良好的显示的电子机器。
[0057]
此外,本发明的技术范围,并不局限于上述实施方式,在不违背本发明的宗旨的范围内,可以适当变更。
例如,在上述实施方式中,举例讲述了形成有机EL装置1的空穴注入层32及发光层33时的情况。但并不局限于此,例如在形成液晶装置设置的彩色滤波器等的膜时,也能应用本发明。
[0058]
另外,在上述实施方式中,举例讲述了底部发射型的有机EL装置1的情况。但并不局限于此,毫无疑问,在顶部发射型的有机EL装置中,也能应用本发明。这时,作为构成基板2的材料,不需要使用透明材料;作为构成密封部件5的材料,也不需要使用透明材料。
[0059]
另外,不局限于有机EL装置,在形成液晶装置、等离子体显示器(PDP:Plasma Display Panel)、表面电场显示器(SED:Surface-conduction Electron-emitter Display)等的膜时,也能应用本发明。
[0060]
另外,在上述实施方式中,举例讲述了采用喷墨法形成空穴注入层32及发光层33的情况。但并不局限于此,毫无疑问,例如采用浸渍涂敷法、自旋涂敷法、喷射涂敷法等手法时,也能应用本发明。
Claims (7)
1、一种膜形成方法,其特征在于,
在基板上配置液态组成物,使所述液态组成物干燥后形成膜,其中,所述液态组成物是使功能材料溶解到混合了多种液体的溶剂中后形成的,
所述膜形成方法,具备:
第1减压工序,该工序以第1减压速度,将在所述基板上配置的液态组成物的周围减压;
加压工序;该工序在所述第1减压工序之后,将所述液态组成物的周围的压力,加压到规定的压力为止;
第2减压工序,该工序在所述加压工序之后,以所述第2减压速度,将所述液态组成物的周围减压。
2、如权利要求1所述的膜形成方法,其特征在于:在所述加压工序中,向所述液态组成物的周围供给惰性气体。
3、如权利要求1或2所述的膜形成方法,其特征在于:在所述加压工序中,向所述液态组成物的周围供给所述溶剂的蒸汽。
4、如权利要求1~3任一项所述的膜形成方法,其特征在于:采用喷墨法,涂敷所述液态组成物。
5、一种有机电致发光装置的制造方法,其特征在于:所述有机电致发光装置具有电荷输送层及发光层,
采用权利要求1~4任一项所述的膜形成方法,形成所述电荷输送层及所述发光层中的至少一方。
6、一种有机电致发光装置,其特征在于:采用权利要求5所述的有机电致发光装置的制造方法而制造。
7、一种电子机器,其特征在于:搭载了权利要求6所述的有机电致发光装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005281510A JP4396607B2 (ja) | 2005-09-28 | 2005-09-28 | 膜形成方法、有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネセンス装置及び電子機器 |
JP2005281510 | 2005-09-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1971965A true CN1971965A (zh) | 2007-05-30 |
Family
ID=37894413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2006101399442A Pending CN1971965A (zh) | 2005-09-28 | 2006-09-27 | 膜形成方法、有机电致发光装置的制造方法、有机电致发光装置及电子机器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7989025B2 (zh) |
JP (1) | JP4396607B2 (zh) |
KR (1) | KR100745547B1 (zh) |
CN (1) | CN1971965A (zh) |
TW (1) | TW200737561A (zh) |
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---|---|---|---|---|
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US10442226B2 (en) | 2008-06-13 | 2019-10-15 | Kateeva, Inc. | Gas enclosure assembly and system |
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-
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- 2005-09-28 JP JP2005281510A patent/JP4396607B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-09-25 TW TW095135366A patent/TW200737561A/zh unknown
- 2006-09-25 KR KR1020060092954A patent/KR100745547B1/ko active IP Right Grant
- 2006-09-27 US US11/535,705 patent/US7989025B2/en active Active
- 2006-09-27 CN CNA2006101399442A patent/CN1971965A/zh active Pending
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Publication number | Publication date |
---|---|
US7989025B2 (en) | 2011-08-02 |
KR100745547B1 (ko) | 2007-08-03 |
TW200737561A (en) | 2007-10-01 |
JP2007090199A (ja) | 2007-04-12 |
KR20070035973A (ko) | 2007-04-02 |
JP4396607B2 (ja) | 2010-01-13 |
US20070072004A1 (en) | 2007-03-29 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |