JP2004079428A - 発光装置及びその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents
発光装置及びその製造方法、並びに電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004079428A JP2004079428A JP2002240856A JP2002240856A JP2004079428A JP 2004079428 A JP2004079428 A JP 2004079428A JP 2002240856 A JP2002240856 A JP 2002240856A JP 2002240856 A JP2002240856 A JP 2002240856A JP 2004079428 A JP2004079428 A JP 2004079428A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- layer
- emitting device
- emitting layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】発光層を備える発光装置において、光の色度の最適化を図りながら、光の取り出し効率の低下を抑制する。
【解決手段】発光装置は、発光層14と、その発光層14に対して、発光層14の発光光を取り出す側とは反対側に配置され、発光光を反射しかつその発光光の光学的特性を変化させる光学機能層25とを備える。
【選択図】 図1
【解決手段】発光装置は、発光層14と、その発光層14に対して、発光層14の発光光を取り出す側とは反対側に配置され、発光光を反射しかつその発光光の光学的特性を変化させる光学機能層25とを備える。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光層を備える発光装置とその製造方法、並びに電子機器に関する。
【0002】
【従来の技術】
発光層を備える発光装置としては、例えば、有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELと称す)素子を備える有機EL表示装置がある。有機EL素子は、対向する2つの電極の間に、発光層を含む有機機能層が配置されるものが一般的である。
【0003】
有機EL表示装置は、カラー表示を行う場合、R(赤)、G(緑)、B(青)の各色ごとに、所定の色度の光を発する発光層をそれぞれ有する。そして、基板上には、各色に対応する発光層が所定の配列で配置されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
発光層から発光される光の色度は、例えば、発光層の形成材料を適宜選択することにより得られる。しかしながら、発光層の発光光の色度が、目標値から離れている場合には、発光光の色度を補正する必要がある。
ところが、発光光の色度を補正する場合、輝度低下を招き、光の取り出し効率が低下するおそれがある。
【0005】
本発明は、上述する事情に鑑みてなされたものであり、光の色度の最適化を図ることができ、しかも光の取り出し効率の高い発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、表示性能が向上した電子機器を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の発光装置は、発光層を備える発光装置であって、前記発光層に対して、前記発光層の発光光を取り出す側とは反対側に配置され、前記発光光を反射しかつ該発光光の光学的特性を変化させる光学機能層を備えることを特徴としている。
上記の発光装置によれば、発光層によって所定の色度の光が発せられ、その発光光が所定の取り出し側から取り出される。また、光の取り出し側とは反対側に向けて発せられた発光光は、光学機能層によって反射された後に、上記取り出し側から取り出される。取り出される光は、上述した光学機能層で反射した光と、はじめから取り出し側に向けて発せられた光とを含む。上記のうちの前者の光は、光学機能層に反射されるとき、その色度が変化する。これにより、発光装置から取り出される光の色度の最適化が図られる。また、上記のうちの後者の光は、光学機能層に入射することなく取り出される。このように、上記の発光装置では、発光層から発せられた光の一部の光に対してのみ、光学的特性を変化させることから、輝度低下が抑制される。
【0007】
また、上記の発光装置において、前記光学機能層は、高屈折率の薄膜と低屈折率の薄膜とを積層した多層干渉膜を含んでもよい。
この場合、多層干渉膜は、特定の波長領域の光を透過する一方で、その波長領域以外の光を吸収することにより、色フィルタとしての役割を果たす。これにより、光の色度が補正される。
【0008】
また、上記の発光装置において、前記光学機能層は、着色された金属微粒子を含んでもよい。
この場合、着色された金属微粒子は、光を反射するとともに、色フィルタとしての役割を果たす。これにより、光の色度が補正される。
【0009】
また、上記の発光装置において、前記発光層は、赤、緑、青の各3色に対応する3種類の発光層を含み、前記光学機能層は、前記3種類の発光層のうちの少なくとも1つの発光層に対して配置されるのが好ましい。
補正が必要な色を発する発光層に対して、光学機能層を配置することにより、光の色度が確実に最適化される。
【0010】
また、上記の発光装置において、例えば、前記発光層に対して、前記光の取り出し側とは反対側に、前記発光層の発光光を透過する電極が配され、前記光学機能層は、前記発光層との間に前記電極を挟んで配置される。
この場合、発光光の取り出し側とは反対側において、電極を通過した発光層からの光が、光学機能層により反射されかつその光の色度が変化する。
【0011】
また、上記の発光装置において、例えば、前記発光層は、対向する2つの電極の間に配置されており、前記光学機能層は、前記2つの電極のいずれか一方であってもよい。
光学的特性を変化させる機能を電極が有することにより、スペースの効率化が図られる。
【0012】
また、上記の発光装置において、光学機能層は、前記発光層を所定の物質から保護するものであってもよい。所定の物質としては、例えば、水、酸素、金属物質などが挙げられる。
光学機能層によって発光層が所定の物質から保護されることにより、発光層の劣化が防止される。
【0013】
発光層としては、例えば、有機EL層がある。
また、光学機能層としては、例えば、光の色度を補正する色度補正層が用いられる。
【0014】
本発明の電子機器は、上述した発光装置を備えることを特徴としている。
上記の電子機器によれば、上述した発光装置を備えることから、光の色度の最適化が図られ、良好な表示性能が得られる。
【0015】
本発明の発光装置の製造方法は、発光層を備える発光装置を製造する方法であって、前記発光層に対して発光光を取り出す側とは反対側に、前記発光光を反射しかつ該発光光の光学的特性を変化させる光学機能層を配置する工程を備えることを特徴としている。
上記の製造方法によれば、輝度の低下が抑制されかつ、光の色度が最適化された発光装置を製造することができる。
【0016】
上記の発光装置の製造方法において、前記光学機能層を、液滴吐出法を用いて形成するとよい。
上記の製造方法によれば、液滴吐出法を用いることにより、光学機能層を所望の位置に容易に形成することが可能となる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について図面を参照して説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために、縮尺は実際のものと異なる場合がある。
図1は、本発明の発光装置の一実施形態に係る有機EL表示装置を概念的に示す図である。図1において、有機EL表示装置10は、基体としての基板11上に、回路素子部12、画素電極(陽極)13、発光層14を含む有機機能層15、対向電極(陰極)16、光学機能層としての色度補正層25、及び封止部17を順次積層した構造からなる。このうち陽極13、機能層15、陰極16、及び色度補正層25等を含んで電気光学素子としての有機EL装置(有機EL素子)が構成される。
なお、図1に示す符号29は、画素の境界に設けられる仕切り部材としてのバンク層である。バンク層29は、有機EL素子の形成時に、隣接する材料の混じりを防ぐ等の役割がある。
【0018】
有機EL表示装置では、陽極側から注入された正孔と、陰極側から注入された電子とが発光層内で再結合し、励起状態を経由した発光(励起状態から失括する際の発光)を起こす。また、発光層の形成材料を適宜選択することにより、所定の色度の発光光が得られる。発光層の形成材料としては、例えば、低分子の有機発光色素や高分子発光体、すなわち各種の蛍光物質や燐光物質からなる発光物質等が用いられる。
なお、陽極と発光層との間、及び陰極と発光層との間にはそれぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、及び電子輸送層等の特定の機能を有する層が適宜形成される。また、発光のための電気的な制御は、能動素子等を含む回路素子部を介して行われる。
【0019】
図1に示す有機EL表示装置10は、カラー表示に対応しており、赤(R)、緑(G)、青(B)の3色に対応した色度の光を発する3種類の発光層14を含む。有機EL表示装置では、カラー表示を行う場合、R、G、Bの各色に対応する発光層が、ストライプ状、マトリクス状(モザイク状)、あるいはデルタ状などの所定の配列で基板上に配置される。また、この表示装置10は、有機EL素子の発光光を基板11側から取り出す、いわゆるバックエミッション型からなる。
【0020】
バックエミッション型の有機EL表示装置10では、発光層14の発光光のうち、基板11側に向けて発せられた光はそのまま基板11を通過して取り出される。一方、基板11側とは反対側に向けて発せられた光は、陰極16側において反射され、その後、基板11側から取り出される。すなわち、表示装置10から取り出される光(観察される光)には、はじめから基板11側に向けて発せられた光と、陰極16側において反射した光とが含まれる。なお、この表示装置10では、発光層14の発光光は、陰極16の外側に配置された色度補正層25によって反射される。
【0021】
ここで、表示装置10では、基板11側から光を取り出す構成であることから、基板11としては、透明あるいは半透明なものが用いられる。
また、陽極13、及び陰極16の形成材料も同様に、透明性を有するものが用いられる。
【0022】
色度補正層25は、光を反射しかつその光の色度を補正するものであり、例えば、高屈折率の薄膜と低屈折率の薄膜とを交互に積層した多層干渉膜が用いられる。多層干渉膜は、例えば、誘電体薄膜により形成され、特定の波長領域の光を透過する一方で、その波長領域以外の光を反射することによって、色フィルタとしての機能を有する。多層干渉膜の形成材料としては、例えば、酸化ケイ素や酸化チタン等の誘電体材料が用いられる。
多層干渉膜は、例えば、真空蒸着法等によって膜付けした後、例えば、フォトレジストによってパターニングし、湿式或いは乾式のエッチングによりパターン化するフォトリソグラフィ法により形成することができる。また、シャドーマスクを用いた真空蒸着やスパッタリング、CVD法などによりパターニングしても良い。
【0023】
また、封止部17は、水や酸素の侵入を防いで陰極16あるいは機能層15の酸化を防止するものであり、基板11に塗布される封止樹脂、及び基板11に貼り合わされる封止基板(封止缶)等を含む。封止樹脂の材料としては、例えば、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等が用いられ、特に、熱硬化樹脂の1種であるエポキシ樹脂が好ましく用いられる。封止樹脂は、基板11の周縁に環状に塗布されており、例えば、マイクロディスペンサ等により塗布される。封止基板は、ガラスや金属等からなり、基板11と封止基板とは封止樹脂を介して張り合わされる。
【0024】
上記構成の表示装置10では、発光層14の発光光のうち、基板11とは反対側に向けて発せられた光は、色度補正層25に入射することにより、その色度が補正される。これにより、表示装置10から取り出される光の色度の最適化が図られる。また、発光層14の発光光のうち、はじめから基板11側に向けて発せられる光は、色度補正層25に入射することなく基板11側から取り出される。このように、発光層14から発せられた光の一部の光に対してのみ、色度の補正が行われることから、発光層に対して基板側に色度補正膜を配置する場合に比べて、観察される光の輝度低下が抑制される。
【0025】
なお、上述した例では、色度補正層25として多層干渉膜を用いた構成について説明したが、着色された金属微粒子を用いて色度補正層25を形成してもよい。
この場合、金属微粒子は、その表面が有機顔料により着色されている。有機顔料は金属微粒子の表面に蒸着法により付着される。
【0026】
基材となる金属微粒子としては、アルミニウム、亜鉛、金、銀、銅、ブロンズ、ニッケル、チタン、ステンレス、白金、鉄等のうち少なくとも1種の金属又はこれらの合金が挙げられる。これらの材料のうち、アルミニウムが、金属光沢に優れている点や安価である点、あるいは比重が小さいため取り扱い易い点で好適である。金属微粒子の粒径は5〜100μmであることが好ましく、可能な限り小さい(例えば5〜7μm)ことが好ましい。
【0027】
前記金属微粒子の表面に蒸着により付着させる有機顔料は、標準状態での蒸発温度が300〜600℃程度のものが好適である。有機顔料としては、フタロシアニン、ハロゲン化フタロシアニン、キナクリドン、ジケトピロロピロール、イソインドリノン、アゾメチン金属錯体、インダンスロン、ペリレン、ペリノン、アントラキノン、ジオキサジン、ベンゾイミダゾロン、縮合アゾ、トリフェニルメタン、キノフタロン、アントラピリミジン等が挙げられる。
【0028】
蒸着させる有機顔料の量は、好ましくは金属微粒子の表面積1m2当たり0.05〜0.5g、より好ましくは0.1〜0.3gの範囲である。これよりも少ない場合は充分着色させることが出来ず、多すぎると有機顔料の脱落が生じ易くなる。
【0029】
有機顔料を金属微粒子に蒸着させる蒸着装置としては、真空容器内に粉体流動化装置及び抵抗加熱装置を備えたものが好ましい。粉体流動化装置としては撹拌羽根、スクリュー、スクレーパー、回転式流動化装置、振動式流動化装置等が挙げられる。抵抗加熱装置の電圧および電流は、蒸発させる有機顔料の昇華温度及びその量に応じて決定される。有機顔料を蒸発させる温度は200℃から700℃、より好ましくは300℃から500℃である。これよりも温度が低い場合は有機顔料を蒸発させることができず、温度がより高い場合は有機顔料が熱により分解してしまうので好ましくない。
【0030】
このようにして得られた着色金属微粒子は、その表面に蒸着された有機顔料の連続した層もしくは薄膜が形成されているため、鮮やかな色調を示し、かつ金属光沢も優れている。さらに着色顔料が層もしくは薄膜として付着しているため脱落しにくく、有機溶媒やバインダー樹脂に分散する場合にも着色顔料が剥がれにくいという利点がある。
【0031】
そして、着色された金属微粒子は液体材料中に分散される。金属微粒子を分散させて液体材料とする溶媒としては、炭素数5以上のアルコール類(例えばテルピネオール、シトロネロール、ゲラニオール、ネロール、フェネチルアルコール)の1種以上を含有する溶媒、又は有機エステル類(例えば酢酸エチル、オレイン酸メチル、酢酸ブチル、グリセリド)の1種以上を含有する溶媒であればよく、使用する金属により適宜選択できる。更には、ミネラルスピリット、トリデカン、ドデシルベンゼンもしくはそれらの混合物、又はそれらにα−テルピネオールを混合したもの、炭素数5以上の炭化水素(例えば、ピネン等)、アルコール(例えば、n−ヘプタノール等)、エーテル(例えば、エチルベンジルエーテル等)、エステル(例えば、n−ブチルステアレート等)、ケトン(例えば、ジイソブチルケトン等)、有機窒素化合物(例えば、トリイソプロパノールアミン等)、有機ケイ素化合物(シリコーン油等)、有機硫黄化合物もしくはそれらの混合物を用いることもできる。
ここで、インクジェット装置IJとしては高沸点溶媒が好ましいので、例えば沸点250℃程度のテトラデカンを用いることが好ましい。使用する溶媒を選択することにより、インクの粘度を調整することができる。
【0032】
なお、有機溶媒中に必要に応じて適当な有機物を添加してもよい。また、基材の異なる金属材料からなる複数種類の着色金属微粒子を混合して用いてもよい。
【0033】
蒸着した有機顔料の密着性は、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤、樹脂等で蒸着層(有機顔料層)の上からコーティングすることによりさらに改善される。使用されるシランカップリング剤としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニル・トリス(β−メトキシエトキシ)シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン等が例示され得る。また、チタネートカップリング剤としては、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリ(ジオクチルホスフェート)チタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリ(N−アミノエチル・アミノエチル)チタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ジイソステアロイルエチレンチタネート等が挙げられる。シランカップリング剤、チタネートカップリング剤共に、分子中にアミノ基を含むものが基材との密着性が良好であるために特に好ましい。これらのカップリング剤で処理する場合には、炭化水素系溶媒、アルコール系溶媒等に有機着色顔料を蒸着した着色金属微粒子を分散させたスラリーにカップリング剤と、必要に応じて水を添加し、加熱撹拌して処理するか、あるいは着色金属微粒子に溶媒を添加してペースト状とし、混練する際にカップリング剤を添加する方法が好ましい。このようにして処理した着色金属微粒子は、その表面がシランカップリング剤またはチタンカップリング剤が加水分解し縮合した形態で被覆されている。
【0034】
有機顔料層(蒸着層)の上から樹脂を被覆することによっても蒸着した有機顔料の密着性を向上できる。被覆する樹脂としては、例えば下記に示すモノマーから合成される合成樹脂が挙げられる。アクリル酸、メタクリル酸、メタクリル酸メチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸2−エチルヘキシル、アクリル酸ラウリル、アクリル酸ステアリル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸2−ヒドロキシエチル、アクリル酸2−ヒドロキシブチル、アクリル酸2−メトキシエチル、アクリル酸2−ジエチルアミノエチル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸オクチル、1,4−ブタンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、1,9−ノナンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、トリスアクリロキシエチルホスフェート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、ジビニルベンゼン、アクリルニトリル、メタクリルニトリル、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、マレイン酸、クロトン酸、イタコン酸、ポリブタジエン、アマニ油、大豆油、エポキシ化大豆油、エポキシ化ポリブタジエン、シクロヘキセンビニルモノオキサイド、ジビニルベンゼンモノオキサイド等が挙げられる。着色金属微粒子を樹脂で被覆する場合、該着色金属微粒子を炭化水素系あるいはアルコール系溶媒に分散したスラリーに上記のモノマーと過酸化ベンゾイル、過酸化イソブチル、アゾビスイソブチロニトリル等の重合開始剤を添加し、加熱撹拌してモノマーを重合させ、該着色金属フレーク顔料表面に析出させる方法が好ましい。
【0035】
着色された金属微粒子を用いて色度補正層25を形成する場合、その金属微粒子を含む液体材料を用いて、例えば液滴吐出法(インクジェット法)などを用いて、形成工程の簡素化を図ることが可能になる。
【0036】
液滴吐出方式の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に30kg/cm2程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子(圧電素子)がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出してノズルから吐出させるものである。また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル(泡)を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。
【0037】
液滴吐出方式は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。
【0038】
図2は、本発明の発光装置を有機EL表示装置に適用した他の形態例を示しており、この表示装置50は、回路素子部が設けられる基板11とは反対側から発光層14の発光光を取り出す、いわゆるトップエミッション型からなる。なお、図2において、図1に示した表示装置10と同様の機能を有する構成要素は同一の符号を付し、その説明を省略または簡略化する。
【0039】
トップエミッション型の有機EL表示装置50では、発光層14の発光光のうち、基板11側に向けて発せられた光は、陽極13側で反射され、その後、発光層14を通過して、基板11側とは反対側から取り出される。一方、基板11側とは反対側に向けて発せられた光は、そのまま陰極16等を通過して取り出される。すなわち、表示装置50から取り出される光には、陽極13側で反射した光と、はじめから基板11側とは反対側に向けて発せられた光とが含まれる。
【0040】
この表示装置50では、陽極13側において、発光層14に対して、陽極13の外側に色度補正層55が配置されている。発光層14の発光光は、陽極13側において、色度補正膜20を通過した後、反射層21によって反射される。
発光層14の発光光のうち、基板11側に向けて発せられた光は、色度補正層55に入射することにより、その色度が補正される。これにより、観察される光の色度の最適化が図られる。また、発光層14の発光光のうち、はじめから基板とは反対側に向けて発せられる光は、色度補正層55に入射することなく取り出される。このように、発光層14から発せられた光の一部の光に対してのみ、色度の補正が行われることから、観察される光の輝度低下が抑制される。
トップエミッション型の場合、基板の反対側から光を取り出すので、画素の開口率を大きく取ることができるという利点を有する。
【0041】
次に、先の図1に示した表示装置10についてさらに詳しく説明する。
図3は、上述した表示装置10の回路構造の一例を示し、図4は、表示装置10における画素部の平面構造の一例を示している。
【0042】
表示装置10は、図3に示すように、基体としての基板上に、複数の走査線131と、これら走査線131に対して交差する方向に延びる複数の信号線132と、これら信号線132に並列に延びる複数の共通給電線133とがそれぞれ配線され、走査線131及び信号線132の各交点毎に、画素(画素領域素)102が設けられている。
【0043】
信号線132に対しては、例えば、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ側駆動回路103が設けられている。一方、走査線131に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路104が設けられている。また、画素領域102の各々には、走査線131を介して走査信号がゲート電極に供給される第1の薄膜トランジスタ142と、この第1の薄膜トランジスタ142を介して信号線132から供給される画像信号を保持する保持容量capと、保持容量capによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第2の薄膜トランジスタ143と、この第2の薄膜トランジスタ143を介して共通給電線133に電気的に接続したときに共通給電線133から駆動電流が流れ込む画素電極(陽極)13と、この画素電極13と対向電極(陰極)16との間に挟んで配置される発光部140(発光層)と、が設けられている。
【0044】
また、図4に示すように、各画素102の平面構造は、平面形状が長方形の画素電極13の四辺が、信号線132、共通給電線133、走査線131及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲まれた配置となっている。画素領域102の平面形状は、図に示す矩形の他に、円形、長円形など任意の形状が適用される。
【0045】
このような構成のもとに、走査線131が駆動されて第1の薄膜トランジスタ142がオンとなると、そのときの信号線132の電位が保持容量capに保持され、該保持容量capの状態に応じて、第2の薄膜トランジスタ143の導通状態が決まる。そして、第2の薄膜トランジスタ143のチャネルを介して共通給電線133から画素電極13に電流が流れ、さらに発光部140を通じて対向電極16に電流が流れることにより、発光部140は、これを流れる電流量に応じて発光するようになる。
【0046】
図5は、画素部102(有機EL素子)の断面構造を拡大して示している。
図5において、有機EL素子は、基板と、透明電極材料からなる陽極13(画素電極)と、正孔を注入あるいは輸送可能な正孔注入層(正孔輸送層)285と、電気光学物質の1つである有機EL物質を含む発光層14(有機EL層)と、発光層14の上面に設けられている陰極16(対向電極)と、基板11上に形成され、陽極13にデータ信号を書き込むか否かを制御する通電制御部としての薄膜トランジスタ142、143とを有している。なお、発光層14と陰極16との間に電子輸送層を設けてもよい。
また、発光層14に対して、陰極16の外側には、前述した色度補正層25が配置されている。
【0047】
薄膜トランジスタ142、143は、本例では、双方ともnチャネル型に形成されている。なお、薄膜トランジスタ142、143は、双方ともnチャネル型TFTに限らず、双方またはどちらか一方にpチャネル型の薄膜トランジスタを用いてもよい。
【0048】
薄膜トランジスタ142、143は、例えばSiO2を主体とする下地保護膜201を介して基板11の表面に設けられており、下地保護膜201の上層に形成されたシリコン等からなる半導体膜204、205と、半導体膜204、205を覆うように、下地保護膜201の上層に設けられたゲート絶縁膜220と、ゲート絶縁膜220の上面のうち半導体膜204、205に対向する部分に設けられたゲート電極229、230と、ゲート電極229、230を覆うようにゲート絶縁膜220の上層に設けられた第1層間絶縁膜250と、ゲート絶縁膜220及び第1層間絶縁膜250にわたって開孔するコンタクトホールを介して半導体膜204、205と接続するソース電極262、263と、ゲート電極229、230を挟んでソース電極262、263と対向する位置に設けられ、ゲート絶縁膜220及び第1層間絶縁膜250にわたって開孔するコンタクトホールを介して半導体膜204、205と接続するドレイン電極265、266と、ソース電極262、263及びドレイン電極265、266を覆うように第1層間絶縁膜250の上層に設けられた第2層間絶縁膜270とを備えている。
【0049】
また、第2層間絶縁膜270の上面に画素電極(陽極)13が配置され、画素電極13とドレイン電極266とは、第2層間絶縁膜270に設けられたコンタクトホールを介して接続されている。また、第2層間絶縁膜270の表面のうち有機EL素子が設けられている以外の部分と陰極16との間には、合成樹脂などからなる第3絶縁層(バンク層)281が設けられている。
なお、図5では、バンク層281は頂辺の長さが底辺の長さより小であるテーパー構造を有しているが、逆に頂辺の長さが底辺の長さと同等あるいは大となるような構造であってもよい。
また、第1層間絶縁膜250と第2層間絶縁膜270の材質が互いに異なる場合、図に示すように、第1層間絶縁膜250に設けられたコンタクトホールと第2層間絶縁膜270に設けられたコンタクトホール275とは、重ならないように形成されるのが好ましい。
【0050】
また、半導体膜204、205のうち、ゲート絶縁膜220を挟んでゲート電極229、230と重なる領域がチャネル領域246、247とされている。また、半導体膜204、205のうち、チャネル領域246、247のソース側にはソース領域233、236が設けられている一方、チャネル領域246、247のドレイン側にはドレイン領域234、235が設けられている。このうち、ソース領域233、236が、ゲート絶縁膜220と第1層間絶縁膜250とにわたって開孔するコンタクトホールを介して、ソース電極262、263に接続されている。一方、ドレイン領域234、235が、ゲート絶縁膜220と第1層間絶縁膜250とにわたって開孔するコンタクトホールを介して、ソース電極262、263と同一層からなるドレイン電極265、266に接続されている。画素電極13は、ドレイン電極266を介して、半導体膜205のドレイン領域235に電気的に接続されている。
【0051】
次に、本発明の発光装置の製造方法を、上述した有機EL表示装置を製造するプロセスに適用した実施例について図6〜図9を参照して説明する。なお、本例では、前述した薄膜トランジスタ142、143を含む有機EL素子と同時に、N型及びP型の駆動回路用の薄膜トランジスタとを同時に製造するプロセスについて説明する。
【0052】
まず、図6(a)に示すように、基板11に対し、必要に応じてTEOS(テトラエトキシシラン)や酸素ガスなどを原料としてプラズマCVD法により厚さ約200〜500nmのシリコン酸化膜からなる下地保護膜201を形成する。なお、下地保護膜として、シリコン酸化膜の他に、シリコン窒化膜やシリコン酸化窒化膜を設けてもよい。こうした絶縁膜を設けることにより、放熱性を高めることが可能となる。
【0053】
次に、基板11の温度を約350℃に設定して、下地保護膜の表面に、ICVD法、プラズマCVD法などを用いて厚さ約30〜70nmのアモルファスシリコン膜からなる半導体膜200を形成する。半導体膜200としては、アモルファスシリコン膜に限定されず、微結晶半導体膜などのアモルファス構造を含む半導体膜であればよい。また、アモルファスシリコンゲルマニウム膜などの非晶質構造を含む化合物半導体膜でもよい。
続いて、この半導体膜200に対してレーザアニール法や、急速加熱法(ランプアニール法や熱アニール法など)などの結晶化工程を行い、半導体膜200をポリシリコン膜に結晶化する。レーザアニール法では、例えばエキシマレーザでビームの長寸が400mmのラインビームを用い、その出力強度は例えば200mJ/cm2とする。なお、YAGレーザーの第2高調波或いは第3高調波を用いてもよい。ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の90%に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査するのがよい。
【0054】
次に、図6(b)に示すように、フォトリソグラフィ法等を用いたパターニングにより、半導体膜(ポリシリコン膜)200の不要な部分を除去して、薄膜トランジスタの各形成領域に対応して、島状の半導体膜202、203、204、205を形成する。
続いて、TEOSや酸素ガスなどを原料としてプラズマCVD法により厚さ約60〜150nmのシリコン酸化膜または窒化膜(シリコン酸化窒化膜など)からなるゲート絶縁膜220を半導体膜200を覆うように形成する。ゲート絶縁膜220は単層構造でも積層構造でもよい。なお、プラズマCVD法に限らず、熱酸化法などの他の方法を用いてもよい。また、熱酸化法を利用してゲート絶縁膜220を形成する際には、半導体膜200の結晶化も行い、これらの半導体膜をポリシリコン膜とすることができる。
【0055】
次に、図6(c)に示すように、ゲート絶縁膜220の全表面に、ドープドシリコン、シリサイド膜や、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を含むゲート電極形成用導電膜221を形成する。この導電膜221の厚さは例えば200nm程度である。
続いて、ゲート電極形成用導電膜221の表面にパターニング用マスク222を形成し、この状態でパターニングを行なって、図6(d)に示すように、P型の駆動回路用トランジスタを形成する側にゲート電極223を形成する。このとき、N型の画素電極用トランジスタ及びN型の駆動回路用トランジスタの側では、ゲート電極形成用導電膜221がパターニング用マスク222で覆われているので、ゲート電極形成用導電膜221はパターニングされることはない。また、ゲート電極は単層の導電膜で形成してもよく、積層構造としてもよい。
【0056】
次に、図6(e)に示すように、P型の駆動回路用トランジスタのゲート電極223と、N型の画素電極用トランジスタが形成される領域とN型の駆動回路用トランジスタが形成される領域とに残したゲート電極形成用導電膜221をマスクとして、p型不純物元素(本例ではボロン)をイオン注入する。ドーズ量は例えば約1×1015cm−2である。その結果、不純物濃度が例えば1×1020cm−3の高濃度のソース・ドレイン領域224、225がゲート電極223に対して自己整合的に形成される。ここで、ゲート電極223で覆われ、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域226となる。
【0057】
次に、図7(a)に示すように、P型の駆動回路用トランジスタの側を完全に覆い、かつ、N型の画素電極用TFT10およびN型の駆動回路用トランジスタの側のゲート電極形成領域を覆うレジストマスク等からなるパターニング用マスク227を形成する。
【0058】
次に、図7(b)に示すように、パターニング用マスク227を使用してゲート電極形成用導電膜221をパターニングし、N型の画素電極用トランジスタおよびN型の駆動回路用トランジスタのゲート電極228、229、230を形成する。
続いて、パターニング用マスク227を残したまま、n型不純物元素(本例ではリン)をイオン注入する。ドーズ量は例えば1×1015cm−2である。その結果、パターニング用マスク227に対して自己整合的的に不純物が導入され、半導体膜203、204、205中に高濃度ソース・ドレイン領域231、232、233、234、235、236が形成される。ここで、半導体膜203、204、205のうち、高濃度のリンが導入されない領域は、ゲート電極228、229、230で覆われていた領域よりも広い。すなわち、半導体膜203、204、205のうち、ゲート電極228、229、230と対向する領域の両側には高濃度ソース・ドレイン領域231、232、233、234、235、236との間に高濃度のリンが導入されない領域(後述する低濃度ソース・ドレイン領域)が形成される。
【0059】
次に、パターニング用マスク227を除去し、この状態でn型不純物元素(本例ではリン)をイオン注入する。ドーズ量は例えば1×1013cm−2である。その結果、図7(c)に示すように、半導体膜203、204、205にはゲート電極228、229、230に対して自己整合的に低濃度の不純物が導入され、低濃度ソース・ドレイン領域237、238、239、240、241、242が形成される。なお、ゲート電極228、229、230と重なる領域には不純物が導入されず、チャネル領域245、246、247が形成される。
【0060】
次に、図7(d)に示すように、ゲート電極228、229、230の表面側に第1層間絶縁膜250を形成し、フォトリソグラフィ法等によってパターニングして所定のソース電極位置、ドレイン電極位置にコンタクトホールを形成する。第1層間絶縁膜250としては、例えば、シリコン酸化窒化膜やシリコン酸化膜等のシリコンを含む絶縁膜を用いるとよい。また、単層でもよく積層膜でもよい。さらに、水素を含む雰囲気中で、熱処理を行い半導体膜の不対結合手を水素終端(水素化)する。なお、プラズマにより励起された水素を用いて水素化を行ってもよい。
続いて、この上からアルミニウム膜、クロム膜やタンタル膜などの金属膜を用いてソース電極、ドレイン電極となる導電膜251を形成する。導電膜251の厚さは例えば200nm〜300nm程度である。導電膜は単層でもよく積層膜でもよい。
続いて、ソース電極、ドレイン電極の位置にパターニング用マスク252を形成するとともに、パターニングを行って、図7(e)に示すソース電極260、261、262、263、及びドレイン電極264、265、266を同時に形成する。
【0061】
次に、図8(a)に示すように、窒化珪素等からなる第2層間絶縁膜270を形成する。この第2層間絶縁膜270の厚さは、例えば1〜2μm程度である。第2層間絶縁膜270の形成材料としては、シリコン酸化膜や有機樹脂、シリカエアロゲルなどの光を透過可能な材料が用いられる。有機樹脂としてはアクリル、ポリイミド、ポリアミド、BCB(ベンゾシクロブテン)等を用いることができる。
【0062】
次に、図8(b)に示すように、第2層間絶縁膜270をエッチング除去してドレイン電極266に達するコンタクトホール275を形成する。
【0063】
次に、図8(c)に示すように、コンタクトホール275内にも埋め込まれるように、例えばITOやフッ素をドープしてなるSnO2、さらにZnOやポリアニリン等の透明電極材料からなる膜を形成し、ソース・ドレイン領域235、236に電気的に接続する画素電極13を形成する。なお、この画素電極13がEL素子の陽極となる。
【0064】
次に、図9(a)に示すように、画素電極13を挟むように、第3絶縁層(バンク層)29を形成する。具体的には、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などのレジストを溶媒に融かしたものを、スピンコート、ディップコート等により塗布して絶縁層を形成し、絶縁層をフォトリソグラフィ技術等により同時にエッチングする。第3絶縁層29としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの合成樹脂が用いられる。なお、信号線、共通給電線、走査線等の配線を含むバンク層を形成してもよい。
【0065】
続いて、画素電極13を覆うように正孔注入層285を形成する。
本例では、形成材料を液滴にして吐出する液滴吐出装置を用いて正孔輸送層285を形成する。すなわち、ノズル114から基板11に向けて正孔注入層285の形成材料を放出する。所定量の材料が基板11上に配置されることにより、基板11上に正孔注入層285が形成される。
【0066】
また、材料が基板11上にて液状となった場合には、その流動性によって水平方向に広がろうとするものの、第3絶縁層(バンク層)の隔壁によって、その広がりが防止される。なお、処理条件や材料の特性等により、材料の流動による不都合が生じない場合には、第3絶縁層の高さを低くしたり、隔壁を用いない構造としてもよい。また、ノズル114から材料を基板11上に放出した後、基板11に対して、必要に応じて加熱あるいは光照射等の処理を行って材料を固化あるいは硬化させてもよい。
【0067】
正孔注入層の形成材料としては、例えばポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の混合物であるPEDT/PSSを用いることが望ましい。その他、ポリアニリンとポリスチレンスルホン酸との混合物や銅フタロシアニン(CuPc)が挙げられる。また、低分子型有機EL素子等において正孔注入層と正孔輸送層を両方形成する場合には、例えば、正孔輸送層の形成に先立って正孔注入層を画素電極側に形成し、その上に正孔輸送層を形成するのが好ましい。このように正孔注入層を正孔輸送層とともに形成することにより、駆動電圧の上昇を制御することができるとともに、駆動寿命(半減期)を長くすることができる。
【0068】
次に、図9(b)に示すように、正孔注入層285上に発光層14を形成する。
本例では、先の正孔注入層と同様に、前述した液滴吐出装置を用いてこの発光層14を形成する。すなわち、ノズル114から基板11に向けて発光層14の形成材料を液滴にして吐出する。
【0069】
発光層14の形成材料としては、高分子発光体を用いることができ、側鎖に発光基を有する高分子を用いることができるが、好ましくは共役系構造を主鎖に含むもので、特に、ポリフルオレン、ポリ−p−フェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリアリーレンビニレン、およびその誘導体が好ましい。中でもポリアリーレンビニレンおよびその誘導体が好ましい。該ポリアリーレンビニレンおよびその誘導体は、下記化学式(1)で示される繰り返し単位を全繰り返し単位の50モル%以上含む重合体である。繰り返し単位の構造にもよるが、化学式(1)で示される繰り返し単位が全繰り返し単位の70%以上であることがさらに好ましい。
−Ar−CR=CR’− …(1)
〔ここで、Arは、共役結合に関与する炭素原子数が4個以上20個以下からなるアリーレン基または複素環化合物基、R、R’はそれぞれ独立に水素、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数4〜20の複素環化合物、シアノ基からなる群から選ばれた基を示す。〕
【0070】
該高分子蛍光体は、化学式(1)で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位として、芳香族化合物基またはその誘導体、複素環化合物基またはその誘導体、およびそれらを組み合わせて得られる基などを含んでいてもよい。また、化学式(1)で示される繰り返し単位や他の繰り返し単位が、エーテル基、エステル基、アミド基、イミド基などを有する非共役の単位で連結されていてもよいし、繰り返し単位にそれらの非共役部分が含まれていてもよい。
【0071】
前記高分子蛍光体において化学式(1)のArとしては、共役結合に関与する炭素原子数が4個以上20個以下からなるアリーレン基または複素環化合物基であり、下記の化学式(2)で示す芳香族化合物基またはその誘導体基、複素環化合物基またはその誘導体基、およびそれらを組み合わせて得られる基などが例示される。また、低分子型有機EL素子においては低分子蛍光体例えばナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリメチン系、キサテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、8−ヒドロキノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体等、または特開昭57−51781、同59−194393号公報等に記載されている公知のものが使用可能である。
【0072】
なお、必要に応じて、発光層上に電子輸送層を設けることができる。
電子輸送層の形成材料としては、特に限定されることなく、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンおよびその誘導体、ジフェノキノン誘導体、8−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体等が例示される。具体的には、先の正孔輸送層の形成材料と同様に、特開昭63−70257号、同63−175860号公報、特開平2−135359号、同2−135361号、同2−209988号、同3−37992号、同3−152184号公報に記載されているもの等が例示され、特に2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス(8−キノリノール)アルミニウムが好適とされる。
【0073】
なお、正孔注入層(正孔輸送層)285の形成材料や電子輸送層287の形成材料を、発光層14の形成材料に混合し、発光層形成材料として使用してもよい。その場合、正孔輸送層形成材料や電子輸送層形成材料の使用量については、使用する化合物の種類等によっても異なるものの、十分な成膜性と発光特性を阻害しない量範囲でそれらを考慮して適宜決定される。通常は、発光層形成材料に対して1〜40重量%とされ、さらに好ましくは2〜30重量%とされる。
【0074】
次に、図9(c)に示すように、基板11の表面全体に、あるいはストライプ状に陰極としての対向電極16を形成する。さらに、対向電極16の外側に、色度補正層25を形成する。
【0075】
色度補正層25を多層干渉膜を用いて形成する場合、例えば、フォトリソグラフィ法を用いることができる。
また、着色された金属微粒子を用いて色度補正層25を形成する場合、例えば、液滴吐出法(インクジェット法)を用いることができる。
【0076】
液滴吐出法により、着色された金属微粒子を用いて色度補正層を形成する方法の一例は次のとおりである。
まず、形成対象となる物体(対向電極16)の表面に、親液性を示す領域と撥液性を示す領域とを設ける。例えば、プラズマ処理工程により上記各領域を設けることができる。具体的にプラズマ処理工程は、予備加熱工程と、物体表面を親液性にする親液化工程と、物体表面を撥液性にする撥液化工程と、冷却工程とを有している。
すなわち、基材を所定温度(例えば70〜80℃程度)に加熱し、次いで親液化工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理(O2プラスマ処理)を行う。続いて、撥液化工程として大気雰囲気中で4フッ化メタンを反応ガスとするプラスマ処理(CF4プラスマ処理)を行い、プラズマ処理のために加熱された基材を室温まで冷却することで、親液性及び撥液性が所定箇所に付与される。
次に、液滴吐出装置(インクジェット装置)を用いて、物体表面の所望の位置に、着色された金属微粒子を含むインク(液体材料)を液滴にして吐出する。この場合、発光層14の位置に対応して、バンク層29に沿って対向電極(陰極)16の表面に凹部が設けられている場合、その凹部内の親液処理された領域内でインク滴が広がる。一方、その凹部内の撥液処理された領域ではインク滴がはじかれて付着しない。つまり、インク滴が所定の吐出位置から物体表面に吐出されたとしても、インク滴を所望の位置に配置することができる。
物体表面に、着色された金属微粒子を含むインクが配置されると、インクに含まれる溶媒を除去するための乾燥処理及び熱処理を行うことにより、色度補正層が形成される。
【0077】
以上のプロセスにより、有機EL素子、及びN型及びP型の駆動回路用の薄膜トランジスタが完成する。
【0078】
ここで、上記した化学式(2)を示す。
【化1】
(R1〜R92は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜20のアルキル基、アルコキシ基およびアルキルチオ基;炭素数6〜18のアリール基およびアリールオキシ基;ならびに炭素数4〜14の複素環化合物基からなる群から選ばれた基である。)
【0079】
これらのなかでフェニレン基、置換フェニレン基、ビフェニレン基、置換ビフェニレン基、ナフタレンジイル基、置換ナフタレンジイル基、アントラセン−9,10−ジイル基、置換アントラセン−9,10−ジイル基、ピリジン−2,5−ジイル基、置換ピリジン−2,5−ジイル基、チエニレン基および置換チエニレン基が好ましい。さらに好ましくは、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフタレンジイル基、ピリジン−2,5−ジイル基、チエニレン基である。
【0080】
化学式(1)のR、R’が水素またはシアノ基以外の置換基である場合について述べると、炭素数1〜20のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ラウリル基などが挙げられ、メチル基、エチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基が好ましい。アリール基としては、フェニル基、4−C1〜C12アルコキシフェニル基(C1〜C12は炭素数1〜12であることを示す。以下も同様である。)、4−C1〜C12アルキルフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基などが例示される。
【0081】
溶媒可溶性の観点からは化学式(1)のArが、1つ以上の炭素数4〜20のアルキル基、アルコキシ基およびアルキルチオ基、炭素数6〜18のアリール基およびアリールオキシ基ならびに炭素数4〜14の複素環化合物基から選ばれた基を有していることが好ましい。
【0082】
これらの置換基としては以下のものが例示される。炭素数4〜20のアルキル基としては、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ラウリル基などが挙げられ、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基が好ましい。また、炭素数4〜20のアルコキシ基としては、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ラウリルオキシ基などが挙げられ、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基が好ましい。炭素数4〜20のアルキルチオ基としては、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、デシルオキシ基、ラウリルチオ基などが挙げられ、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基が好ましい。アリール基としては、フェニル基、4−C1〜C12アルコキシフェニル基、4−C1〜C12アルキルフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基などが例示される。アリールオキシ基としては、フェノキシ基が例示される。複素環化合物基としては2−チエニル基、2−ピロリル基、2−フリル基、2−、3−または4−ピリジル基などが例示される。これら置換基の数は、該高分子蛍光体の分子量と繰り返し単位の構成によっても異なるが、溶解性の高い高分子蛍光体を得る観点から、これらの置換基が分子量600当たり1つ以上であることがより好ましい。
【0083】
なお、前記高分子蛍光体は、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。蛍光の量子収率の高い高分子蛍光体を得る観点からは完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロックまたはグラフト共重合体が好ましい。また、ここで形成する有機エレクトロルミネッセンス素子は、薄膜からの蛍光を利用することから、該高分子蛍光体は固体状態で蛍光を有するものが用いられる。
【0084】
該高分子蛍光体に対して溶媒を使用する場合に、好適なものとしては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレンなどが例示される。高分子蛍光体の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に0.1wt%以上溶解させることができる。
また、前記高分子蛍光体としては、分子量がポリスチレン換算で103〜107であることが好ましく、それらの重合度は繰り返し構造やその割合によっても変わる。成膜性の点から一般には繰り返し構造の合計数で好ましくは4〜10000、さらに好ましくは5〜3000、特に好ましくは10〜2000である。
【0085】
このような高分子蛍光体の合成法としては、特に限定されないものの、例えばアリーレン基にアルデヒド基が2つ結合したジアルデヒド化合物と、アリーレン基にハロゲン化メチル基が2つ結合した化合物とトリフェニルホスフィンとから得られるジホスホニウム塩からのWittig反応が例示される。また、他の合成法としては、アリーレン基にハロゲン化メチル基が2つ結合した化合物からの脱ハロゲン化水素法が例示される。さらに、アリーレン基にハロゲン化メチル基が2つ結合した化合物のスルホニウム塩をアルカリで重合して得られる中間体から熱処理により該高分子蛍光体を得るスルホニウム塩分解法が例示される。いずれの合成法においても、モノマーとして、アリーレン基以外の骨格を有する化合物を加え、その存在割合を変えることにより、生成する高分子蛍光体に含まれる繰り返し単位の構造を変えることができるので、化学式(1)で示される繰り返し単位が50モル%以上となるように加減して仕込み、共重合してもよい。これらのうち、Wittig反応による方法が、反応の制御や収率の点で好ましい。
【0086】
さらに具体的に、前記高分子蛍光体の1つの例であるアリーレンビニレン系共重合体の合成法を説明する。例えば、Wittig反応により高分子蛍光体を得る場合には、例えばまず、ビス(ハロゲン化メチル)化合物、より具体的には、例えば2,5−ジオクチルオキシ−p−キシリレンジブロミドをN,N−ジメチルホルムアミド溶媒中、トリフェニルホスフィンと反応させてホスホニウム塩を合成し、これとジアルデヒド化合物、より具体的には、例えば、テレフタルアルデヒドとを、例えばエチルアルコール中、リチウムエトキシドを用いて縮合させるWittig反応により、フェニレンビニレン基と2,5−ジオクチルオキシ−p−フェニレンビニレン基を含む高分子蛍光体が得られる。このとき、共重合体を得るために2種類以上のジホスホニウム塩および/または2種類以上のジアルデヒド化合物を反応させてもよい。
これらの高分子蛍光体を発光層の形成材料として用いる場合、その純度が発光特性に影響を与えるため、合成後、再沈精製、クロマトグラフによる分別等の純化処理をすることが望ましい。
なお、前記の高分子蛍光体からなる発光層の形成材料としては、フルカラー表示をなすため、赤、緑、青の三色の発光層形成材料が用いられる。
【0087】
また、上述した発光層を形成する際、その材料をホスト/ゲスト系の発光材料、すなわちホスト材料にゲスト材料が添加分散された発光材料によって形成してもよい。
このような発光材料としては、ホスト材料として例えば高分子有機化合物や低分子材料が、またゲスト材料として得られる発光層の発光特性を変化させるための蛍光色素、あるいは燐光物質を含んでなるものが好適に用いられる。
高分子有機化合物としては、溶解性の低い材料の場合、例えば前駆体が塗布された後、以下の化学式(3)に示すように加熱硬化されることによって共役系高分子有機エレクトロルミネッセンス層となる発光層を生成し得るものがある。例えば、前駆体のスルホニウム塩の場合、加熱処理されることによりスルホニウム基が脱離し、共役系高分子有機化合物となるもの等がある。
また、溶解性の高い材料では、材料をそのまま塗布した後、溶媒を除去して発光層にし得るものもある。
【0088】
【化2】
【0089】
前記の高分子有機化合物は固体で強い蛍光を持ち、均質な固体超薄膜を形成することができる。しかも、形成能に富みITO電極との密着性も高く、さらに、固化した後は強固な共役系高分子膜を形成する。
【0090】
このような高分子有機化合物としては、例えばポリアリーレンビニレンが好ましい。ポリアリーレンビニレンは水系溶媒あるいは有機溶媒に可溶で第2の基体11に塗布する際の塗布液への調製が容易であり、さらに一定条件下でポリマー化することができるため、光学的にも高品質の薄膜を得ることができる。
このようなポリアリーレンビニレンとしては、PPV(ポリ(パラ−フェニレンビニレン))、MO−PPV(ポリ(2,5−ジメトキシ−1,4−フェニレンビニレン))、CN−PPV(ポリ(2,5−ビスヘキシルオキシ−1,4−フェニレン−(1−シアノビニレン)))、MEH−PPV(ポリ[2−メトキシ−5−(2’−エチルヘキシルオキシ)]−パラ−フェニレンビニレン)、等のPPV誘導体、PTV(ポリ(2,5−チエニレンビニレン))等のポリ(アルキルチオフェン)、PFV(ポリ(2,5−フリレンビニレン))、ポリ(パラフェニレン)、ポリアルキルフルオレン等が挙げられるが、なかでも化学式(4)に示すようなPPVまたはPPV誘導体の前駆体からなるものや、化学式(5)に示すようなポリアルキルフルオレン(具体的には化学式(6)に示すようなポリアルキルフルオレン系共重合体)が特に好ましい。
PPV等は強い蛍光を持ち、二重結合を形成するπ電子がポリマー鎖上で非極在化している導電性高分子でもあるため、高性能の有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができる。
【0091】
【化3】
【0092】
【化4】
【0093】
【化5】
【0094】
なお、前記PPV薄膜の他に発光層を形成し得る高分子有機化合物や低分子材料、すなわち本例においてホスト材料として用いられるものは、例えばアルミキノリノール錯体(Alq3)やジスチリルビフェニル、さらに化学式(7)に示すBeBq2やZn(OXZ)2、そしてTPD、ALO、DPVBi等の従来より一般的に用いられているものに加え、ピラゾリンダイマー、キノリジンカルボン酸、ベンゾピリリウムパークロレート、ベンゾピラノキノリジン、ルブレン、フェナントロリンユウロピウム錯体等が挙げられ、これらの1種または2種以上を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用組成物を用いることができる。
【0095】
【化6】
【0096】
一方、このようなホスト材料に添加されるゲスト材料としては、前記したように蛍光色素や燐光物質が挙げられる。特に蛍光色素は、発光層の発光特性を変化させることができ、例えば、発光層の発光効率の向上、または光吸収極大波長(発光色)を変えるための手段としても有効である。すなわち、蛍光色素は単に発光層材料としてではなく、発光機能そのものを担う色素材料として利用することができる。例えば、共役系高分子有機化合物分子上のキャリア再結合で生成したエキシトンのエネルギーを蛍光色素分子上に移すことができる。この場合、発光は蛍光量子効率が高い蛍光色素分子からのみ起こるため、発光層の電流量子効率も増加する。したがって、発光層の形成材料中に蛍光色素を加えることにより、同時に発光層の発光スペクトルも蛍光分子のものとなるので、発光色を変えるための手段としても有効となる。
【0097】
なお、ここでいう電流量子効率とは、発光機能に基づいて発光性能を考察するための尺度であって、下記式により定義される。
ηE =放出されるフォトンのエネルギー/入力電気エネルギー
そして、蛍光色素のドープによる光吸収極大波長の変換によって、例えば赤、青、緑の3原色を発光させることができ、その結果フルカラー表示体を得ることが可能となる。
さらに蛍光色素をドーピングすることにより、エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を大幅に向上させることができる。
【0098】
蛍光色素としては、赤色の発色光を発光する発光層を形成する場合、レーザー色素のDCM−1、あるいはローダミンまたはローダミン誘導体、ペニレン等を用いるのが好ましい。これらの蛍光色素をPPVなどホスト材料にドープすることにより、発光層を形成することができるが、これらの蛍光色素は水溶性のものが多いので、水溶性を有するPPV前駆体であるスルホニウム塩にドープし、その後、加熱処理すれば、より均一な発光層の形成が可能になる。このような蛍光色素として具体的には、ローダミンB、ローダミンBベース、ローダミン6G、ローダミン101過塩素酸塩等が挙げられ、これらを2種以上混合したものであってもよい。
【0099】
また、緑色の発色光を発光する発光層を形成する場合、キナクリドン、ルブレン、DCJTおよびその誘導体を用いるのが好ましい。これらの蛍光色素についても、前記の蛍光色素と同様、PPVなどホスト材料にドープすることにより、発光層を形成することができるが、これらの蛍光色素は水溶性のものが多いので、水溶性を有するPPV前駆体であるスルホニウム塩にドープし、その後、加熱処理すれば、より均一な発光層の形成が可能になる。
【0100】
さらに、青色の発色光を発光する発光層を形成する場合、ジスチリルビフェニルおよびその誘導体を用いるのが好ましい。これらの蛍光色素についても、前記の蛍光色素と同様、PPVなどホスト材料にドープすることにより、発光層を形成することができるが、これらの蛍光色素は水溶性のものが多いので、水溶性を有するPPV前駆体であるスルホニウム塩にドープし、その後、加熱処理すれば、より均一な発光層の形成が可能になる。
【0101】
また、青色の発色光を有する他の蛍光色素としては、クマリンおよびその誘導体を挙げることができる。これらの蛍光色素は、PPVと相溶性がよく発光層の形成が容易である。また、これらのうち特にクマリンは、それ自体は溶媒に不溶であるものの、置換基を適宜に選択することによって溶解性を増し、溶媒に可溶となるものもある。このような蛍光色素として具体的には、クマリン−1、クマリン−6、クマリン−7、クマリン120、クマリン138、クマリン152、クマリン153、クマリン311、クマリン314、クマリン334、クマリン337、クマリン343等が挙げられる。
【0102】
さらに、別の青色の発色光を有する蛍光色素としては、テトラフェニルブタジエン(TPB)またはTPB誘導体、DPVBi等を挙げることができる。これらの蛍光色素は、前記赤色蛍光色素等と同様に水溶液に可溶であり、またPPVと相溶性がよく発光層の形成が容易である。
以上の蛍光色素については、各色ともに1種のみを用いてもよく、また2種以上を混合して用いてもよい。
なお、このような蛍光色素としては、化学式(8)に示すようなものや、化学式(9)に示すようなもの、さらに化学式(10)に示すようなものが用いられる。
【0103】
【化7】
【0104】
【化8】
【0105】
【化9】
【0106】
これらの蛍光色素については、前記共役系高分子有機化合物等からなるホスト材料に対し、後述する方法によって0.5〜10wt%添加するのが好ましく、1.0〜5.0wt%添加するのがより好ましい。蛍光色素の添加量が多過ぎると得られる発光層の耐候性および耐久性の維持が困難となり、一方、添加量が少な過ぎると、前述したような蛍光色素を加えることによる効果が十分に得られないからである。
【0107】
また、ホスト材料に添加されるゲスト材料としての燐光物質としては、化学式(11)に示すIr(ppy)3、Pt(thpy)2、PtOEPなどが好適に用いられる。
【0108】
【化10】
【0109】
なお、前記の化学式(11)に示した燐光物質をゲスト材料とした場合、ホスト材料としては、特に化学式(12)に示すCBP、DCTA、TCPBや、前記したDPVBi、Alq3が好適に用いられる。
また、前記蛍光色素と燐光物質については、これらを共にゲスト材料としてホスト材料に添加するようにしてもよい。
【0110】
【化11】
【0111】
なお、このようなホスト/ゲスト系の発光物質によって上述した発光層を形成する場合、ホスト材料とゲスト材料とを予め設定した量比で同時に吐出することにより、ホスト材料に所望する量のゲスト材料が添加された発光物質による発光層を形成することができる。
【0112】
また、上述した例では、発光層の下層として正孔輸送層を形成し、上層として電子輸送層を形成したが、本発明はこれに限定されることなく、例えば正孔輸送層と電子輸送層とのうちの一方のみを形成するようにしてもよく、また、正孔輸送層に代えて正孔注入層を形成するようにしてもよく、さらに発光層のみを単独で形成するようにしてもよい。
【0113】
さらに、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層に加えて、ホールブロッキング層を例えば発光層の対向電極側に形成して、発光層の長寿命化を図ってもよい。このようなホールブロッキング層の形成材料としては、例えば化学式(13)に示すBCPや化学式(14)で示すBAlqが用いられるが、長寿命化の点ではBAlqの方が好ましい。
【0114】
【化12】
【0115】
【化13】
【0116】
図10〜15は、本発明の電子機器の実施例を示している。
本例の電子機器は、上述した有機EL表示装置等の本発明の発光装置を表示手段として備えている。
図10は、テレビ画像やコンピュータ送られる文字や画像を表示する表示装置の一例を示している。図10において、符号1000は本発明の発光装置を用いた表示装置本体を示している。なお、表示装置本体1000は、上述した有機EL表示装置を用いることにより、大画面にも対応できる。
また、図11は、車載用のナビゲーション装置の一例を示している。図11において、符号1010はナビゲーション装置本体を示し、符号1011は本発明の発光装置を用いた表示部(表示手段)を示している。
また、図12は、携帯型の画像記録装置(ビデオカメラ)の一例を示している。図12において、符号1020は記録装置本体を示し、符号1021は本発明の発光装置を用いた表示部を示している。
また、図13は、携帯電話の一例を示している。図13において、符号1030は携帯電話本体を示し、符号1031は本発明の発光装置を用いた表示部(表示手段)を示している。
また、図14は、ワープロ、パソコンなどの情報処理装置の一例を示している。図14において、符号1040は情報処理装置を示し、符号1041は情報処理装置本体、符号1042はキーボードなどの入力部、符号1043は本発明の発光装置を用いた表示部を示している。
また、図15は、腕時計型電子機器の一例を示している。図15において、符号1050は時計本体を示し、符号1051は本発明の発光装置を用いた表示部を示している。
図10〜15に示す電子機器は、本発明の発光装置を表示手段として備えているので、観察される光の色度の最適化が図られ、良好な表示性能が得られる。
【0117】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【0118】
【発明の効果】
本発明の発光装置によれば、光の取り出し側とは反対側に配置された光学機能層によって、発光層の発光光の色度が補正されることにより、光の色度の最適化が図られる。また、発光層から発せられた光の一部の光に対してのみ、色度の補正を行うことにより、光の色度補正を行う場合であっても、輝度低下を抑制することができる。これにより、光の取り出し効率を高めることができる。
【0119】
また、本発明の発光装置の製造方法によれば、輝度の低下が抑制されかつ、光の色度が最適化された発光装置を製造することができる。
【0120】
また、本発明の電子機器によれば、光の色度が最適化された発光装置を備えることから、表示性能の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の発光装置の一実施形態に係る有機EL表示装置を概念的に示す図である。
【図2】本発明の発光装置を有機EL表示装置に適用した他の形態例を概念的に示す図である。
【図3】有機EL表示装置の回路構造の一例を示す回路図である。
【図4】有機EL表示装置における画素部の平面構造の一例を示す平面図である。
【図5】画素部(有機EL素子)の断面構造を拡大して示す図である。
【図6】本発明の電気光学装置の製造方法を有機EL素子を備える表示装置を製造するプロセスに適用した実施例を説明するための図である。
【図7】本発明の電気光学装置の製造方法を有機EL素子を備える表示装置を製造するプロセスに適用した実施例を説明するための図である。
【図8】本発明の電気光学装置の製造方法を有機EL素子を備える表示装置を製造するプロセスに適用した実施例を説明するための図である。
【図9】本発明の電気光学装置の製造方法を有機EL素子を備える表示装置を製造するプロセスに適用した実施例を説明するための図である。
【図10】本発明の電子機器の実施例を示す図である。
【図11】本発明の電子機器の他の実施例を示す図である。
【図12】本発明の電子機器の他の実施例を示す図である。
【図13】本発明の電子機器の他の実施例を示す図である。
【図14】本発明の電子機器の他の実施例を示す図である。
【図15】本発明の電子機器の他の実施例を示す図である。
【符号の説明】
10…有機EL表示装置(発光装置)、11…基板、13…陽極(画素電極、電極層)、14…発光層、16…陰極(対向電極、電極層)、25…色度補正層(光学機能層)。
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光層を備える発光装置とその製造方法、並びに電子機器に関する。
【0002】
【従来の技術】
発光層を備える発光装置としては、例えば、有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELと称す)素子を備える有機EL表示装置がある。有機EL素子は、対向する2つの電極の間に、発光層を含む有機機能層が配置されるものが一般的である。
【0003】
有機EL表示装置は、カラー表示を行う場合、R(赤)、G(緑)、B(青)の各色ごとに、所定の色度の光を発する発光層をそれぞれ有する。そして、基板上には、各色に対応する発光層が所定の配列で配置されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
発光層から発光される光の色度は、例えば、発光層の形成材料を適宜選択することにより得られる。しかしながら、発光層の発光光の色度が、目標値から離れている場合には、発光光の色度を補正する必要がある。
ところが、発光光の色度を補正する場合、輝度低下を招き、光の取り出し効率が低下するおそれがある。
【0005】
本発明は、上述する事情に鑑みてなされたものであり、光の色度の最適化を図ることができ、しかも光の取り出し効率の高い発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、表示性能が向上した電子機器を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の発光装置は、発光層を備える発光装置であって、前記発光層に対して、前記発光層の発光光を取り出す側とは反対側に配置され、前記発光光を反射しかつ該発光光の光学的特性を変化させる光学機能層を備えることを特徴としている。
上記の発光装置によれば、発光層によって所定の色度の光が発せられ、その発光光が所定の取り出し側から取り出される。また、光の取り出し側とは反対側に向けて発せられた発光光は、光学機能層によって反射された後に、上記取り出し側から取り出される。取り出される光は、上述した光学機能層で反射した光と、はじめから取り出し側に向けて発せられた光とを含む。上記のうちの前者の光は、光学機能層に反射されるとき、その色度が変化する。これにより、発光装置から取り出される光の色度の最適化が図られる。また、上記のうちの後者の光は、光学機能層に入射することなく取り出される。このように、上記の発光装置では、発光層から発せられた光の一部の光に対してのみ、光学的特性を変化させることから、輝度低下が抑制される。
【0007】
また、上記の発光装置において、前記光学機能層は、高屈折率の薄膜と低屈折率の薄膜とを積層した多層干渉膜を含んでもよい。
この場合、多層干渉膜は、特定の波長領域の光を透過する一方で、その波長領域以外の光を吸収することにより、色フィルタとしての役割を果たす。これにより、光の色度が補正される。
【0008】
また、上記の発光装置において、前記光学機能層は、着色された金属微粒子を含んでもよい。
この場合、着色された金属微粒子は、光を反射するとともに、色フィルタとしての役割を果たす。これにより、光の色度が補正される。
【0009】
また、上記の発光装置において、前記発光層は、赤、緑、青の各3色に対応する3種類の発光層を含み、前記光学機能層は、前記3種類の発光層のうちの少なくとも1つの発光層に対して配置されるのが好ましい。
補正が必要な色を発する発光層に対して、光学機能層を配置することにより、光の色度が確実に最適化される。
【0010】
また、上記の発光装置において、例えば、前記発光層に対して、前記光の取り出し側とは反対側に、前記発光層の発光光を透過する電極が配され、前記光学機能層は、前記発光層との間に前記電極を挟んで配置される。
この場合、発光光の取り出し側とは反対側において、電極を通過した発光層からの光が、光学機能層により反射されかつその光の色度が変化する。
【0011】
また、上記の発光装置において、例えば、前記発光層は、対向する2つの電極の間に配置されており、前記光学機能層は、前記2つの電極のいずれか一方であってもよい。
光学的特性を変化させる機能を電極が有することにより、スペースの効率化が図られる。
【0012】
また、上記の発光装置において、光学機能層は、前記発光層を所定の物質から保護するものであってもよい。所定の物質としては、例えば、水、酸素、金属物質などが挙げられる。
光学機能層によって発光層が所定の物質から保護されることにより、発光層の劣化が防止される。
【0013】
発光層としては、例えば、有機EL層がある。
また、光学機能層としては、例えば、光の色度を補正する色度補正層が用いられる。
【0014】
本発明の電子機器は、上述した発光装置を備えることを特徴としている。
上記の電子機器によれば、上述した発光装置を備えることから、光の色度の最適化が図られ、良好な表示性能が得られる。
【0015】
本発明の発光装置の製造方法は、発光層を備える発光装置を製造する方法であって、前記発光層に対して発光光を取り出す側とは反対側に、前記発光光を反射しかつ該発光光の光学的特性を変化させる光学機能層を配置する工程を備えることを特徴としている。
上記の製造方法によれば、輝度の低下が抑制されかつ、光の色度が最適化された発光装置を製造することができる。
【0016】
上記の発光装置の製造方法において、前記光学機能層を、液滴吐出法を用いて形成するとよい。
上記の製造方法によれば、液滴吐出法を用いることにより、光学機能層を所望の位置に容易に形成することが可能となる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について図面を参照して説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために、縮尺は実際のものと異なる場合がある。
図1は、本発明の発光装置の一実施形態に係る有機EL表示装置を概念的に示す図である。図1において、有機EL表示装置10は、基体としての基板11上に、回路素子部12、画素電極(陽極)13、発光層14を含む有機機能層15、対向電極(陰極)16、光学機能層としての色度補正層25、及び封止部17を順次積層した構造からなる。このうち陽極13、機能層15、陰極16、及び色度補正層25等を含んで電気光学素子としての有機EL装置(有機EL素子)が構成される。
なお、図1に示す符号29は、画素の境界に設けられる仕切り部材としてのバンク層である。バンク層29は、有機EL素子の形成時に、隣接する材料の混じりを防ぐ等の役割がある。
【0018】
有機EL表示装置では、陽極側から注入された正孔と、陰極側から注入された電子とが発光層内で再結合し、励起状態を経由した発光(励起状態から失括する際の発光)を起こす。また、発光層の形成材料を適宜選択することにより、所定の色度の発光光が得られる。発光層の形成材料としては、例えば、低分子の有機発光色素や高分子発光体、すなわち各種の蛍光物質や燐光物質からなる発光物質等が用いられる。
なお、陽極と発光層との間、及び陰極と発光層との間にはそれぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、及び電子輸送層等の特定の機能を有する層が適宜形成される。また、発光のための電気的な制御は、能動素子等を含む回路素子部を介して行われる。
【0019】
図1に示す有機EL表示装置10は、カラー表示に対応しており、赤(R)、緑(G)、青(B)の3色に対応した色度の光を発する3種類の発光層14を含む。有機EL表示装置では、カラー表示を行う場合、R、G、Bの各色に対応する発光層が、ストライプ状、マトリクス状(モザイク状)、あるいはデルタ状などの所定の配列で基板上に配置される。また、この表示装置10は、有機EL素子の発光光を基板11側から取り出す、いわゆるバックエミッション型からなる。
【0020】
バックエミッション型の有機EL表示装置10では、発光層14の発光光のうち、基板11側に向けて発せられた光はそのまま基板11を通過して取り出される。一方、基板11側とは反対側に向けて発せられた光は、陰極16側において反射され、その後、基板11側から取り出される。すなわち、表示装置10から取り出される光(観察される光)には、はじめから基板11側に向けて発せられた光と、陰極16側において反射した光とが含まれる。なお、この表示装置10では、発光層14の発光光は、陰極16の外側に配置された色度補正層25によって反射される。
【0021】
ここで、表示装置10では、基板11側から光を取り出す構成であることから、基板11としては、透明あるいは半透明なものが用いられる。
また、陽極13、及び陰極16の形成材料も同様に、透明性を有するものが用いられる。
【0022】
色度補正層25は、光を反射しかつその光の色度を補正するものであり、例えば、高屈折率の薄膜と低屈折率の薄膜とを交互に積層した多層干渉膜が用いられる。多層干渉膜は、例えば、誘電体薄膜により形成され、特定の波長領域の光を透過する一方で、その波長領域以外の光を反射することによって、色フィルタとしての機能を有する。多層干渉膜の形成材料としては、例えば、酸化ケイ素や酸化チタン等の誘電体材料が用いられる。
多層干渉膜は、例えば、真空蒸着法等によって膜付けした後、例えば、フォトレジストによってパターニングし、湿式或いは乾式のエッチングによりパターン化するフォトリソグラフィ法により形成することができる。また、シャドーマスクを用いた真空蒸着やスパッタリング、CVD法などによりパターニングしても良い。
【0023】
また、封止部17は、水や酸素の侵入を防いで陰極16あるいは機能層15の酸化を防止するものであり、基板11に塗布される封止樹脂、及び基板11に貼り合わされる封止基板(封止缶)等を含む。封止樹脂の材料としては、例えば、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等が用いられ、特に、熱硬化樹脂の1種であるエポキシ樹脂が好ましく用いられる。封止樹脂は、基板11の周縁に環状に塗布されており、例えば、マイクロディスペンサ等により塗布される。封止基板は、ガラスや金属等からなり、基板11と封止基板とは封止樹脂を介して張り合わされる。
【0024】
上記構成の表示装置10では、発光層14の発光光のうち、基板11とは反対側に向けて発せられた光は、色度補正層25に入射することにより、その色度が補正される。これにより、表示装置10から取り出される光の色度の最適化が図られる。また、発光層14の発光光のうち、はじめから基板11側に向けて発せられる光は、色度補正層25に入射することなく基板11側から取り出される。このように、発光層14から発せられた光の一部の光に対してのみ、色度の補正が行われることから、発光層に対して基板側に色度補正膜を配置する場合に比べて、観察される光の輝度低下が抑制される。
【0025】
なお、上述した例では、色度補正層25として多層干渉膜を用いた構成について説明したが、着色された金属微粒子を用いて色度補正層25を形成してもよい。
この場合、金属微粒子は、その表面が有機顔料により着色されている。有機顔料は金属微粒子の表面に蒸着法により付着される。
【0026】
基材となる金属微粒子としては、アルミニウム、亜鉛、金、銀、銅、ブロンズ、ニッケル、チタン、ステンレス、白金、鉄等のうち少なくとも1種の金属又はこれらの合金が挙げられる。これらの材料のうち、アルミニウムが、金属光沢に優れている点や安価である点、あるいは比重が小さいため取り扱い易い点で好適である。金属微粒子の粒径は5〜100μmであることが好ましく、可能な限り小さい(例えば5〜7μm)ことが好ましい。
【0027】
前記金属微粒子の表面に蒸着により付着させる有機顔料は、標準状態での蒸発温度が300〜600℃程度のものが好適である。有機顔料としては、フタロシアニン、ハロゲン化フタロシアニン、キナクリドン、ジケトピロロピロール、イソインドリノン、アゾメチン金属錯体、インダンスロン、ペリレン、ペリノン、アントラキノン、ジオキサジン、ベンゾイミダゾロン、縮合アゾ、トリフェニルメタン、キノフタロン、アントラピリミジン等が挙げられる。
【0028】
蒸着させる有機顔料の量は、好ましくは金属微粒子の表面積1m2当たり0.05〜0.5g、より好ましくは0.1〜0.3gの範囲である。これよりも少ない場合は充分着色させることが出来ず、多すぎると有機顔料の脱落が生じ易くなる。
【0029】
有機顔料を金属微粒子に蒸着させる蒸着装置としては、真空容器内に粉体流動化装置及び抵抗加熱装置を備えたものが好ましい。粉体流動化装置としては撹拌羽根、スクリュー、スクレーパー、回転式流動化装置、振動式流動化装置等が挙げられる。抵抗加熱装置の電圧および電流は、蒸発させる有機顔料の昇華温度及びその量に応じて決定される。有機顔料を蒸発させる温度は200℃から700℃、より好ましくは300℃から500℃である。これよりも温度が低い場合は有機顔料を蒸発させることができず、温度がより高い場合は有機顔料が熱により分解してしまうので好ましくない。
【0030】
このようにして得られた着色金属微粒子は、その表面に蒸着された有機顔料の連続した層もしくは薄膜が形成されているため、鮮やかな色調を示し、かつ金属光沢も優れている。さらに着色顔料が層もしくは薄膜として付着しているため脱落しにくく、有機溶媒やバインダー樹脂に分散する場合にも着色顔料が剥がれにくいという利点がある。
【0031】
そして、着色された金属微粒子は液体材料中に分散される。金属微粒子を分散させて液体材料とする溶媒としては、炭素数5以上のアルコール類(例えばテルピネオール、シトロネロール、ゲラニオール、ネロール、フェネチルアルコール)の1種以上を含有する溶媒、又は有機エステル類(例えば酢酸エチル、オレイン酸メチル、酢酸ブチル、グリセリド)の1種以上を含有する溶媒であればよく、使用する金属により適宜選択できる。更には、ミネラルスピリット、トリデカン、ドデシルベンゼンもしくはそれらの混合物、又はそれらにα−テルピネオールを混合したもの、炭素数5以上の炭化水素(例えば、ピネン等)、アルコール(例えば、n−ヘプタノール等)、エーテル(例えば、エチルベンジルエーテル等)、エステル(例えば、n−ブチルステアレート等)、ケトン(例えば、ジイソブチルケトン等)、有機窒素化合物(例えば、トリイソプロパノールアミン等)、有機ケイ素化合物(シリコーン油等)、有機硫黄化合物もしくはそれらの混合物を用いることもできる。
ここで、インクジェット装置IJとしては高沸点溶媒が好ましいので、例えば沸点250℃程度のテトラデカンを用いることが好ましい。使用する溶媒を選択することにより、インクの粘度を調整することができる。
【0032】
なお、有機溶媒中に必要に応じて適当な有機物を添加してもよい。また、基材の異なる金属材料からなる複数種類の着色金属微粒子を混合して用いてもよい。
【0033】
蒸着した有機顔料の密着性は、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤、樹脂等で蒸着層(有機顔料層)の上からコーティングすることによりさらに改善される。使用されるシランカップリング剤としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニル・トリス(β−メトキシエトキシ)シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン等が例示され得る。また、チタネートカップリング剤としては、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリ(ジオクチルホスフェート)チタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリ(N−アミノエチル・アミノエチル)チタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ジイソステアロイルエチレンチタネート等が挙げられる。シランカップリング剤、チタネートカップリング剤共に、分子中にアミノ基を含むものが基材との密着性が良好であるために特に好ましい。これらのカップリング剤で処理する場合には、炭化水素系溶媒、アルコール系溶媒等に有機着色顔料を蒸着した着色金属微粒子を分散させたスラリーにカップリング剤と、必要に応じて水を添加し、加熱撹拌して処理するか、あるいは着色金属微粒子に溶媒を添加してペースト状とし、混練する際にカップリング剤を添加する方法が好ましい。このようにして処理した着色金属微粒子は、その表面がシランカップリング剤またはチタンカップリング剤が加水分解し縮合した形態で被覆されている。
【0034】
有機顔料層(蒸着層)の上から樹脂を被覆することによっても蒸着した有機顔料の密着性を向上できる。被覆する樹脂としては、例えば下記に示すモノマーから合成される合成樹脂が挙げられる。アクリル酸、メタクリル酸、メタクリル酸メチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸2−エチルヘキシル、アクリル酸ラウリル、アクリル酸ステアリル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸2−ヒドロキシエチル、アクリル酸2−ヒドロキシブチル、アクリル酸2−メトキシエチル、アクリル酸2−ジエチルアミノエチル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸オクチル、1,4−ブタンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、1,9−ノナンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、トリスアクリロキシエチルホスフェート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、ジビニルベンゼン、アクリルニトリル、メタクリルニトリル、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、マレイン酸、クロトン酸、イタコン酸、ポリブタジエン、アマニ油、大豆油、エポキシ化大豆油、エポキシ化ポリブタジエン、シクロヘキセンビニルモノオキサイド、ジビニルベンゼンモノオキサイド等が挙げられる。着色金属微粒子を樹脂で被覆する場合、該着色金属微粒子を炭化水素系あるいはアルコール系溶媒に分散したスラリーに上記のモノマーと過酸化ベンゾイル、過酸化イソブチル、アゾビスイソブチロニトリル等の重合開始剤を添加し、加熱撹拌してモノマーを重合させ、該着色金属フレーク顔料表面に析出させる方法が好ましい。
【0035】
着色された金属微粒子を用いて色度補正層25を形成する場合、その金属微粒子を含む液体材料を用いて、例えば液滴吐出法(インクジェット法)などを用いて、形成工程の簡素化を図ることが可能になる。
【0036】
液滴吐出方式の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に30kg/cm2程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子(圧電素子)がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出してノズルから吐出させるものである。また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル(泡)を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。
【0037】
液滴吐出方式は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。
【0038】
図2は、本発明の発光装置を有機EL表示装置に適用した他の形態例を示しており、この表示装置50は、回路素子部が設けられる基板11とは反対側から発光層14の発光光を取り出す、いわゆるトップエミッション型からなる。なお、図2において、図1に示した表示装置10と同様の機能を有する構成要素は同一の符号を付し、その説明を省略または簡略化する。
【0039】
トップエミッション型の有機EL表示装置50では、発光層14の発光光のうち、基板11側に向けて発せられた光は、陽極13側で反射され、その後、発光層14を通過して、基板11側とは反対側から取り出される。一方、基板11側とは反対側に向けて発せられた光は、そのまま陰極16等を通過して取り出される。すなわち、表示装置50から取り出される光には、陽極13側で反射した光と、はじめから基板11側とは反対側に向けて発せられた光とが含まれる。
【0040】
この表示装置50では、陽極13側において、発光層14に対して、陽極13の外側に色度補正層55が配置されている。発光層14の発光光は、陽極13側において、色度補正膜20を通過した後、反射層21によって反射される。
発光層14の発光光のうち、基板11側に向けて発せられた光は、色度補正層55に入射することにより、その色度が補正される。これにより、観察される光の色度の最適化が図られる。また、発光層14の発光光のうち、はじめから基板とは反対側に向けて発せられる光は、色度補正層55に入射することなく取り出される。このように、発光層14から発せられた光の一部の光に対してのみ、色度の補正が行われることから、観察される光の輝度低下が抑制される。
トップエミッション型の場合、基板の反対側から光を取り出すので、画素の開口率を大きく取ることができるという利点を有する。
【0041】
次に、先の図1に示した表示装置10についてさらに詳しく説明する。
図3は、上述した表示装置10の回路構造の一例を示し、図4は、表示装置10における画素部の平面構造の一例を示している。
【0042】
表示装置10は、図3に示すように、基体としての基板上に、複数の走査線131と、これら走査線131に対して交差する方向に延びる複数の信号線132と、これら信号線132に並列に延びる複数の共通給電線133とがそれぞれ配線され、走査線131及び信号線132の各交点毎に、画素(画素領域素)102が設けられている。
【0043】
信号線132に対しては、例えば、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ側駆動回路103が設けられている。一方、走査線131に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路104が設けられている。また、画素領域102の各々には、走査線131を介して走査信号がゲート電極に供給される第1の薄膜トランジスタ142と、この第1の薄膜トランジスタ142を介して信号線132から供給される画像信号を保持する保持容量capと、保持容量capによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第2の薄膜トランジスタ143と、この第2の薄膜トランジスタ143を介して共通給電線133に電気的に接続したときに共通給電線133から駆動電流が流れ込む画素電極(陽極)13と、この画素電極13と対向電極(陰極)16との間に挟んで配置される発光部140(発光層)と、が設けられている。
【0044】
また、図4に示すように、各画素102の平面構造は、平面形状が長方形の画素電極13の四辺が、信号線132、共通給電線133、走査線131及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲まれた配置となっている。画素領域102の平面形状は、図に示す矩形の他に、円形、長円形など任意の形状が適用される。
【0045】
このような構成のもとに、走査線131が駆動されて第1の薄膜トランジスタ142がオンとなると、そのときの信号線132の電位が保持容量capに保持され、該保持容量capの状態に応じて、第2の薄膜トランジスタ143の導通状態が決まる。そして、第2の薄膜トランジスタ143のチャネルを介して共通給電線133から画素電極13に電流が流れ、さらに発光部140を通じて対向電極16に電流が流れることにより、発光部140は、これを流れる電流量に応じて発光するようになる。
【0046】
図5は、画素部102(有機EL素子)の断面構造を拡大して示している。
図5において、有機EL素子は、基板と、透明電極材料からなる陽極13(画素電極)と、正孔を注入あるいは輸送可能な正孔注入層(正孔輸送層)285と、電気光学物質の1つである有機EL物質を含む発光層14(有機EL層)と、発光層14の上面に設けられている陰極16(対向電極)と、基板11上に形成され、陽極13にデータ信号を書き込むか否かを制御する通電制御部としての薄膜トランジスタ142、143とを有している。なお、発光層14と陰極16との間に電子輸送層を設けてもよい。
また、発光層14に対して、陰極16の外側には、前述した色度補正層25が配置されている。
【0047】
薄膜トランジスタ142、143は、本例では、双方ともnチャネル型に形成されている。なお、薄膜トランジスタ142、143は、双方ともnチャネル型TFTに限らず、双方またはどちらか一方にpチャネル型の薄膜トランジスタを用いてもよい。
【0048】
薄膜トランジスタ142、143は、例えばSiO2を主体とする下地保護膜201を介して基板11の表面に設けられており、下地保護膜201の上層に形成されたシリコン等からなる半導体膜204、205と、半導体膜204、205を覆うように、下地保護膜201の上層に設けられたゲート絶縁膜220と、ゲート絶縁膜220の上面のうち半導体膜204、205に対向する部分に設けられたゲート電極229、230と、ゲート電極229、230を覆うようにゲート絶縁膜220の上層に設けられた第1層間絶縁膜250と、ゲート絶縁膜220及び第1層間絶縁膜250にわたって開孔するコンタクトホールを介して半導体膜204、205と接続するソース電極262、263と、ゲート電極229、230を挟んでソース電極262、263と対向する位置に設けられ、ゲート絶縁膜220及び第1層間絶縁膜250にわたって開孔するコンタクトホールを介して半導体膜204、205と接続するドレイン電極265、266と、ソース電極262、263及びドレイン電極265、266を覆うように第1層間絶縁膜250の上層に設けられた第2層間絶縁膜270とを備えている。
【0049】
また、第2層間絶縁膜270の上面に画素電極(陽極)13が配置され、画素電極13とドレイン電極266とは、第2層間絶縁膜270に設けられたコンタクトホールを介して接続されている。また、第2層間絶縁膜270の表面のうち有機EL素子が設けられている以外の部分と陰極16との間には、合成樹脂などからなる第3絶縁層(バンク層)281が設けられている。
なお、図5では、バンク層281は頂辺の長さが底辺の長さより小であるテーパー構造を有しているが、逆に頂辺の長さが底辺の長さと同等あるいは大となるような構造であってもよい。
また、第1層間絶縁膜250と第2層間絶縁膜270の材質が互いに異なる場合、図に示すように、第1層間絶縁膜250に設けられたコンタクトホールと第2層間絶縁膜270に設けられたコンタクトホール275とは、重ならないように形成されるのが好ましい。
【0050】
また、半導体膜204、205のうち、ゲート絶縁膜220を挟んでゲート電極229、230と重なる領域がチャネル領域246、247とされている。また、半導体膜204、205のうち、チャネル領域246、247のソース側にはソース領域233、236が設けられている一方、チャネル領域246、247のドレイン側にはドレイン領域234、235が設けられている。このうち、ソース領域233、236が、ゲート絶縁膜220と第1層間絶縁膜250とにわたって開孔するコンタクトホールを介して、ソース電極262、263に接続されている。一方、ドレイン領域234、235が、ゲート絶縁膜220と第1層間絶縁膜250とにわたって開孔するコンタクトホールを介して、ソース電極262、263と同一層からなるドレイン電極265、266に接続されている。画素電極13は、ドレイン電極266を介して、半導体膜205のドレイン領域235に電気的に接続されている。
【0051】
次に、本発明の発光装置の製造方法を、上述した有機EL表示装置を製造するプロセスに適用した実施例について図6〜図9を参照して説明する。なお、本例では、前述した薄膜トランジスタ142、143を含む有機EL素子と同時に、N型及びP型の駆動回路用の薄膜トランジスタとを同時に製造するプロセスについて説明する。
【0052】
まず、図6(a)に示すように、基板11に対し、必要に応じてTEOS(テトラエトキシシラン)や酸素ガスなどを原料としてプラズマCVD法により厚さ約200〜500nmのシリコン酸化膜からなる下地保護膜201を形成する。なお、下地保護膜として、シリコン酸化膜の他に、シリコン窒化膜やシリコン酸化窒化膜を設けてもよい。こうした絶縁膜を設けることにより、放熱性を高めることが可能となる。
【0053】
次に、基板11の温度を約350℃に設定して、下地保護膜の表面に、ICVD法、プラズマCVD法などを用いて厚さ約30〜70nmのアモルファスシリコン膜からなる半導体膜200を形成する。半導体膜200としては、アモルファスシリコン膜に限定されず、微結晶半導体膜などのアモルファス構造を含む半導体膜であればよい。また、アモルファスシリコンゲルマニウム膜などの非晶質構造を含む化合物半導体膜でもよい。
続いて、この半導体膜200に対してレーザアニール法や、急速加熱法(ランプアニール法や熱アニール法など)などの結晶化工程を行い、半導体膜200をポリシリコン膜に結晶化する。レーザアニール法では、例えばエキシマレーザでビームの長寸が400mmのラインビームを用い、その出力強度は例えば200mJ/cm2とする。なお、YAGレーザーの第2高調波或いは第3高調波を用いてもよい。ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の90%に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査するのがよい。
【0054】
次に、図6(b)に示すように、フォトリソグラフィ法等を用いたパターニングにより、半導体膜(ポリシリコン膜)200の不要な部分を除去して、薄膜トランジスタの各形成領域に対応して、島状の半導体膜202、203、204、205を形成する。
続いて、TEOSや酸素ガスなどを原料としてプラズマCVD法により厚さ約60〜150nmのシリコン酸化膜または窒化膜(シリコン酸化窒化膜など)からなるゲート絶縁膜220を半導体膜200を覆うように形成する。ゲート絶縁膜220は単層構造でも積層構造でもよい。なお、プラズマCVD法に限らず、熱酸化法などの他の方法を用いてもよい。また、熱酸化法を利用してゲート絶縁膜220を形成する際には、半導体膜200の結晶化も行い、これらの半導体膜をポリシリコン膜とすることができる。
【0055】
次に、図6(c)に示すように、ゲート絶縁膜220の全表面に、ドープドシリコン、シリサイド膜や、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を含むゲート電極形成用導電膜221を形成する。この導電膜221の厚さは例えば200nm程度である。
続いて、ゲート電極形成用導電膜221の表面にパターニング用マスク222を形成し、この状態でパターニングを行なって、図6(d)に示すように、P型の駆動回路用トランジスタを形成する側にゲート電極223を形成する。このとき、N型の画素電極用トランジスタ及びN型の駆動回路用トランジスタの側では、ゲート電極形成用導電膜221がパターニング用マスク222で覆われているので、ゲート電極形成用導電膜221はパターニングされることはない。また、ゲート電極は単層の導電膜で形成してもよく、積層構造としてもよい。
【0056】
次に、図6(e)に示すように、P型の駆動回路用トランジスタのゲート電極223と、N型の画素電極用トランジスタが形成される領域とN型の駆動回路用トランジスタが形成される領域とに残したゲート電極形成用導電膜221をマスクとして、p型不純物元素(本例ではボロン)をイオン注入する。ドーズ量は例えば約1×1015cm−2である。その結果、不純物濃度が例えば1×1020cm−3の高濃度のソース・ドレイン領域224、225がゲート電極223に対して自己整合的に形成される。ここで、ゲート電極223で覆われ、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域226となる。
【0057】
次に、図7(a)に示すように、P型の駆動回路用トランジスタの側を完全に覆い、かつ、N型の画素電極用TFT10およびN型の駆動回路用トランジスタの側のゲート電極形成領域を覆うレジストマスク等からなるパターニング用マスク227を形成する。
【0058】
次に、図7(b)に示すように、パターニング用マスク227を使用してゲート電極形成用導電膜221をパターニングし、N型の画素電極用トランジスタおよびN型の駆動回路用トランジスタのゲート電極228、229、230を形成する。
続いて、パターニング用マスク227を残したまま、n型不純物元素(本例ではリン)をイオン注入する。ドーズ量は例えば1×1015cm−2である。その結果、パターニング用マスク227に対して自己整合的的に不純物が導入され、半導体膜203、204、205中に高濃度ソース・ドレイン領域231、232、233、234、235、236が形成される。ここで、半導体膜203、204、205のうち、高濃度のリンが導入されない領域は、ゲート電極228、229、230で覆われていた領域よりも広い。すなわち、半導体膜203、204、205のうち、ゲート電極228、229、230と対向する領域の両側には高濃度ソース・ドレイン領域231、232、233、234、235、236との間に高濃度のリンが導入されない領域(後述する低濃度ソース・ドレイン領域)が形成される。
【0059】
次に、パターニング用マスク227を除去し、この状態でn型不純物元素(本例ではリン)をイオン注入する。ドーズ量は例えば1×1013cm−2である。その結果、図7(c)に示すように、半導体膜203、204、205にはゲート電極228、229、230に対して自己整合的に低濃度の不純物が導入され、低濃度ソース・ドレイン領域237、238、239、240、241、242が形成される。なお、ゲート電極228、229、230と重なる領域には不純物が導入されず、チャネル領域245、246、247が形成される。
【0060】
次に、図7(d)に示すように、ゲート電極228、229、230の表面側に第1層間絶縁膜250を形成し、フォトリソグラフィ法等によってパターニングして所定のソース電極位置、ドレイン電極位置にコンタクトホールを形成する。第1層間絶縁膜250としては、例えば、シリコン酸化窒化膜やシリコン酸化膜等のシリコンを含む絶縁膜を用いるとよい。また、単層でもよく積層膜でもよい。さらに、水素を含む雰囲気中で、熱処理を行い半導体膜の不対結合手を水素終端(水素化)する。なお、プラズマにより励起された水素を用いて水素化を行ってもよい。
続いて、この上からアルミニウム膜、クロム膜やタンタル膜などの金属膜を用いてソース電極、ドレイン電極となる導電膜251を形成する。導電膜251の厚さは例えば200nm〜300nm程度である。導電膜は単層でもよく積層膜でもよい。
続いて、ソース電極、ドレイン電極の位置にパターニング用マスク252を形成するとともに、パターニングを行って、図7(e)に示すソース電極260、261、262、263、及びドレイン電極264、265、266を同時に形成する。
【0061】
次に、図8(a)に示すように、窒化珪素等からなる第2層間絶縁膜270を形成する。この第2層間絶縁膜270の厚さは、例えば1〜2μm程度である。第2層間絶縁膜270の形成材料としては、シリコン酸化膜や有機樹脂、シリカエアロゲルなどの光を透過可能な材料が用いられる。有機樹脂としてはアクリル、ポリイミド、ポリアミド、BCB(ベンゾシクロブテン)等を用いることができる。
【0062】
次に、図8(b)に示すように、第2層間絶縁膜270をエッチング除去してドレイン電極266に達するコンタクトホール275を形成する。
【0063】
次に、図8(c)に示すように、コンタクトホール275内にも埋め込まれるように、例えばITOやフッ素をドープしてなるSnO2、さらにZnOやポリアニリン等の透明電極材料からなる膜を形成し、ソース・ドレイン領域235、236に電気的に接続する画素電極13を形成する。なお、この画素電極13がEL素子の陽極となる。
【0064】
次に、図9(a)に示すように、画素電極13を挟むように、第3絶縁層(バンク層)29を形成する。具体的には、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などのレジストを溶媒に融かしたものを、スピンコート、ディップコート等により塗布して絶縁層を形成し、絶縁層をフォトリソグラフィ技術等により同時にエッチングする。第3絶縁層29としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの合成樹脂が用いられる。なお、信号線、共通給電線、走査線等の配線を含むバンク層を形成してもよい。
【0065】
続いて、画素電極13を覆うように正孔注入層285を形成する。
本例では、形成材料を液滴にして吐出する液滴吐出装置を用いて正孔輸送層285を形成する。すなわち、ノズル114から基板11に向けて正孔注入層285の形成材料を放出する。所定量の材料が基板11上に配置されることにより、基板11上に正孔注入層285が形成される。
【0066】
また、材料が基板11上にて液状となった場合には、その流動性によって水平方向に広がろうとするものの、第3絶縁層(バンク層)の隔壁によって、その広がりが防止される。なお、処理条件や材料の特性等により、材料の流動による不都合が生じない場合には、第3絶縁層の高さを低くしたり、隔壁を用いない構造としてもよい。また、ノズル114から材料を基板11上に放出した後、基板11に対して、必要に応じて加熱あるいは光照射等の処理を行って材料を固化あるいは硬化させてもよい。
【0067】
正孔注入層の形成材料としては、例えばポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の混合物であるPEDT/PSSを用いることが望ましい。その他、ポリアニリンとポリスチレンスルホン酸との混合物や銅フタロシアニン(CuPc)が挙げられる。また、低分子型有機EL素子等において正孔注入層と正孔輸送層を両方形成する場合には、例えば、正孔輸送層の形成に先立って正孔注入層を画素電極側に形成し、その上に正孔輸送層を形成するのが好ましい。このように正孔注入層を正孔輸送層とともに形成することにより、駆動電圧の上昇を制御することができるとともに、駆動寿命(半減期)を長くすることができる。
【0068】
次に、図9(b)に示すように、正孔注入層285上に発光層14を形成する。
本例では、先の正孔注入層と同様に、前述した液滴吐出装置を用いてこの発光層14を形成する。すなわち、ノズル114から基板11に向けて発光層14の形成材料を液滴にして吐出する。
【0069】
発光層14の形成材料としては、高分子発光体を用いることができ、側鎖に発光基を有する高分子を用いることができるが、好ましくは共役系構造を主鎖に含むもので、特に、ポリフルオレン、ポリ−p−フェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリアリーレンビニレン、およびその誘導体が好ましい。中でもポリアリーレンビニレンおよびその誘導体が好ましい。該ポリアリーレンビニレンおよびその誘導体は、下記化学式(1)で示される繰り返し単位を全繰り返し単位の50モル%以上含む重合体である。繰り返し単位の構造にもよるが、化学式(1)で示される繰り返し単位が全繰り返し単位の70%以上であることがさらに好ましい。
−Ar−CR=CR’− …(1)
〔ここで、Arは、共役結合に関与する炭素原子数が4個以上20個以下からなるアリーレン基または複素環化合物基、R、R’はそれぞれ独立に水素、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数4〜20の複素環化合物、シアノ基からなる群から選ばれた基を示す。〕
【0070】
該高分子蛍光体は、化学式(1)で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位として、芳香族化合物基またはその誘導体、複素環化合物基またはその誘導体、およびそれらを組み合わせて得られる基などを含んでいてもよい。また、化学式(1)で示される繰り返し単位や他の繰り返し単位が、エーテル基、エステル基、アミド基、イミド基などを有する非共役の単位で連結されていてもよいし、繰り返し単位にそれらの非共役部分が含まれていてもよい。
【0071】
前記高分子蛍光体において化学式(1)のArとしては、共役結合に関与する炭素原子数が4個以上20個以下からなるアリーレン基または複素環化合物基であり、下記の化学式(2)で示す芳香族化合物基またはその誘導体基、複素環化合物基またはその誘導体基、およびそれらを組み合わせて得られる基などが例示される。また、低分子型有機EL素子においては低分子蛍光体例えばナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリメチン系、キサテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、8−ヒドロキノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体等、または特開昭57−51781、同59−194393号公報等に記載されている公知のものが使用可能である。
【0072】
なお、必要に応じて、発光層上に電子輸送層を設けることができる。
電子輸送層の形成材料としては、特に限定されることなく、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンおよびその誘導体、ジフェノキノン誘導体、8−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体等が例示される。具体的には、先の正孔輸送層の形成材料と同様に、特開昭63−70257号、同63−175860号公報、特開平2−135359号、同2−135361号、同2−209988号、同3−37992号、同3−152184号公報に記載されているもの等が例示され、特に2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス(8−キノリノール)アルミニウムが好適とされる。
【0073】
なお、正孔注入層(正孔輸送層)285の形成材料や電子輸送層287の形成材料を、発光層14の形成材料に混合し、発光層形成材料として使用してもよい。その場合、正孔輸送層形成材料や電子輸送層形成材料の使用量については、使用する化合物の種類等によっても異なるものの、十分な成膜性と発光特性を阻害しない量範囲でそれらを考慮して適宜決定される。通常は、発光層形成材料に対して1〜40重量%とされ、さらに好ましくは2〜30重量%とされる。
【0074】
次に、図9(c)に示すように、基板11の表面全体に、あるいはストライプ状に陰極としての対向電極16を形成する。さらに、対向電極16の外側に、色度補正層25を形成する。
【0075】
色度補正層25を多層干渉膜を用いて形成する場合、例えば、フォトリソグラフィ法を用いることができる。
また、着色された金属微粒子を用いて色度補正層25を形成する場合、例えば、液滴吐出法(インクジェット法)を用いることができる。
【0076】
液滴吐出法により、着色された金属微粒子を用いて色度補正層を形成する方法の一例は次のとおりである。
まず、形成対象となる物体(対向電極16)の表面に、親液性を示す領域と撥液性を示す領域とを設ける。例えば、プラズマ処理工程により上記各領域を設けることができる。具体的にプラズマ処理工程は、予備加熱工程と、物体表面を親液性にする親液化工程と、物体表面を撥液性にする撥液化工程と、冷却工程とを有している。
すなわち、基材を所定温度(例えば70〜80℃程度)に加熱し、次いで親液化工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理(O2プラスマ処理)を行う。続いて、撥液化工程として大気雰囲気中で4フッ化メタンを反応ガスとするプラスマ処理(CF4プラスマ処理)を行い、プラズマ処理のために加熱された基材を室温まで冷却することで、親液性及び撥液性が所定箇所に付与される。
次に、液滴吐出装置(インクジェット装置)を用いて、物体表面の所望の位置に、着色された金属微粒子を含むインク(液体材料)を液滴にして吐出する。この場合、発光層14の位置に対応して、バンク層29に沿って対向電極(陰極)16の表面に凹部が設けられている場合、その凹部内の親液処理された領域内でインク滴が広がる。一方、その凹部内の撥液処理された領域ではインク滴がはじかれて付着しない。つまり、インク滴が所定の吐出位置から物体表面に吐出されたとしても、インク滴を所望の位置に配置することができる。
物体表面に、着色された金属微粒子を含むインクが配置されると、インクに含まれる溶媒を除去するための乾燥処理及び熱処理を行うことにより、色度補正層が形成される。
【0077】
以上のプロセスにより、有機EL素子、及びN型及びP型の駆動回路用の薄膜トランジスタが完成する。
【0078】
ここで、上記した化学式(2)を示す。
【化1】
(R1〜R92は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜20のアルキル基、アルコキシ基およびアルキルチオ基;炭素数6〜18のアリール基およびアリールオキシ基;ならびに炭素数4〜14の複素環化合物基からなる群から選ばれた基である。)
【0079】
これらのなかでフェニレン基、置換フェニレン基、ビフェニレン基、置換ビフェニレン基、ナフタレンジイル基、置換ナフタレンジイル基、アントラセン−9,10−ジイル基、置換アントラセン−9,10−ジイル基、ピリジン−2,5−ジイル基、置換ピリジン−2,5−ジイル基、チエニレン基および置換チエニレン基が好ましい。さらに好ましくは、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフタレンジイル基、ピリジン−2,5−ジイル基、チエニレン基である。
【0080】
化学式(1)のR、R’が水素またはシアノ基以外の置換基である場合について述べると、炭素数1〜20のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ラウリル基などが挙げられ、メチル基、エチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基が好ましい。アリール基としては、フェニル基、4−C1〜C12アルコキシフェニル基(C1〜C12は炭素数1〜12であることを示す。以下も同様である。)、4−C1〜C12アルキルフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基などが例示される。
【0081】
溶媒可溶性の観点からは化学式(1)のArが、1つ以上の炭素数4〜20のアルキル基、アルコキシ基およびアルキルチオ基、炭素数6〜18のアリール基およびアリールオキシ基ならびに炭素数4〜14の複素環化合物基から選ばれた基を有していることが好ましい。
【0082】
これらの置換基としては以下のものが例示される。炭素数4〜20のアルキル基としては、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ラウリル基などが挙げられ、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基が好ましい。また、炭素数4〜20のアルコキシ基としては、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ラウリルオキシ基などが挙げられ、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基が好ましい。炭素数4〜20のアルキルチオ基としては、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、デシルオキシ基、ラウリルチオ基などが挙げられ、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基が好ましい。アリール基としては、フェニル基、4−C1〜C12アルコキシフェニル基、4−C1〜C12アルキルフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基などが例示される。アリールオキシ基としては、フェノキシ基が例示される。複素環化合物基としては2−チエニル基、2−ピロリル基、2−フリル基、2−、3−または4−ピリジル基などが例示される。これら置換基の数は、該高分子蛍光体の分子量と繰り返し単位の構成によっても異なるが、溶解性の高い高分子蛍光体を得る観点から、これらの置換基が分子量600当たり1つ以上であることがより好ましい。
【0083】
なお、前記高分子蛍光体は、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。蛍光の量子収率の高い高分子蛍光体を得る観点からは完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロックまたはグラフト共重合体が好ましい。また、ここで形成する有機エレクトロルミネッセンス素子は、薄膜からの蛍光を利用することから、該高分子蛍光体は固体状態で蛍光を有するものが用いられる。
【0084】
該高分子蛍光体に対して溶媒を使用する場合に、好適なものとしては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレンなどが例示される。高分子蛍光体の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に0.1wt%以上溶解させることができる。
また、前記高分子蛍光体としては、分子量がポリスチレン換算で103〜107であることが好ましく、それらの重合度は繰り返し構造やその割合によっても変わる。成膜性の点から一般には繰り返し構造の合計数で好ましくは4〜10000、さらに好ましくは5〜3000、特に好ましくは10〜2000である。
【0085】
このような高分子蛍光体の合成法としては、特に限定されないものの、例えばアリーレン基にアルデヒド基が2つ結合したジアルデヒド化合物と、アリーレン基にハロゲン化メチル基が2つ結合した化合物とトリフェニルホスフィンとから得られるジホスホニウム塩からのWittig反応が例示される。また、他の合成法としては、アリーレン基にハロゲン化メチル基が2つ結合した化合物からの脱ハロゲン化水素法が例示される。さらに、アリーレン基にハロゲン化メチル基が2つ結合した化合物のスルホニウム塩をアルカリで重合して得られる中間体から熱処理により該高分子蛍光体を得るスルホニウム塩分解法が例示される。いずれの合成法においても、モノマーとして、アリーレン基以外の骨格を有する化合物を加え、その存在割合を変えることにより、生成する高分子蛍光体に含まれる繰り返し単位の構造を変えることができるので、化学式(1)で示される繰り返し単位が50モル%以上となるように加減して仕込み、共重合してもよい。これらのうち、Wittig反応による方法が、反応の制御や収率の点で好ましい。
【0086】
さらに具体的に、前記高分子蛍光体の1つの例であるアリーレンビニレン系共重合体の合成法を説明する。例えば、Wittig反応により高分子蛍光体を得る場合には、例えばまず、ビス(ハロゲン化メチル)化合物、より具体的には、例えば2,5−ジオクチルオキシ−p−キシリレンジブロミドをN,N−ジメチルホルムアミド溶媒中、トリフェニルホスフィンと反応させてホスホニウム塩を合成し、これとジアルデヒド化合物、より具体的には、例えば、テレフタルアルデヒドとを、例えばエチルアルコール中、リチウムエトキシドを用いて縮合させるWittig反応により、フェニレンビニレン基と2,5−ジオクチルオキシ−p−フェニレンビニレン基を含む高分子蛍光体が得られる。このとき、共重合体を得るために2種類以上のジホスホニウム塩および/または2種類以上のジアルデヒド化合物を反応させてもよい。
これらの高分子蛍光体を発光層の形成材料として用いる場合、その純度が発光特性に影響を与えるため、合成後、再沈精製、クロマトグラフによる分別等の純化処理をすることが望ましい。
なお、前記の高分子蛍光体からなる発光層の形成材料としては、フルカラー表示をなすため、赤、緑、青の三色の発光層形成材料が用いられる。
【0087】
また、上述した発光層を形成する際、その材料をホスト/ゲスト系の発光材料、すなわちホスト材料にゲスト材料が添加分散された発光材料によって形成してもよい。
このような発光材料としては、ホスト材料として例えば高分子有機化合物や低分子材料が、またゲスト材料として得られる発光層の発光特性を変化させるための蛍光色素、あるいは燐光物質を含んでなるものが好適に用いられる。
高分子有機化合物としては、溶解性の低い材料の場合、例えば前駆体が塗布された後、以下の化学式(3)に示すように加熱硬化されることによって共役系高分子有機エレクトロルミネッセンス層となる発光層を生成し得るものがある。例えば、前駆体のスルホニウム塩の場合、加熱処理されることによりスルホニウム基が脱離し、共役系高分子有機化合物となるもの等がある。
また、溶解性の高い材料では、材料をそのまま塗布した後、溶媒を除去して発光層にし得るものもある。
【0088】
【化2】
【0089】
前記の高分子有機化合物は固体で強い蛍光を持ち、均質な固体超薄膜を形成することができる。しかも、形成能に富みITO電極との密着性も高く、さらに、固化した後は強固な共役系高分子膜を形成する。
【0090】
このような高分子有機化合物としては、例えばポリアリーレンビニレンが好ましい。ポリアリーレンビニレンは水系溶媒あるいは有機溶媒に可溶で第2の基体11に塗布する際の塗布液への調製が容易であり、さらに一定条件下でポリマー化することができるため、光学的にも高品質の薄膜を得ることができる。
このようなポリアリーレンビニレンとしては、PPV(ポリ(パラ−フェニレンビニレン))、MO−PPV(ポリ(2,5−ジメトキシ−1,4−フェニレンビニレン))、CN−PPV(ポリ(2,5−ビスヘキシルオキシ−1,4−フェニレン−(1−シアノビニレン)))、MEH−PPV(ポリ[2−メトキシ−5−(2’−エチルヘキシルオキシ)]−パラ−フェニレンビニレン)、等のPPV誘導体、PTV(ポリ(2,5−チエニレンビニレン))等のポリ(アルキルチオフェン)、PFV(ポリ(2,5−フリレンビニレン))、ポリ(パラフェニレン)、ポリアルキルフルオレン等が挙げられるが、なかでも化学式(4)に示すようなPPVまたはPPV誘導体の前駆体からなるものや、化学式(5)に示すようなポリアルキルフルオレン(具体的には化学式(6)に示すようなポリアルキルフルオレン系共重合体)が特に好ましい。
PPV等は強い蛍光を持ち、二重結合を形成するπ電子がポリマー鎖上で非極在化している導電性高分子でもあるため、高性能の有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができる。
【0091】
【化3】
【0092】
【化4】
【0093】
【化5】
【0094】
なお、前記PPV薄膜の他に発光層を形成し得る高分子有機化合物や低分子材料、すなわち本例においてホスト材料として用いられるものは、例えばアルミキノリノール錯体(Alq3)やジスチリルビフェニル、さらに化学式(7)に示すBeBq2やZn(OXZ)2、そしてTPD、ALO、DPVBi等の従来より一般的に用いられているものに加え、ピラゾリンダイマー、キノリジンカルボン酸、ベンゾピリリウムパークロレート、ベンゾピラノキノリジン、ルブレン、フェナントロリンユウロピウム錯体等が挙げられ、これらの1種または2種以上を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用組成物を用いることができる。
【0095】
【化6】
【0096】
一方、このようなホスト材料に添加されるゲスト材料としては、前記したように蛍光色素や燐光物質が挙げられる。特に蛍光色素は、発光層の発光特性を変化させることができ、例えば、発光層の発光効率の向上、または光吸収極大波長(発光色)を変えるための手段としても有効である。すなわち、蛍光色素は単に発光層材料としてではなく、発光機能そのものを担う色素材料として利用することができる。例えば、共役系高分子有機化合物分子上のキャリア再結合で生成したエキシトンのエネルギーを蛍光色素分子上に移すことができる。この場合、発光は蛍光量子効率が高い蛍光色素分子からのみ起こるため、発光層の電流量子効率も増加する。したがって、発光層の形成材料中に蛍光色素を加えることにより、同時に発光層の発光スペクトルも蛍光分子のものとなるので、発光色を変えるための手段としても有効となる。
【0097】
なお、ここでいう電流量子効率とは、発光機能に基づいて発光性能を考察するための尺度であって、下記式により定義される。
ηE =放出されるフォトンのエネルギー/入力電気エネルギー
そして、蛍光色素のドープによる光吸収極大波長の変換によって、例えば赤、青、緑の3原色を発光させることができ、その結果フルカラー表示体を得ることが可能となる。
さらに蛍光色素をドーピングすることにより、エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を大幅に向上させることができる。
【0098】
蛍光色素としては、赤色の発色光を発光する発光層を形成する場合、レーザー色素のDCM−1、あるいはローダミンまたはローダミン誘導体、ペニレン等を用いるのが好ましい。これらの蛍光色素をPPVなどホスト材料にドープすることにより、発光層を形成することができるが、これらの蛍光色素は水溶性のものが多いので、水溶性を有するPPV前駆体であるスルホニウム塩にドープし、その後、加熱処理すれば、より均一な発光層の形成が可能になる。このような蛍光色素として具体的には、ローダミンB、ローダミンBベース、ローダミン6G、ローダミン101過塩素酸塩等が挙げられ、これらを2種以上混合したものであってもよい。
【0099】
また、緑色の発色光を発光する発光層を形成する場合、キナクリドン、ルブレン、DCJTおよびその誘導体を用いるのが好ましい。これらの蛍光色素についても、前記の蛍光色素と同様、PPVなどホスト材料にドープすることにより、発光層を形成することができるが、これらの蛍光色素は水溶性のものが多いので、水溶性を有するPPV前駆体であるスルホニウム塩にドープし、その後、加熱処理すれば、より均一な発光層の形成が可能になる。
【0100】
さらに、青色の発色光を発光する発光層を形成する場合、ジスチリルビフェニルおよびその誘導体を用いるのが好ましい。これらの蛍光色素についても、前記の蛍光色素と同様、PPVなどホスト材料にドープすることにより、発光層を形成することができるが、これらの蛍光色素は水溶性のものが多いので、水溶性を有するPPV前駆体であるスルホニウム塩にドープし、その後、加熱処理すれば、より均一な発光層の形成が可能になる。
【0101】
また、青色の発色光を有する他の蛍光色素としては、クマリンおよびその誘導体を挙げることができる。これらの蛍光色素は、PPVと相溶性がよく発光層の形成が容易である。また、これらのうち特にクマリンは、それ自体は溶媒に不溶であるものの、置換基を適宜に選択することによって溶解性を増し、溶媒に可溶となるものもある。このような蛍光色素として具体的には、クマリン−1、クマリン−6、クマリン−7、クマリン120、クマリン138、クマリン152、クマリン153、クマリン311、クマリン314、クマリン334、クマリン337、クマリン343等が挙げられる。
【0102】
さらに、別の青色の発色光を有する蛍光色素としては、テトラフェニルブタジエン(TPB)またはTPB誘導体、DPVBi等を挙げることができる。これらの蛍光色素は、前記赤色蛍光色素等と同様に水溶液に可溶であり、またPPVと相溶性がよく発光層の形成が容易である。
以上の蛍光色素については、各色ともに1種のみを用いてもよく、また2種以上を混合して用いてもよい。
なお、このような蛍光色素としては、化学式(8)に示すようなものや、化学式(9)に示すようなもの、さらに化学式(10)に示すようなものが用いられる。
【0103】
【化7】
【0104】
【化8】
【0105】
【化9】
【0106】
これらの蛍光色素については、前記共役系高分子有機化合物等からなるホスト材料に対し、後述する方法によって0.5〜10wt%添加するのが好ましく、1.0〜5.0wt%添加するのがより好ましい。蛍光色素の添加量が多過ぎると得られる発光層の耐候性および耐久性の維持が困難となり、一方、添加量が少な過ぎると、前述したような蛍光色素を加えることによる効果が十分に得られないからである。
【0107】
また、ホスト材料に添加されるゲスト材料としての燐光物質としては、化学式(11)に示すIr(ppy)3、Pt(thpy)2、PtOEPなどが好適に用いられる。
【0108】
【化10】
【0109】
なお、前記の化学式(11)に示した燐光物質をゲスト材料とした場合、ホスト材料としては、特に化学式(12)に示すCBP、DCTA、TCPBや、前記したDPVBi、Alq3が好適に用いられる。
また、前記蛍光色素と燐光物質については、これらを共にゲスト材料としてホスト材料に添加するようにしてもよい。
【0110】
【化11】
【0111】
なお、このようなホスト/ゲスト系の発光物質によって上述した発光層を形成する場合、ホスト材料とゲスト材料とを予め設定した量比で同時に吐出することにより、ホスト材料に所望する量のゲスト材料が添加された発光物質による発光層を形成することができる。
【0112】
また、上述した例では、発光層の下層として正孔輸送層を形成し、上層として電子輸送層を形成したが、本発明はこれに限定されることなく、例えば正孔輸送層と電子輸送層とのうちの一方のみを形成するようにしてもよく、また、正孔輸送層に代えて正孔注入層を形成するようにしてもよく、さらに発光層のみを単独で形成するようにしてもよい。
【0113】
さらに、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層に加えて、ホールブロッキング層を例えば発光層の対向電極側に形成して、発光層の長寿命化を図ってもよい。このようなホールブロッキング層の形成材料としては、例えば化学式(13)に示すBCPや化学式(14)で示すBAlqが用いられるが、長寿命化の点ではBAlqの方が好ましい。
【0114】
【化12】
【0115】
【化13】
【0116】
図10〜15は、本発明の電子機器の実施例を示している。
本例の電子機器は、上述した有機EL表示装置等の本発明の発光装置を表示手段として備えている。
図10は、テレビ画像やコンピュータ送られる文字や画像を表示する表示装置の一例を示している。図10において、符号1000は本発明の発光装置を用いた表示装置本体を示している。なお、表示装置本体1000は、上述した有機EL表示装置を用いることにより、大画面にも対応できる。
また、図11は、車載用のナビゲーション装置の一例を示している。図11において、符号1010はナビゲーション装置本体を示し、符号1011は本発明の発光装置を用いた表示部(表示手段)を示している。
また、図12は、携帯型の画像記録装置(ビデオカメラ)の一例を示している。図12において、符号1020は記録装置本体を示し、符号1021は本発明の発光装置を用いた表示部を示している。
また、図13は、携帯電話の一例を示している。図13において、符号1030は携帯電話本体を示し、符号1031は本発明の発光装置を用いた表示部(表示手段)を示している。
また、図14は、ワープロ、パソコンなどの情報処理装置の一例を示している。図14において、符号1040は情報処理装置を示し、符号1041は情報処理装置本体、符号1042はキーボードなどの入力部、符号1043は本発明の発光装置を用いた表示部を示している。
また、図15は、腕時計型電子機器の一例を示している。図15において、符号1050は時計本体を示し、符号1051は本発明の発光装置を用いた表示部を示している。
図10〜15に示す電子機器は、本発明の発光装置を表示手段として備えているので、観察される光の色度の最適化が図られ、良好な表示性能が得られる。
【0117】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【0118】
【発明の効果】
本発明の発光装置によれば、光の取り出し側とは反対側に配置された光学機能層によって、発光層の発光光の色度が補正されることにより、光の色度の最適化が図られる。また、発光層から発せられた光の一部の光に対してのみ、色度の補正を行うことにより、光の色度補正を行う場合であっても、輝度低下を抑制することができる。これにより、光の取り出し効率を高めることができる。
【0119】
また、本発明の発光装置の製造方法によれば、輝度の低下が抑制されかつ、光の色度が最適化された発光装置を製造することができる。
【0120】
また、本発明の電子機器によれば、光の色度が最適化された発光装置を備えることから、表示性能の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の発光装置の一実施形態に係る有機EL表示装置を概念的に示す図である。
【図2】本発明の発光装置を有機EL表示装置に適用した他の形態例を概念的に示す図である。
【図3】有機EL表示装置の回路構造の一例を示す回路図である。
【図4】有機EL表示装置における画素部の平面構造の一例を示す平面図である。
【図5】画素部(有機EL素子)の断面構造を拡大して示す図である。
【図6】本発明の電気光学装置の製造方法を有機EL素子を備える表示装置を製造するプロセスに適用した実施例を説明するための図である。
【図7】本発明の電気光学装置の製造方法を有機EL素子を備える表示装置を製造するプロセスに適用した実施例を説明するための図である。
【図8】本発明の電気光学装置の製造方法を有機EL素子を備える表示装置を製造するプロセスに適用した実施例を説明するための図である。
【図9】本発明の電気光学装置の製造方法を有機EL素子を備える表示装置を製造するプロセスに適用した実施例を説明するための図である。
【図10】本発明の電子機器の実施例を示す図である。
【図11】本発明の電子機器の他の実施例を示す図である。
【図12】本発明の電子機器の他の実施例を示す図である。
【図13】本発明の電子機器の他の実施例を示す図である。
【図14】本発明の電子機器の他の実施例を示す図である。
【図15】本発明の電子機器の他の実施例を示す図である。
【符号の説明】
10…有機EL表示装置(発光装置)、11…基板、13…陽極(画素電極、電極層)、14…発光層、16…陰極(対向電極、電極層)、25…色度補正層(光学機能層)。
Claims (20)
- 発光層を備える発光装置であって、
前記発光層に対して、前記発光層の発光光を取り出す側とは反対側に配置され、前記発光光を反射しかつ該発光光の光学的特性を変化させる光学機能層を備えることを特徴とする発光装置。 - 請求項1に記載の発光装置において、
前記光学機能層は、高屈折率の薄膜と低屈折率の薄膜とを積層した多層干渉膜を含むことを特徴とする発光装置。 - 請求項1または請求項2に記載の発光装置において、
前記光学機能層は、着色された金属微粒子を含むことを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記発光層は、赤、緑、青の各3色に対応する3種類の発光層を含み、
前記光学機能層は、前記3種類の発光層のうちの少なくとも1つの発光層に対して配置されることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記発光層に対して、前記発光光の取り出し側とは反対側に、前記発光層の発光光を透過する電極が配され、
前記光学機能層は、前記発光層との間に前記電極を挟んで配置されることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記発光層は、対向する2つの電極の間に配置されており、
前記光学機能層は、前記2つの電極のいずれか一方であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記光学機能層は、前記発光層を所定の物質から保護することを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記発光層は、有機EL層であることを特徴とする発光装置。 - 発光層を備える発光装置であって、
前記発光層に対して、前記発光層の発光光を取り出す側とは反対側に配置され、前記発光光を反射しかつ該発光光の色度を補正する色度補正層を備えることを特徴とする発光装置。 - 請求項9に記載の発光装置において、
前記色度補正層は、高屈折率の薄膜と低屈折率の薄膜とを積層した多層干渉膜を含むことを特徴とする発光装置。 - 請求項9または請求項10に記載の発光装置において、
前記色度補正層は、着色された金属微粒子を含むことを特徴とする発光装置。 - 請求項9乃至請求項11のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記発光層は、赤、緑、青の各3色に対応する3種類の発光層を含み、
前記色度補正層は、前記3種類の発光層のうちの少なくとも1つの発光層に対して配置されることを特徴とする発光装置。 - 請求項9乃至請求項12のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記発光層に対して、前記発光光の取り出し側とは反対側に、前記発光層の発光光を透過する電極が配され、
前記色度補正層は、前記発光層との間に前記電極を挟んで配置されることを特徴とする発光装置。 - 請求項9乃至請求項13のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記発光層は、対向する2つの電極の間に配置されており、
前記色度補正層は、前記2つの電極のいずれか一方であることを特徴とする発光装置。 - 請求項9乃至請求項14のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記色度補正層は、前記発光層を所定の物質から保護することを特徴とする発光装置。 - 請求項9乃至請求項15のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記発光層は、有機EL層であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項16のいずれか一項に記載の発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
- 発光層を備える発光装置を製造する方法であって、
前記発光層に対して発光光を取り出す側とは反対側に、前記発光光を反射しかつ該発光光の光学的特性を変化させる光学機能層を配置する工程を備えることを特徴とする発光装置の製造方法。 - 請求項18に記載の発光装置の製造方法において、
前記光学機能層を、液滴吐出法を用いて形成することを特徴とする発光装置の製造方法。 - 発光層を備える発光装置を製造する方法であって、
前記発光層に対して発光光を取り出す側とは反対側に、前記発光光を反射しかつ該発光光の色度を補正する色度補正層を配置する工程を備えることを特徴とする発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002240856A JP2004079428A (ja) | 2002-08-21 | 2002-08-21 | 発光装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002240856A JP2004079428A (ja) | 2002-08-21 | 2002-08-21 | 発光装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004079428A true JP2004079428A (ja) | 2004-03-11 |
Family
ID=32023526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002240856A Pending JP2004079428A (ja) | 2002-08-21 | 2002-08-21 | 発光装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004079428A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005105746A1 (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | 有機金属錯体、発光性固体、有機el素子及び有機elディスプレイ |
JP2006190536A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Victor Co Of Japan Ltd | 表示装置 |
WO2006134869A1 (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Pioneer Corporation | 表示装置 |
-
2002
- 2002-08-21 JP JP2002240856A patent/JP2004079428A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005105746A1 (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | 有機金属錯体、発光性固体、有機el素子及び有機elディスプレイ |
JP2006190536A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Victor Co Of Japan Ltd | 表示装置 |
WO2006134869A1 (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Pioneer Corporation | 表示装置 |
JPWO2006134869A1 (ja) * | 2005-06-15 | 2009-01-08 | パイオニア株式会社 | 表示装置 |
US7750896B2 (en) | 2005-06-15 | 2010-07-06 | Pioneer Corporation | Display device having intermediate films paired with light emitting elements for displaying a location specified by a user with a pointer |
JP4589389B2 (ja) * | 2005-06-15 | 2010-12-01 | パイオニア株式会社 | 表示装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4182467B2 (ja) | 回路基板、電気光学装置及び電子機器 | |
KR100508296B1 (ko) | 회로 기판, 전기 광학 장치 및 전자 기기 | |
US8267735B2 (en) | Pattern formation method for electroluminescent element | |
JP3900724B2 (ja) | 有機el素子の製造方法および有機el表示装置 | |
US7696519B2 (en) | Wiring substrate, electronic device, electro-optical device, and electronic apparatus | |
JP4345278B2 (ja) | パターニング方法、膜形成方法、パターニング装置、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、カラーフィルタの製造方法、電気光学装置の製造方法、及び電子装置の製造方法 | |
JP2004055461A (ja) | 発光装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
US8012526B2 (en) | Electroluminescent element and manufacturing method thereof | |
KR101004856B1 (ko) | 표시장치의 제조방법 | |
JP4651916B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
US20090200931A1 (en) | Organic el device and method of manufacturing the same | |
JP2007095608A (ja) | 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法 | |
JP2012160388A (ja) | 有機el表示装置およびその製造方法 | |
JP4250893B2 (ja) | 電子装置の製造方法 | |
JP2003077661A (ja) | 発光装置の作製方法 | |
JP2003272840A (ja) | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置の製造装置、電気光学装置、並びに電子機器 | |
JP4380124B2 (ja) | 発光装置並びに電子機器 | |
JP2003323138A (ja) | 回路基板、電気光学装置、電子機器 | |
JP2004079428A (ja) | 発光装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
JP5155085B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、およびその製造方法 | |
JP2007200904A (ja) | 発光装置 | |
JP2010061822A (ja) | 有機el装置の製造方法 | |
JP2003217839A (ja) | 材料の配置方法、膜形成装置、電気光学装置及びその製造方法、電子装置、並びに電子機器 | |
JP2005129450A (ja) | 有機el素子、その製造方法、及び電子機器 | |
JP2006113598A (ja) | 回路基板、電気光学装置、及び電子機器 |