CN1970496A - 电介质陶瓷及其制造方法 - Google Patents

电介质陶瓷及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1970496A
CN1970496A CNA200610146744XA CN200610146744A CN1970496A CN 1970496 A CN1970496 A CN 1970496A CN A200610146744X A CNA200610146744X A CN A200610146744XA CN 200610146744 A CN200610146744 A CN 200610146744A CN 1970496 A CN1970496 A CN 1970496A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sintering aid
dielectric ceramics
site
content
type oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA200610146744XA
Other languages
English (en)
Inventor
竹冈伸介
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Instruments Inc
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Yuden Co Ltd filed Critical Taiyo Yuden Co Ltd
Publication of CN1970496A publication Critical patent/CN1970496A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
    • C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
    • C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
    • C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
    • H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3201—Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3203—Lithium oxide or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3227—Lanthanum oxide or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3262—Manganese oxides, manganates, rhenium oxides or oxide-forming salts thereof, e.g. MnO
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3409—Boron oxide, borates, boric acids, or oxide forming salts thereof, e.g. borax
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids, or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
    • C04B2235/768—Perovskite structure ABO3
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/79—Non-stoichiometric products, e.g. perovskites (ABO3) with an A/B-ratio other than 1
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors

Abstract

本发明涉及电介质陶瓷及其制造方法。其特征在于，所述电介质陶瓷为以钙钛矿型氧化物为主要成分、含有烧结助剂的烧结后的电介质陶瓷，所述烧结助剂具有以一定量为界限，随着其含量的增加，致密化温度降低，随着其含量的减少，致密化温度下降后上升的特点，并且，所述烧结助剂的含量低于上述一定量，为处于致密化温度低的区域内的量。该电介质陶瓷的制造方法的特征在于添加所述量的烧结助剂。其中使用的钙钛矿型氧化物用通式ABO3表示，A－site/B－site比为0.98～1.03，所述烧结助剂为B及Li、或Si取代部分B得到的B、Li及Si，B、Li及Si的含量为相对于所述钙钛矿型氧化物100摩尔％、换算成B2O3、Li2O及SiO2为0.1～4.0摩尔％。

Description

电介质陶瓷及其制造方法
技术领域
本发明涉及电介质陶瓷，具体而言，涉及添加少量烧结助剂，在低温下进行烧成、致密化得到的电介质陶瓷及其制造方法。
背景技术
近年，随着以手机为代表的移动通信等的发展及普及，作为用于该移动通信的电子部件的材料，电介质陶瓷组合物的需求逐渐增大。
以往，在电子部件中，同时烧成电介质陶瓷组合物与导通电阻小的Ag、Cu等内部导体时，使大量烧结助剂(玻璃成分)混合于作为主要成分的钙钛矿型氧化物中，实现低温烧成化(例如，参见专利文献1及2)。
专利文献1公开的电介质陶瓷组合物以钙钛矿型氧化物为主要成分，且相对于该主要成分“含有5重量％以上、低于40重量％玻璃成分，该玻璃成分用通式aLi2O·bBaO·cB2O3·(1-a-b-c)SiO2表示时，a、b、c的值以摩尔比表示分别在0≤a＜0.25、0.1＜b＜0.5、0.1＜c＜0.5、0.3＜a+b+c＜0.8的范围内”，由于为了在1050℃以下的低温下使其烧结而含有大量玻璃成分，故介电常数小，介电损耗大，并且玻璃成分中含有的BaO偏离作为主要成分的钙钛矿型氧化物ABO3的A-site/B-site比，结果存在烧结性变差之类问题。
专利文献2公开了下述低温烧成陶瓷组合物的发明，相对于100重量份选自钙钛矿型氧化物等的至少一种陶瓷粉末，“含有10～30重量％SiO2；10～60重量％选自MgO、CaO、BaO及SrO中的至少一种；20～50重量％Al2O3及B2O3中的至少1种；0～30重量％选自Li2O、Na2O及K2O中的至少1种，上述成分的总量为95重量％以上，并且含有1～20重量份软化点为600℃以下的低软化点玻璃”，还公开了“本发明的使用软化点玻璃的试样No.1～9即使玻璃量为20重量％以下，也均在1050℃以下的烧成温度被致密化至吸水率为0.1％以下，是具有相对介电常数为6.0～120、Q值为2000以上的优良介电特性的试样。”(段落[0046])，但是相对于钙钛矿型氧化物，使玻璃量为10重量％以上烧成得到的试样的相对介电常数低(表2)。另外，专利文献2公开的低温烧成陶瓷组合物因低软化点玻璃含有的碱土类氧化物偏离作为主要成分的钙钛矿型氧化物ABO3的A-site/B-site比，结果存在烧结性变差的问题。
也已知以钙钛矿型氧化物为主要成分、含有少量烧结助剂(玻璃成分)的电介质陶瓷组合物(参见专利文献3)。
专利文献3公开的发明为“一种电介质陶瓷组合物，该电介质陶瓷组合物相对于100重量份作为杂质的碱金属氧化物的含量为0.03重量％以下的BaTiO3，含有0.5～3.0重量份Nb2O5、0.1～1.0重量份Co2O3、0.05～0.5重量份MnO2、及0.05～2.0重量份以BaO-B2O3-Li2O-SiO2为主要成分的氧化物玻璃”，由于氧化物玻璃的含量少，故介电常数大，介电损耗小，但是氧化物玻璃中含有的BaO偏离主要成分BaTiO3的Ba/Ti比，结果烧结性变差，烧成温度高达1200～1250℃(表3)。
如上所述，现有的低温烧成技术中，烧成温度与介电常数为权衡(trade-off)关系，无法在低温下烧成高介电常数的电介质材料。
[专利文献1]特开昭63-224105号公报
[专利文献2]特开2003-2682号公报
[专利文献3]特开平5-6710号公报
发明内容
本发明欲解决上述问题，通过在钙钛矿型氧化物中使用低于以往的烧结助剂，在低温下烧成，提供高介电常数的电介质陶瓷及其制造方法。
本发明为了解决上述问题，采用下面的方法。
(1)一种电介质陶瓷，所述电介质陶瓷为以钙钛矿型氧化物为主要成分、含有烧结助剂的烧结后的电介质陶瓷，其特征在于，所述烧结助剂具有以一定量为界限，随着其含量的增加，致密化温度降低，随着其含量的减少，致密化温度下降后上升的特性，并且，所述烧结助剂的含量低于上述一定量，为处于致密化温度低的区域内的量。
(2)如上述(1)所述的电介质陶瓷，其特征在于，所述致密化温度为1080℃以下。
(3)如上述(1)或(2)所述的电介质陶瓷，其特征在于，所述钙钛矿型氧化物用通式ABO3表示，A-site/B-site比为0.98～1.03。
(4)如上述(1)～(3)中的任一项所述的电介质陶瓷，其特征在于，所述烧结助剂为含有B及Li的烧结助剂。
(5)如上述(4)所述的电介质陶瓷，其特征在于，所述烧结助剂是Si取代部分B所得到的烧结助剂。
(6)一种电介质陶瓷，所述电介质陶瓷为以钙钛矿型氧化物为主要成分、含有烧结助剂的电介质陶瓷，其特征在于，所述钙钛矿型氧化物用通式ABO3表示，A-site/B-site比为0.98～1.03，所述烧结助剂为B及Li，或Si取代部分B得到的B、Li及Si，相对于100摩尔％所述钙钛矿型氧化物，B、Li及Si的含量，换算成B2O3、Li2O及SiO2为0.1～4.0摩尔％。
(7)如上述(6)所述的电介质陶瓷，其特征在于，所述钙钛矿型氧化物ABO3中，A-site由选自Ba、Sr、Ca及Pb中的一种以上元素形成，B-site由选自Ti、Zr、Sn及Hf中的一种以上元素形成。
(8)如上述(6)或(7)所述的电介质陶瓷，其特征在于，Si取代部分B的比例，换算成B2O3及SiO2，SiO2/(B2O3+SiO2)的比为90％以下。
(9)如上述(6)～(8)中的任一项所述的电介质陶瓷，其特征在于，所述烧结助剂中含有的Li含量，换算成B2O3、Li2O及SiO2，相对于(B2O3+Li2O+SiO2)的总量100摩尔％，Li2O为14～60摩尔％。
(10)一种电介质陶瓷的制造方法，所述电介质陶瓷的制造方法为向以钙钛矿型氧化物为主要成分的原料化合物中添加烧结助剂，混合粘合剂成型，进行脱粘合剂后，烧成，其特征在于，作为所述烧结助剂，使用具有下述特性的烧结助剂：以一定量为界限，随着其含量的增加，致密化温度下降，随着其含量的减少，致密化温度下降后上升，烧结助剂的添加量低于上述一定量，为处于致密化温度低的区域内的量。
(11)如上述(10)所述的电介质陶瓷的制造方法，其特征在于，所述致密化温度为1080℃以下，在1080℃以下烧成。
(12)如上述(10)或(11)所述的电介质陶瓷的制造方法，其特征在于，所述钙钛矿型氧化物用通式ABO3表示，A-site/B-site比为0.98～1.03。
(13)如上述(10)～(12)中的任一项所述的电介质陶瓷的制造方法，其特征在于，所述烧结助剂为含有B及Li的烧结助剂。
(14)如上述(13)所述的电介质陶瓷的制造方法，其特征在于，所述烧结助剂为Si取代部分B所得到的烧结助剂。
根据本发明，通过向以BaTiO3为代表的钙钛矿型氧化物中添加低于以往的烧结助剂，在1080℃以下的温度烧结，可以得到致密化后的电介质陶瓷。另外，使用含有少量导致介电常数降低的烧结助剂的电介质陶瓷，能得到具有优良特性的电子部件。
附图说明
[图1]表示本发明的烧结助剂的添加量区域的简图。
[图2]表示烧结助剂的添加量与致密化温度(烧结温度)的关系图。
具体实施方式
本发明人发现在烧成钙钛矿型氧化物制造电介质陶瓷时，如果改变烧结助剂的添加量，如图1所示，则随着烧结助剂的添加量的减少，致密化温度上升，但是如果比一定量还少，则随着烧结助剂的添加量减少，致密化温度暂时下降，并再度上升，从而完成了本发明。
以往，为了使致密化温度下降至例如1080℃以下，则必须含有远远高于上述一定量、例如20摩尔％以上的烧结助剂，只能得到介电常数低的电介质陶瓷，但是根据本发明，即使烧结助剂的含量低于上述一定量，也可以选择在1080℃以下这样的致密化温度低的区域内的量，可以使成为介电常数下降原因的烧结助剂减少到以往的一半～1/10左右，从而在低温下烧成，得到高介电常数的电介质陶瓷。
另外，本发明人发现在现有的低温烧结方法的烧成过程中，因作为部分烧结助剂添加的碱土类固溶在钙钛矿型氧化物中、或成为钙钛矿型氧化物的碱土类溶解析出于烧结助剂中引起的相互作用，偏离于主要成分钙钛矿型氧化物ABO3的A-site/B-site比，结果烧结性变差。本发明通过设计烧结体中含有的A-site成分及B-site成分的总含量，实现不偏离主要成分钙钛矿型氧化物的A-site/B-site比，在1080℃以下烧成。
主要成分钙钛矿型氧化物ABO3的A-site/B-site比优选设定为0.98～1.03的范围。如果超出上述范围，则难以在1080℃以下致密化。
此处所示的A-site成分及B-site成分为在烧结体中含有的含量，未必需要形成主相，也含有作为二次相或玻璃相存在的成分。作为A-site，可以采用选自Ba、Sr、Ca及Pb中的一种以上元素，作为B-site，可以采用选自Ti、Zr、Sn及Hf中的一种以上元素。优选BaTiO3或部分Ba被Ca、Sr取代得到的化合物或部分Ti被Zr取代得到的化合物。
另外，为了调整电特性等，可以添加1种以上稀土类(La、Y、Ho、Dy、Yb等)或Mg、Mn、Al等，确保烧结性。
烧结助剂优选B及Li或部分B被Si取代的B、Li及Si，相对于100摩尔％主要成分钙钛矿型氧化物，烧结体(电介质陶瓷)中的B、Li及Si的含量，换算成B2O3、Li2O及SiO2，优选为0.1～4.0摩尔％。如果超出上述范围，则难以在1080℃以下致密化。
原因在于如果烧结助剂的添加量超过4.0摩尔，则难以控制将ABO3溶解成液相时的A-site/B-site溶解度比，ABO3液相间的溶解·再析出工序无法顺利进行，不仅烧结体的介电常数下降，烧结性也变差。
烧结助剂低于0.1摩尔％时，由于烧成时的液相成分不充分，故烧结性变差，难以在1080℃以下烧结。
Si取代部分B时的比例，换算成B2O3及SiO2，优选烧结体(电介质陶瓷)中SiO2/(B2O3+SiO2)的比为90％以下。如果高于该值则难以在1080℃以下致密化。
相对于(B2O3+Li2O+SiO2)的总量100摩尔％，烧结助剂中含有的Li的含量，换算成B2O3、Li2O及SiO2，Li2O优选为14～60摩尔％。如果超过上述范围，则难以在1080℃以下致密化。
本发明的电介质陶瓷可以如下制造：作为烧结助剂，使用上述“具有为以一定量为界限，随着其含量的增加致密化温度降低，随着其含量的减少致密化温度下降后上升的特性的烧结助剂”，在以钙钛矿型氧化物为主要成分的原料化合物中添加小于上述一定量的烧结助剂，混合粘合剂成型，进行脱粘合剂后，在1080℃以下烧成，从而制得。
另外，按照下述与现有技术相同的方法，同时烧成电介质陶瓷组合物(陶瓷电介质层)与内部电极，制造层叠陶瓷电容器等电子部件。
作为形成陶瓷电介质层的材料，准备下述材料：在主要成分BaTiO3等钙钛矿型氧化物中添加由B2O3及Li2O、或B2O3、Li2O及SiO2形成的烧结助剂得到的材料，还可以根据需要添加下述化合物：La、Y、Ho、Dy、Yb等稀土类化合物；Mg、Mn、Al等化合物。
烧结助剂不是个别添加各成分，较优选先玻璃化再添加的方法。此时，为了稳定地使其玻璃化，可以在不超出上述规定的范围内将形成钙钛矿型氧化物的部分A-site成分及/或B-site成分固溶在玻璃中。
向如上所述准备的材料中加入粘合剂、溶剂、其他添加剂，混炼，形成陶瓷浆液。作为粘合剂，可以使用聚乙烯醇缩丁醛树脂或聚乙烯醇树脂、丙烯酸聚合物等。作为溶剂可以使用乙醇或异丙醇、水等。
使用刮刀、辊涂机等涂布机将得到的陶瓷浆液成薄片状涂布在PET膜等长形的基膜上，得到陶瓷基板(green sheet)。
在该陶瓷基板上采用丝网印刷涂布导电糊剂，形成内部电极金属层。用于形成该内部电极金属层的导电糊剂使用在粘合剂中分散Pt、Pd、Ag、Cu、Ni等金属粉末得到的导电糊剂。
将形成内部电极金属层的陶瓷基板冲切成规定形状，将其重叠，压合，得到陶瓷层叠体。切割该层叠体，成为层叠体芯片。加热该层叠体芯片，脱粘合剂后，烧成。本发明中，可在1080℃以下进行烧成。
通过在烧成后的层叠体芯片上烧渗导电糊剂，形成外部电极，得到层叠陶瓷电容器。另外，可以在未烧成的层叠体芯片上涂布导电糊剂，在烧成陶瓷电介质层的同时烧渗导电糊剂。
[实施例1]
作为主要成分钙钛矿型氧化物，使用A-site/B-site(Ba/Ti)比为0.99的BaTiO3，作为烧结助剂，使用组成为63摩尔％B2O3、3摩尔％SiO2、34摩尔％Li2O的烧结助剂，使烧结助剂的添加量(总量)如表1所示地从0.12摩尔％(实验No.1-1)变化至46.17摩尔％(No.1-13)，制作13种试样。
对向BaTiO3中添加B2O3、SiO2及Li2O的混合物得到的各试样进行如下操作：使用聚乙烯醇作为粘合剂成型，在400℃下进行脱粘合剂后，改变烧成温度进行烧成。
使用XRF分析装置进行A-site/B-site比的测定。将烧成后的试样用玛瑙乳钵粉碎，由于试样的粒度或结晶结构等也对测定X射线强度有影响，故作为前处理，采用能排除上述因素的玻璃珠(glassbead)法。将混合试样与熔剂得到的混合物熔解在铂坩埚中，成型成玻璃状。作为不含有测定元素的熔剂，使用无水四硼酸锂。将制得的玻璃珠放在XRF分析装置中，采用标准曲线法测定A-site/B-site比。
对于如上所述地烧成得到的试样，以烧成后试样的吸水率达到0.1％以下的温度作为致密化温度(烧结温度)。吸水率遵照JIS C2141测定。
烧结助剂的添加量与致密化温度(烧结温度)的关系如表1及图2所示。
[表1]
实验No.     主相     A/B比   烧结助剂添加量(摩尔％)   致密化温度(℃)
    1-1     BaTiO3     0.99     0.12     1230
    1-2     BaTiO3     0.99     0.23     1080
    1-3     BaTiO3     0.99     0.46     1030
    1-4     BaTiO3     0.99     0.92     1030
    1-5     BaTiO3     0.99     1.85     980
    1-6     BaTiO3     0.99     3.69     1030
    1-7     BaTiO3     0.99     7.38     1080
    1-8     BaTiO3     0.99     8.21     1080
    1-9     BaTiO3     0.99     9.12     1130
    1-10     BaTiO3     0.99     13.7     1130
    1-11     BaTiO3     0.99     20.5     1080
    1-12     BaTiO3     0.99     30.8     1030
    1-13     BaTiO3     0.99     46.2     980
            烧结助剂成分比例
    B2O3       SiO2   Li2O
    63％       3％   34％
根据表1及图2确定，使用B、Li及Si作为烧结助剂烧成钙钛矿型氧化物时，随着烧结助剂的添加量减少至9摩尔％(实验No.1-9)左右，致密化温度上升至1130℃，但是，如果烧结助剂的添加量比9摩尔％左右还少，则随着添加量减少，致密化温度暂时下降至1000℃以下，一旦添加量低于1.85摩尔％(实验No.1-5)，则致密化温度将再度上升。
因此，在烧结助剂的添加量低于9摩尔％的区域中，例如为了将致密化温度设定为1080℃以下的低温，根据表1及图2可知，烧结助剂的添加量设定为0.2～8％(实验No.1-2～1-8)即可。需要说明的是，烧结助剂中的B、Li两种成分，因烧成而丧失，所以烧结助剂的添加量与下面所述的烧结体(低温烧成陶瓷组合物)中的含量不一致。
[实施例2]
制作下述试样：BaTiO3的A-site/B-site(Ba/Ti)比为0.97(实验No.2-1)、0.98(No.2-2)、0.99(No.2-3)、1.00(No.2-4)、1.01(No.2-5)、1.02(No.2-6)、1.03(No.2-7)、1.04(No.2-8)。作为烧结助剂，实验No.2-1～No.2-4使用B2O3、SiO2及Li2O(烧结体中的总含量为2.63～3.53摩尔％)，实验No.2-5～No.2-8使用B2O3及Li2O(烧结体中的总含量为1.37～2.21摩尔％)。
烧结体中烧结助剂的含量如下求得：将烧成后的试样用玛瑙乳钵粉碎后，使用酸解法溶解析出成分，采用ICP分析测定而求得。
烧结的○×判定将烧成后试样的吸水率为0.1％以下的试样判定为○。吸水率遵照JIS C2141测定。
与实施例1同样地成型上述试样，烧成，测定烧结温度(致密化温度)结果如表2所示。
[表2]
实验No. 主相   XRF分析值    配合时添加量(mol％)     ICP分析值(mol％)   其他添加物     烧结温度
  A/B  B2O3  SiO2  Li2O  B2O3  SiO2  Li2O   880℃  980℃     1080℃
  2-1  BaTiO3   0.97  0.44  1.76  1.77  0.20  1.76  0.67   ×  ×     ×
  2-2  BaTiO3   0.98  0.44  1.76  1.77  0.20  1.76  0.67   ×  ×     ○
  2-3  BaTiO3   0.99  0.44  1.76  1.77  0.40  1.76  1.10   ×  ○
  2-4  BaTiO3   1.00  0.44  1.76  1.77  0.44  1.76  1.33   ○
  2-5  BaTiO3   1.01  1.44  1.49  1.20  1.01   ○
  2-6  BaTiO3   1.02  1.44  1.49  1.20  1.01   ○
  2-7  BaTiO3   1.03  1.44  1.49  0.94  0.43   ×  ×     ○
  2-8  BaTiO3   1.04  1.44  1.49  0.94  0.43   ×  ×     ×
根据表2可知，A-site/B-site(Ba/Ti)比为0.98～1.03(实验No.2-2～No.2-7)的BaTiO3可以在1080℃以下烧结，但是如果A-site/B-site比为0.97(No.2-1)过小或为1.04(No.2-8)过大时，无法在1080℃以下烧结。因此，A-site/B-site比优选为0.98～1.03。
[实施例3]
制作下述试样：将烧结体中的烧结助剂B2O3、Li2O及SiO2(B2O3及Li2O)的含量相对于100摩尔％BaTiO3设定为0.54摩尔％(实验No.3-1)、0.18摩尔％(No.3-2)、0.64摩尔％(No.3-3)、0.23摩尔％(No.3-4)、0.11摩尔％(No.3-5)、0.08摩尔％(No.3-6)、3.28摩尔％(No.3-7)、3.64摩尔％(No.3-8)、3.96摩尔％(No.3-9)、4.05摩尔％(No.3-10)。制作BaTiO3的A-site/B-site(Ba/Ti)比设定为0.99(实验No.3-1、No.3-2、No.3-7～No.3-10)、1.00(实验No.3-3～No.3-6)的试样。
与实施例1相同地成型上述试样，烧成，测定烧结温度(致密化温度)的结果如表3所示。
[表3]
实验No. 主相   XRF分析值   配合时添加量(mol％)         ICP分析值(mol％) 其他添加物     烧结温度
  A/B  B2O3  SiO2  Li2O  B2O3   SiO2  Li2O    880℃    980℃   1080℃
3-1   BaTiO3   0.99  0.07  0.29  0.30  0.07   0.29  0.18    ×    ○
3-2   BaTiO3   0.99  0.03  0.12  0.12  0.02   0.12  0.04    ×    ×   ○
3-3   BaTiO3   1.00  0.48  0.50  0.38  0.26    ×    ○
3-4   BaTiO3   1.00  0.24  0.25  0.16  0.07    ×    ×   ○
3-5   BaTiO3   1.00  0.10  0.15  0.07  0.04    ×    ×   ○
3-6   BaTiO3   1.00  0.07  0.09  0.05  0.03    ×    ×   ×
3-7   BaTiO3   0.99  4.64  0.23  2.51  2.09   0.23  0.96    ×    ×   ○
3-8   BaTiO3   0.99  5.16  0.26  2.79  2.32   0.26  1.06    ×    ×   ○
3-9   BaTiO3   0.99  5.44  0.28  2.95  2.53   0.28  1.15    ×    ×   ○
3-10   BaTiO3   0.99  5.73  0.29  3.10  2.58   0.29  1.18    ×    ×   ×
根据表3可知，烧结体中烧结助剂的含量为0.11摩尔％(No.3-5)～3.96摩尔％(No.3-9)的试样可以在1080℃以下烧结，但是烧结助剂为0.08摩尔％(No.3-6)过少时，或为4.05摩尔％(No.3-10)过多时，无法在1080℃以下烧结。因此，B2O3、Li2O及SiO2(B2O3及Li2O)的含量优选相对于100摩尔％钙钛矿型氧化物为0.1～4.0摩尔％。
[实施例4]
制作下述试样：相对于烧结体中B2O3、Li2O及SiO2的总量3.65摩尔％(100摩尔％)，Li2O为2.35摩尔％(64摩尔％)(实验No.4-1)；相对于总量2.89摩尔％(100摩尔％)，Li2O为1.59摩尔％(55摩尔％)(No.4-2)；相对于总量2.17摩尔％(100摩尔％)，Li2O为0.73摩尔％(34摩尔％)(No.4-3)；相对于总量3.08摩尔％(100摩尔％)，Li2O为0.73摩尔％(24摩尔％)(No.4-4)；相对于总量3.11摩尔％(100摩尔％)，Li2O为0.45摩尔％(14摩尔％)(No.4-5)；相对于总量3.56摩尔％(100摩尔％)，Li2O为0.45摩尔％(13摩尔％)(No.4-6)；相对于总量0.16摩尔％(100摩尔％)，Li2O为0.03摩尔％(19摩尔％)(No.4-7)。BaTiO3的A-site/B-site(Ba/Ti)比设定为0.99。SiO2/(B2O3+SiO2)的比，实验No.4-1及No.4-2为90％、No.4-3为81％、No.4-4为50％、No.4-5为44％、No.4-6为38％、No.4-7为92％。
与实施例1相同地成型上述试样，烧成，测定烧结温度(致密化温度)的结果如表4所示。
[表4]
实验No. 主相   XRF分析值     配合时添加量(mol％)       ICP分析值(mol％)   其他添加物           烧结温度
  A/B  B2O3  SiO2  Li2O  B2O3  SiO2  Li2O    880℃    980℃   1080℃
 4-1   BaTiO3   0.99  0.30  1.17  6.18  0.13  1.17  2.35    ×    ×   ×
 4-2   BaTiO3   0.99  0.30  1.17  4.18  0.13  1.17  1.59    ×    ×   ○
 4-3   BaTiO3   0.99  0.30  1.17  1.18  0.27  1.17  0.73    ×    ○
 4-4   BaTiO3   0.99  1.30  1.17  1.18  1.18  1.17  0.73    ×    ○
 4-5   BaTiO3   0.99  3.30  1.17  1.18  1.49  1.17  0.45    ×    ×   ○
 4-6   BaTiO3   0.99  4.30  1.17  1.18  1.94  1.17  O.45    ×    ×   ×
 4-7   BaTiO3   0.99  0.02  0.12  0.07  0.01  0.12  0.03    ×    ×   ×
根据表4可知，烧结助剂中含有的Li2O的含量相对于B2O3、Li2O及SiO2的总量100摩尔％，Li2O为14～55摩尔％(实验No.4-5～No.4-2)的试样可以在1080℃以下烧结，但是Li2O的含量过少为13摩尔％(No.4-6)时，或过多为64摩尔％(No.4-1)时，无法在1080℃以下烧结。因此，烧结助剂中含有的Li2O的含量优选相对于B2O3、Li2O及SiO2的总量100摩尔％为14～60摩尔％。
另外，SiO2/(B2O3+SiO2)的比为92％(No.4-7)时也无法在1080℃以下烧结。因此SiO2/(B2O3+SiO2)的比优选为90％以下。
[实施例5]
制作下述试样：烧结体中的烧结助剂B2O3及Li2O的总量设定为0.98摩尔％、Li2O设定为0.40摩尔％(相对于总量为41％)，主要成分钙钛矿型氧化物的A-site/B-site比设定为1.00，使用(Ba0.8Ca0.2)TiO3(No.5-2)、(Ba0.8Sr0.2)TiO3(No.5-3)、Ba(Ti0.7Zr0.3)O3(No.5-4)代替BaTiO3(实验No.5-1)。
与实施例1相同地成型上述试样，烧成，测定烧结温度(致密化温度)的结果如表5所示。
[表5]
实验No. 主相   XRF分析值        配合时添加量(mol％)        ICP分析值(mol％) 其他添加物           烧结温度
A/B B2O3 SiO2 Li2O B2O3 SiO2 Li2O 880℃ 980℃ 1080℃
 5-1   BaTiO3   1.00  0.72  0.75  0.58   0.40    ×    ○
 5-2   (Ba0.8Ca0.2)TiO3   1.00  0.72  0.75  0.58   0.40    ×    ○
 5-3   (Ba0.8Sr0.2)TiO3   1.00  0.72  0.75  0.58   0.40    ×    ○
 5-4   Ba(Ti0.7Zr0.3)O3   1.00  0.72  0.75  0.58   0.40    ×    ○
根据表5可知，不论主要成分钙钛矿型氧化物的组成如何，均可在1080℃以下烧结。
[实施例6]
制作下述试样：BaTiO3的A-site/B-site(Ba/Ti)比设定为1.00，烧结体中的烧结助剂B2O3、Li2O及SiO2的总量为1.63摩尔％，Li2O为0.55摩尔％(相对于总量为34％)，SiO2/(B2O3+SiO2)的比设定为81％，添加有下述其他添加成分的试样，作为其他添加成分，Ho2O3：0.25(实验No.6-1)；Dy2O3：0.25(No.6-2)、Yb2O3：0.25(No.6-3)、Y2O3：0.25(No.6-4)、MgO：0.5(No.6-5)、MnO：2.0(No.6-6)、Ho2O3：0.25/MnO：0.5(No.6-7)、Dy2O3：0.25/MnO：0.5(No.6-8)、Yb2O3：0.25/MnO：0.5(No.6-9)、MgO：0.3/La2O3：0.3/MnO：0.3(No.6-10)、Al2O3：0.3/MnO：0.3(No.6-11)。
与实施例1相同地成型上述试样，烧成，测定烧结温度(致密化温度)的结果如表6所示。
[表6]
实验No. 主相   XRF分析值 配合时添加量(mol％) ICP分析值(mol％) 其他添加物 烧结温度
  A/B   B2O3   SiO2   Li2O   B2O3   SiO2   Li2O     880℃    980℃ 1080℃
  6-1   BaTiO3   1.00   0.22   0.88   0.89   0.20   0.88   0.55   Ho2O3：0.25     ×    ○
  6-2   BaTiO3   1.00   0.22   0.88   0.89   0.20   0.88   0.55   Dy2O3：0.25     ×    ○
  6-3   BaTiO3   1.00   0.22   0.88   0.89   0.20   0.88   0.55   Yb2O3：0.25     ×    ○
  6-4   BaTiO3   1.00   0.22   0.88   0.89   0.20   0.88   0.55   Y2O3：0.25     ×    ○
  6-5   BaTiO3   1.00   0.22   0.88   0.89   0.20   0.88   0.55   MgO：0.50     ×    ○
  6-6   BaTiO3   1.00   0.22   0.88   0.89   0.20   0.88   0.55   MnO：2.0     ×    ○
  6-7   BaTiO3   1.00   0.22   0.88   0.89   0.20   0.88   0.55   Ho2O3：0.25/MnO：0.5     ×    ○
  6-8   BaTiO3   1.00   0.22   0.88   0.89   0.20   0.88   0.55   Dy2O3：0.25/MnO：0.5     ×    ○
  6-9   BaTiO3   1.00   0.22   0.88   0.89   0.20   0.88   0.55   Yb2O3：0.25/MnO：0.5     ×    ○
  6-10   BaTiO3   1.00   0.22   0.88   0.89   0.20   0.88   0.55   MgO：0.3/La2O3：0.3/MnO：0.3     ×    ○
  6-11   BaTiO3   1.00   0.22   0.88   0.89   0.20   0.88   0.55   Al2O3：0.3/MnO：0.3     ×    ○
根据表6可知，即使在主要成分钙钛矿型氧化物中添加稀土类、Mn、Mg、Al等的化合物，也可在1080℃以下烧结。

Claims (14)

1、一种电介质陶瓷，所述电介质陶瓷为以钙钛矿型氧化物为主要成分、含有烧结助剂的烧结后的电介质陶瓷，其特征在于，所述烧结助剂具有以一定量为界限，随着其含量的增加，致密化温度降低，随着其含量的减少，致密化温度下降后上升的特性，并且，所述烧结助剂的含量低于上述一定量，为处于致密化温度低的区域内的量。
2、如权利要求1所述的电介质陶瓷，其特征在于，所述致密化温度为1080℃以下。
3、如权利要求1或2所述的电介质陶瓷，其特征在于，所述钙钛矿型氧化物用通式ABO3表示，A-site/B-site比为0.98～1.03。
4、如权利要求1～3中的任一项所述的电介质陶瓷，其特征在于，所述烧结助剂为含有B及Li的烧结助剂。
5、如权利要求4所述的电介质陶瓷，其特征在于，所述烧结助剂是Si取代部分B所得到的烧结助剂。
6、一种电介质陶瓷，所述电介质陶瓷是以钙钛矿型氧化物为主要成分、含有烧结助剂的烧结后的电介质陶瓷，其特征在于，所述钙钛矿型氧化物用通式ABO3表示，A-site/B-site比为0.98～1.03，所述烧结助剂为B及Li、或Si取代部分B得到的B、Li及Si，B、Li及Si的含量相对于所述钙钛矿型氧化物100摩尔％，换算成B2O3、Li2O及SiO2为0.1～4.0摩尔％。
7、如权利要求6所述的电介质陶瓷，其特征在于，所述钙钛矿型氧化物ABO3，A-site由选自Ba、Sr、Ca及Pb中的一种以上元素形成，B-site由选自Ti、Zr、Sn及Hf中的一种以上元素形成。
8、如权利要求6或7所述的电介质陶瓷，其特征在于，Si取代部分B的比例，换算成B2O3及SiO2，SiO2/(B2O3+SiO2)的比为90％以下。
9、如权利要求6～8中的任一项所述的电介质陶瓷，其特征在于，所述烧结助剂中含有的Li的含量，换算成B2O3、Li2O及SiO2，相对于(B2O3+Li2O+SiO2)的总量100摩尔％，Li2O为14～60摩尔％。
10、一种电介质陶瓷的制造方法，所述电介质陶瓷的制造方法为向以钙钛矿型氧化物为主要成分的原料化合物中添加烧结助剂，混合粘合剂，成型，进行脱粘合剂后，进行烧成，其特征在于，作为所述烧结助剂，使用具有下述特性的烧结助剂：以一定量为界限，随着其含量的增加，致密化温度下降，随着其含量的减少，致密化温度下降后上升，烧结助剂的添加量低于上述一定量，为处于致密化温度低的区域内的量。
11、如权利要求10所述的电介质陶瓷的制造方法，其特征在于，所述致密化温度为1080℃以下，在1080℃以下烧成。
12、如权利要求10或11所述的电介质陶瓷的制造方法，其特征在于，所述钙钛矿型氧化物用通式ABO3表示，A-site/B-site比为0.98～1.03。
13、如权利要求10～12中的任一项所述的电介质陶瓷的制造方法，其特征在于，所述烧结助剂为含有B及Li的烧结助剂。
14、如权利要求13所述的电介质陶瓷的制造方法，其特征在于，所述烧结助剂为Si取代部分B所得到的烧结助剂。
CNA200610146744XA 2005-11-22 2006-11-22 电介质陶瓷及其制造方法 Pending CN1970496A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP337390/2005 2005-11-22
JP2005337390A JP2007137747A (ja) 2005-11-22 2005-11-22 誘電体磁器及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1970496A true CN1970496A (zh) 2007-05-30

Family

ID=38111547

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA200610146744XA Pending CN1970496A (zh) 2005-11-22 2006-11-22 电介质陶瓷及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20070161498A1 (zh)
JP (1) JP2007137747A (zh)
CN (1) CN1970496A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102531593A (zh) * 2010-12-28 2012-07-04 Tdk株式会社 电介质陶瓷组合物和电子部件

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4967964B2 (ja) * 2007-09-28 2012-07-04 Ｔｄｋ株式会社 誘電体磁器組成物および積層型電子部品
DE102008032509A1 (de) * 2008-07-10 2010-01-14 Epcos Ag Heizungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Heizungsvorrichtung
JP2010030822A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Nec Tokin Corp 圧電セラミックス及びその製造方法
JP5360886B2 (ja) * 2009-03-13 2013-12-04 Ｎｅｃトーキン株式会社 圧電セラミックス、及びその製造方法
JP5040971B2 (ja) 2009-08-12 2012-10-03 株式会社村田製作所 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ
WO2011162044A1 (ja) * 2010-06-24 2011-12-29 株式会社村田製作所 誘電体セラミック組成物、および積層セラミック電子部品
WO2014010273A1 (ja) * 2012-07-10 2014-01-16 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
KR101973417B1 (ko) * 2014-08-22 2019-04-29 삼성전기주식회사 저온 소성용 유전체 조성물, 이를 포함하는 적층 세라믹 전자 부품 및 적층 세라믹 전자 부품의 제조 방법
CN111925199B (zh) * 2020-07-03 2022-07-01 成都宏科电子科技有限公司 一种低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN111995389A (zh) * 2020-08-26 2020-11-27 工业和信息化部电子第五研究所华东分所 一种复合介电陶瓷材料及其制备方法和用途

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4530031A (en) * 1984-03-12 1985-07-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dielectric composition
JPH04289609A (ja) * 1991-03-19 1992-10-14 Fujitsu Ltd 低温焼成誘電体組成物
JP2521856B2 (ja) * 1991-06-05 1996-08-07 太陽誘電株式会社 磁器コンデンサ及びその製造方法
TW242191B (zh) * 1991-06-05 1995-03-01 Taiyo Yuden Kk
JP3180690B2 (ja) * 1996-07-19 2001-06-25 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
JPH11310455A (ja) * 1998-02-27 1999-11-09 Murata Mfg Co Ltd 誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミック電子部品
US6723673B2 (en) * 2000-08-31 2004-04-20 Mra Laboratories, Inc. High dielectric constant very low fired X7R ceramic capacitor, and powder for making
US6727200B2 (en) * 2000-08-31 2004-04-27 Mra Laboratories, Inc. High dielectric constant very low fired X7R ceramic capacitor, and powder for making
JP3987693B2 (ja) * 2001-06-12 2007-10-10 太陽誘電株式会社 誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサ
JP4729847B2 (ja) * 2002-12-24 2011-07-20 株式会社村田製作所 非還元性誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ
KR100522134B1 (ko) * 2003-04-02 2005-10-18 한국과학기술연구원 저온소성용 고유전율 유전체 조성물
US7365958B2 (en) * 2004-10-27 2008-04-29 Kyocera Corporation Dielectric ceramics, multilayer ceramic capacitor and method for manufacturing the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102531593A (zh) * 2010-12-28 2012-07-04 Tdk株式会社 电介质陶瓷组合物和电子部件
CN102531593B (zh) * 2010-12-28 2015-11-25 Tdk株式会社 电介质陶瓷组合物和电子部件

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007137747A (ja) 2007-06-07
US20070161498A1 (en) 2007-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1970496A (zh) 电介质陶瓷及其制造方法
CN101033132B (zh) 中温烧结高温稳定型陶瓷电容器介质材料
JPWO2008018408A1 (ja) ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体および積層セラミック電子部品
KR100693896B1 (ko) 후막저항체 페이스트 및 후막저항체
US7282163B2 (en) Resistor paste, resistor, and electronic device
CN100591642C (zh) 一种用于温度稳定x9r型多层陶瓷电容器瓷料及其制备方法
KR100444222B1 (ko) 유전체 세라믹 조성물
JP2000319066A (ja) 低温同時焼成誘電体セラミック組成物
KR20030039573A (ko) 유전체 세라믹 조성물
CN102617137B (zh) 一种BaO-TiO2系无铅Y5P电容器介质瓷料及其制备方法
KR100686533B1 (ko) 후막저항체 페이스트용 유리조성물, 후막저항체 페이스트,후막저항체 및 전자부품
KR100664979B1 (ko) 글라스 프릿트와 그 제조방법, 이를 이용하는 외부전극용페이스트 조성물 및 적층세라믹 커패시터
JP3084992B2 (ja) セラミック基板
JP3216967B2 (ja) 低温焼成誘電体磁器及びその製造方法
JP2006104044A (ja) 誘電材料およびこれを調製する方法
CN102531579B (zh) 陶瓷介质材料及其制备方法和陶瓷电容器及其制备方法
JP4221417B2 (ja) 厚膜抵抗体ペースト、厚膜抵抗体および電子部品
KR100621195B1 (ko) 엘티씨씨용 세라믹 분말 조성물 및 그 제조방법
CN100372802C (zh) 高频热稳定的钛钡钕系陶瓷介质材料及多层片式陶瓷电容器
JP3624406B2 (ja) ガラスセラミックス誘電体材料
CN115490511B (zh) 一种近零温度系数的低温共烧材料及其制备方法
JPH0855519A (ja) 誘電体磁器組成物
JPH09315858A (ja) 低温焼成誘電体磁器およびその製造方法
JP2005235756A (ja) 抵抗体ペースト及びその製造方法、抵抗体、電子部品
TW583152B (en) Dielectric ceramic composition ceramic capacitor using the composition and method of producing thereof

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1103067

Country of ref document: HK

C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20070530

REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: WD

Ref document number: 1103067

Country of ref document: HK