CN1969378A - 等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种等离子体处理装置，包括：处理室(10)、设置在处理室(10)内且相互对峙着设置的第一电极部(5)和第二电极部(11)、设置在第一电极部(5)的靠近第二电极部(11)的一侧且保护第一电极部(5)的石英板(13)，借助在第一电极部(5)和第二电极部(11)之间产生等离子体，激发处理室(10)内的反应气体，来对设置在第二电极部(11)的靠近第一电极部(5)一侧的被处理物进行等离子体处理。石英板(13)的靠近第二电极部(11)一侧的表面形成为粗糙面。

Description

等离子体处理装置
技术领域
[0001]本发明涉及一种等离子体处理装置。
背景技术
[0002]在液晶显示器、半导体器件那样的电子器件的制造工艺中，干蚀刻技术是被广泛地用来形成细微加工图案的方法。
[0003]在该干蚀刻技术下，既要求以高纵横比、高蚀刻速率以及高选择比进行蚀刻且均匀性很高，同时还要求抑制粒子(微粒子的污染物质)的产生。
[0004]所述纵横比是通过蚀刻形成在衬底上的图案的深度和宽度之比。所述选择比是被蚀刻材料的蚀刻速率、蚀刻掩模材料以及底材料的蚀刻速率之比。
[0005]例如，在蚀刻均匀性很低的情况下，在通过蚀刻形成在衬底上的图案中，由于蚀刻速率的不同而发生过蚀刻和蚀刻不足，这就有可能对这之后的制造工艺造成很大的影响。
[0006]在利用蚀刻形成相互平行延伸的多个布线图案的情况下，若所述粒子存在于各个布线图案之间，就会成为短路的原因，而有导致产品的制造合格率下降之虞。
[0007]干蚀刻装置是等离子体处理装置中之一，根据其结构可做到：借助将反应气体导入到处理室内，以高频、微波等激发该反应气体而产生等离子体，生成化学活度高的原子、分子(反应种)。而且，该干蚀刻装置中的干蚀刻是这样进行的，让由等离子体生成的反应种和被蚀刻材料起反应，使该反应生成物成为挥发性气体，再通过真空排气系统将该挥发性气体排出到外部。
[0008]近年来，包括在高真空状态下产生高密度等离子体的等离子体源部件的干蚀刻装置得以广泛应用。很多等离子体源部件都是这样构成的，即该等离子体源从外部通过石英部件将电磁波导入到处理室内。
[0009]在通过石英部件导入电磁波这样的结构的干蚀刻装置中，因为在石英部件的表面会附着反应生成物，所以便有由于该反应生成物落下来而产生污染处理室内的粒子之虞。
[0010]专利文献1中公开了粒子的产生被减少的半导体制造装置。
[0011]图4是专利文献1所公开的半导体制造装置130的概略结构图。
[0012]该半导体制造装置130是一种高密度等离子体蚀刻装置，将在TCP(Transformer Coupled Plasma)电极122产生的电磁波通过石英天板113导入到处理室110内，激发从气体供给部124供来的反应气体而使等离子体起反应，对晶片112进行处理。而且，在该结构的半导体制造装置130中，石英天板113上方布置有远赤外线加热器123，利用该远赤外线加热器123的辐射热来加热石英天板113。
专利文献1    特开2000-164565号公报
发明内容
—发明要解决的问题—
[0013]但是，因为上述现有的半导体制造装置130是要加热石英天板113的结构，所以便认为反应生成物难以附着到石英天板113上。但有必要设置远赤外线加热器123来作为加热石英天板113的加热手段。
[0014]近年来，在液晶显示装置这一领域，玻璃基板的大型化在急速地发展，这就要求提高基板内的蚀刻均匀性即等离子体处理的均匀性。
[0015]本发明正是为了解决上述问题而研究开发出来的，其目的在于：在等离子体处理装置中，既容易地抑制粒子的产生，同时又均匀地进行等离子体处理。
用以解决问题的技术方案
[0016]本发明，在具有第一电极部和第二电极部的等离子体处理装置中，使保护第一电极部的保护板的靠近第二电极部一侧的表面形成为粗糙面。
[0017]本发明所涉及的等离子体处理装置，包括：处理室、设置在所述处理室内且相互对峙着设置的第一电极部和第二电极部、设置在所述第一电极部的靠近所述第二电极部的一侧且保护所述第一电极部的保护板。借助在所述第一电极部和第二电极部之间产生等离子体，激发所述处理室内的反应气体，来对设置在所述第二电极部的靠近第一电极部的一侧的被处理物进行等离子体处理。所述保护板的靠近所述第二电极部一侧的表面形成为粗糙面。
[0018]根据所述结构，因为保护板的靠近第二电极部一侧的表面形成为粗糙面，所以保护板的吸热率提高。这样一来，保护板就容易被加热，在保护板周围，蚀刻被处理物之际所产生的反应生成物容易挥发，所以反应生成物难以附着在保护板上。
[0019]同样，因为保护板的靠近第二电极部一侧的表面形成为粗糙面，所以保护板的靠近第二电极部一侧的表面积增加。因此，即使万一附着上反应生成物，也会因为所可能附着的该反应生成物的量增加而抑制由于反应生成物落下来所引起的粒子的产生。
[0020]同样，因为保护板的靠近第二电极部一侧的表面形成为粗糙面，所以由于等离子体而生成的反应气体的分子，碰撞到保护板的形成为粗糙面的表面后，再分散到各个角度而反弹回来。因此，由于在处理室内反应气体的分布变得均匀，所以等离子体处理就变得很均匀。
[0021]这样一来，就既容易抑制粒子的产生，同时又均匀地进行等离子体处理。
[0022]需提一下，专利文献1中是这样记载的，如图4所示，石英天板113的靠近远赤外线加热器123一侧，也就是对应于本发明的等离子体处理装置的第一电极部的TCP电极122一侧的表面被施加了喷砂处理，和本发明一样，石英天板113的吸热率提高，能够降低粒子的产生。然而，在本发明的等离子体处理装置中，因为使保护板的靠近第二电极部一侧的表面形成为粗糙面，所以粒子的产生得以抑制，等离子体处理变得均匀。
[0023]所述保护板可以由石英或者陶瓷制成。
[0024]根据以上结构，第一电极部由石英板或者陶瓷板加以保护。这里，因为石英板以及陶瓷板是抗等离子体性很高的材质，所以第一电极部被石英板或者陶瓷板加以有效的保护。
[0025]所述第一电极部可以包括：由导电材料制成的上部电极和设置在该上部电极和所述保护板之间的介电体。
[0026]根据所述结构，因为由保护板保护构成第一电极部的介电体，所以抑制了由于蚀刻时所产生的等离子体造成的恶化。因此，使介电体的电磁波均匀地扩散的效果得到维持。
[0027]所述保护板的靠近所述第二电极部一侧的表面可以是通过喷砂处理形成的。
[0028]根据以上结构，保护板的表面很容易形成为粗糙面。
[0029]所述等离子体处理可以是干蚀刻处理。
[0030]根据所述结构，干蚀刻处理变得很均匀。
发明的效果
[0031]本发明的等离子体处理装置中，保护第一电极部的保护板的靠近第二电极部一侧的表面形成为粗糙面。因此，保护板的吸热率提高，反应生成物也就难以附着在保护板上；保护板的靠近第二电极部一侧的表面积增加，可能附着的反应生成物的量增加，所以难以出现反应生成物落下来而产生粒子的情况；由等离子体生成的反应气体的分子分散到各个角度而反弹回来，所以等离子体处理变得均匀。这样一来，就既能够容易地抑制粒子的产生，同时又能够均匀地进行等离子体处理。
附图的简单说明
[0032]图1是本发明的实施例所涉及的干蚀刻装置30的概略构成图。
图2是显示表面形成为镜面的石英板13a中的分子活动情况的模式图。
图3是显示表面形成为粗糙面的石英板13b中的分子活动情况的模式图。
图4是现有的干蚀刻装置130的概略构成图。
符号说明
[0033]5-第一电极部；10-处理室；11-第二电极部；12-处理基板(被处理物)；13、13a、13b-石英板(保护板)；14-介电体；15-上部电极；25-等离子体；30-干蚀刻装置(等离子体处理装置)。
具体实施方式
[0034]下面，参照附图详细说明本发明的实施例。在以下各个实施例中，以ICP(Ion Coupled Plasma)模式的干蚀刻装置作为等离子体处理装置之例进行说明。但是，本发明并不限于以下的实施例，对ICP模式以外的其他干蚀刻模式也适用。而且，本发明不仅对干蚀刻装置适用，对进行等离子体处理的溅射装置、CVD(ChemicalVapor Deposition)装置等也适用。
[0035]下面，参考图1说明本发明的实施例所涉及的干蚀刻装置30。这里，图1是本发明的干蚀刻装置30的概略构成图。
[0036]该干蚀刻装置30包括：处理室10、排气装置20、高频电源16及18。
[0037]处理室10内部包括：第一电极部5、相对第一电极部5设置的第二电极部11。
[0038]第一电极部5包括：由金属等导电性材料形成的上部电极15、设置在第二电极部11一侧由陶瓷制成的介电体14。
[0039]在该第一电极部5的靠近第二电极部11的一侧，设置有石英板13作为保护板。需提一下，保护板的材质除了所述石英以外，还可以是陶瓷。
[0040]石英板13的靠近第二电极部11一侧的表面通过喷砂处理形成为粗糙面。这里，形成为粗糙面的石英板13的表面粗糙度例如是算数平均粗糙度Ra约为5μm。
[0041]第二电极部11构成为：处理基板12通过静电吸盘等被吸附固定在第二电极部11的靠近第一电极部5的一侧。
[0042]第一电极部5、第二电极部11、处理室10的墙壁连接在水冷式冷却器等冷却装置(未示)上，能够控制温度。
[0043]第一电极部5和高频电源16通过电容器17相连接，第二电极部11和高频电源18通过电容器19相连接。高频电源16、18和处理室10接地。
[0044]接着，对结构如上所述的干蚀刻装置30的工作情况进行说明。
[0045]首先，将处理基板12作为被处理物搬到处理室10内，放到第二电极部11上。
[0046]接着，将来自高频电源16(频率：13.56MHz)及18(频率：6.0MHz)的高频电力分别供给第一电极部5和第二电极部11，同时将反应气体通过气体导入管道(未示)、介电体14以及石英板13供到处理室10内。
[0047]这样一来，电磁波便通过石英板13和介电体14被导入到处理室10内，反应气体被激发，而产生高密度的等离子体25。接着，被蚀刻材料借助处理基板12上的被蚀刻材料和化学活度高的反应气体的分子的化学反应而被蚀刻。
[0048]此时，因为石英板13的靠近第二电极部11一侧的表面形成为粗糙面，所以石英板13的吸热率提高。因此，石英板13容易被加热，在石英板13周围，蚀刻被蚀刻材料之际所产生的反应生成物容易挥发，反应生成物便难以附着到石英板13上。
[0049]同样，如上所述，因为石英板13的靠近第二电极部11一侧的表面形成为粗糙面，所以石英板13的靠近第二电极部11一侧的表面积增加。因此，即使万一附着上反应生成物，也会因为可能附着的该反应生成物的量增加而抑制由于反应生成物落下来所引起的粒子的产生。
[0050]同样，如上所述，因为石英板13靠近第二电极部11一侧的表面形成为粗糙面，所以由于等离子体25而生成的高化学活度的反应气体的分子碰撞到保护板的形成为粗糙面的表面后，分散到各个角度而反弹回来。
[0051]这里，图2和图3是显示有、无喷砂处理而导致的分子活动情况的模式图。图2是不进行喷砂处理，表面形成为镜面的石英板13a的情况下的模式图。图3是进行了喷砂处理，表面形成为粗糙面的石英板13b的情况下的模式图。
[0052]具体而言，如图2所示，在是表面形成为镜面的石英板13a的情况下，反应气体的分子21在石英板13a的表面进行入射角和反射角一致的反射。另一方面，如图3所示，在表面形成为粗糙面的石英板13b的情况下，反应气体的分子21在石英板13b的表面碰撞后，分散到各个角度后又反弹回来。
[0053]这样一来，在表面形成为粗糙面的石英板13b的情况下，反应气体的分子21分散，在处理室10内反应气体的分布变得均匀。故蚀刻的均匀性提高。
[0054]如上所述，既能够很容易地抑制粒子的产生，同时也能够均匀地进行蚀刻。
[0055]接下来，对具体所做的实验进行说明。
[0056]本发明的实施例，利用和所述实施例一样的干蚀刻装置对处理基板进行干蚀刻，再利用触针式表面粗糙度测量仪对该已干蚀刻的处理基板的表面(13处)进行测量。
[0057]下面，说明本发明的实施例的比较例。
[0058]具体而言，利用包括表面未形成为粗糙面的石英板的干蚀刻装置干蚀刻处理基板，再利用触针式表面粗糙度测量仪对该已干蚀刻的处理基板的表面(13处)进行测量。
[0059]结果如下所示。
[0060]实施例中，因为表面高度在最大蚀刻部是20.0nm(最大值)，在最小蚀刻部是16.4nm(最小值)，所以蚀刻均匀性成为9.8％。
[0061]这里，蚀刻均匀性是利用下式计算出来的数值。
[0062]蚀刻均匀性＝(最大值-最小值)/(最大值)+(最小值)×100需提一下，该蚀刻均匀性的值越小，蚀刻均匀性就越好。
[0063]比较例，因为表面高度在最大蚀刻部是19.8nm(最大值)，在最小蚀刻部是15.2nm(最小值)，所以蚀刻均匀性成为13.2％。
[0064]这样一来，因为在本发明的使用了干蚀刻装置的实施例中，蚀刻均匀性是9.8％，与此相比，比例例中蚀刻均匀性是13.2％，所以根据本发明可以确认：蚀刻均匀性提高了。
工业实用性
[0065]综上所述，因为本发明中等离子体处理变得均匀了，所以本发明对干蚀刻装置有用。

Claims (5)

1.一种等离子体处理装置，包括：处理室、设置在所述处理室内且相互对峙着设置的第一电极部和第二电极部、设置在所述第一电极部的靠近所述第二电极部的一侧且保护所述第一电极部的保护板，借助在所述第一电极部和第二电极部之间产生等离子体，激发所述处理室内的反应气体，来对设置在所述第二电极部靠近第一电极部的一侧的被处理物进行等离子体处理，其特征在于：
所述保护板的靠近所述第二电极部一侧的表面形成为粗糙面。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述保护板由石英或者陶瓷制成。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第一电极部包括：由导电材料制成的上部电极和设置在该上部电极和所述保护板之间的介电体。
4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述保护板的靠近所述第二电极部一侧的表面是通过喷砂处理形成的。
5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述等离子体处理是干蚀刻处理。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3029445B1 (fr) * 2014-12-09 2017-09-29 Fibroline France Installation d'impregnation d'un support poreux comprenant des electrodes revetues optimisees
JP2017126717A (ja) * 2016-01-15 2017-07-20 東京エレクトロン株式会社 載置台の表面処理方法、載置台及びプラズマ処理装置
JP6870951B2 (ja) * 2016-10-07 2021-05-12 積水化学工業株式会社 半導体製造方法
KR102124766B1 (ko) 2019-12-31 2020-06-19 (주)삼양컴텍 플라즈마 처리 장치 및 그 제조방법

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1203089B (it) * 1976-03-03 1989-02-15 Int Plasma Corp Procedimento ed apparecchiatura per eseguire reazioni chimiche nella regione della scarica luminescente di un plasma
JPH02298024A (ja) * 1989-05-12 1990-12-10 Tadahiro Omi リアクティブイオンエッチング装置
JPH06196421A (ja) * 1992-12-23 1994-07-15 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ装置
US5665640A (en) * 1994-06-03 1997-09-09 Sony Corporation Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor
JPH08250488A (ja) * 1995-01-13 1996-09-27 Seiko Epson Corp プラズマ処理装置及びその方法
JP3535276B2 (ja) * 1995-07-28 2004-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 エッチング方法
JP3251215B2 (ja) * 1996-10-02 2002-01-28 松下電器産業株式会社 電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法
US6007673A (en) * 1996-10-02 1999-12-28 Matsushita Electronics Corporation Apparatus and method of producing an electronic device
US6155200A (en) * 1997-07-08 2000-12-05 Tokyo Electron Limited ECR plasma generator and an ECR system using the generator
KR100305527B1 (ko) * 1998-07-09 2001-11-01 니시무로 타이죠 반도체장치의 제조방법 및 제조장치
JP2000164565A (ja) * 1998-11-26 2000-06-16 Sony Corp 半導体製造装置
JP2001185542A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Hitachi Ltd プラズマ処理装置及びそれを用いたプラズマ処理方法
JP2001250814A (ja) * 2000-03-06 2001-09-14 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
US6677549B2 (en) * 2000-07-24 2004-01-13 Canon Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus having permeable window covered with light shielding film
JP3854909B2 (ja) * 2002-08-06 2006-12-06 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
JP4319514B2 (ja) * 2002-11-29 2009-08-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ サグ補償機能付き高周波電源を有するプラズマ処理装置
JP2004200307A (ja) * 2002-12-17 2004-07-15 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置

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