CN1953186B - 具有改善层间粘着的薄膜晶体管衬底 - Google Patents

具有改善层间粘着的薄膜晶体管衬底 Download PDF

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Abstract

公开了一种能够防止有机层与无机层之间的分离的薄膜晶体管(TFT)衬底，一种制造该TFT衬底的方法，一种具有该TFT衬底的LCD板，以及一种制造该LCD板的方法。TFT薄膜晶体管衬底包括与栅极线和数据线相连的TFT、用于保护薄膜晶体管的有机保护层、以及在栅极线和数据线之间形成的无机绝缘层。形成无机绝缘层，使其与有机保护层的接触面具有与有机保护层的非接触面不同的图案。

Description

具有改善层间粘着的薄膜晶体管衬底
相关申请的交叉引用
本专利申请要求2005年10月18日递交的韩国专利申请No.10-2005-0097923的优先权，将其全部内容一并在此作为参考。
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管(“TFT”)衬底及一种具有该衬底的液晶显示(“LCD”)板，更具体地，涉及一种能够防止有机层与无机层之间的分离的TFT衬底、一种制造该TFT衬底的方法、一种具有该TFT衬底的LCD板、以及一种制造该LCD板的方法。
背景技术
LCD设备典型地通过响应视频信号控制通过液晶单元的透光率，来显示图像。液晶单元以矩阵形式排列在LCD板上。
如图1中所示，LCD设备包括TFT衬底40和由密封层48密封的滤色镜衬底42。液晶层放置在TFT衬底40和滤色镜衬底42之间。
滤色镜衬底42包括用于防止漏光的黑矩阵、用于形成颜色的滤色镜、用于形成相对于像素电极的垂直电场的共用电极、以及用于对准液晶的上对准层。
TFT衬底40包括被配置成在下衬底1上彼此垂直延伸的栅极线和数据线、在栅极线和数据线的交叉处形成的TFT、连接到TFT的像素电极、以及用于对准液晶材料的下对准层。
由无机保护层26和有机保护层18保护TFT。为了增大孔径比，在无机保护层26上形成有机保护层18。将低介电常数的有机保护层18夹在中间的像素电极和信号线形成寄生电容器。与由高介电常数的无机保护层形成的电容器相比，该寄生电容器的电容值非常小。有机保护层18可以覆盖像素电极和信号线，在这种情况下，则增大了孔径比。
图1的配置的问题在于无机保护层26与有机保护层18之间的结合力很弱。弱结合力的结果是无机保护层26与有机保护层18有时彼此分离，特别是在密封层覆盖的区域附近。
为了解决这种问题，提出了一种方法，其中从密封层覆盖的区域选择性地移走有机保护层。但是，当采用TFT在下衬底上形成驱动电路时，在透明导电层的图案形成工艺期间，有时会腐蚀密封层覆盖的驱动电路。此外，如果将密封层放置在已移走有机保护层的区域，无机保护层不能承受通过密封层施加于TFT衬底上的压力，从而损坏了驱动电路。
发明内容
本发明提供了一种能够防止有机层与无机层之间的分离的TFT衬底、一种制造该TFT衬底的方法、一种具有该TFT衬底的LCD板、以及一种制造该LCD板的方法。
一方面，本发明是一种TFT衬底，包括：与栅极线和数据线相连的TFT；用于保护TFT的有机保护层；以及在栅极线和数据线之间形成的无机绝缘层。形成无机绝缘层，使其与有机保护层的接触面具有与其余表面不同的图案。
TFT衬底还可以包括在数据线以及TFT的源极电极和漏极电极上形成的无机保护层，并且形成图案，使其在俯视时，具有与数据线以及TFT的源极电极和漏极电极相同的形状。
可以形成无机绝缘层，使其与有机保护层的接触面具有凹凸图案，而其余表面具有平坦图案。
另一方面，本发明是一种由密封层密封的滤色镜衬底，包括：在衬底上形成并与栅极线和数据线相连的TFT；用于保护TFT的有机保护层；以及在栅极线和数据线之间形成的无机绝缘层。形成无机绝缘层，使其与有机保护层的接触面在覆盖密封层的区域里具有凹凸图案。
无机绝缘层的凹凸图案中的至少一个凸起的高度是大约100到
Figure S06181990120060605D000031
TFT可以包括：在衬底上形成的有源层；与用于覆盖有源层的栅极绝缘层上的栅极线相连的栅极电极；与用于覆盖栅极电极的层间绝缘层上的数据线相连的源极电极，以及在层间绝缘层上形成的漏极电极，漏极电极跨过有源层位于源极电极的对面。
无机绝缘层可以是如下形成的层间绝缘层：其与数据线、源极电极和漏极电极的接触面不同于与有机保护层的接触面。
层间绝缘层可以具有与数据线、源极电极和漏极电极的平坦接触面。
TFT衬底还可以包括无机保护层，其在源极电极、漏极电极和数据线上形成并在俯视时具有与源极电极、漏极电极和数据线相同的形状。
TFT可以包括：在衬底上形成的栅极电极；在用于覆盖栅极电极的栅极绝缘层上形成的非晶硅有源层；用于暴露有源层的沟道区的欧姆接触层；以及位于沟道两侧彼此相对的源极电极和漏极电极。
无机绝缘层可以是如下形成的栅极绝缘层：其与有源层、欧姆接触层、源极电极和漏极电极中的至少一个的接触面不同于与有机保护层的接触面。
栅极绝缘层可以具有与数据线、源极电极和漏极电极的平坦接触面。
TFT衬底还可以包括无机保护层，在源极电极、漏极电极和数据线上形成并在平面图中具有与源极电极、漏极电极和数据线相同的形状。
另一方面，本发明是一种制造TFT衬底的方法。该方法的必要步骤有：在衬底上形成包括栅极电极和栅极线的第一导电图案组；形成无机绝缘层以覆盖第一导电图案组；在无机绝缘层上形成包括数据线、源极电极和漏极电极的第二导电图案组，并处理无机绝缘层的表面使其与第二导电图案组的接触面与其余表面不同；形成有机保护层以覆盖第二导电图案组；以及在有机保护层上形成包括像素电极的第三导电图案组。
形成第二导电图案组和处理无机绝缘层的表面可以包括在第二导电图案组上形成具有与第二导电图案组相同形状的无机保护层。
形成第二导电图案组和处理无机绝缘层的表面可以包括：在无机绝缘层上顺序沉积数据金属层和无机保护层；在无机保护层上形成光刻胶图案；使用光刻胶图案初级蚀刻部分无机保护层和数据金属层；以及使用光刻胶图案二级蚀刻数据金属层，以形成第二导电图案组，并且使用二级蚀刻所用的蚀刻气体处理无机绝缘层的表面。
二级蚀刻所用的蚀刻气体可以是Cl2、O2或Cl2+O2。
另一方面，本发明是一种LCD板，包括：TFT衬底，包括具有形成了图案的接触面和平坦表面的无机绝缘层，形成了图案的接触面具有保护薄膜晶体管的凹凸图案。LCD板还包括：与TFT衬底和滤色镜衬底实质上平行放置的滤色镜衬底；以及在覆盖形成了图案的接触面的区域上形成的密封层，用于密封TFT衬底和滤色镜衬底。
另一方面，本发明是一种制造LCD板的方法。该方法的必要步骤包括：准备滤色镜；准备TFT衬底，所述TFT衬底包括具有形成了图案的接触面和平坦表面的无机绝缘层。形成了图案的接触面具有用作与保护薄膜晶体管的有机保护层的界面的凹凸图案。该方法还包括：使用在覆盖具有凹凸图案的无机绝缘层的区域上形成的密封层，密封滤色镜衬底和TFT衬底。
附图说明
通过结合以下附图的详细描述，本发明的上述和其它目的、特征及优点将会更加明显，其中：
图1是传统LCD板的横截面图；
图2是根据本发明典型实施例的LCD板的平面图；
图3是沿着图2中的线I-I’和II-II’得到的横截面图；
图4是图3中所示区域A的放大图；
图5A到5G是根据本发明典型实施例的、用于解释LCD板的制造过程的横截面图；
图6A到6C是用于解释图5D中所示的第二导电图案组和无机保护层的制造过程的横截面图；
图7是根据本发明另一典型实施例的LCD板的横截面图；以及
图8是示出了根据现有技术和本发明的LCD板的层间结合力的视图。
具体实施方式
下面，将参照附图对本发明的典型实施例进行描述。但是，本发明可以按照多种不同的形式来具体实现，而不应当被解释为局限于这里所述的实施例。相似的数字在所有附图中表示相似的元件。
图2是根据本发明典型实施例的LCD板的平面图，以及图3是沿着图2中的线I-I’和II-II’得到的横截面图。
参考图2和图3，LCD板包括TFT衬底140、滤色镜衬底142和用于组装TFT衬底140和滤色镜衬底142的密封层148。
配置滤色镜衬底142，从而在上衬底上形成滤色镜阵列，所述滤色镜阵列包括用于防止漏光的黑矩阵、用于形成颜色的滤色镜、以及用于形成相对于像素电极122的垂直电场的共用电极。
TFT衬底140包括：与栅极线102和数据线104相连的TFT130；用于保护TFT130的无机保护层128和有机保护层118；以及连接到TFT130的像素电极122。TFT130可以是N型或P型。如以下解释，在本典型实施例中，使用N型TFT。
栅极线102通过栅极焊盘150连接到栅极驱动器(未示出)。数据线104通过数据焊盘160连接到数据驱动器(未示出)。
TFT130将视频信号施加到像素电极122。TFT130包括连接到栅极线102的栅极电极106、连接到数据线104的源极电极108、通过穿透无机保护层128和有机保护层118的像素接触孔120连接到像素电极122的漏极电极110、以及在源极电极108和漏极电极110之间经由栅极电极106形成沟道的有源层114。
在下衬底101上形成有源层114，在有源层114与下衬底101之间放置缓冲层116。连接到栅极线102的栅极电极106重叠在有源层114的沟道区114C上，二者之间形成栅极绝缘层112。
由放置在其间的栅极电极106和层间绝缘层126将源极电极108与漏极电极110绝缘。
连接到数据线104的源极电极108和漏极电极110分别与有源层114的源极区114S和漏极区114D相连。通过延伸通过层间绝缘层126和栅极绝缘层112的源极接触孔124S和漏极接触孔124D注入n+杂质。为了减小截止电流，有源层114还可以包括源极区114S和漏极区114D之间的轻掺杂漏极(“LDD”)区，其中注入了n-杂质。
在源极电极108、漏极电极110和数据线104上形成与源极电极108、漏极电极110和数据线104具有本质上相同图案的无机保护层128。无机保护层128覆盖的区域处的层间绝缘层126具有平坦表面。未被无机保护层128覆盖的区域(例如，覆盖沟道区114C的区域)处的层间绝缘层126具有凸起或不平坦的凹凸表面。如图4中所示，凹凸图案中的至少一个凸起的高度H是大约100到1000
Figure S06181990120060605C00001125120QIETU
。层间绝缘层126由诸如SiNx或SiO2之类的无机绝缘材料做成，与无机保护层128所用的材料相同。
为了增大孔径比，在形成有无机保护层128的下衬底上形成有机保护层118。有机保护层118与层间绝缘层126的凹凸图案区相接触。层间绝缘层108的凹凸图案增大了有机保护层118与层间绝缘层126之间的结合力。在要放置密封层148的区域里形成的凹凸图案减小了密封层区域内有机保护层118与层间绝缘层126相分离的可能性。
如上所述，本发明典型实施例的LCD板通过在层间绝缘层126上形成凹凸图案来防止密封层148所在区域内有机保护层118与层间绝缘层126的分离。如上所述，凹凸图案增强层间绝缘层126与有机保护层118之间的结合。
此外，因为由有机保护层118保护在下衬底101上形成的驱动电路，所以防止了在透明导电层的图案形成工艺期间驱动电路的腐蚀。
此外，因为有机保护层118能够承受通过密封层148施加到TFT130上的压力，所以防止了驱动电路的损坏。
图5A到5G是根据本发明的典型实施例的、用于解释LCD板的制造过程的横截面图。图5A-1、5B-1、5C-1、5D-1、5E-1、5F-1和5G-1示出沿着图2中所示线I-I’得到的横截面。图5A-2、5B-2、5C-2、5D-2、5E-2、5F-2和5G-2示出沿着图2中所示线II-II’得到的横截面。
参考图5A，在下衬底101上形成缓冲层116，并在缓冲层116上形成有源层114。
具体地，通过在下衬底101上沉积诸如SiO2之类的无机绝缘材料来形成缓冲层116。为了形成有源层114，在缓冲层116上放置非晶硅(“a-Si”)层并使用激光使其结晶以便转换成多晶硅。接着使用光刻工艺和蚀刻工艺使多晶硅形成图案。
参考图5B，在其上形成有有源层114的缓冲层116上形成栅极绝缘层112，并在栅极绝缘层112上形成包括栅极电极106和栅极线112的第一导电图案组。
通过在其上形成有有源层114的缓冲层116上沉积诸如SiO2之类的无机绝缘材料来形成栅极绝缘层112。通过在栅极绝缘层112上形成栅极金属层并使用光刻工艺和蚀刻工艺使栅极金属层形成图案，来形成包括栅极电极106和栅极线102的第一导电图案组。此后，将栅极电极106用作掩膜，向有源层114中注入n+杂质，从而形成未被栅极电极106覆盖的、有源层114的源极区114S和漏极区114D。源极区114S横跨沟道区114位于漏极区114D的对面。在栅极电极106下面放置沟道区114C。
参考图5C，在其上形成有第一导电图案组的栅极绝缘层112上形成层间绝缘层126，并且形成穿透层间绝缘层126和栅极绝缘层112的源极接触孔124S和漏极接触孔124D。
在形成了包括栅极电极106和栅极线102的第一导电图案组之后，通过在栅极绝缘层112上沉积诸如SiNx或SiO2之类的无机绝缘材料，来形成层间绝缘层126。通过光刻工艺和蚀刻工艺穿透层间绝缘层126和栅极绝缘层112，从而形成暴露有源层114的源极区114S和漏极区114D的一部分的源极接触孔124S和漏极接触孔124D。
参考图5D，在层间绝缘层126上形成包括数据线104、源极电极108和漏极电极110的第二导电图案组。接着，在第二导电图案上形成无机保护层128。
现在，将参考图6A到6C更详细地描述第二导电图案组和无机保护层128的制造过程。图6A-1、6B-1和6C-1示出沿着图5D-1中所示线I-I’得到的横截面。图6A-2、6B-2和6C-2示出沿着图5D-2中所示线II-II’得到的横截面。
如图6A所示，在层间绝缘层126上顺序沉积数据金属层162和无机绝缘层164。数据金属层162具有单层结构并包括诸如钼(Mo)、钨(W)、铝(Al)、铜(Cu)或钼钨(MoW)等金属，或者具有包括这些金属的组合的多层结构。将诸如SiNx或SiO2之类的无机绝缘材料用作无机绝缘层164。
在无机绝缘层164上沉积光刻胶，并利用光掩膜使光刻胶曝光和显影，从而形成光刻胶图案166。将光刻胶图案166用作掩膜，通过干法蚀刻工艺初级蚀刻无机绝缘层164和数据金属层162。诸如SF6、O2或SF6+O2的蚀刻气体用于初级干法蚀刻。如图6B所示，通过使无机绝缘层164形成图案，在数据金属层162上形成无机保护层128。通过与使无机保护层128形成图案时所用的蚀刻气体反应，沿着光刻胶图案使数据金属层162的一部分形成图案。
使用光刻胶图案166作为掩膜，通过干法蚀刻工艺来二级蚀刻数据金属层162。诸如Cl2、O2或Cl2+O2的蚀刻气体用于二级干法蚀刻。然后如图6C所示，形成了包括数据线104、源极电极108和漏极电极110的第二导电图案组。层间绝缘层126的表面具有用二级干法蚀刻工艺期间所用气体溅蚀而成的凹凸图案。因此，增大了层间绝缘层126的表面面积，从而增大了与有机保护层118(稍后形成)的接触面面积。
可选地，可以采用使用TMAH(氢氧化四甲基铵)的清洗工艺代替干法蚀刻工艺来形成与有机保护层相接触的凹凸形状的无机保护层。在这种情况下，在形成无机保护层之后，需要大约10分钟或更长时间的清洗工艺，以便使无机保护层的表面形成凹凸图案。但是，当使用干法蚀刻工艺时，因为在使数据金属层形成图案时已溅射了层间绝缘层126的表面，所以不需要额外的工艺。
通过清洗工艺在无机保护层上形成的凹凸区的尺寸小于通过干法蚀刻工艺形成的层间绝缘层的尺寸。所以，与使用清洗工艺形成的无机保护层相比，使用干法蚀刻工艺形成的层间绝缘层126更加有效地增强与有机保护层118的结合力。
参考图5E，在其上形成有第二导电图案组的层间绝缘层126上形成有机保护层118，并形成穿透无机保护层128和有机保护层118的像素接触孔120。
通过在其上形成有数据线104和漏极电极110的层间绝缘层126上沉积诸如光敏丙烯酸(photoacryl)的有机绝缘材料形成有机保护层118。通过光刻工艺和蚀刻工艺形成穿透无机保护层128和有机保护层118的像素接触孔120。像素接触孔120通过穿透无机保护层128和有机保护层118来暴露TFT130的漏极电极110。
参考图5F，在有机保护层118上形成包括像素电极122的第三导电图案组。
通过在有机保护层118上沉积诸如氧化铟锡(ITO)的透明导电层并使用光刻工艺和蚀刻工艺使该透明导电层形成图案，来形成包括像素电极122的第三导电图案组。
参考图5G，密封层148将包括像素电极122的TFT衬底140密封到独立准备的滤色镜衬底142上。
图7是根据本发明另一实施例的TFT衬底的横截面图。
除了用a-Si TFT带替多晶硅TFT之外，图7中所示的TFT衬底与图2和图3中所示的TFT衬底包括相同的元件。
a-Si TFT形成在衬底101上，并包括：连接到栅极线的栅极206、连接到数据线的源极208、连接到像素电极222的漏极210、在源极208与漏极210之间形成沟道的有源层214、以及与源极208、漏极210和有源层214形成欧姆接触的欧姆接触层216。
在源极电极108、漏极电极110和数据线104上形成与源极电极108、漏极电极110和数据线104具有实质上相同图案的无机保护层228。无机保护层228覆盖的区域处的栅极绝缘层212具有平坦表面。未被无机保护层128覆盖的区域处的栅极绝缘层212具有凹凸表面。栅极绝缘层212的凹凸图案中的至少一个凸起的高度是大约100到
Figure S06181990120060605D000101
栅极绝缘层212由诸如SiNx之类的无机绝缘材料做成，与无机保护层228所用的材料相同。
为了增大孔径比，在其上形成有无机保护层228的下衬底101上形成由诸如光敏丙烯酸(photoacryl)的有机绝缘材料构成的有机保护层218。有机保护层218与凹凸图案的栅极绝缘层212相接触。因为有机保护层218在要沉积密封层148的区域内与凹凸图案的栅极绝缘层212相接触，所以改善了有机保护层218与栅极绝缘层212之间的结合力。因此，凹凸图案减小了沉积密封层148的区域内有机保护层218与栅极绝缘层212相分离的可能性。
如上所述，本发明典型实施例的LCD板通过使具有凹凸图案的栅极绝缘层212与有机保护层218彼此接触，来防止密封层148所在区域内的层间分离。
此外，因为由有机保护层218保护在下衬底101上形成的驱动电路，所以防止了在透明导电层的图案形成工艺期间驱动电路的腐蚀。
此外，因为有机保护层218能够承受通过密封层148施加到TFT130上的压力，所以防止了驱动电路的损坏。
图8是示出了传统LCD板和本发明LCD板的层间结合力的视图。在图8中，横坐标表示LCD板，纵坐标表示无机层与有机层之间的结合力。LCD板A是常规的传统LCD板。LCD板B是具有比板A更大密封区的传统LCD板。LCD板C是本发明的板。如图8中所示，本发明LCD板的结合力大于传统LCD板A。本发明LCD板的结合力也大于LCD板B。
从前述可以理解，使用数据金属层的蚀刻气体处理层间绝缘层与栅极绝缘层中的至少一个的表面。这样，增强了无机绝缘层与有机保护层之间的接触面积，并防止了二者的分离。
虽然参考特定的优选实施例示出和描述了发明，但是本领域普通技术人员应当理解，在不偏离由所附权利要求限定的发明的精神和范围的前提下，可以在形式和细节上做出多种改变。

Claims (15)

1.一种薄膜晶体管衬底，包括：
衬底；
设置在衬底上并且与栅极线和数据线相连的薄膜晶体管；
覆盖薄膜晶体管以保护薄膜晶体管的有机保护层；以及
在栅极线和数据线之间形成的无机绝缘层，
其中所述薄膜晶体管包括与所述栅极线相连的栅电极、与所述数据线相连的源电极、漏电极、形成于有源层和栅电极之间的栅极绝缘层以及设置在所述源电极和所述栅电极之间的层间绝缘层，
其中形成无机绝缘层，使其与有机保护层的接触面具有连续的凹凸图案，而其余表面具有平坦图案。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管衬底，还包括在数据线、以及薄膜晶体管的源极和漏极上形成的无机保护层，并且对无机保护层形成图案，使其在平面图中，具有与数据线、以及薄膜晶体管的源极和漏极相同的形状。
3.一种薄膜晶体管衬底，被密封层密封到滤色镜衬底，所述薄膜晶体管衬底包括：
衬底；
在衬底上形成并与栅极线和数据线相连的薄膜晶体管；
用于覆盖薄膜晶体管以保护薄膜晶体管的有机保护层；以及
在栅极线和数据线之间形成的无机绝缘层；
其中薄膜晶体管包括：在衬底上形成的有源层；与用于覆盖有源层的栅极绝缘层上的栅极线相连的栅极电极；与用于覆盖栅极电极的层间绝缘层上的数据线相连的源极电极；以及在层间绝缘层上形成的漏极电极，所述漏极电极跨过有源层位于源极电极的对面，
其中形成无机绝缘层，使其与有机保护层的接触面在覆盖密封层的区域里具有连续的凹凸图案。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管衬底，其中无机绝缘层的凹凸图案中的至少一个凸起的高度是100到
Figure FFW0000010234000000011
5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管衬底，其中无机绝缘层形成为使得所述无机绝缘层与数据线、源极电极和漏极电极的接触面具有平坦图案。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管衬底，其中层间绝缘层具有与数据线、源极电极和漏极电极的平坦接触面。
7.根据权利要求3所述的薄膜晶体管衬底，还包括无机保护层，其在源极电极、漏极电极和数据线上形成并在平面图中具有与源极电极、漏极电极和数据线相同的形状。
8.一种薄膜晶体管衬底，被密封层密封到滤色镜衬底，所述薄膜晶体管衬底包括：
衬底；
在衬底上形成并与栅极线和数据线相连的薄膜晶体管；
用于覆盖薄膜晶体管以保护薄膜晶体管的有机保护层；以及
在栅极线和数据线之间形成的无机绝缘层，其中薄膜晶体管包括：
在衬底上形成的栅极电极；
在用于覆盖栅极电极的栅极绝缘层上形成的非晶硅有源层；
用于暴露有源层的沟道区的欧姆接触层；以及
位于沟道两侧彼此相对的源极电极和漏极电极，
其中形成无机绝缘层，使其与有机保护层的接触面在覆盖密封层的区域里具有连续的凹凸图案。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管衬底，其中无机绝缘层形成为使得所述无机绝缘层与有源层、欧姆接触层、源极电极和漏极电极中的至少一个的接触面具有平坦形状。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管衬底，其中栅极绝缘层具有与数据线、源极电极和漏极电极的平坦接触面。
11.根据权利要求8所述的薄膜晶体管衬底，还包括无机保护层，在源极电极、漏极电极和数据线上形成并在平面图中具有与源极电极、漏极电极和数据线相同的形状。
12.一种制造薄膜晶体管衬底的方法，包括步骤：
准备衬底；
在衬底上形成包括栅极电极和栅极线的第一导电图案组；
形成无机绝缘层以覆盖第一导电图案组；
在无机绝缘层上形成包括数据线、源极电极和漏极电极的第二导电图案组，并处理无机绝缘层的表面使其与第二导电图案组的接触面具有平坦图案，而其余表面具有连续的凹凸图案；
形成有机保护层以覆盖第二导电图案组；以及
在有机保护层上形成包括像素电极的第三导电图案组。
13.根据权利要求12所述的方法，其中形成第二导电图案组和处理无机绝缘层的表面包括在第二导电图案组上形成具有与第二导电图案组相同形状的无机保护层。
14.根据权利要求13所述的方法，其中形成第二导电图案组和处理无机绝缘层的表面包括：
在无机绝缘层上顺序沉积数据金属层和无机保护层；
在无机保护层上形成光刻胶图案；
使用光刻胶图案初级蚀刻部分无机保护层和数据金属层；以及
使用光刻胶图案二级蚀刻数据金属层，以形成第二导电图案组，并且使用二级蚀刻所用的蚀刻气体处理无机绝缘层的表面。
15.根据权利要求14所述的方法，其中二级蚀刻所用的蚀刻气体是Cl2、O2或Cl2+O2。
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