CN1929302A - 薄膜体声谐振器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种薄膜体声谐振器包括具有通孔的衬底，所述通孔通过在与所述衬底顶面相反的所述衬底底面上的开口被限定。所述开口的宽度大于在所述顶面处的宽度。底电极设置在所述通孔上方，并在所述顶面上方延伸。在所述底电极上设置压电膜。在所述压电膜上设置顶电极，以便面对所述底电极。从所述底面将密封板插入到所述通孔中，以便密封所述开口。

Description

薄膜体声谐振器及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请基于并要求2005年9月9日提交的在先的日本专利申请P2005-262101的优先权，在此引入其整个内容作为参考。
技术领域
本发明涉及一种位于空腔之间的薄膜体声谐振器及其制造方法。
背景技术
无线技术取得了显著进步，并且目前正在进行针对高速无线传输的进一步开发。同时，随着可传输的信息量的增加，更容易获得较高的频率。关于更高功能的移动无线电设备，强烈需求更小且更轻的元件，并集成以前作为分立元件埋入的元件例如滤波器。
根据这些需求，近年来吸引注意的一种元件是利用薄膜体声谐振器(FBAR)的滤波器。FBAR是与表面声波(SAW)元件类似的，利用压电材料的谐振现象的谐振器。FBAR更适用于2GHz以上的高频操作，而SAW元件具有处理相关频率范围的问题。由于FBAR利用在压电膜厚度方向上的纵波的谐振，因此可显著减小元件尺寸，特别是其厚度。另外，在半导体衬底例如硅(Si)上制造FBAR相对容易。因此，可容易地将FBAR集成到半导体芯片中。
FBAR具有在电容器上方和下方的空腔，在该电容器中将压电膜夹在顶电极和底电极之间。用于形成空腔以及夹在空腔之间的电容器的支撑结构的方法是FBAR制造技术中的主要问题。具体地说，需要紧接在形成在衬底中的电容器的底电极下方设置空腔。因此，限制了FBAR的制造技术。
当前，已将牺牲层蚀刻工艺和背面体蚀刻工艺用于形成衬底中的空腔。
在由牺牲层蚀刻工艺制造的FBAR中，将紧接在底电极下方在衬底表面上设置的沟槽用作空腔(参考日本未审专利公开No.2000-69594)。例如，通过掩埋设置在衬底中的沟槽，形成牺牲层。在牺牲层上形成电容器等。其后，通过选择性蚀刻去除牺牲层以形成空腔。在牺牲层蚀刻工艺中，必须通过狭窄的开口完全去除牺牲层。因此，牺牲层蚀刻工艺是成品率降低的一个主要原因。但是，由于在去除牺牲层之后通常不必密封空腔，因此牺牲层蚀刻工艺可有效抑制FBAR的厚度。
在由背面体蚀刻工艺制造的FBAR中，从衬底的背面，紧接在底电极下方形成通孔。将通孔用作空腔(参考美国专利No.6713314)。例如，在衬底上形成电容器等之后，通过反应离子蚀刻(RIE)等，从衬底背面，通过去除紧接在底电极下方的衬底，形成通孔。通过从衬底背面密封通孔，紧接在底电极下方形成空腔。在背面体蚀刻工艺中，相对容易形成空腔。但是，由于在衬底背面上密封衬底，FBAR变得较厚。结果，从用于封装或集成FBAR的观点来看，背面体蚀刻工艺具有缺点。
如上描述，在通过背面体蚀刻工艺制造FBAR的情况中，为减小FBAR的厚度，有必要减小用于形成电容器的衬底以及密封衬底的厚度。但是，减薄处理的衬底引起衬底强度的显著降低，并且在制造工艺期间衬底容易断裂。结果，FBAR的制造成品率降低。从实用观点出发，在将用于FBAR的衬底厚度减小为小于约300μm之后，有必要将加强衬底临时接合到衬底。由于这种接合处理以及用于去除加强衬底的处理，FBAR的制造成本不可避免地增加，由此劣化FBAR的成本竞争力。
发明内容
本发明的第一方面在于一种薄膜体声谐振器，包括：具有通孔的衬底，所述通孔通过在与所述衬底顶面相反的所述衬底底面上的开口被限定，所述开口的宽度大于在所述顶面处的开口宽度；底电极，设置在所述通孔上方，并在所述顶面上方延伸；压电膜，设置在所述底电极上；顶电极，设置在所述压电膜上，以便面对所述底电极；以及密封板，设置在所述衬底的所述底面处，被插入到所述通孔中，以便密封所述开口。
本发明的第二方面在于一种制造薄膜体声谐振器的方法，包括以下步骤：在衬底的顶面上方形成底电极；在所述底电极上层叠压电膜；在所述压电膜上形成顶电极，以便面对所述底电极；从与所述顶面相反的所述衬底的底面，通过选择性去除所述底电极下方的所述衬底，挖出通孔，所述通孔被限定为在所述衬底的所述底面处的开口宽度大于在所述顶面处的开口宽度；以及从所述底面侧将密封板插入所述通孔中，以便密封所述通孔的底部。
附图说明
图1是示出根据本发明第一实施例的FBAR实例的平面图；
图2是沿图1所示的FBAR的线II-II截取的横截面图；
图3是示出由于树脂密封引起的FBAR的谐振特性的变化实例的图表；
图4到图12是示出用于制造根据本发明第一实施例的FBAR的方法的实例的横截面图；
图13是示出根据本发明第一实施例的FBAR的通孔的另一实例的横截面图；
图14是示出根据本发明第一实施例的FBAR的另一实例的横截面图；
图15是表示根据本发明第二实施例的FBAR示例的视图；
图16到19是示出用于制造根据本发明第二实施例的FBAR的方法实例的横截面图；以及
图20是示出根据本发明第二实施例的FBAR的另一实例的横截面图。
具体实施方式
参考附图描述本发明的各个实施例。注意所有附图中将相同或相似的参考标号应用到相同或相似的部件和元件，并且省略或简化对相同或相似部件和元件的描述。
(第一实施例)
如图1和2所示，根据本发明第一实施例的FBAR包括衬底10、底电极14、压电膜16、顶电极18、顶密封构件25、底密封构件29等。衬底10具有通孔，该通孔由与衬底10的顶面相反的衬底10的底面上的开口限定。该开口的宽度大于在衬底10的顶面处的宽度。在形成在衬底10的顶面上的绝缘膜12上设置底电极14。将底电极14设置在通孔上方并在衬底10的顶面上方延伸。在底电极14上设置压电膜16。将顶电极18设置在压电膜16上以便面对底电极14。顶电极18从压电膜16上方的区域延伸到衬底10上方的区域。通过其中底电极14和顶电极18彼此面对以将压电膜16夹在中间的区域，限定用作FBAR的谐振器的电容器20。底和顶电极14、18实现电容器20的电容器电极。
顶密封构件25包括支撑构件22和密封板24。将支撑构件22设置在衬底10的顶面侧，以便包围电容器20。将密封板24设置在支撑构件22上，以便在电容器20上方形成空腔30并密封电容器20。
底密封构件29包括密封板28和支撑膜26。将设置在衬底10的底面处的密封板28插入通孔中，以便在电容器20下方形成空腔32并密封设置在衬底10的底面中的通孔的底部。设置支撑膜26，以便覆盖密封板28的底面和衬底10的底面。
在电容器20中，通过压电膜16的体声波的谐振传输高频信号。通过施加到底电极14或顶电极18的高频信号激发压电膜16。为在希望的GHz频带获得谐振频率，通过考虑电容器20中的底电极14和顶电极18的重量来确定压电膜16的厚度。
为获得来自电容器20的良好谐振特性，可将具有包括结晶取向和膜厚度均匀性的优良膜品质的AlN膜或ZnO膜用作压电膜16。可将金属膜例如铝(Al)、钼(Mo)、或钨(W)用作底电极14和顶电极18。衬底10可以是半导体衬底例如Si。可将氧化硅(SiO2)膜等用作绝缘膜12。可将感光树脂等用作支撑构件22。可将有机材料例如聚酰亚胺用作支撑膜26。可将半导体衬底例如Si用作密封板24和28。
在根据第一实施例的FBAR中，通孔的底部具有在衬底10的底面侧上从底面延伸到深度D的斜侧壁。通孔的开口宽度具有在底面上的最大值Wa。与衬底10的顶面侧中的通孔的顶部对应的空腔32具有其开口宽度为Wb的基本上垂直的侧壁。与衬底10的顶面垂直的密封板28的横截面形状是梯形，该梯形的下底近似等于Wa，上底近似等于Wb，以及高近似等于D。梯形侧端的倾角基本上等于通孔底部中的斜侧壁的倾角。因此，密封板28互补地与通孔的斜侧壁配合。结果，可将由于底密封构件29引起的FBAR的厚度的增大基本上抑制到仅仅支撑膜26的厚度。
在通常的塑封中，例如，将热固性树脂用作粘接剂。当将属于与支撑膜26类似的有机材料的薄膜薄片密封构件直接暴露在通孔中时，或者当使用粘接剂将密封衬底密封构件附着到平坦衬底10的底面时，部分树脂可能泄漏到空腔32内部，或者粘接剂的挥发性组分可能扩散到空腔32中。结果，如图3所示，密封后，密封前的FBAR的谐振特性改变。如上描述，不能提供希望的稳定的FBAR的谐振频率，由此降低FBAR的制造成品率。
在第一实施例中，通过密封板28密封在电容器20下方形成的空腔32。因此，通过使用底密封构件29的塑封，可防止部分树脂泄漏到空腔32的内部，并防止粘接剂的挥发性组分扩散到空腔32内。结果，可抑制FBAR的谐振频率的变化，并抑制其制造成品率的降低。
接下来，参考图4到12所示的横截面图描述制造根据本发明第一实施例的FBAR的方法。这里，用于描述制造方法的各横截面图对应于沿图1所示的线II-II截取的横截面。
如图4所示，通过热氧化等，在例如单晶Si衬底的衬底10的顶面和底面上形成绝缘膜12。例如，衬底10具有(100)面取向和约675μm的厚度。绝缘膜12例如SiO2具有约200nm的厚度。通过直流(DC)磁控溅射等，在衬底10的顶面上的绝缘膜12上淀积金属膜例如Mo，该金属膜具有约150nm到约600nm的厚度范围，理想地具有约250nm到约350nm的厚度范围。通过光刻、RIE等，选择性去除金属膜以形成底电极14。
如图5所示，在其上已形成底电极14的衬底10的顶面上淀积厚度为约0.5μm到约3μm的纤锌矿型AlN膜。AlN膜的厚度由谐振频率确定。例如，当谐振频率是约2GHz时，AlN膜的厚度是约2μm。通过光刻、使用氯化物气体的RIE等选择性去除AlN膜，以在底电极14的表面上层叠压电膜16。
如图6所示，通过DC溅射等，在其上已形成压电膜16的衬底10的顶面上淀积金属膜例如Al，该金属膜具有约150nm到约600nm的厚度范围，理想地具有约250nm到约350nm的厚度范围。通过光刻、使用非氧化酸例如盐酸的湿法蚀刻等选择性去除金属膜，以形成面对底电极14并将压电膜16夹在其间的顶电极18。在底电极14和顶电极18彼此面对的区域中限定电容器20。
如图7所示，在其上已形成顶电极18的衬底10的顶面上旋涂树脂膜例如感光树脂。树脂膜具有约5μm到约20μm的厚度，例如，更具体地约10μm的厚度。保留通过光刻等选择性交联的部分树脂膜，以形成支撑构件22，从而使电容器20位于支撑构件22内。在支撑构件22上安置具有约100μm厚度的密封板24例如Si。在密封板24上涂覆具有约1μm厚度的热固性树脂例如环氧树脂。通过加热，将密封板24附着到支撑构件22。在电容器20上方形成被顶密封构件25包围的空腔30，该顶密封构件25包括支撑构件22和密封板24。
如图8所示，例如，通过从衬底10的底面研磨，将衬底10的厚度减小到约300μm。通过光刻、使用氢氧化钾(KOH)溶液的各向异性蚀刻等，从其底面选择性去除衬底10，以挖出具有斜侧壁的沟槽50。沟槽50具有在衬底10的底面处的开口宽度Wa以及约200μm的深度。在各向异性蚀刻中，选择性蚀刻{100}面和{110}面，而在<111>方向的蚀刻速率很小。因此，通过各向异性蚀刻形成的各斜侧壁基本上是{111}面。结果，沟槽50的各侧壁相对于衬底10的底面的倾角α接近于{100}和{110}面之间的54.74°的角。这里，各向异性蚀刻不只限于KOH蚀刻。也可使用四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液、邻苯二酚乙二胺(EDP)溶液等。
如图9所示，从具有斜侧壁的沟槽50的底部选择性去除衬底10，其开口宽度Wb小于开口宽度Wa，同时使用绝缘膜12作为蚀刻停止层，以便挖出具有垂直侧壁的凹槽。此后，通过湿法蚀刻、化学干法蚀刻(CDE)等选择性去除在电容器20下方的绝缘膜12，以形成通孔54。在衬底10的底面侧中的通孔54的侧壁的底部以角度α倾斜。在衬底10的顶面侧中的侧壁的顶部基本上垂直。
此后，测量FBAR的谐振频率。当测量的谐振频率小于希望的谐振频率时，通过用包含氯(Cl)的气体等从通孔54蚀刻，减小底电极14的膜厚度。此时，通过在辐照红外光等的同时调节底电极14的温度，可非常精确地减小底电极14的膜厚度。通过减小底电极14的重量，将谐振频率移动到较高频率。因此，可获得希望的谐振频率。相反地，当测量的谐振频率高于希望的谐振频率时，通过用铜(Cu)镀敷溶液等从通孔54镀敷，增加底电极14的底面。通过镀敷，增加底电极14的重量，从而将谐振频率移动到较低的频率。由此，可获得希望的谐振频率。
如图10所示，制备其厚度小于等于约100μm的支撑膜26例如聚酰亚胺。将具有与衬底10相同的(100)面取向并具有约200μm厚度的衬底28a例如单晶Si衬底附着到支撑膜26。通过光刻等在衬底28a的表面上形成抗蚀剂图形56。使抗蚀剂图形56的宽度基本上等于开口宽度Wa。
如图11所示，在使用抗蚀剂图形56作为掩膜的同时，通过用KOH溶液等各向异性蚀刻，选择性去除衬底28a，以形成底密封构件29。底密封构件29包括支撑膜26和设置在支撑膜26上的密封板28。密封板28具有这样的形状，以使与衬底10的顶面垂直的横截面形状是梯形。通过各向异性蚀刻形成的密封板28的各斜侧壁基本上是{111}面。接触支撑膜26的密封板28的下底的宽度近似等于Wa。各侧壁相对于密封板28的表面的倾角β基本上等于通孔54的各侧壁的角α。
如图12所示，在衬底10的底面上涂覆粘接剂例如热固性树脂。通过加热将底密封构件29的支撑膜26附着到衬底10的底面。从衬底10的底面侧将密封板28插入到通孔54，以便密封通孔54的底部并形成空腔32。由此，制造了根据第一实施例的FBAR。
在第一实施例中，在衬底10中形成的在通孔54的底面侧中的侧壁的倾角α基本上等于密封板28的侧壁的倾角β。具体地说，当衬底10和衬底28a是相同的半导体材料时，可使通过各向异性蚀刻提供的倾角α基本上等于倾角β。而且，密封板28的下底的宽度基本上等于通孔54的开口宽度Wa。因此，密封板28的各侧壁互补地与通孔的各斜侧壁配合。结果，由于底密封构件29的附着，可将FBAR的厚度的增大抑制到仅仅支撑膜26的厚度。
而且，通过密封板28，密封形成在电容器20下方的空腔32。因此，当使用树脂密封底密封构件29时，可防止树脂泄漏以及树脂的挥发性组分扩散到空腔32的内部。结果，可抑制FBAR的谐振频率的变化以及制造成品率的降低。
如上描述，在制造根据第一实施例的FBAR的方法中，可防止由于底密封构件29引起的FBAR厚度的增加，并精确调整谐振频率。结果，可防止FBAR的制造成品率的降低。
在第一实施例中，在与衬底10的顶面垂直的横截面中的空腔32的各侧壁是垂直的。但是，空腔32的各侧壁的横截面可以是任意形状的。例如，如图13所示，可以将通孔54a形成为具有这样的侧壁，所述侧壁从衬底10的底面到与绝缘膜12接触的顶面为倾斜的。在用于图8所示的沟槽50的蚀刻工艺中，可通过选择性去除衬底10直到到达绝缘膜12，形成通孔54a。可选地，在用于图9所示的通孔54的蚀刻工艺中，通过使用各向异性蚀刻，形成通孔54a。如图14所示，通过将图11所示的底密封构件29附着到通孔54a，在电容器20下方形成通过密封板28密封的空腔32a。
而且，在上面的描述中，用于形成密封板28的抗蚀剂图形56的宽度基本上等于沟槽50或通孔54的开口宽度Wa。但是，考虑到抗蚀剂图形56或者密封板28的加工误差，希望抗蚀剂图形56的宽度小于开口宽度Wa。由于支撑膜26是柔性的，即使当形成的密封板28具有略小于开口宽度Wa的下底，也可通过将密封板28推到通孔54中直到密封板28的各侧壁接触通孔54的各侧壁，用密封板28密封空腔32。
(第二实施例)
如图15所示，根据本发明第二实施例的FBAR包括衬底10、底电极14、压电膜16、顶电极18、顶密封构件25、底密封构件29a等。包括空腔32的通孔具有基本上垂直的侧壁。在通孔中提供台阶部分，以便在衬底10的底面侧处的开口宽度大于空腔32的开口宽度。将底密封构件29a的密封板28b插入到通孔中，以在电容器20下方形成空腔32。与衬底10的顶面垂直的密封板28b的横截面形状是矩形。密封板28b的各侧壁是基本上垂直的。密封板28b的宽度大于空腔32的宽度。在支撑膜26上设置密封板28b。
根据第二实施例的FBAR与根据第一实施例的FBAR的结构的不同之处在于，通过这样的底密封构件29a密封通孔，以形成空腔32，该底密封构件29a包括具有基本上垂直的侧壁的密封板28b。其它部件与第一实施例的基本上相同，因此省略重复的描述。
在根据第二实施例的FBAR中，密封板28b与衬底10底面侧中的通孔的底部互补地配合，该通孔的底部的开口宽度大于空腔32的开口宽度。密封板28b的顶面接触通孔的台阶部分，以便密封空腔32。因此，可防止由于底密封构件29a引起的厚度的增加，从而精确调整FBAR的谐振频率。结果，可防止FBAR的制造成品率的降低。
接下来，参考图16到19所示的横截面图，描述用于制造根据本发明第二实施例的FBAR的方法。这里，与前面的第一实施例类似，执行图4到7所示的制造工艺。
如图16所示，例如，通过研磨衬底10的底面，将衬底10的厚度减小到约300μm。通过光刻、RIE等，从衬底10的底面选择性去除衬底10，以挖出具有基本上垂直的侧壁的沟槽50a。沟槽50a的深度为例如约200μm。
如图17所示，衬底10具有这样的开口，其宽度小于沟槽50a的开口宽度。在使用绝缘膜12作为蚀刻停止层的同时，通过光刻、RIE等，从沟槽50a的底平面选择性去除衬底10，提供该开口。此后，通过湿法蚀刻、CDE等，选择性去除在电容器20下方的绝缘膜12，以形成通孔54b。通孔54b的侧壁基本上垂直，并且在衬底10的底面和顶面之间形成台阶部分。此后，通过处理FBAR的底电极14，将FBAR的谐振频率调整到希望的值。
如图18所示，制备具有小于等于约100μm厚度的支撑膜26例如聚酰亚胺。将具有约200μm厚度的衬底28a例如单晶Si衬底附着到支撑膜26。通过光刻等，在衬底28a的表面上形成抗蚀剂图形56。由于考虑到可能的加工误差，抗蚀剂图形56的宽度小于在衬底10的底面侧的通孔54b的开口宽度。
如图19所示，使用抗蚀剂图形56作为掩模，通过RIE等，选择性去除衬底28a，以形成底密封构件29a。底密封构件29a包括支撑膜26和在支撑膜26上具有矩形横截面形状的密封板28b。密封板28b的宽度小于在衬底10的底面侧的通孔54b的开口宽度。
在衬底10的底面上涂覆粘接剂例如热固性树脂。通过加热，将底密封构件29a的支撑膜26附着到衬底10的底面。将密封板28b插入到通孔54b中，以便形成空腔32。由此，制造图15所示的FBAR。
在第二实施例中，密封板28b与通孔54b的底部互补配合。结果，可将由于附着底密封构件29a引起的FBAR厚度的增大抑制为仅仅支撑膜26的厚度。
而且，密封板28b的顶面接触通孔54b的台阶部分，以便密封空腔32。因此，当使用树脂密封底密封构件29a时，可防止树脂泄漏以及挥发性组分扩散到空腔32的内部。结果，可防止FBAR的谐振频率的变化，并防止制造成品率的降低。
如上描述，在用于制造根据第二实施例的FBAR的方法中，可防止由于底密封构件29a引起的厚度的增加，并精确调整FBAR的谐振频率。
此外，通过如图11所示的具有斜侧壁的密封板28，也可密封具有台阶部分的通孔54b。例如，如图20所示，通过调整密封板28的尺寸，以便密封板28的斜侧壁接触设置在台阶部分和空腔32的侧壁之间的台阶部分的边缘，可由密封板28密封空腔32。在这种情况下，在衬底10的底面侧中形成空气隙34。空气隙34可存储在按压底密封构件29a以将支撑膜26附着到衬底10的底面期间挤压出的树脂。因此，可防止树脂泄漏到空腔32的内部。
(其它实施例)
在本发明的第一实施例中，密封板28包括与通孔54的底部中的斜侧壁互补的斜侧壁。但是，密封板的侧壁不限于仅仅互补斜侧壁。例如，对于密封板的侧壁，垂直侧壁也在本发明的范围内。而且，也可形成密封板，以便具有其角度大于通孔54的斜侧壁的倾角的斜侧壁。例如，当使用图19所示的密封板28b时，可通过密封板28b密封空腔，以便密封板28b的顶面的边缘接触图9所示的通孔54的斜侧壁。
对于本领域技术人员来说，在了解了本公开的内容后，只要不脱离其范围，可以进行各种修改。

Claims (20)

1.一种薄膜体声谐振器，包括：
具有通孔的衬底，所述通孔通过在与所述衬底顶面相反的所述衬底底面上的开口被限定，所述开口的宽度大于在所述顶面处的开口宽度；
底电极，设置在所述通孔上方，并在所述顶面上方延伸；
压电膜，设置在所述底电极上；
顶电极，设置在所述压电膜上，以便面对所述底电极；以及
密封板，设置在所述衬底的所述底面处，被插入到所述通孔中，以便密封所述开口。
2.根据权利要求1的薄膜体声谐振器，其中所述通孔具有在所述通孔底部的斜侧壁。
3.根据权利要求1的薄膜体声谐振器，其中所述通孔包括具有斜侧壁的底部和具有垂直侧壁的顶部。
4.根据权利要求1的薄膜体声谐振器，其中所述通孔具有在所述通孔底部的基本上垂直的侧壁。
5.根据权利要求1的薄膜体声谐振器，其中所述通孔包括都具有垂直侧壁的底部和顶部，所述底部具有大于所述顶部的开口宽度。
6.根据权利要求1的薄膜体声谐振器，还包括支撑膜，其覆盖所述密封板的底面和所述衬底的所述底面。
7.根据权利要求1的薄膜体声谐振器，还包括顶密封构件，其设置在所述衬底的所述顶面上方，以便包围电容器区域并密封所述电容器区域，在所述电容器区域中，所述底和顶电极实现彼此面对的电容器电极。
8.根据权利要求2的薄膜体声谐振器，其中与所述衬底的所述顶面垂直的所述密封板的横截面形状是梯形。
9.根据权利要求4的薄膜体声谐振器，其中与所述衬底的所述顶面垂直的所述密封板的横截面形状是矩形。
10.根据权利要求6的薄膜体声谐振器，其中所述支撑膜由有机材料构成。
11.根据权利要求8的薄膜体声谐振器，其中所述梯形的侧端的倾角基本上等于在所述通孔的所述底部处的所述斜侧壁的倾角。
12.根据权利要求8的薄膜体声谐振器，其中所述衬底和所述密封板由具有(100)面取向的单晶硅构成。
13.根据权利要求12的薄膜体声谐振器，其中所述通孔的所述底部处的侧壁和所述密封板的侧壁基本上是{111}平面。
14.一种薄膜体声谐振器的制造方法，包括以下步骤：
在衬底的顶面上方形成底电极；
在所述底电极上层叠压电膜；
在所述压电膜上形成顶电极，以便面对所述底电极；
从与所述顶面相反的所述衬底的底面，通过选择性去除所述底电极下方的所述衬底，挖出通孔，所述通孔被限定为在所述衬底的所述底面处的开口宽度大于在所述顶面处的开口宽度；以及
从所述底面侧将密封板插入所述通孔中，以便密封所述通孔的底部。
15.根据权利要求14的制造方法，其中所述密封板具有这样的形状，以使与所述衬底的所述顶面垂直的所述密封板的横截面形状是梯形，所述横截面形状配合所述通孔的所述底部，所述底部具有这样的形状，以包括斜侧壁。
16.根据权利要求14的制造方法，其中通过将支撑膜附着到所述衬底的所述底面来密封所述通孔，所述支撑膜从所述密封板的底面延伸。
17.根据权利要求16的制造方法，其中所述支撑膜由有机材料构成。
18.根据权利要求16的制造方法，其中通过粘接剂将所述支撑膜附着到所述衬底的所述底面。
19.根据权利要求15的制造方法，其中所述衬底和所述密封板由具有(100)面取向的单晶硅构成，并且所述通孔的所述底部中的侧壁和所述密封板的侧壁基本上是{111}面。
20.根据权利要求19的制造方法，其中通过各向异性蚀刻形成所述通孔的所述底部和所述密封板。
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