CN1921051A - 电子源和图像显示设备 - Google Patents

Abstract

本发明实现了这样的一种电极结构：其以可靠的方式快速地引起消弧而不会维持放电电流，并提供了一种配备有这种电极结构的电子源和图像显示设备。器件电极2和3在它们连接到扫描布线6和信号布线4的区域中部分地变窄，使扫描布线6和信号布线4绝缘的绝缘层5延伸以覆盖器件电极2和3的狭窄部分。

Description

电子源和图像显示设备

技术领域

本发明涉及一种具有减少放电的电极结构的电子源以及使用这种电子源的图像显示设备。

背景技术

电子发射器件的常规应用包括图像显示设备。例如，其中电子源衬底和相对衬底彼此平行地相对放置的抽空的平面电子束显示板是公知的，在这种显示板中电子源衬底包含大量的冷阴极电子发射器件，并且相对衬底配备有加速从电子发射器件发射的电子的阳极电极和用作发光部件的荧光体。平面电子束显示板比如今广泛使用的阴极射线管(CRT)显示设备具有更轻的重量和更大的屏幕尺寸。此外，它可以比其它的平面显示板比如平面液晶显示板、等离子体显示器和电致发光显示器提供更亮、更高质量的图像。

因此，对于在阳极电极和冷阴极电子发射器件之间施加电压以加速从冷阴极电子发射器件发射的电子的图像显示设备，有利的是施加较高的电压以使发射亮度最大化。根据器件的类型，所发射的电子束在到达阳极电极之前发散，因此，为实施高分辨率的显示，优选减小在背板和面板之间的衬底间的距离。

然而，更短的衬底间距离在衬底之间实质上导致了更高的电场，这使得电子发射器件更加容易因为放电而断裂。日本专利申请公开第H09-298030号公开了这样的一种图像显示设备：其中在配备有电子发射区的导电膜和器件电极之间放置低熔点材料的过流保护部件，由此防止了在器件电极之间发生短路的情况下影响其它的器件。日本专利申请公开第H09-245689号公开了一种在活性区之外放置保险丝的图像显示设备。日本专利申请公开第H07-94076号公开了这样的想法：安装通过短路电流烧掉的电阻层，以防止在FED中的发射极-栅极短路电路。它还公开了通过以绝缘层覆盖电阻层，也可以防止在电阻层熔化的情况下产生气体，由此防止了由气体产生的二次放电。

然而，在日本专利申请公开第H09-298030号、日本专利申请公开第H09-245689号和日本专利申请公开第H07-94076号中公开的技术还不够，仍然需要一种可以更加可靠地防止放电的影响的方法。如果施加给图像形成部件的电压被设置在较高的电平，通过放电烧断的保险丝有时可能导致产生新的放电，这导致了在更长的时间段内的较大电流的放电。这增加了损害并致命地污染了面板中的真空环境，给器件的可靠性带来了严重的问题。

发明内容

本发明的一个目的是解决上述的问题，实施了这样的一种电极结构：以可靠的方式快速地扑灭电弧而不会维持放电电流，以及提供了一种配备有这种电极结构的电子源和图像显示设备。

根据本发明的一方面，提供了一种电子源，包括：

多个电子发射器件，每个电子发射器件具有一个器件电极对和在该器件电极对之间的电子发射区；

连接多个电子发射器件的器件电极对中的一个电极的第一布线；

连接多个电子发射器件的器件电极对中的另一个电极并与第一布线交叉的第二布线；和

至少使第一布线和第二布线的交叉处绝缘并部分地覆盖该器件电极对中的至少一个电极的绝缘层，

其中，该器件电极对中的一个电极具有第一区和位于第一区与第一布线之间并比第一区更易熔断的第二区，第二区部分地被绝缘层覆盖。

根据本发明的第二方面，提供了一种图像显示设备，该图像显示设备包括根据本发明的第一方面的电子源；和图像形成部件，该图像形成部件至少具有用于通过以从电子源发射的电子进行辐射而发光的发光部件和用于施加电压以加速电子的电极。

通过下文对示范实施例的描述(参考附图)，本发明的其它特征将会变得清楚。

附图说明

附图1所示为根据本发明的电子源的第一实施例的平面示意图；

附图2A、2B、2C、2D、2E和2F是在附图1中所示的电子源的制造过程的平面示意图；

附图3A、3B、3C、3D和3E是详细说明本发明的优点的附图；

附图4A、4B、4C和4D是根据本发明的高温区的具体实例；

附图5A、5B、5C和5D是根据本发明的高温区的具体实例的示意图；

附图6A和6B是根据本发明的高温区的优选结构实例的示意图；

附图7所示为在本发明的第二实例中生产的电子源的平面示意图；和

附图8A和8B所示为根据常规实例的电子源的平面示意图。

具体实施方式

参考附图1描述本发明的优选实施例。附图1所示为根据本发明的电子源的优选形式，其中附图标记1表示玻璃衬底(由Asahi GlassCo.，Ltd.生产的PD200：钠钙玻璃、石英等)或者由陶瓷衬底构成的电子源衬底。电子源衬底1有时以用作碱性阻挡层的硅石涂敷以防止影响电子源特性。附图标记2和3分别表示由诸如Pt、Au或Ru的金属膜制成的扫描侧器件电极和信号侧器件电极。附图标记7表示包括电子发射区8的导电膜。导电膜7由诸如Pt或Ru的金属或其氧化物制成。

信号侧器件电极3与信号布线4电连接，该信号布线4将来自外部驱动器(未示出)的显示信号波形发送给该器件。扫描侧器件电极2与扫描布线6电连接，该扫描布线6将来自外部驱动器(未示出)的扫描信号波形发送给该器件。信号布线4和扫描布线6(从显示质量和功耗的角度看它们都应该具有较低的电阻)通过厚膜印刷(丝网印刷或胶版印刷)、使用感光印刷膏的相片印刷、镀金等方法制造。优选布线材料包括Ag和Cu。

电绝缘层或高电阻层应该被提供在信号布线4和扫描布线6之间。在附图1中提供绝缘层5。绝缘层5可以通过厚膜印刷或者借助于贴相糊膏(photo paste)来印刷而主要由PbO制造。

附图1中的电子源的制造过程在附图2A至2F中示出。

通过薄膜处理在电子源衬底1上形成扫描侧器件电极2(附图2A)，以类似的方式形成信号侧器件电极3(附图2B)。扫描侧器件电极2和信号侧器件电极3通过溅射、真空淀积、等离子体CVD或其它的处理形成。接着，如附图2C所示，通过厚膜印刷处理比如丝网印刷或通过使用感光材料的贴相糊膏印刷形成信号布线4。所使用的材料是与玻璃成分混合的Ag。接着，通过贴相糊膏印刷形成绝缘层5的图形(附图2D)。要求构图精度的绝缘层5通过施加、曝光、干燥、显影和烘焙由通过混合感光材料和玻璃成分制备的贴相糊膏形成。随后，通过厚膜印刷处理形成扫描布线6(附图2E)，并且由Pd等通过喷墨涂敷形成导电膜7(附图2F)。

接着，执行称为通电形成的电加工处理。通电形成涉及从电源(未示出)通过扫描布线6和信号布线4在器件电极2和3之间传递电流，局部地破坏导电膜7或使其变形或改变它的质量，由此形成其结构已经被改变的区域。其结构已经被局部改变的区域称为电子发射区8。

优选地，对进行了通电形成的器件进行称为激活处理的处理。激活处理是这样的处理：引入激活气体以便形成真空，例如大约10^-2至10^-3Pa，并像通电形成的情况那样反复地施加恒定峰值的电压脉冲。这就使来源于真空中存在的有机物质中的碳和碳的化合物淀积在导电薄膜上，由此极大地改变了器件电流If和发射电流Ie。激活处理通过测量器件电流If和发射电流Ie执行，并在例如发射电流Ie饱和时完成。所施加的电压脉冲理想地处于驱动电压。这使得能够通过微小间隙实现电子发射，电子源就完成了。

电子源与其上放置了光发射部件比如荧光体和铝金属背板的面板以及支撑框等气密地连接，并将其里面抽空以生产图像显示设备。

下文参考附图3A至3E具体地描述本发明的优点。

在图像显示设备中可能发生真空放电，这是因为从kV至几十kV的大小的高压被施加给发光部件(阳极)，该发光部件响应从电子发射器件发射的电子束而发光。虽然放电的原因尚有待确切解释，但是通过放电产生的电流通常会损坏电子发射器件，如附图3A所示。放电损害将阴极斑点10的痕迹留在导电膜7和器件电极2和3上。电极材料有可能熔化并在阴极斑点10处蒸发，电流11从阳极(未示出)流到阴极斑点10。

附图3B示意性地示出了器件电极2和3上的电流。如附图3B所示，在阴极斑点10的末端上发生了电流聚集、焦耳热的产生和器件电极的熔化，因此，阴极斑点行进到供应电荷的上游(到低电位侧)。电流12通过真空和阴极斑点10从阳极流到器件电极2和3。因电流聚集而产生焦耳热，材料在器件电极2和3上的突变部分13(在最易于变热的易熔断第二区的端部上的那些部分)中开始熔化。然后，在器件电极2和3上的突变部分13中引发新的阴极斑点14，如附图3C所示。突变部分是用于电流的横截面积或电阻确实突然改变的部分。

由于在上游引发的阴极斑点14的缘故，阻抗增加和放电开始在原来的阴极斑点10上会聚(消弧)。另一方面，在突变部分13中引发的阴极斑点14位于绝缘层5附近，因此它们被绝缘层5屏蔽，并且一旦到达绝缘层5就消失(附图3D)。用作屏蔽部件的绝缘层5具有足够高的电阻，或者由绝缘材料构成。此外，热容(比热×密度)和熔点越高越好。

因此，通过提供比其它的部分更易于熔断的部分(第二区)，并从绝缘层5到与布线的连接部分地暴露它们，获得了本发明的优点。在附图3的结构中，从突变部分13延伸到与布线的连接的器件电极的狭窄部分是第二区，器件电极的其它部分是第一区。在这种结构中，在流过阈值电流时，易熔断的第二区的温度到达其熔点温度之上的高温，将阴极斑点移动到第二区的暴露区域。这使得可以快速地平息放电。优选地，阈值电流被设定为如上文所述的放电电流。顺便指出，在图像显示设备的情况下，放电电流取决于阳极的面积、所施加的电压、阳极和电子源之间的距离、阳极阻抗(下文描述)等。例如，如果阳极面积是0.4m²，所施加的电压是10kV，阳极和电子源之间的距离是1.6mm，则放电电流大约100安培，这取决于阻抗。此外，为了减小放电电流，有时在使得各分区之间的电阻充分增大的条件下分割阳极。在这种情况下，放电电流根据阳极分区的数量N减小到大约100/N安培。此外，理想的是，阈值电流例如被设定为等于或低于驱动器的可允许电流的值。于是，即使在器件电极由于放电而断裂时单个位失效，驱动器仍然保持完好，损坏不会传播到一行或一块。更为优选地，考虑更高的电阻布线(在此被认为是信号布线)的电阻来确定阈值电流。在放电电流通过信号布线流动时，电位上升，对连接到信号布线的电子发射器件造成损害。为了避免这种情况，阈值电流被设定为Vth/Rsig或更小，这里Vth是器件被损坏时的阈值电压，Rsig是信号布线到地端的电阻。顺便指出，在表面导电型电子发射器(下文描述)的情况下，器件被损坏时的阈值电压是在制造的过程中施加给器件的最大电压。具体地，它是在形成、激活或其它的处理(下文描述)中的最大施加电压。接下来，详细而又具体地描述易熔断区(下文有时称为炽热部分)的结构。

(突变部分和薄线结构)

温度在突变部分13中的上升可以根据布线材料(器件电极2和3)的电特性(电阻和温度电阻系数)和热特性(热导率、密度和比热)、衬底的热特性以及布线材料和衬底的几何结构确定。例如，使用形状和电流作为输入通过有限元解算器实施的耦合的电流场和热导率分析使得可以预测温度达到熔点时阴极斑点从10移动到14。新的阴极斑点14通过绝缘层5的屏蔽效应快速消失，使得可以预测并控制放电电流及其持续时间。为了充分利用突变部分13的电流聚集效应，优选提供宽度为W的狭窄部分作为在突变部分13之后(绝缘层5附近)的易熔断的炽热部分，并设定突变部分的曲率半径R为R＜(W/5)至(W/10)。附图3E所示为在附图3D中所示的突变部分13附近的区域的放大的视图。

当存在两个或更多个在高于阈值的电流流动时变热并熔化的突变部分13时(如附图4A所示)，可以采用这样的结构：它们中的一些被作为屏蔽层的绝缘层5完全覆盖。此外，当存在两个或更多个易熔断区时，可以采用这样的结构：它们中的一些被绝缘层完全覆盖。即，根据本发明，只要易熔断区的一部分从绝缘层暴露就足够了。此外，在附图4A中的结构中，易熔断的第二区(炽热部分)作为宽度为W的狭窄部分而提供在突变部分13之后(绝缘层5附近)。

附图4B所示为这样的一种结构：其中两个突变部分13和13′被形成以更加可靠地引发阴极斑点14并可靠地使原来的阴极斑点消失。顺便指出，在附图4B、4C和4D中，省去了与在附图4A中的部件相同的部件的附图标记。在附图4B中，通过在器件电极2的部分中形成狭窄部分，提供易熔断的第二区(炽热部分)。此外，如附图4C所示，所有的两个突变部分13和13′都可以被作为屏蔽层的绝缘层5覆盖。

虽然在上文的附图4A至4C中已经示出了仅仅器件电极2的各种形式，但是完全相同的结构可用于器件电极3而没有任何问题。

(高电阻结构)

在附图4D中，不提供狭窄部分，而是形成高电阻部分16作为紧靠在器件电极2上的绝缘层5之下或附近的易熔断的炽热部分(第二区)。局部地增加电阻的可能手段包括局部地减小膜厚度或者使膜多孔或者粗糙。另一方面，如果不同于用于其它部分的材料的高电阻材料被用于高电阻部分16，则容易实现根据本发明的该种结构。顺便指出，在附图4D中的器件电极3具有高电阻部分和狭窄部分，它们两者都形成了易熔断的第二区。此外，在附图4C和4D中，多个突变部分或高电阻部分中的一些被绝缘层5覆盖，并且如附图4A的情况一样，它们中的仅一部分从绝缘层暴露就足够了。

不是如附图4D中所示那样以高电阻部分16替代包含突变部分的所有区域，而可以使高电阻部分16替代包含突变部分的区域的仅一部分，如附图5A至5D所示。这种结构使电流通过避开高电阻部分16而流动，因此在突变部分13中出现电流聚集，使得它们比它们的周围更热。换句话说，通过在低电阻部分中插入高电阻部分，可以提供电流聚集的部分，并使这些部分更热。因此，在附图5A至5D的结构中，提供易熔断的第二区(炽热部分)作为在高电阻部分16附近的狭窄部分。

(结构)

也可以通过使热导率、热扩散系数、比热和密度而不是电特性与周围不同来提供炽热部分。具体地说，通过降低在附图4D和附图5A至5D中的高电阻部分的热导率可以提供炽热部分，而通过降低热扩散系数、比热和密度可以实现降低该高电阻部分16的热导率。

如果选择材料以使高电阻部分16的熔点低于绝缘层5的熔点，则可以确保可靠地实现消弧。这是因为如果高电阻部分16的熔点高于绝缘层5的熔点，则在高电阻部分16熔化时绝缘层5可能熔化。在这种情况下，将会降低绝缘层5对阴极斑点14的屏蔽效果。优选地，在高电阻部分16和绝缘层5之间的熔点的差值是500℃或更高。

为了即使在绝缘层5熔化时仍然维持屏蔽效果，绝缘层必须具有足够的厚度。即，使用具有高熔点的材料可以减小绝缘层5的厚度。优选地，绝缘层5由具有高熔点的材料比如SiO₂、氧化铝(Al₂O₃)或者氧化锆(ZrO₂)制成。

优选地，高电阻部分16由具有较低的熔点的材料比如铅、锌、铝或含铟的ITO制成。

(爬电距离的规则)

参考附图6描述在附图3至5中的高电阻部分16或突变部分13的暴露区相对于绝缘层5的优选位置。顺便指出，附图6B所示为器件的器件电极2在附图6A的中心上的部分的放大视图，该部分位于被绝缘层5覆盖的区域附近。

如附图6B所示，在电流通过布线时，阴极斑点14从突变部分13(它成为除了电子发射区8之外的最热的部分)行进到绝缘层5，然后由于电屏蔽效应的缘故在绝缘层5的侧面上停滞。用L表示从突变部分13到绝缘层5的距离，用W表示在炽热部分(易熔断的第二区)所暴露的区域和绝缘层之间的边界处的炽热部分的暴露区的宽度(绝缘层对器件电极的覆盖宽度)。可以看到，直到熄灭，阴极斑点14从成为最热部分的突变部分13最多行进(W+L)的距离。如果直到熄灭的时间是τ并且阴极斑点14的行进速率是V_arc(＝200m/s)，则可以估计τ＝(W+L)/V_arc。

另一方面，从阴极斑点14产生的气体以由下式给出的速率V_gas扩散到周围区，并达到相邻的电子发射器件。如果在那里气体分压上升，则相邻的电子发射器件可能放电。

V_gas＝(2RT/M)^1/2

[其中，

R：气体常数＝8.314772J/molK

T：电极(根据本发明由Pt制成)的熔点＝2042.15K

M：喷射气体的质量数(根据本发明为Ar和Pt；采用Ar的质量数39.948g/mol)]

在这种情况下，给定的电子发射器件和相邻的电子发射器件相继被损坏，导致了明显的缺陷。为避免这种情况，必要条件是通过从阴极斑点14到相邻的电子发射器件的电子发射区8的距离P和气体分子的速度V_gas确定的到达时间(P/V_gas)比直到熄灭的时间τ长。顺便指出，移动到了突变部分13的阴极斑点14的位置可以被突变部分13的位置替代。

一个重要的条件是直到熄灭的时间τ短于选择扫描布线的时间周期1H。1H被如下地定义：

1H＝(f×N)^-1[秒]。

其中，f是滚动频率(Hz)，而N是扫描频率(Hz)。

一般地，气体到达时间短于1H。因此，如果直到熄灭的时间τ短于气体到达时间则会满足上述的条件。

即，P/V_gas≥(W+L)/V_arc，意味着从炽热部分到绝缘层5的距离L和电极宽度W必须满足条件W+L≤P·V_arc/V_gas。

一般地，阴极斑点的速度V_arc被报告为从10到500m/s(HANDBOOK OF VACUUM ARC SCIENCE ANDTECHNOLOGY，NOYES PUBLICATIONS，1995，pp86)。根据本发明，大约V_arc＝200m/s。气体速度V_gas是(2RT/M)^1/2，这里R是气体常数(8.314772J/molK)。根据本发明，铂电极材料和在铂电极材料的淀积的过程中采用的气体比如Ar是主要的，因此T是在铂的熔点和沸点之间(2,042至4,100K)，并且M＝39.95。因此气体速度V_gas大约是1000m/s。因此，距离(W+L)≤P/5。更具体地说，对于高清晰度图像显示设备，大约P＝200微米。因此，(W+L)≤40微米是必要条件。

(实例)

(实例1)

使用在附图2中所示的处理构造具有在附图1中所示的构造的电子源。

通过溅射在2.8毫米厚的玻璃(由Asahi Glass Co.，Ltd.生产的PD200)上形成400纳米的二氧化硅涂层来形成电子源衬底1，这里二氧化硅涂层用作碱性阻挡层以防止对电子源特性的影响。

在电子源衬底1上形成厚度为5纳米的Ti膜，通过溅射形成20纳米厚的Pt薄膜，通过光致抗蚀剂施加、曝光、显影和蚀刻进行构图而形成器件电极2和3。

然后，通过丝网印刷施加含Ag的感光印刷膏。这之后进行干燥、曝光、显影和烘焙以形成信号布线4。接着，为了获得高位置精度，通过丝网印刷施加贴相糊膏，这里贴相糊膏主要由PbO构成，PbO又由玻璃成分和感光材料组成。这之后进行干燥、曝光、显影和烘焙以形成绝缘层5。如附图1所示，以覆盖绝缘层5的方式放置信号布线4。含Ag的贴相糊膏通过丝网印刷施加在它的顶部上，之后通过干燥和烘焙以形成扫描布线6。

在清洁衬底之后，通过应用喷射处理和随后的烘焙形成由PdO构成的导电膜7。

从突变部分13到绝缘层5的距离L是15微米，在绝缘层5中的器件电极2和3的覆盖宽度W是20微米，从突变部分13到相邻的电子发射器件的距离P(从突变部分13到电子发射区8的距离P)是175微米。

接着，在形成和激活处理之后获得电子源。然后，将电子源衬底通过封接而连接到配备有发光部件(未示出)的面板，从而构成了图像显示设备。随后，将它与驱动器(未示出)和高压电源电连接，并通过施加预定的电压来显示图像。

附图8A和8B所示为在日本专利申请公开第H09-298030号中公开的电子源的结构。在附图8A和8B中，附图标记21表示衬底，22和23表示器件电极，24表示导电膜(器件膜)，25表示电子发射区，以及26表示过流保护膜(用作保险丝的低熔点材料)。这个结构与上文的实例不同之处在于，它不提供消弧结构，这是因为仅仅安装了保险丝(低熔点材料)26，而不是以用作屏蔽材料的绝缘层部分地覆盖炽热部分。具体地，在发生放电时阴极斑点移到保险丝，在那里维持放电，这能够使气体快速流动到施加了电压的相邻的器件，也引发了在相邻器件中的放电和损害的循环。即，由于不可能控制保险丝烧断的位置，因此在保险丝烧断之前需要时间并可能产生大量的气体，在相邻的器件中造成新的放电。

即使应用根据本发明的图像显示设备，在所施加的电压增加时仍然可能发生放电。在仔细地观测放电损害时，发现放电损害局限于单个器件内的比例远高于常规实例的比例，由此证实了本发明的优点。

此外，作为比较实例，构造并检查图像显示设备，在这种设备中从在附图1中的突变部分13到绝缘层的距离L被设定为20微米，绝缘层对器件电极的覆盖宽度W设定在50和10微米之间，施加了电压的相邻的电子发射器件的距离P(从突变部分13到电子发射区8的距离P)被设定为175微米。结果，发现根据本发明的放电损害局限于单个器件的比例高于任何比较实例。

(实例2)

构造具有在附图7中所示的结构的电子源。

实例2与实例1不同之处在于提供了高电阻部分16(电阻的突变部分)，高电阻部分16具有较小的宽度，并且用ITO作为材料。因此，在引发阴极斑点时，高电阻部分16趋于被还原到具有比作为覆盖材料的绝缘层5的熔点更低的熔点的材料。用于高电阻部分16的低电阻材料的使用使得可以将作为覆盖材料的绝缘层5维持在稳定的状态并增加消弧的稳定性。

通过溅射形成ITO层，然后进行构图。其余的制造方法与实例1相同。

在本实例中，从将变得炽热的高电阻部分16的突变部分13到绝缘层5的距离L被设定为10微米，绝缘层对器件电极的覆盖宽度W被设定为20微米，到施加了电压的相邻的电子发射器件的距离P(从突变部分13到电子发射区8的距离P)被设定为160微米。

通过增加施加给根据本实例的图像显示设备和配备有根据常规实例的电子源的图像显示设备的电压产生放电，并仔细地观测放电损害。结果，发现根据本实例放电损害局限于单个器件的比例高得多，由此证实了本发明的优点。

根据本发明，器件电极中的炽热部分(第二区)在放电的过程中熔化并断裂，有效地结束了放电并抑制了相邻的电子发射器件中的新的放电。这使得放电的影响最小化，由此使得提供较高可靠性的图像显示设备成为可能。

虽然已经参考示范实施例描述了本发明，但是应该理解的是本发明并不局限于所公开的示范实施例。所附权利要求的范围应当给予最宽地解释，以便包含所有这些改进以及等同的结构和功能。

Claims (8)

1.一种电子源，包括：

多个电子发射器件，每个电子发射器件具有一个器件电极对和在该器件电极对之间的电子发射区；

连接所述多个电子发射器件的器件电极对中的一个电极的第一布线；

连接所述多个电子发射器件的器件电极对中的另一个电极并与第一布线交叉的第二布线；和

至少使第一布线和第二布线的交叉处绝缘并部分地覆盖该器件电极对中的至少一个电极的绝缘层，

其中，该器件电极对中的所述一个电极具有第一区和位于第一区与第一布线之间、并比第一区更易熔断的第二区，第二区部分地被暴露和被绝缘层覆盖。

2.根据权利要求1所述的电子源，其中满足下面的关系：

(W+L)≤P/5

其中，L是从第二区的暴露区到绝缘层的距离，W是暴露区在该暴露区和绝缘层之间的边界处的宽度，P是从暴露区到相邻的电子发射器件的距离。

3.根据权利要求1所述的电子源，其中第二区的宽度小于第一区的宽度。

4.根据权利要求1所述的电子源，其中第二区的厚度小于第一区的厚度。

5.根据权利要求1所述的电子源，其中第二区的电阻高于第一区的电阻。

6.根据权利要求5所述的电子源，其中第二区由具有比第一区的电阻更高的电阻的材料制成。

7.根据权利要求1所述的电子源，其中第二区由具有比第一区的热扩散系数更小的热扩散系数的材料制成。

8.一种图像显示设备，包括：

根据权利要求1的电子源；和

图像形成部件，该图像形成部件至少具有用于通过以从电子源发射的电子进行辐射而发光的发光部件和用于施加电压以加速电子的电极。

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