CN1909214A - 电光装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的目的在于提供一种可以实现能够稳定地获得高品质的显示的电光装置的制造工艺的电光装置的制造方法。在TFT阵列基板10上，在基底绝缘膜520上形成蚀刻停止层550，在蚀刻停止层550的上方形成多条扫描线11a和使该多条扫描线11a互相短路的公共布线13，在基底绝缘膜520上形成多个TFT30，形成第1层间绝缘膜521，在第1层间绝缘膜521上形成多条数据线6a，然后通过在第1层间绝缘膜521上利用蚀刻形成切断用孔507而将公共布线13切断。
Description
技术领域
本发明涉及电光装置的制造方法，特别涉及在基板上具备有多条数据线、多条扫描线和多个驱动元件的电光装置的制造方法。
背景技术
一般地，作为在绝缘性的基板上具备多条数据线、多条扫描线、与多条数据线和多条扫描线的各交叉相对应地在每个像素中形成的多个驱动元件、与每个驱动元件相对应地设置的像素电极的电光装置而言，有源矩阵驱动方式的液晶装置被众所周知。
在制造有源矩阵驱动方式的液晶装置时，通过利用干法蚀刻、等离子体CVD法在绝缘性的基板上形成半导体层、各种导电膜，而形成像素电极、数据线、扫描线和与扫描线及数据线电连接的像素开关用的薄膜晶体管(Thin Film Transistor；以下称做TFT)。此时，有时会因由于利用等离子体CVD法进行成膜而在基板表面积蓄的电荷、静电等，而在扫描线中产生突发的过载电流。由于这样的过载电流，而有可能会发生扫描线的破损，特别是在与扫描线相连或由扫描线的一部分构成的TFT的栅和源·漏之间发生绝缘破坏。
因此，在专利第3395598号公报中公开了下述技术：为了防止过载的电流的产生，形成与多条扫描线的各个电连接的短路用布线，通过短路用布线而使电荷、静电等扩散到基板外周侧。在专利第3395598号公报中，在形成TFT等之后，将短路用布线切断，而使各扫描线电分离。
短路用布线的切断方法，如下所述。在使TFT与像素电极层间绝缘的层间绝缘膜上，在形成用于将像素电极与TFT电连接的接触孔时，同时形成从层间绝缘膜的表面到短路用布线的短路部分切断用孔。此外，在形成了形成像素电极的导电膜之后，在使用光刻法以及蚀刻法对该导电膜进行图案形成时，同时通过切断用孔切断扫描线的短路部分。
[专利文献1]：专利第3395598号公报
但是，以往，由于在形成用于切断短路用布线的切断用孔之后形成导电膜，因此在切断用孔的底部和侧壁部也会形成导电膜。另外，通过进而对导电膜进行图案形成，而使用于形成像素电极的抗蚀剂层积在切断用孔内。在利用光刻法对该抗蚀剂进行图案形成时，由于切断用孔的纵横比较大，因此有可能会，即使提高曝光精度也会在切断用孔内残存有抗蚀剂，从而无法将短路用布线切断。因此，为了可靠地将短路用布线电切断，必须完全除去切断用孔内的抗蚀剂和导电膜。因此，在切断短路用布线时，为了将切断用孔内的导电膜和抗蚀剂同时除去，必须实施过量的蚀刻。
在短路用布线的下层，形成有作为层间绝缘膜的基底绝缘膜，再在下层形成有下侧遮光膜。当在切断用孔内实施过量的蚀刻时，在切断用孔的下部，有可能会使基底绝缘膜变薄，或者蚀刻到达下侧遮光膜。由此，有可能会在切断用孔附近的下侧遮光膜上产生裂缝，并产生因来自该位置的光泄漏而引起的显示不良，从而使液晶装置的制造的成品率降低。
发明内容
本发明正是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供可以实现能够稳定地获得高品质的显示的电光装置的制造工艺的电光装置的制造方法。
本发明的电光装置的制造方法，是在基板上具备多条数据线、多条扫描线、与上述多条数据线和上述多条扫描线的交叉相对应地分别在每个像素中形成的多个驱动元件、与每个该驱动元件相对应地分别设置的多个像素电极的电光装置的制造方法，其特征在于，包括：形成蚀刻停止层的工序；在上述蚀刻停止层的上方形成上述多条扫描线和使上述多条扫描线互相短路的公共布线的工序；形成使上述多条数据线和上述多个像素电极对于上述多条扫描线和上述多个驱动元件层间绝缘的第1层间绝缘膜的工序；在上述第1层间绝缘膜上形成用于将上述多条数据线和上述多个像素电极分别电连接到上述多个驱动元件的接触孔的工序；形成上述多条数据线的工序；以及通过在上述第1层间绝缘膜上利用蚀刻形成切断用孔，而将上述公共布线切断的工序。
如果采用本发明的这样的构成，则在通过切断用孔利用蚀刻将使多条扫描线互相短路的公共布线切断时，蚀刻处理被形成在公共布线的下方的蚀刻停止层所停止，所述公共布线是为了防止多个驱动元件和多条数据线由于因静电等而突发产生的过载电流而破损所设置的。因此，能够制造出在例如形成于蚀刻停止层的下方的遮光膜上不会受到蚀刻的影响、不会因在遮光膜上产生裂缝而产生显示问题的电光装置。
另外，本发明优选地，形成上述蚀刻停止层的工序，与形成构成上述多个驱动元件的半导体膜的工序同时进行。
另外，本发明优选地，形成上述蚀刻停止层的工序，与形成构成上述多个驱动元件的半导体膜的工序或形成构成上述多个驱动元件的栅电极的工序同时进行。
如果采用这样的构成，则可以不使工序增加而形成蚀刻停止层。
另外，本发明优选地，形成上述蚀刻停止层的工序，以从平面看包括上述切断用孔的方式将上述蚀刻停止层形成得比上述切断用孔要大。
如果采用这样的结构，则由于用于切断公共布线的蚀刻是在形成有蚀刻停止层的范围上进行的，因此可以可靠地使蚀刻在蚀刻停止层处停止。
另外，本发明优选地，形成上述公共布线的工序和形成上述多条扫描线的工序，与形成构成上述多个驱动元件的栅电极的工序同时进行。
如果采用这样的结构，则由于可以与形成驱动元件的工序的一部分同时形成多条扫描线和公共布线，因此实施对于因静电等而突发产生的过载电流的对策，同时制造的工序不会复杂化。
另外，本发明优选地，形成上述公共布线的工序和形成上述多条扫描线的工序，在形成构成上述多个驱动元件的栅电极的工序之后进行，并且形成上述公共布线的工序与形成上述多条扫描线的工序同时进行。
附图说明
图1是示出本发明的实施方式的电光装置的整体结构的平面图；
图2是图1的H-H’处的剖面图；
图3是构成电光装置的图像显示区域的矩阵状地形成的多个像素的各种元件、布线等的等价电路图；
图4是示出扫描线的短路部分的结构的概略结构图；
图5(a)是沿着TFT阵列基板的像素部的A-A’线的剖面图，图5(b)是沿着切断后的状态的扫描线的短路部分C的B-B’线的剖面图；
图6是按顺序示出制造过程的各工序的TFT阵列基板的结构的工序剖面图(其1)；
图7是按顺序示出制造过程的各工序的TFT阵列基板的结构的工序剖面图(其2)；
图8是按顺序示出制造过程的各工序的TFT阵列基板的结构的工序剖面图(其3)；以及
图9(a)是沿着TFT阵列基板的像素部的A-A’线的剖面图，图9(b)是沿着切断后的状态的扫描线的短路部分C的B-B’线的剖面图。
符号说明
1a半导体膜；3a栅电极；6a数据线；9a像素电极；13公共布线；30TFT；501接触孔；502接触孔；505接触孔；507切断用孔、510漏电极；520基底绝缘膜；521第1层间绝缘膜；522第2层间绝缘膜；550蚀刻停止层；551下侧遮光膜。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。下面的实施方式是将本发明的电光装置应用于液晶装置的方式。
参照图1至图9对本发明的电光装置的实施方式进行说明。首先，参照图1和图2对本实施方式的电光装置的整体结构进行说明。这里，图1是从对置基板侧观察TFT阵列基板和在其上构成的各个构成要素的电光装置的平面图。图2是图1的H-H’处的剖面图。这里，以作为电光装置的一个例子的驱动电路内置型的TFT有源矩阵驱动方式的液晶装置为例。
在图1和图2中，在本实施方式的电光装置中，相对配置有TFT阵列基板10和对置基板20。TFT阵列基板10和对置基板20，通过设置在位于图像显示区域10a的周围的密封区域的密封材料52互相粘接，在TFT阵列基板10和对置基板20之间封入有液晶层50。另外，在密封材料52中，散布地配设有用于使TFT阵列基板10和对置基板20的间隔成为规定值的玻璃纤维或玻璃珠等间隙材料。
与配置有密封材料52的密封区域的内侧相并行，在对置基板20侧设置有规定图像显示区域10a的边框区域的遮光性的边框遮光膜53。另外，这样的边框遮光膜53的部分或全部，也可以设置在TFT阵列基板10侧，作为内置遮光膜。另外，在本实施方式中，存在着位于上述图像显示区域10a的周边的周边区域。换言之，在本实施方式中，特别是从TFT阵列基板10的中心观察，从该边框遮光膜53以外被规定为周边区域。
在周边区域之中，在位于配置有密封材料52的密封区域的外侧的区域，沿着TFT阵列基板10的一边设置有数据线驱动电路101和外部电路连接端子102。另外，以沿着与设置有数据线驱动电路101和外部电路连接端子102的TFT阵列基板10的一边相邻接的2边、而且被边框遮光膜53所覆盖的方式设置有扫描线驱动电路104。另外，通过沿着TFT阵列基板10的剩余的一边、即与设置有数据线驱动电路101和外部电路连接端子102的TFT阵列基板10的一边相对的边而设置，并以被边框遮光膜53所覆盖的方式设置的多条布线105，2条扫描线驱动电路104得以互相连接在一起。
另外，在对置基板20的4个角部，配置有作为进行与TFT阵列基板10的电连接的上下导通端子而发挥作用的上下导通材料106。另一方面，在TFT阵列基板10上，在与这些上下导通材料106相对应的区域，设置有上下导通端子。经由上下导通材料106和上下导通端子，TFT阵列基板10和对置基板20之间进行电连接。
在图2中，在TFT阵列基板10上，在形成了像素开关用的TFT、扫描线、数据线等布线之后的像素电极9a上，形成有取向膜16。另一方面，在对置基板20上，除了对置电极21，还形成有格子状或条纹状的遮光膜23，再在最上层部分形成有取向膜22。另外，液晶层50，由混合有例如一种或多种向列液晶的液晶构成，且其在这一对取向膜16、22之间处于规定的取向状态。
另外，在图1和图2所示的TFT阵列基板10上，除了这些数据线驱动电路101和扫描线驱动电路104之外，还可以形成：对图像信号线上的图像信号进行采样并提供给数据线的采样电路、在图像信号之前分别向多条数据线提供规定电压电平的预充电信号的预充电电路、和用于制造过程中、出厂时对该电光装置的品质、缺陷等进行检查的检查电路等。
接下来，参照图3，对上述的电光装置的电学结构进行说明。图3是构成电光装置的图像显示区域、矩阵状地形成的多个像素的各种元件、布线等的等价电路图。
如图3所示，在构成本实施方式的电光装置的图像显示区域、矩阵状地形成的多个像素上，分别形成有像素电极9a和用于对该像素电极9a进行开关控制的TFT30，且被提供了图像信号的数据线6a与该TFT30的源电连接。写入数据线6a的图像信号S1、S2、...、Sn，可以按照该顺序逐个线地提供，也可以对相邻的多条数据线6a按每组来提供。
另外，与TFT30的栅，电连接有栅电极3a，且以规定的定时，在扫描线11a和栅电极3a上，按照顺序逐个线地按脉冲施加扫描信号G1、G2、...、Gm。像素电极9a电连接到TFT30的漏，且通过使作为开关元件的TFT30的开关仅闭合规定期间，而将从数据线6a提供的图像信号S1、S2、...、Sn写入到按照规定的定时选择的扫描线11a的像素内。
被写入像素内的规定电平的图像信号S1、S2、...、Sn，在与形成于对置基板上的对置电极之间保持规定期间。通过使液晶因所施加的电平而分子集合的取向、秩序等发生变化，而对光进行调制，从而可以进行灰度显示。如果是常白模式，则对于入射光的透过率与在各像素的单位上施加的电压相对应地降低；如果是常黑模式，则对于入射光的透过率与在各像素的单位上施加的电压相对应地升高，作为整体，从电光装置射出具有与图像信号相对应的对比度的光。
为了防止这里所保持的图像信号泄漏，与形成在像素电极9a和对置电极之间的液晶电容并列地附加存储电容70。该存储电容70，与扫描线11a并列地设置，且其固定电位侧电容电极，被连接到固定为恒定电位的电容布线400。
在本实施方式中，为了防止在使用例如等离子体CVD法等形成TFT阵列基板10的过程中电荷向TFT阵列基板10的积蓄，将各扫描线11a短路形成在TFT阵列基板10上，并在形成TFT30之后将短路部分切断。
图4是概略地示出扫描线11a的短路部分的结构的一个例子的概略结构图。在TFT阵列基板10上，多条扫描线11a配置在后述的多条数据线6a的下层侧而形成。而且，在TFT阵列基板10上的周边区域，在与扫描线11a的同一层，利用与形成扫描线11a的导电膜相同的膜形成有用于使扫描线11a短路的公共布线13。各扫描线11a，通过与公共布线13电连接，而互相短路地形成。而且，在本实施方式中，在形成各扫描线11a之后，将短路部分C切断。另外，有关于各扫描线11a的形成、扫描线11a的短路部分C的切断等的更详细的说明在后面描述。
接下来，参照图5对本实施方式的电光装置的TFT阵列基板10的结构进行说明。图5(a)是沿着TFT阵列基板10的像素部的A-A’线的剖面图，图5(b)是沿着切断后的状态的扫描线11a的短路部分C的B-B’线的剖面图。如图5所示，在TFT阵列基板10上，除了上述的像素电极9a之外，还成层叠结构地配置有各种构成要素。另外，在图5中，为了将各层以及各构成要素形成为可以在图上辨识的大小，而对于各层以及各构成要素使其比例尺有所不同。
如图5(a)和图5(b)所示，在由例如石英基板、玻璃基板、硅基板构成的TFT阵列基板10上，形成有基底绝缘膜520。在该基底绝缘膜520上，形成有由例如导电性多晶硅膜构成的未图示的多条扫描线11a，并且设置有包括由与扫描线11a相同的膜形成的栅电极3a的TFT30。另外，如图5(b)所示，在扫描线11a的短路部分C的基底绝缘膜520的下层，形成有由钨等金属膜等构成的下侧遮光膜551。
多条扫描线11a，如参照图4所说明的，通过与同一层的公共布线13电连接而相互短路地形成，之后，在各短路部分C处切断公共布线13而成的布线。这里，扫描线11a和公共布线13由导电层构成，该导电层是与构成作为驱动元件的TFT30的栅电极3a相同的层。
TFT30，具有例如LDD(Lightly Doped Drain：轻掺杂漏)结构，并具有上述的栅电极3a、半导体膜1a、和使栅电极3a与半导体膜1a绝缘的栅绝缘膜2。半导体膜1a，由例如多晶硅构成，并由下述区域构成：因来自栅电极3a的电场而形成沟道的沟道区1a’、低浓度源区1b、高浓度源区1d、低浓度漏区1c和高浓度漏区1e。
而且，在扫描线11a和TFT30上，形成有由例如BPSG膜构成的第1层间绝缘膜521。在第1层间绝缘膜521上，形成有接触孔501和502，接触孔501和502从第1层间绝缘膜521的表面，贯穿第1层间绝缘膜521和栅绝缘膜2，分别到达半导体膜1a的高浓度漏区1e和高浓度源区1d的表面。而且，从接触孔501和502的底部开始向侧壁和第1层间绝缘膜521的表面，连续地形成有由例如包含铝的导电性材料构成的导电膜。使用该导电膜的一部分，在第1层间绝缘膜521上形成有漏电极510和数据线6a。漏电极510经由接触孔501与TFT30的高浓度漏区1e电连接。另外，数据线6a经由接触孔502与TFT30的高浓度源区1d连接。第1层间绝缘膜521使形成有TFT30的层与形成有数据线6a的层绝缘。
另外，如图5(b)所示，在扫描线11a的短路部分C，公共布线13被贯穿第1层间绝缘膜521而形成的切断用孔507切断。该切断用孔507以贯穿第1层间绝缘膜521并进而切断公共布线13的方式并以贯穿构成扫描线11a的导电层的方式形成。而且，在该切断用孔507的下方，形成有蚀刻停止层550。蚀刻停止层550，从平面观察、即从与TFT阵列基板10表面垂直的方向观察，在与切断用孔507相同的位置，具有比切断用孔507的外形要大的外形并形成在公共布线13的下层。蚀刻停止层550，由与TFT30的半导体膜1a同层的多晶硅膜形成，并具有绝缘性。
另外，在第1层间绝缘膜521上，形成有由例如BPSG膜构成的第2层间绝缘膜522。在第2层间绝缘膜522上，形成有接触孔505，接触孔505从第2层间绝缘膜522的表面，贯穿第2层间绝缘膜522而到达漏电极510的表面。从接触孔505的底部开始向侧壁和第2层间绝缘膜522的表面，连续地形成有由例如作为透明的导电膜的ITO膜构成的像素电极9a。
下面参照图6至图8，对具有上述的结构的本实施方式的电光装置的制造方法进行说明。图6至图8，是根据图5(a)和图5(b)的剖面图，按顺序示出制造过程的各工序中的TFT阵列基板10的结构的工序剖面图。在图6至图8中，左方所示的是表示TFT阵列基板10的像素部的结构的剖面图，右方所示的是表示扫描线11a的短路部分C的结构的剖面图。另外，在图6至图8中，为了使各层以及各构成要素成为可以在图上辨识的大小，使各层以及各构成要素的比例尺有所不同。
下面，对图5(a)和图5(b)中所示的TFT阵列基板10的像素部和扫描线11a的短路部分C的公共布线13的制造工序，特别进行详细说明，并省略关于图1至图3所示的其他构成要素的制造工序的说明。
首先，在图6(a)所示的工序中，在像素部，在TFT阵列基板10的基底绝缘膜520上，形成作为驱动元件的TFT30。更具体地，通过将多晶硅层形成为规定的形状的图案，而形成TFT30的半导体膜1a，然后形成栅绝缘膜2。然后，在栅绝缘膜2上形成作为导电层的栅电极3a。再然后，通过以低浓度和高浓度两个阶段对TFT30的半导体膜1a掺杂杂质离子，而在半导体膜1a上形成低浓度源区1b和低浓度漏区1c、高浓度源区1d和高浓度漏区1e。
另外，在该图6(a)所示的工序中，在扫描线11a的短路部分C，利用与形成上述半导体膜1a相同的过程，在基底绝缘膜520上形成由多晶硅层构成的蚀刻停止层550。蚀刻停止层550，在从与TFT阵列基板10表面垂直的方向观察、在与以后形成的切断用孔507相对应的位置形成，而且在比切断用孔507的底面的外形要大的范围内形成。例如，蚀刻停止层550可以在从与TFT阵列基板10表面垂直的方向观察、在由与切断用孔507的底面的外形具有大约250nm的距离的线所包围的区域内形成。另外，由于对构成蚀刻停止层550的多晶硅层不进行杂质离子的掺杂，因此蚀刻停止层550具有绝缘性。
进而，在蚀刻停止层550的形成之后，利用与形成成为驱动元件即TFT30的栅电极3a的导电层相同的过程，在基底绝缘膜520和蚀刻停止层550上，形成由与栅电极3a同一层的导电层构成的多条扫描线11a和公共布线13。此时，通过利用公共布线13使多条扫描线11a电连接，由此使它们互相短路而形成。公共布线13，在扫描线11a的短路部分C，在从与TFT阵列基板10表面垂直的方向观察，在通过以后形成的切断用孔507的大致中心的位置形成，而且形成得线宽比切断用孔507的底面的外形要细。
接下来，在图6(b)所示的工序中，利用例如常压CVD法，形成由BPSG膜构成的第1层间绝缘膜521。
接下来，在图6(c)所示的工序中，在第1层间绝缘膜521上，形成分别贯穿第1层间绝缘膜521、直到TFT30的高浓度漏区1e和高浓度源区1d的接触孔501和502。
接下来，在图6(d)所示的工序中，在第1层间绝缘膜521上整个面地，利用溅射法等，形成由例如包含铝的导电性材料构成的导电膜60。此时，导电膜60，从接触孔501和502的底部连续地形成到侧壁和第1层间绝缘膜521的表面。
接下来，在图7(e)所示的工序中，在导电膜60上形成抗蚀剂65。此时，在扫描线11a的短路部分C上，成为形成有第1层间绝缘膜521，进而在第1层间绝缘膜521上形成有导电膜60和抗蚀剂65的状态。接下来，在图7(f)所示的工序中，利用光刻法对抗蚀剂65进行图案形成。此时，在像素部中，以与数据线6a和漏电极510相对应的图案，对抗蚀剂65进行图案形成。由此，在扫描线11a的短路部分C，成为除去了导电膜60上的抗蚀剂65的状态。
接下来，在图7(g)所示的工序中，通过经由抗蚀剂65，对导电膜60实施例如使用Cl2气体的干法蚀刻，而作为与抗蚀剂65相对应的图案，形成数据线6a和漏电极510。此时，在扫描线11a的短路部分C，成为除去了第1层间绝缘膜521上的导电膜60的状态。在利用蚀刻法形成了数据线6a和漏电极510之后，将抗蚀剂65剥离。
接下来，在图7(h)所示的工序中，在第1层间绝缘膜521上，在数据线6a和漏电极510的上层侧，作为规定切断用孔507的图案新形成抗蚀剂66。
接下来，在图8(i)所示的工序中，经由该抗蚀剂66，利用例如干法蚀刻，以贯穿第1层间绝缘膜521并切断扫描线11a的短路部分C的公共布线13的方式，在第1层间绝缘膜521上形成切断用孔507。更具体地，到达公共布线13的表面的、用于除去第1层间绝缘膜521的干法蚀刻，是将CHF3和CF4的混合气体用作蚀刻剂而实施的。然后，用于除去公共布线13的干法蚀刻，是将HBr等用作蚀刻剂而实施的。
此时，由于在扫描线11a的短路部分C的公共布线13的下层形成有蚀刻停止层550，因此，利用图8(i)所示的工序，对公共布线13的干法蚀刻不会到达蚀刻停止层550的下层的基底绝缘膜520。在利用蚀刻形成切断用孔507之后，将抗蚀剂66剥离。
接下来，在图8(j)所示的工序中，在数据线6a和漏电极510的上层侧，利用例如常压或减压CVD法，作为BPSG膜，形成第2层间绝缘膜522。
接下来，在图8(k)所示的工序中，在第2层间绝缘膜522上，形成贯穿到漏电极510的表面的接触孔505。然后，通过从接触孔505的底部开始向侧壁和第2层间绝缘膜522的表面，连续地形成ITO膜，并利用光刻法和蚀刻法对该ITO膜进行图案形成，而形成像素电极9a。
通过上述的工序，具有图5所示的结构的本实施方式的电光装置得以制造出。
在本实施方式中，在使多条扫描线11a互相短路之后，对TFT30的半导体膜1a实施杂质离子的掺杂，和构成数据线6a的导电膜60的形成。因此，在利用等离子体CVD法进行导电膜60的成膜时、杂质离子的掺杂时等，可以经由将多条扫描线11a电连接从而使之互相短路的公共布线13，使积蓄在TFT阵列基板10表面的电荷向TFT阵列基板10的表面外扩散。因此，可以防止作为用于驱动像素电极9a的主要构成要素的数据线6a、TFT30等，因为由TFT阵列基板10表面的静电等所引起而突发地产生的过载电流而破损。
另外，如果采用本实施方式，则在不同的工序中实施第1层间绝缘膜521的接触孔501和502的形成以及第1层间绝缘膜521的切断用孔507的形成。因此，不会在切断用孔507的内部形成导电膜60、抗蚀剂65等。因此，在切断扫描线11a的短路部分C的公共布线13时，不必对切断用孔507内实施过量的蚀刻。进而，如果采用本实施方式，则在扫描线11a的短路部分C的公共布线13的下层，蚀刻停止层550在比切断用孔507的底面的外形更大的范围内形成。因此，通过为了切断公共布线13而进行的蚀刻，公共布线13被可靠地切断，而且该蚀刻在蚀刻停止层550的层处可靠地停止。因此，如果采用本实施方式，则在扫描线11a的短路部分C，不会产生下述情况：通过用于切断公共布线13的蚀刻，而基底绝缘膜520变薄，或者蚀刻到达下侧遮光膜551。因此，不会在扫描线11a的短路部分C的附近的下侧遮光膜551上产生裂缝并从该位置产生光泄漏。
因此，如果采用本实施方式的电光装置的制造方法，则可以稳定地制造具有较高的显示品质的电光装置，而不会产生因制造过程中积蓄在TFT阵列基板10的电荷所引起的TFT30的破损、由于扫描线11a的短路部分C的切断工序而在附近的下侧遮光膜551上产生裂缝并从该位置产生光泄漏等所引起的显示问题。
另外，蚀刻停止层550，是与TFT30的半导体膜1a的形成过程同时地形成的。因此，相对于以往的电光装置的制造工序可以不使工序复杂化，而形成蚀刻停止层550。
另外，在上述的本实施方式的电光装置的制造方法中，与TFT30的栅电极3a同时形成扫描线11a和公共布线13，但扫描线11a和公共布线13，也可以在与形成TFT30的栅电极3a的工序不同的工序中形成。例如，如图9所示，与TFT30的半导体膜1a或栅电极3a同时形成蚀刻停止层550。在形成栅电极3a之后，在另外的工序中形成扫描线11a和公共布线13。扫描线11a和公共布线13的形成后的工序与上述的实施方式相同。
另外，本发明，除了本实施方式的有源矩阵驱动方式的液晶装置之外，也属于电子纸等电泳装置、EL(Electro-Luminescence，电致发光)显示装置、具备有电子发射电路元件的装置(Field Emission Display，场致发射显示器，和Surface-Conduction Electron-Emitter Display，表面传导电子发射显示器)等电光装置的技术领域。
本发明并不局限于上述的实施方式，在不违背可以从所请求的范围和说明书整体所能获得的本发明的要旨或构思的范围内，可以进行适当改变，伴随着这样的改变的电光装置的制造方法也包括在本发明的技术范围内。
Claims (7)
1.一种电光装置的制造方法，是在基板上具备多条数据线、多条扫描线、与上述多条数据线和上述多条扫描线的交叉相对应地分别在每个像素中形成的多个驱动元件、与每个该驱动元件相对应地分别设置的多个像素电极的电光装置的制造方法，其特征在于，包括：
形成蚀刻停止层的工序；
在上述蚀刻停止层的上方形成上述多条扫描线和使上述多条扫描线互相短路的公共布线的工序；
形成使上述多条数据线和上述多个像素电极对于上述多条扫描线和上述多个驱动元件层间绝缘的第1层间绝缘膜的工序；
在上述第1层间绝缘膜上形成用于将上述多条数据线和上述多个像素电极分别电连接到上述多个驱动元件的接触孔的工序；
形成上述多条数据线的工序；以及
通过在上述第1层间绝缘膜上利用蚀刻形成切断用孔，而将上述公共布线切断的工序。
2.如权利要求1所述的电光装置的制造方法，其特征在于：形成上述蚀刻停止层的工序，与形成构成上述多个驱动元件的半导体膜的工序同时进行。
3.如权利要求1或2所述的电光装置的制造方法，其特征在于：形成上述蚀刻停止层的工序，以从平面看包括上述切断用孔的方式将上述蚀刻停止层形成得比上述切断用孔要大。
4.如权利要求1、2或3所述的电光装置的制造方法，其特征在于：形成上述公共布线的工序和形成上述多条扫描线的工序，与形成构成上述多个驱动元件的栅电极的工序同时进行。
5.如权利要求1所述的电光装置的制造方法，其特征在于：形成上述蚀刻停止层的工序，与形成构成上述多个驱动元件的半导体膜的工序或形成构成上述多个驱动元件的栅电极的工序同时进行。
6.如权利要求5所述的电光装置的制造方法，其特征在于：形成上述蚀刻停止层的工序，以从平面看包括上述切断用孔的方式将上述蚀刻停止层形成得比上述切断用孔要大。
7.如权利要求5或6所述的电光装置的制造方法，其特征在于：形成上述公共布线的工序和形成上述多条扫描线的工序，在形成构成上述多个驱动元件的栅电极的工序之后进行，并且形成上述公共布线的工序与形成上述多条扫描线的工序同时进行。
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