CN1907914A - 单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法 - Google Patents

单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1907914A
CN1907914A CN 200610043186 CN200610043186A CN1907914A CN 1907914 A CN1907914 A CN 1907914A CN 200610043186 CN200610043186 CN 200610043186 CN 200610043186 A CN200610043186 A CN 200610043186A CN 1907914 A CN1907914 A CN 1907914A
Authority
CN
China
Prior art keywords
crucible
charcoal
product
charing
thermal field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN 200610043186
Other languages
English (en)
Other versions
CN100432023C (zh
Inventor
肖志超
彭志刚
苏君明
邓红兵
吴大云
孟凡才
李睿
邵海成
邢如鹏
赵大明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chaoma Science & Technology Co Ltd Xian
Original Assignee
Chaoma Science & Technology Co Ltd Xian
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chaoma Science & Technology Co Ltd Xian filed Critical Chaoma Science & Technology Co Ltd Xian
Priority to CNB2006100431864A priority Critical patent/CN100432023C/zh
Publication of CN1907914A publication Critical patent/CN1907914A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100432023C publication Critical patent/CN100432023C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

本发明涉及一种单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法，该方法采用针刺炭布准三向结构预制体；通过化学气相沉积和糠酮树脂浸渍炭化以及热等静压沥青浸渍炭化相结合的致密工艺，反复致密处理数次，制品密度≥1.83g/cm3时致密工艺结束，在通入氯气和氟利昂的条件下对制品进行高温纯化处理，机械加工后即可制得单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚。本发明在用于单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚方面，可有效提高单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的强度，工艺一致性好，可实施性强，成本低，可延长单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的使用寿命和降低单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的更换率。

Description

单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法
技术领域
本发明属于单晶硅拉制炉用加热炉坩埚技术领域，具体涉及一种单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法。
背景技术
单晶炉除了炉体是不锈钢制成，里面的发热系统和支撑件包括坩埚均使用石墨件。生产单晶硅即是在惰性气体环境中，用石墨加热器将多晶硅材料熔化，用直拉法生长无错位单晶。单晶硅是以高纯度硅粉为原料，在氢或氩气等保护性气氛条件下，经1400-1600℃高温熔融仔晶牵引晶粒逐渐长大拉制成型的。拉制过程中，石墨坩锅连同石英坩锅通过炉室底部传动装置低速旋转，这就是直拉法(CZ法)。由于石墨的耐高温性能和良好的化学稳定性，CZ硅单晶炉的坩锅、衬套、衬板、发热体、保温层、导流筒等均用高纯石墨制造。CZ法炉内工作温度在1400-1600℃，由于石墨坩锅在石英坩锅外面起保护作用，所以其温度在1600-1700℃。直拉法基本特点是用一个高纯石英坩埚盛装熔融硅。基本过程是将高纯多晶硅块和微量的掺杂剂放置在石英坩埚内，石英坩埚置于石墨坩埚内，外置石墨加热器，在真空或高纯氩气环境下加热熔化，控制适当温度，将籽晶插入熔体，使熔融多晶硅按籽晶的硅原子排列顺序结晶凝固成单晶硅。由于这种特点，炉内工作温度一般在1400℃～1600℃，这时石英坩埚会变软，要靠外面的石墨坩埚支撑，所以石墨坩埚主要是起支撑作用。石墨坩埚一般使用的是高纯石墨，要求三高，即高纯度、高强度、高密度，密度≥1.8g/cm3，石墨坩锅要求纯度非常高，并且不允许含有金属杂质，高温下不挥发游离的离子、原子杂质，即灰分度≤50PPM。
目前单晶硅拉制炉用热场坩埚基本均由石墨制造，由于石墨产品强度低，耐高温热震性能差，使用寿命短，更换频繁，纯度也较低，大尺寸产品成形困难，使其难以满足半导体单晶硅生产发展的要求。
发明内容
本发明的技术解决的问题是：提供一种工艺简单、致密效果良好、材料使用性能优异的单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法。
本发明的技术解决方案是：一种单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：
(1)采用炭布沿坩埚弧线方向铺层后针刺制成全炭纤维准三向结构坩埚预制体，坩埚预制体体积密度为0.4-0.7g/cm3；
(2)化学气相沉积致密工艺：在800-1100℃条件下往化学气相沉积炉中通入丙烯或天然气，丙烯或天然气的流量为1.0-5.0m3/h，将步骤(1)中经过针刺后的坩埚预制体装入化学气相沉积炉中，进行气相沉积，制得坩埚制品；
(3)糠酮树脂浸渍炭化致密工艺：在压力为1.5-3.0MPa下，将步骤(2)中经过化学气相沉积后的坩埚制品装入真空-压力树脂浸渍固化炉中浸渍固化，坩埚制品进行浸渍固化后转炭化炉炭化处理，固化温度为150-220℃，炭化温度为800-1100℃；
(4)热等静压沥青浸渍炭化致密工艺；在压力为100MPa下，对步骤(3)中经过糠酮树脂浸渍炭化致密后的坩埚制品进行热等静压沥青浸渍炭化处理，炭化温度为550-750℃；
(5)坩埚制品密度＜1.83g/cm3时，重复步骤(3)和步骤(4)；坩埚制品密度≥1.83g/cm3时，致密工艺结束，在纯化炉通入氯气和氟利昂的条件下，将坩埚制品装入纯化炉中进行纯化处理，纯化温度为2000-2500℃；
(6)对步骤(5)中经过纯化处理后的坩埚制品用车床加工，即制得直径150-800mm，高100-600mm的单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚。
本发明与现有技术相比具有以下优点：
(1)采用12K炭布沿坩埚弧线方向铺层后针刺全炭纤维准三向结构预制体，可增强坩埚的强度和承受多晶硅冶炼炉内环境的反复高温热震考验和二氧化硅坩埚冷却后膨胀的应力；
(2)采用化学气相沉积和糠酮树脂浸渍炭化和热等静压沥青浸渍炭化相结合致密工艺，致密效果良好，制品密度高，可有效的提高单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的强度、工艺一致性好，可实施性强，成本低；
(3)用该工艺技术制得的单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚具有重量轻，体积小，厚度薄，使用寿命提高5-10倍，用作单晶硅拉制炉用炭/炭坩埚，大幅度延长产品使用寿命减少更换部件的次数，从而提高设备的利用率，减少维修成本；
(4)用作单晶硅拉制炉用炭/炭坩埚时，现有设备具有固定的工作容积，而由于炭/炭复合材料具有优异的性能，与传统石墨产品相比，可以做得更薄，从而可以利用现有设备生产更多的产品，可节约大量新设备投资费用；
(5)在生产大直径的产品时，传统石墨热场产品成型困难，而由于炭/炭复合材料具有优异的性能，生产大直径的产品时，可采用炭/炭加热器；
(6)用该工艺技术制得的单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚纯度高，用作单晶硅拉制炉用炭/炭坩埚，与传统石墨产品相比，可以避免污染产品，提高产品的纯度和品质。
附图说明
图1为采用本发明制备的单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的剖面图。
具体实施方式
实施例1
(1)采用12K炭布沿坩埚弧线方向铺层后针刺制成全炭纤维准三向结构预制体，预制体体积密度为0.6g/cm3，其中，K代表丝束千根数；
(2)化学气相沉积致密工艺，在1100℃条件下往化学气相沉积炉中通入丙烯，丙烯的流量为1.5m3/h，将步骤(1)中经过针刺后的坩埚制品装入化学气相沉积炉中，进行气相沉积；
(3)糠酮树脂浸渍炭化致密工艺：在压力为1.5MPa下，将步骤(2)中经过化学气相沉积后的坩埚制品装入真空-压力树脂浸渍固化炉中浸渍固化，固化温度为220℃，坩埚制品进行浸渍固化后转炭化炉炭化处理，炭化温度为1100℃；
(4)热等静压沥青浸渍炭化致密工艺；在压力为100MPa下，对步骤(3)中经过糠酮树脂浸渍炭化致密后的坩埚制品进行热等静压沥青浸渍炭化处理，炭化温度为750℃；
(5)坩埚制品密度＜1.83g/cm3时，重复步骤(3)和步骤(4)；坩埚制品密度≥1.83g/cm3时，致密工艺结束，在纯化炉通入氯气和氟利昂的条件下，将坩埚制品装入纯化炉中进行纯化处理，纯化温度为2500℃；
(6)对步骤(5)中经过纯化处理后的坩埚制品用车床加工，即可制得直径500mm，高300mm的单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚。
经测试该坩埚所用的炭/炭复合材料的拉伸强度为80MPa，压缩强度为220MPa，弯曲强度为100MPa，剪切强度为60MPa。
实施例2
(1)采用12K炭布沿坩埚弧线方向铺层后针刺制成全炭纤维准三向结构坩埚预制体，坩埚预制体体积密度为0.5g/cm3，其中，K代表丝束千根数；
(2)化学气相沉积致密工艺，在950℃条件下往化学气相沉积炉中通入丙烯，丙烯的流量为2.5m3/h，将步骤(1)中经过针刺后的坩埚预制体装入化学气相沉积炉中，进行气相沉积，制得坩埚制品；
(3)糠酮树脂浸渍炭化致密工艺：在压力为1.8MPa下，将步骤(2)中经过化学气相沉积后的坩埚制品装入真空-压力树脂浸渍固化炉中浸渍固化，固化温度为200℃，坩埚制品进行浸渍固化后转炭化炉炭化处理，炭化温度为1000℃；
(4)热等静压沥青浸渍炭化致密工艺；在压力为100MPa下，对步骤(3)中经过糠酮树脂浸渍炭化致密后的坩埚制品进行热等静压沥青浸渍炭化处理，炭化温度为650℃；
(5)坩埚制品密度＜1.83g/cm3时，重复步骤(3)和步骤(4)；坩埚制品密度≥1.83g/cm3时，致密工艺结束，在纯化炉通入氯气和氟利昂的条件下，将坩埚制品装入纯化炉中进行纯化处理，纯化温度为2200℃；
(6)对步骤(5)中经过纯化处理后的坩埚制品用车床加工，即可制得直径400mm，高350mm的单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚。
经测试该坩埚所用的炭/炭复合材料的拉伸强度为85MPa，压缩强度为235MPa，弯曲强度为110MPa，剪切强度为65MPa。
实施例3
(1)采用12K炭布沿坩埚弧线方向铺层后针刺制成全炭纤维准三向结构坩埚预制体，坩埚预制体体积密度为0.4g/cm3，其中，K代表丝束千根数；
(2)化学气相沉积致密工艺，在800℃条件下往化学气相沉积炉中通入天然气，天然气的流量为3.5m3/h，将步骤(1)中经过针刺后的坩埚预制体装入化学气相沉积炉中，进行气相沉积，制得坩埚制品；
(3)糠酮树脂浸渍炭化致密工艺：在压力为2.5MPa下，将步骤(2)中经过化学气相沉积后的坩埚制品装入真空-压力树脂浸渍固化炉中浸渍固化，固化温度为150℃，坩埚制品进行浸渍固化后转炭化炉炭化处理，炭化温度为800℃；
(4)热等静压沥青浸渍炭化致密工艺；在压力为100MPa下，对步骤(3)中经过糠酮树脂浸渍炭化致密后的坩埚制品进行热等静压沥青浸渍炭化处理，炭化温度为550℃；
(5)坩埚制品密度＜1.83g/cm3时，重复步骤(3)和步骤(4)；坩埚制品密度≥1.83g/cm3时，致密工艺结束，在纯化炉通入氯气和氟利昂的条件下，将坩埚制品装入纯化炉中进行纯化处理，纯化温度为2000℃；
(6)对步骤(5)中经过纯化处理后的坩埚制品用车床加工，即可制得直径500mm，高380mm的单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚。
经测试该坩埚所用的炭/炭复合材料的拉伸强度为95MPa，压缩强度为235MPa，弯曲强度为120MPa，剪切强度为70MPa。

Claims (2)

1、一种单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：
(1)采用炭布沿坩埚弧线方向铺层后针刺制成全炭纤维准三向结构坩埚预制体，坩埚预制体体积密度为0.4-0.7g/cm3；
(2)化学气相沉积致密工艺：在800-1100℃条件下往化学气相沉积炉中通入丙烯或天然气，丙烯或天然气的流量为1.0-5.0m3/h，将步骤(1)中经过针刺后的坩埚预制体装入化学气相沉积炉中，进行气相沉积，制得坩埚制品；
(3)糠酮树脂浸渍炭化致密工艺：在压力为1.5-3.0MPa下，将步骤(2)中经过化学气相沉积后的坩埚制品装入真空-压力树脂浸渍固化炉中浸渍固化，坩埚制品进行浸渍固化后转炭化炉炭化处理，固化温度为150-220℃，炭化温度为800-1100℃；
(4)热等静压沥青浸渍炭化致密工艺；在压力为100MPa下，对步骤(3)中经过糠酮树脂浸渍炭化致密后的坩埚制品进行热等静压沥青浸渍炭化处理，炭化温度为550-750℃；
(5)坩埚制品密度＜1.83g/cm3时，重复步骤(3)和步骤(4)；坩埚制品密度≥1.83g/cm3时，致密工艺结束，在纯化炉通入氯气和氟利昂的条件下，将坩埚制品装入纯化炉中进行纯化处理，纯化温度为2000-2500℃；
(6)对步骤(5)中经过纯化处理后的坩埚制品用车床加工，即制得直径150-800mm，高100-600mm的单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚。
2、根据权利要求1所述的单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法，其特征在于：步骤(1)中的炭布为12K炭布，K代表丝束千根数。
CNB2006100431864A 2006-07-20 2006-07-20 单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法 Active CN100432023C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2006100431864A CN100432023C (zh) 2006-07-20 2006-07-20 单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2006100431864A CN100432023C (zh) 2006-07-20 2006-07-20 单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1907914A true CN1907914A (zh) 2007-02-07
CN100432023C CN100432023C (zh) 2008-11-12

Family

ID=37699171

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006100431864A Active CN100432023C (zh) 2006-07-20 2006-07-20 单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN100432023C (zh)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009024045A1 (fr) * 2007-08-21 2009-02-26 Hunan Kingbo Carbon-Carbon Composites Co. Ltd Creuset composite c/c et son procédé de fabrication
CN101797646A (zh) * 2010-03-25 2010-08-11 西安超码科技有限公司 一种真空热压炉用高强度炭/炭热压模具的制备方法
CN102021648A (zh) * 2011-01-10 2011-04-20 湖南金博复合材料科技有限公司 导流筒抗氧化涂层及制备方法
CN102093069A (zh) * 2010-12-03 2011-06-15 西安超码科技有限公司 一种提高炭/炭坩埚强度的炭布铺层方法
CN101637975B (zh) * 2009-05-15 2011-10-19 西安超码科技有限公司 一种化学气相渗透与树脂浸渍炭化致密制备发热体的方法
CN101571351B (zh) * 2008-05-01 2012-02-01 揖斐电株式会社 坩埚保持部件及其制造方法
CN102433543A (zh) * 2011-12-20 2012-05-02 西安超码科技有限公司 一种多沉积室cvi致密炭/炭坩埚的装置及方法
CN102515812A (zh) * 2011-12-04 2012-06-27 湖南九华碳素高科有限公司 碳碳化硅坩埚及其制作工艺
CN103102170A (zh) * 2011-11-11 2013-05-15 浙江昱辉阳光能源有限公司 一种坩埚及其制备方法
CN103482995A (zh) * 2013-08-06 2014-01-01 江苏天鸟高新技术股份有限公司 连续碳纤维增强的坩埚预制体及其制备方法
CN104499044A (zh) * 2014-12-16 2015-04-08 湖南博云新材料股份有限公司 一种炭/炭坩埚及其生产方法
CN111848201A (zh) * 2020-07-24 2020-10-30 西安超码科技有限公司 一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚及其制备方法
CN112028657A (zh) * 2020-08-03 2020-12-04 杭州卓导新材料有限公司 炭/炭复合材料坩埚的制备方法
CN114455971A (zh) * 2021-12-30 2022-05-10 西安超码科技有限公司 一种含有α-Al2O3涂层的高密度C/C-SiC复合材料坩埚
CN115286413A (zh) * 2022-07-18 2022-11-04 浙江星辉新材料科技有限公司 一种碳碳复合材料坩埚及其制备方法
WO2023019726A1 (zh) * 2021-08-19 2023-02-23 西安超码科技有限公司 一种网状玻璃态多孔碳薄壁异形件及其制备方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101637815B (zh) * 2009-05-15 2010-12-29 西安超码科技有限公司 一种高温熔炼金属用炭/炭螺杆的制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN87206316U (zh) * 1987-04-16 1987-12-30 清华大学 氮化硅涂层坩埚
JPH035392A (ja) * 1989-05-30 1991-01-11 Nkk Corp シリコン単結晶の製造装置
US5616175A (en) * 1994-07-22 1997-04-01 Herecules Incorporated 3-D carbon-carbon composites for crystal pulling furnace hardware
CN1210155A (zh) * 1997-07-03 1999-03-10 Memc电子材料有限公司 低浓度钙杂质的石墨支撑容器及其在制造单晶硅中的应用

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009024045A1 (fr) * 2007-08-21 2009-02-26 Hunan Kingbo Carbon-Carbon Composites Co. Ltd Creuset composite c/c et son procédé de fabrication
CN101571351B (zh) * 2008-05-01 2012-02-01 揖斐电株式会社 坩埚保持部件及其制造方法
CN101637975B (zh) * 2009-05-15 2011-10-19 西安超码科技有限公司 一种化学气相渗透与树脂浸渍炭化致密制备发热体的方法
CN101797646A (zh) * 2010-03-25 2010-08-11 西安超码科技有限公司 一种真空热压炉用高强度炭/炭热压模具的制备方法
CN101797646B (zh) * 2010-03-25 2011-10-19 西安超码科技有限公司 一种真空热压炉用高强度炭/炭热压模具的制备方法
CN102093069A (zh) * 2010-12-03 2011-06-15 西安超码科技有限公司 一种提高炭/炭坩埚强度的炭布铺层方法
CN102093069B (zh) * 2010-12-03 2013-02-13 西安超码科技有限公司 一种提高炭/炭坩埚强度的炭布铺层方法
CN102021648A (zh) * 2011-01-10 2011-04-20 湖南金博复合材料科技有限公司 导流筒抗氧化涂层及制备方法
CN102021648B (zh) * 2011-01-10 2012-04-11 湖南金博复合材料科技有限公司 导流筒抗氧化涂层及制备方法
CN103102170B (zh) * 2011-11-11 2014-12-03 浙江昱辉阳光能源有限公司 一种坩埚及其制备方法
CN103102170A (zh) * 2011-11-11 2013-05-15 浙江昱辉阳光能源有限公司 一种坩埚及其制备方法
CN102515812A (zh) * 2011-12-04 2012-06-27 湖南九华碳素高科有限公司 碳碳化硅坩埚及其制作工艺
CN102433543B (zh) * 2011-12-20 2013-08-14 西安超码科技有限公司 一种多沉积室cvi致密炭/炭坩埚的装置及方法
CN102433543A (zh) * 2011-12-20 2012-05-02 西安超码科技有限公司 一种多沉积室cvi致密炭/炭坩埚的装置及方法
CN103482995A (zh) * 2013-08-06 2014-01-01 江苏天鸟高新技术股份有限公司 连续碳纤维增强的坩埚预制体及其制备方法
CN104499044A (zh) * 2014-12-16 2015-04-08 湖南博云新材料股份有限公司 一种炭/炭坩埚及其生产方法
CN104499044B (zh) * 2014-12-16 2017-10-27 湖南博云新材料股份有限公司 一种炭/炭坩埚及其生产方法
CN111848201A (zh) * 2020-07-24 2020-10-30 西安超码科技有限公司 一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚及其制备方法
CN112028657A (zh) * 2020-08-03 2020-12-04 杭州卓导新材料有限公司 炭/炭复合材料坩埚的制备方法
WO2023019726A1 (zh) * 2021-08-19 2023-02-23 西安超码科技有限公司 一种网状玻璃态多孔碳薄壁异形件及其制备方法
CN114455971A (zh) * 2021-12-30 2022-05-10 西安超码科技有限公司 一种含有α-Al2O3涂层的高密度C/C-SiC复合材料坩埚
CN114455971B (zh) * 2021-12-30 2023-09-05 西安超码科技有限公司 一种含有α-Al2O3涂层的高密度C/C-SiC复合材料坩埚
CN115286413A (zh) * 2022-07-18 2022-11-04 浙江星辉新材料科技有限公司 一种碳碳复合材料坩埚及其制备方法
CN116003151A (zh) * 2022-07-18 2023-04-25 浙江星辉新材料科技有限公司 一种碳碳复合材料坩埚及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN100432023C (zh) 2008-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100432023C (zh) 单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法
CN100400471C (zh) 单晶硅拉制炉用热场炭/炭导流筒的制备方法
KR101104674B1 (ko) 대경의 실리콘 단결정 잉곳 중의 핀홀 결함의 저감을 가능하게 하는 대경 실리콘 단결정 잉곳 인상용 고순도 석영 유리 도가니
CN100497753C (zh) 单晶硅拉制炉用炭/炭保温罩的制备方法
CN100595350C (zh) 单晶炉导流筒及其生产工艺
JP3454516B2 (ja) サスセプターとして有用な高純度複合体及び結晶成長法
CN100366581C (zh) 单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭加热器的制备方法
CN100432021C (zh) 单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭隔热屏的制备方法
US5616175A (en) 3-D carbon-carbon composites for crystal pulling furnace hardware
CN112341232B (zh) 一种炭/炭坩埚及其制造方法
CN101717992B (zh) 一种cz硅晶体生长炉碳－碳复合材料导流筒及其制备方法
CN108752030B (zh) 一种SiC泡沫内填充Cf/C-玻璃碳超高温真空隔热圆管的制备方法
CN101412632A (zh) 多晶硅炉用炭/炭复合材料发热体的制备方法
CN109456063B (zh) 一种单晶硅拉制炉的CF/Si3N4复合材料埚帮及其制备方法
JP4077601B2 (ja) 単結晶引き上げ用ｃ／ｃルツボの製造方法
CN114293159A (zh) 一种镍基合金靶材的制备方法
CN1420851A (zh) 制造石英玻璃用的心轴及使用该心轴的光纤用母材、光纤、石英玻璃体的制造方法
CN102828235A (zh) 一种单晶硅直拉炉用反射板的制备方法
KR100694913B1 (ko) 열구조적 복합재료보울, 특히 실리콘 단결정 제조장치용보울의 제조방법
CN114455969B (zh) 一种含有氧化铝涂层的高密度C/C-SiC复合材料坩埚
CN201162061Y (zh) 单晶炉导流筒
JPH10158090A (ja) 半導体単結晶引上げ用ｃ／ｃ製ルツボの製法
CN109180209B (zh) 一种采用原位自生法制备碳化硅纳米线增强石墨-碳化硅复合材料的方法
JPH10245275A (ja) 黒鉛型を用いた炭素繊維強化炭素材の製造方法
CN102619863B (zh) 单晶炉传动轴及其生产方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant