CN1906682A - 光学信息记录介质及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种虽然有多个信息层，但在全部的信息层上都能够稳定的记录再生，从激光入射侧来看，提供一种能够良好地保持最内层的记录灵敏度的光学信息记录介质及其制造方法。因此，本发明的光学信息记录介质，是在基板上将第1信息层、中间层、第2信息层按照该顺序形成的，无论哪个信息层都具有由含有Te、O及M(M是从Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中选择的1种或几种元素)的材料构成的记录层，第2信息层比第1信息层的材料M的组成比要多。

Description

光学信息记录介质及其制造方法
技术领域
本发明涉及通过在基板上照射激光束等的高能量光束，记录再生信息信号的光学信息记录介质及其制造方法。
背景技术
大家都知道相变化型记录介质，是作为能够大容量、高速地信息记录再生的介质之一。它是利用了通过在记录材料上局部的照射激光时所产生的热量，记录材料向光学上可区别的不同状态变化的原理。相变化型记录介质由于能够根据需要进行随机访问，且具有移动性能优越这样的很大的优点，所以近年来其重要性在逐步提高。例如通过计算机的个人数据、图像信息等的记录、保存、医疗领域、学术领域或家庭用磁带录像机的置换等，在各种各样领域的需求都在不断提高。现在，伴随着应用的高性能化、图像信息的高性能化，关于相变化型记录介质，正在谋求着达到进一步地大容量化、高密度化、高速化。
基于以往所公开的介质的记录再生原理的种类，例如有可多次擦写的擦写型介质、只能擦写一次的所谓的追记型介质。一般的，追记型介质和擦写型介质相比较，能减小层数的情况居多，所以制造容易、能够低成本化。另外，由于其不能擦写，所以特别适合于写入不想被用户破坏的数据。还有，由于保存寿命长，可靠性高，所以作为档案库的用途，预想其存在很大的需求。因此，伴随着高密度的擦写型介质的普及，可以认为高密度的追记型介质的需求也会越来越高。
以往，作为追记型的记录介质，公开了几个氧化物材料。例如公开了在GeO2、TeO2、SiO2、Sb2O3、SnO2等的氧化物母材中分散Te粒子的记录材料，能够得到高灵敏度、很大的信号振幅(参照专利文献1)。例如以Te-O-Pd为主成分的记录材料可得到很大的信号振幅，可靠性也非常高(例如参照专利文献2)。通常认为这些Te-O-Pd系列记录材料的记录机构如下所述，成膜后的Te-O-Pd膜是在TeO2中以Te-Pd或Te或Pd作为微粒子，同样地进行分散的复合材料。激光照射后被熔化，由于Te、Te-Pd、Pd变为更大的结晶粒子析出，光学状态变化，所以其差可作为信号进行检测。另外，以Te-O-Pd为主成分的材料，大致上以透明的TeO2为母材，所以增大膜的透过率是很容易的，在通过从介质的一侧照射激光，记录于多层的信息层所需要多层光学信息介质方面，也存在能够应用的优点。
利用了上述TeOx系列记录材料的追记型记录介质在实用化后，作为重要的课题之一，表现为再生记录的信号时，信号振幅会缓缓地变大(以下称为缓和现象)。因此，当在TeOx上添加材料M(M是从Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中选出的1种或几种元素)(Te-O-M)时，则会降低该缓和现象。
但是，在由2层组成的记录介质中的靠近激光入射侧的信息层的Te-O-Pd膜上，为了实现高透过率，和以记录层为内侧相比需要更薄，其结果是和具有单一的信息层的追记型记录介质相比，会产生更大的缓和现象。这是由于在靠近激光入射侧的信息层上，由于记录层很薄，能够成为结晶化的起点的Pd量变得很少，结果是未和Pd结合的Te量变得更多。由于此剩余的Te给缓和现象带来了影响，所以在靠近激光入射侧的信息层，能看到更大的缓和现象。在实用的使用介质后，虽然某些层信号振幅稳定，但某些层在再生信号的过程中振幅变化是所不希望的。另外，在具有3层以上的信息层的追记型记录介质上，有必要使靠近激光入射侧的信息层内采用的记录层进一步薄膜化，所以能看到更大的缓和现象。
另外，在离由2层组成的记录介质中的激光入射侧很远的信息层上，由于透过离激光入射侧很近的信息层进行信息的记录再生，所以需要有很高的记录灵敏度。记录灵敏度也根据Te-O-Pd膜中的Pd量而变化，Pd量越多，记录灵敏度越恶化。因此，在离激光入射侧很远的信息层上，希望Te-O-Pd膜中的Pd量少些。另外，在具有3层以上的信息层的记录介质中，由于在离激光入射侧最远的信息层上需要具有更高的记录灵敏度，所以和2层的情况相同，希望Pd量少些。
专利文献1：特开昭58-54338号公报；
专利文献2：国际公开特许WO98/09823号公报。
发明内容
本发明的目的在于解决上述课题，提供一种虽然有多个信息层，但在全部的信息层上都能够稳定的记录再生，进一步从入射侧来看，能够良好地保持最内层的记录灵敏度的光学信息记录介质及其制造方法。
作为解决上述课题的手段，本发明是在基板上顺次地具备第1信息层、中间层、第2信息层，从第2信息层侧入射激光，进行信息的记录再生的光学信息记录介质。无论哪个信息层都有含有Te、O及M(M是从Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中选择的1种或几种元素)的材料构成的记录层，如果第1信息层的材料M的组成比为M1、第2信息层的材料M的组成比为M2，则要满足M2＞M1的关系。
由此，在2层介质各层，能够得到稳定的记录再生特性。
这里，优选记录层包含1原子％以上30原子％以下的材料M，在能够进一步地得到良好的记录特性。
另外，优选记录层的膜厚在1nm以上50nm以下，在能够得到良好的记录特性。
第1及第2信息层中的一个以上，优选在记录层的基板侧及/或和基板的相反侧具备保护层。
由此，能够得到更良好的记录特性。
这里，最好保护层的材料是从ZnS、Si-O、Al-O、Ti-O、Ta-O、Zr-O、Cr-O中选择的至少一种氧化物、从Ge-N、Cr-N、Si-N、Al-N、Nb-N、Mo-N、Ti-N、Zr-N中选择的至少一种氮化物、从Ge-C、Cr-C、Si-C、Al-C、Ti-C、Zr-C、Ta-C中选择的至少一种碳化物、从Si-F、Al-F、Mg-F、Ca-F、La-F中选择的至少一种氟化物、或者是这些的组合(例如ZnS-SiO2等)。
由此，能够进一步地得到良好的记录特性。
另外，优选保护层的膜厚在3nm以上50nm以下，能够进一步得到良好的记录特性。
第1及第2信息层中的一个以上，优选在记录层的基板侧具备反射层，能够进一步得到良好的记录特性。
这里，反射层优选由以从Ag、Al、Au、Si、Cu、Ni、Cr、Ti中选择的至少一种元素为主成分的材料构成。
由此，能够进一步地得到良好的记录特性。
这里，优选反射层的膜厚在3nm以上200nm以下，能够进一步地得到良好的记录特性。
本发明是在基板上通过各个中间层顺次地具备第1信息层、第2信息层、…、第n信息层(但n为3以上的整数)，从第n信息层侧入射激光，进行信息的记录再生的光学信息记录介质，无论哪个信息层都有含有Te、O及M(M是从Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中选择的1种或几种元素)的材料构成的记录层，如果第1信息层的材料M的组成比为M1、第2信息层的材料M的组成比为M2、…、第n信息层的材料M的组成比为Mn，则要满足Mn≥…≥M2≥M1且M1≠Mn的关系。
由此，在多层介质各层上，能够得到稳定的记录再生特性。
这里，优选记录层包含1原子％以上30原子％以下的材料M，能够进一步地得到良好的记录特性。
另外，优选记录层的膜厚在1nm以上50nm以下，能够得到更良好的记录特性。
第1～第n信息层中的一层以上，在记录层的基板侧及/或和基板的相反侧具备保护层，保护层优选由折射率n为1.5以上的材料构成。
由此，能够得到更良好的记录特性。
第1～第n信息层中的一层以上，优选在记录层的基板侧具备反射层，反射层由折射率为2以下且衰减系数k为2以上的材料构成。
由此，能够得到更良好的记录特性。
另外，在利用如上所述的制造方法制成的信息记录介质形成后，最好在60℃以上实施保持5分以上的退火处理。
由此，能够得到更良好的记录特性。
如上所述那样，通过本发明，能够提供一种虽然具有多个信息层，但在全部的信息层上都能够实现稳定的记录再生的光学信息记录介质及其制造方法。
附图说明
图1是表示本发明的光学信息记录介质的一构成例的截面图。
图2是表示本发明的光学信息记录介质的一构成例的截面图。
图3是表示本发明的光学信息记录介质的记录再生装置的构成的示意图。
1、8-基板，
2、9-第1信息层，
3、10-中间层、
4、11-第2信息层，
5、13-光透明层，
6、14、16-激光，
7、15、21-光学信息记录介质，
12-第n信息层，
17-物镜，
18-半导体激光，
19-光头，
20-主轴电动机，
22-记录再生装置，
201、401、901-反射层，
202、204、402、404、902、904、1101、1103、1201、1203——保护层，
203、403、903、1102、1202——记录层。
具体实施方式
以下，针对本发明的实施方式，参照图面进行说明。即以下的实施方式是一例，本发明并不限于以下的实施方式。另外在以下的实施方式中，存在对于同一部分，附以同一符号，省略重复的说明的情况。
图1及图2是本发明的光学信息记录介质的一构成例。
如图1所示那样，本发明的光学信息记录介质7，在基板1上顺次地设置第1信息层2及第2信息层4而构成。使两个信息层间介有中间层3，光学的分离各信息层，排除不必要的光学干涉。还有，在第2信息层上形成光透明层5。对于这种光学信息记录介质，从光透明层5的侧面照射激光6，实施记录再生。
另外，如2所示那样，本发明的光学信息记录介质15，也可在基板8上顺次地设置第1信息层9、第2信息层11、…、第n信息层12而构成。和图1相同，在各信息层之间放入中间层10，光学的分离各信息层，排除不必要的光学干涉。对于这种光学信息记录介质15，从光透明层13的一侧照射激光14实施记录再生。第1～第n的各信息层无论哪个都含有记录层。在记录层以外也能够设置由电介质材料构成的保护层、或合金材料构成的反射层。
基板1、8及光透明层5、13是从损伤、氧化方面承担保护光学信息记录介质作用的保护材料。由于光透明层5、13通过激光实施记录再生，所以使用对于激光来说透明的材料或即使产生光吸收也可小到可忽视程度(例如光吸收10％以下)的材料。
作为基板1、8及光透明层5、13的材料的例子，例如聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate)、聚烯系列树脂等的各种树脂或玻璃等。
作为光透明层5、13，也可根据成形等，采用制成了规定形状的基板，也可采用以薄板状为规定的形状那样加工的基板。或者使用对于记录再生的激光透明的紫外线硬化树脂。这里所说的光透明层5、13，从后述的保护层204、1203来看，指制作于激光入射侧的透明层全体。例如通过透明的紫外线硬化树脂粘合透明的薄板时，这些全体称为光透明层5、13。
最好在光透明层5、13，或者基板1、8中的至少任何一方上，用于导向激光的导向沟槽或凹坑，形成在信息层的位置一侧。
中间层3、10是为了光学的分离第1信息层和第2信息层、或者和第n信息层而设置的层，由对于激光透明的材料构成。具体的可采用紫外线硬化树脂等。中间层3、10的膜厚，厚到能够分离各信息层的程度，且各信息层能达到物镜的可集光的范围内的膜厚即可。积层3层以上的信息层时，最好使各个中间层的厚度为不同的厚度。原因是当中间层为相同的厚度时，信息层的位置变为等间隔，记录再生内层时，由于在两个之前的位置层集聚激光，形成干扰的可能性大。
记录层203、403、903、1102、1202是由能取得光学特性不同的2个以上的状态之间的材料构成。记录层的材料最好能使此不同状态间进行非可逆的变化。以Te、O及M(M为上述记载的元素)为主成分的材料适合。这里，主成分指超过80原子％的1或2以上的成分，当2以上的成分是主成分时，成分的合计为80％原子以上较好。元素M的最佳例子是含有Pd及Au。通过添加Pd及/或Au，可很容易地实现充分地结晶化速度及很高的环境可靠性。这种材料最好具有含有氧原子(O原子)为30原子％以上70％原子以下，M原子为1原子％30原子％以下的组成。进一步地，更好地是具有含有M原子为5原子％以上的组成。
如果O原子不满30原子％，记录层的热传导率会过高，记录标记会变得过大。因此，即使提高记录功率，C/N比也很难上升。与此相对，当O原子超过70原子％时，记录层的热传导率会变得过低，即使提高记录功率，记录标记也不能变得充分大。因此，很难实现高C/N比和高记录灵敏度。
如果M原子不满1原子％，激光照射时由形成和Te之间的化合物而带来的结晶化的作用相对的变小，记录层2的结晶化速度不足。因此，不能高速地形成标记。含有M原子为5％以上的组成，由于结晶化速度更高，能够形成稳定的标记，所以更好。与此相对，当M原子超过30原子％时，非晶质-结晶间的反射率变化变小，C/N比变低。
记录层也可含有Te、O及M以外的元素。例如以热传导率、光学常数的调整或耐热性、环境可靠性的提高等为目的，也可添加从S、N、F、B及C中选择的至少1种的元素。这些添加元素最好在记录层全体的20原子％以内。
记录层的膜厚最好在2nm以上70nm以下，这是因为能够很容易地得到充分的C/N比。如果此膜厚未满2nm，由于不能得到充分地反射率及反射率变化，所以C/N比会变得很低。由此观点来看，记录层5nm以上更好。另一方面，如果此膜厚超过70nm，记录层的薄膜面内的热扩散变大，在高密度记录中，C/N比可能会变低。
在由2层组成的记录介质中，在基板上顺序地具备第1信息层、中间层、第2信息层，在从第2信息层入射激光，实施信息的记录再生的光学信息记录介质上，无论哪个信息层都有含有Te、O及M(M是从Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中选择的1种或几种元素)的材料构成的记录层，如果第1信息层的材料M的组成比为M1、第2信息层的材料M的组成比为M2，则要满足M2＞M1的关系。由此，在2层介质各层上，能够得到稳定的记录再生特性。此时，最好M2比M1多1原子％以上。另外，M2比M1多2原子％以上好，多4原子％以上更好。
在3层以上组成的记录介质中，在基板上通过各个中间层，顺次地具备第1信息层、第2信息层、…、第n信息层(但n为3以上的整数)，从第n信息层侧入射激光，在实施信息的记录再生的光学信息记录介质上，无论哪个信息层都有含有Te、O及M(M是从Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中选择的1种或几种元素)的材料构成的记录层，如果第1信息层的材料M的组成比为M1、第2信息层的材料M的组成比为M2、…、第n信息层的材料M的组成比为Mn，则要满足
Mn≥…≥M2≥M1且M1≠Mn
的关系。由此，在2层介质各层上，在双方信息层上都能够得到稳定的记录再生特性。此时，最好Mk(1≤k≤n)比Mk-1多1原子％以上，另外Mk比Mk-1多2原子％以上更好，多4原子％以上进一步更好。
反射层201、401、901由Au、Ag、Cu、Al、Ni、Cr、Ti等金属或选择适宜的金属合金形成。反射层101、201、901是为了得到发热效果、在记录层的有效的光吸收等的光学效果而设置。其膜厚最好在1nm以上。当反射层201、401、901小于1nm时，膜成为均匀层状变得很困难，这是由于热的、光学的效果下降。在图2中，只第1信息层9是具有反射层901的构成，而第1～第n信息层无论哪一个或全部也可具有反射层，或者是第1信息层也可以是不具有反射层901的构成。一般的，设置反射层901时，信息层的透过率降低，但通过上述所述的放热效果、光学效果，能够很容易得到高信号品质。因此，在位于激光入射侧的第2～第n信息层上，如何设置反射层，进行适当地设置是很必要的，设置反射层时，根据其膜厚例如在10nm以下这一非常薄的膜厚，需要在保持信息层的高透过率上下功夫。n及k的更好的范围是各自在2.0以下及2.0以上。
保护层202、204、402、404、902、904、1101、1103、1201、1203是以能够进行记录材料的保护、在信息层的有效的光吸收这一光学特性的调节为主要目的而设置的。作为保护层的材料，折射率n应在1.5以上，更好的在2.0以上，进一步好的能够采用2.5以上的材料。具体的，例如采用ZnS等的硫化物、ZnSe等的硒化物、Si-O、Al-O、Ti-O、Ta-O、Zr-O、Cr-O等的氧化物、Ge-N、Cr-N、Si-N、Al-N、Nb-N、Mo-N、Ti-N、Zr-N、Ta-N等的氮化物、Ge-O-N、Cr-O-N、Si-O-N、Al-O-N、Nb-O-N、Mo-O-N、Ti-O-N、Zr-O-N、Ta-O-N等的氮氧化物、Ge-C、Cr-C、Si-C、Al-C、Ti-C、Zr-C、Ta-C等的碳化物、Si-F、Al-F、Ca-F、La-F等的氟化物、其他的电介质、或这些的组合(例如ZnS-SiO2等)等能够达成上述目的的材料。
本发明的光学信息记录介质也可在具有以Te、O及M为主成分的材料构成的记录层的第1信息层2、第2信息层4及第n信息层12以外，设置追加的信息层。例如，也可以是具有和以Te、O及M为主成分的材料不同的材料构成的记录层的信息层，另外也可能是非追记型，擦写型、再生专用型的任何一个的信息层，能够追加在任意的位置上。
另外，使上述光学信息记录介质2片，与各自的基板1、8侧对向粘合，通过双面构造，能够使相当于介质1片可储蓄的信息量进一步地变为2倍。
上述的各薄膜，例如可通过真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、MBE(Molecular Beam Epitaxy)法等的气相薄膜堆积法形成。
各层的制作顺序，图1的情况，在基板1上从反射层201侧顺次地成膜到保护层204，在中间层复制了沟槽形状后，同样的也可形成第2信息层。光透明层5的形成方法，也可通过粘合制作到保护层404的介质和具有片面的粘接树脂的基材来形成。也可通过UV树脂，粘合制作到保护层404的介质和薄板状的基材来形成，还有也可在制作到保护层404的介质上，通过紫外线硬化树脂形成。
另外，本发明的光学信息记录介质，作为退火工程，通过在高温条件下保持一定时间以上，得到更高的高C/N比及更低的跳动值。这是由于通过退火工程，将记录层2中随机地扩散的各原子的一部分进行适度地结合，形成微小的结晶核，通过在记录时更顺利地结晶化，标记边缘处理得更好，标记形状能够成为调整很好的标记形成。
退火温度根据记录层的组成而不同，通过发明者根据实验的确认情况是60℃以上，最好是透明基板不熔化温度、即其软化点或熔点以下，例如聚碳酸酯的情况在120℃以下。退火时间也根据记录层的组成及退火温度而不同，但通过发明者的实验，为了C/N比提高等的效果饱和，至少需要5分钟。还有，也可以是长时间退火，效果饱和后，即使继续退火，基本上在记录再生特性上看不到变化。
下面，针对上述那样形成的光学信息记录介质的记录再生方法的一例进行阐述。图3表示光学信息记录介质为光盘时，用于记录再生装置的一例的概略。在信号的记录再生中，采用半导体激光18、承载物镜17的光头19、用于将照射激光的位置导向规定位置的驱动装置(省略图示)、在轨道方向及膜面上用于控制垂直方向位置的导引控制位置及对焦控制位置(省略图示)、用于调制激光功率的激光驱动装置(省略图示)、用于使介质转动的主轴电动机20。
信号的记录、再生，首先采用主轴电动机20使介质转动，通过光学系统将激光聚焦成微小点，通过向介质照射激光来进行。信号再生时，比进行信号记录的功率水平低，通过在其功率水平下的激光照射，记录标记的光学状态不受影响，且通过其照射，从介质中为了记录标识的再生，照射可得到充分光量的功率的激光束，利用检测器读取从可得到的介质来的信号。
[实施例]
以下通过实施例，将本发明进一步地具体说明，但以下的实施例并不限定本发明。
(实施例1)
这里，针对制作的具有图1所示的层构成的光学信息记录介质的例子进行阐述。作为基板，采用聚碳酸酯树脂。基板的直径12cm、厚度1.1cm、沟槽间距0.32μm、沟槽深度20nm。
在形成基板的沟槽的侧面的表面上，作为第1信息层，通过喷镀法按顺序积层以下各层：层积采用Al-Ni(原子数比98∶2)靶材、膜厚约40nm的Al-Ni反射层，层积采用ZnS-SiO2(分子数比80∶20)靶材、膜厚约15nm的ZnS-SiO2保护层，层积采用Te-O-Pd(原子数比35∶60∶5)靶材、膜厚约25nm的Te-O-Pd记录层，层积采用ZnS-SiO2(分子数比80∶20)靶材、膜厚约6nm的ZnS-SiO2保护层。在此第1信息层的表面上，采用紫外线硬化性树脂，复制和基板相同沟槽图案，形成厚度约25μm的中间层。
在此中间层的表面上，作为第2信息层通过喷镀法按顺序积层以下各层，层积采用Ag Pd Cu(重量比98.1∶0.9∶1.0)靶材、膜厚约10nm的Ag Pd Cu反射层，层积采用ZrO2-SiO2-Cr2O3-LaF3(分子数比23∶23∶31∶23)靶材层、厚约13nm的ZnS-SiO2保护层，层积采用Te-O-Pd(原子数比根据采样而不同)靶材层、厚约25nm的Te-O-Pd记录层，层积采用ZnS-SiO2(分子数比80∶20)靶材、膜厚约23nm的ZnS-SiO2保护层。在此第2信息层的表面上，采用紫外线硬化树脂粘合聚碳酸酯薄板，作为厚度75μm的透明基板。
各层的成膜，无论哪个都采用直径100mm、厚度6mm的靶材，反射层在DC电源200W、保护层在RF电源400W、记录层在RF电源100W下成膜。另外，反射层及保护层在Ar 25sccm，记录层在使Ar25sccm及氧气0.5sccm混合气体、无论哪一个都保持在约气压O.2Pa的保护气体中成膜。还有，此磁盘在90C下退火2小时左右，完成磁盘。
这里，如以下的表1所示那样，通过调整在信息层的记录层采用的靶材组成，作为本实施例，制成了磁盘A、还有分别制作了作为比较例的磁盘B、C、D。在磁盘A中，相对于第1信息层加大第2信息层的Pd量。与此相对，在磁盘B中，使第1信息层和第2信息层的Pd量相同，在磁盘C及磁盘D中，相对于第2信息层加大第1信息层的Pd量。
[表1]
  盘No.  信息层   靶材组成Te∶O∶Pd   有无缓和现象  第1信息层的记录灵敏度   判断
  A  第1信息层   37∶53∶10   无  ○   ○
第2信息层   40∶45∶15   无
  B  第1信息层   37∶53∶10   无  ×   ×
第2信息层   37∶53∶10   无
  C  第1信息层   37∶53∶10   无  ○   ×
第2信息层   35∶60∶5   有
  D  第1信总层   40∶45∶15   无  ×   ×
 第2信息层   37∶53∶10   无
与这些磁盘的各信息层的沟槽相对，采用波长405nm、NA 0.85的光学系统，以线速度5.0m/s转动，使12.3MHz的单一信号在未记录的轨道上只记录一次，其信号振幅用频谱分析仪测定。记录信号1分钟后，确认在再生过程中有无信号振幅的增加(缓和现象)。此时，当信号振幅增加到3dB以上时，判定有缓和现象。另外，记录灵敏性在连续随机信号的5个轨道中记录，在再生中央的轨道时，成为跳动为最佳值的功率。
根据表1的测定结果，在磁盘A中，第1、第2信息层不共同产生缓和现象，记录灵敏性也良好。另一方面，在第1及第2信息层的Pd量相同的磁盘B上，虽然没看到缓和现象，但第1信息层的记录灵敏度恶化。在第1信息层的Pd量和磁盘A相同，第2信息层的Pd量比第1信息层少的磁盘C上，在第2信息层上看到了缓和现象。另外，在替换放入的磁盘A的第1及第2信息层的组成的磁盘D上，在两层上都没看到缓和现象，但第1信息层的记录灵敏度恶化。
这样，按照本发明，能够确认：通过第2信息层加多比第1信息层的Pd的组成比，在两个信息层上都能够稳定地进行记录再生，还有从激光入射侧来看，能够提供保持良好的最内层的记录灵敏度的光学信息记录介质。
(实施例2)
这里，针对制作的具有图2所示的层构成(即n＝4)的光学信息记录介质的例子进行阐述。作为基板，采用了聚碳酸酯树脂。基板的直径12cm、厚度1.1mm、沟槽间距0.32μm、沟槽深度20nm。
在形成基板的沟槽的侧面的表面上，作为第1信息层，通过喷镀法顺序积层以下各层，积层采用Al-Ni(原子数比98∶2)靶材、膜厚约40nm的Al-Ni反射层，积层采用ZnS-SiO2(分子数比80∶20)靶材、膜厚约15nm的ZnS-SiO2保护层，积层采用Te-O-Pd(原子数比35∶60∶5)靶材、膜厚约25nm的Te-O-Pd记录层，积层采用ZnS-SiO2(分子数比80∶20)靶材积层膜、厚约6nm的ZnS-SiO2保护层。在此第1信息层的表面上，采用紫外线硬化性树脂，复制和基板相同沟槽图案，形成厚度约13μm的中间层。
在此中间层的表面上，作为第2信息层据喷镀法按顺序积层以下各层：积层采用Zn-S(原子数比50∶50)靶材、膜厚约15nm的Zn-S保护层，积层采用Te-O-Pd(原子数比根据采样而异)靶材、膜厚约10nm的Te-O-Pd记录层，积层采用Zn-S(原子数比50∶50)靶材、膜厚约20nm的Zn-S保护层。在此第2信息层的表面上，采用紫外线硬化性树脂，复制和基板相同沟槽图案，形成厚度约13μm的中间层。
在此中间层的表面上，作为第3信息层根据喷镀法按顺序积层以下各层：积层采用Zn-S(原子数比50∶50)靶材、膜厚约20nm的Zn-S保护层，积层采用Te-O-Pd(原子数比根据采样而不同异)靶材、膜厚约8nm的Te-O-Pd记录层，积层采用Zn-S(原子数比50∶50)靶材、膜厚约30nm的Zn-S保护层。在此第3信息层的表面上，采用紫外线硬化性树脂，复制和基板相同沟槽图案，形成厚度约13μm的中间层。
在此中间层的表面上，作为第4信息层根据喷镀法按顺序积层：积层采用Zn-S(原子数比50∶50)靶材、膜厚约25nm的Zn-S保护层，积层采用Te-O-Pd(原子数比根据采样而异)靶材、膜厚约6nm的Te-O-Pd记录层，积层采用Zn-S(原子数比50∶50)靶材、膜厚约30nm的Zn-S保护层。在此第4信息层的表面上，采用紫外线硬化树脂粘合聚碳酸酯薄板，成为厚度60μm的透明基板。
各层的成膜，无论哪个都采用直径100mm、厚度6mm的靶材，反射层在DC电源200W、保护层在RF电源400W、记录层在RF电源100W下成膜。另外，反射层及保护层在Ar 25sccm、记录层在Ar 25sccm及氧气0.5sccm的混合气体，无论哪一个保持在约气压0.2Pa的保护气体中成膜。还有，此磁盘在90℃下退火2小时左右，完成磁盘。
这里，如以下的表2所示那样，通过调整采用了信息层的记录层的组成，作为本实施例，制成了磁盘E、F、还有作为比较例分别制成了各个磁盘G、H、I。在磁盘E及F中，设定第4信息层(离基板最近的信息层)的Pd量最多，且第1信息层(离基板最远的信息层)的Pd量最少的组成。与此相对，在磁盘G中，使全部信息层的Pd量相同，在磁盘H、I中，相对于第4信息层第1信息层的Pd量多。
[表2]
  盘No.   信息层   靶材组成Te∶O∶Pd   有无缓和现象  第1信息层的记录灵敏度   判断
E   第1信息层   35∶60∶5   无 ○ ○
  第2信息层   37∶53∶10   无
  第3信息层   37∶53∶10   无
  第4信息层   40∶45∶15   无
F   第1信息层   37∶53∶10   无 ○ ○
  第2信息层   37∶53∶10   无
  第3信息层   40∶45∶15   无
  第4信息层   40∶45∶15   无
G   第1信息层   37∶53∶10   无 × ×
  第2信息层   37∶53∶10   无
  第3信息层   37∶53∶10   无
  第4信息层   37∶53∶10   无
H   第1信息层   40∶45∶15   无 × ×
  第2信息层   40∶45∶15   无
  第3信息层   37∶53∶10   无
  第4信息层   37∶53∶10   无
I   第1信息层   37∶53∶10   无 ○ ×
  第2信息层   37∶53∶10   无
  第3信息层   35∶60∶5   有
  第4信息层   35∶60∶5   有
对于这些磁盘，进行和实施例1同样的测定。
根据表2的测定结果，在磁盘E及F中，在全部的层中不产生缓和现象，记录灵敏性也良好。另一方面，在全部信息层的Pd量相同的磁盘G上，第1信息层的记录灵敏度恶化。另外，在磁盘H中，没看到缓和现象，但第1信息层的记录灵敏度恶化。在和磁盘H同样的构成，且全部层中Pd量比磁盘H的各对应层少的磁盘I中，相反的，第1信息层的记录灵敏度良好，但第3及第4的信息层看到了缓和现象。
按照以上所述能够确认：通过越靠近激光入射侧越加多各信息层的记录层的Pd量，能够在多个信息层进行稳定的记录再生，还有从激光入射侧来看，提供了一种能够良好地保持最内层的记录灵敏度的光学信息记录介质。
(产业上的可用性)
本发明对于具有多个信息层的光学信息记录介质，在全部的信息层上提高其记录再生特性的稳定性及从激光入射侧来看、良好地保持最内层的记录灵敏度都很有用。

Claims (15)

1、一种光学信息记录介质，在基板上依次设置第1信息层、中间层、第2信息层，将激光从第2信息层侧入射，进行信息的记录再生，
任一个信息层都具有由含有Te、O及M(其中，M是从Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中选择的1种或多种元素)的材料构成的记录层，
设上述第1信息层的材料M的组成比为M1、上述第2信息层的材料M的组成比为M2，则要满足
M2＞M1
的关系。
2、根据权利要求1所述的光学信息记录介质，其特征在于，
上述记录层包含1原子％以上30原子％以下的材料M。
3、根据权利要求1或2所述的光学信息记录介质，其特征在于，
上述记录层的膜厚为1nm以上50nm以下。
4、根据权利要求1到3所述的光学信息记录介质，其特征在于，
上述第1及第2信息层中的一个以上，在上述记录层的上述基板侧及/或在上述基板相反侧具备保护层。
5、根据权利要求4所述的光学信息记录介质，其特征在于，
上述保护层的材料是从ZnS、Si-O、Al-O、Ti-O、Ta-O、Zr-O、Cr-O中选择的至少一种氧化物、从Ge-N、Cr-N、Si-N、Al-N、Nb-N、Mo-N、Ti-N、Zr-N中选择的至少一种氮化物、从Ge-C、Cr-C、Si-C、Al-C、Ti-C、Zr-C、Ta-C中选择的至少一种碳化物、从Si-F、Al-F、Mg-F、Ca-F、La-F中选择的至少一种氟化物、或者是这些的组合(例如ZnS-SiO2等)。
6、根据权利要求4或5所述的光学信息记录介质，其特征在于，
上述保护层的膜厚为3nm以上50nm以下。
7、根据权利要求1到6所述的光学信息记录介质，其特征在于，
上述第1及第2信息层中的一个以上，在记录层的上述基板侧备有反射层。
8、根据权利要求7所述的光学信息记录介质，其特征在于，
上述反射层的主成分由从Ag、Al、Au、Si、Cu、Ni、Cr、Ti中选择的至少一种元素为主成分的材料构成。
9、根据权利要求7或8所述的光学信息记录介质，其特征在于，
上述反射层的膜厚为3nm以上200nm以下。
10、一种光学信息记录介质，在基板上分别介入各个中间层依次形成第1信息层、第2信息层、…、第n信息层(其中，n为3以上的整数)，将激光从第n信息层侧入射，进行信息的记录再生，
任一个信息层都具有由含有Te、O及M(其中，M是从Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中选择的1种或几种元素)的材料构成的记录层，
设第1信息层的材料M的组成比为M1、第2信息层的材料M的组成比为M2、…、第n信息层的材料M的组成比为Mn，则要满足
Mn≥…≥M2≥M1且M1≠Mn
的关系。
11、根据权利要求10所述的光学信息记录介质，其特征在于，
上述记录层包含1原子％以上30原子％以下的材料M。
12、根据权利要求10或11所述的光学信息记录介质，其特征在于，
上述记录层的膜厚为1nm以上50nm以下。
13、根据权利要求10到12所述的光学信息记录介质，其特征在于，
上述第1～第n信息层中的一个以上，在上述记录层的上述基板侧及/或在上述基板相反侧具备保护层，
上述保护层由折射率n为1.5以上的材料构成。
14、根据权利要求10或13所述的光学信息记录介质，其特征在于，
上述第1～第n信息层中的一个以上，在上述记录层的上述基板侧具备反射层，
上述反射层由折射率n为2以下且衰减系数k为2以上的材料构成。
15、一种光学信息记录介质的制造方法，制造权利要求1到14中的任何一项所述的光学信息记录介质，
至少在形成上述记录层后，实施60℃以上，保持5分钟以上的退火处理。
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