CN1296260A - 光记录媒体和光记录装置 - Google Patents

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新井猛
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Abstract

擦除特性好且图象跳动小、难于产生交叉擦除、品质难于劣化且保存耐久性好的可改写相变化型光记录媒体和光记录装置。在基板上边依次至少具备第1电介质层、第1边界层、记录层、第2边界层、吸收量修正层和反射层,具有特定的记录层组成,且第1边界层和第2边界层都由以从碳、碳化物、氧化物和氮化物中选出来的至少一种为主成分的层构成,而且,吸收量修正层的折射率在1.0以上4.0以下,衰减系数在0.5以上3.0以下。

Description

光记录媒体和光记录装置
本发明涉及借助于激光的照射可以进行信息的记录、擦除和再生的光信息记录媒体和光记录装置。本发明特别涉及可以高速且高密度地进行记录的可改写相变化型光记录媒体。
可改写相变化型光记录媒体,具有以碲等为主成分的记录层,在记录时,使聚焦激光脉冲短时间照射到结晶状态的记录层上,使记录层部分地熔融。熔融后的部分借助于热扩散急速地冷却、固化,形成非晶状态的记录标识(mark)。该记录标识的光线反射率比结晶状态低,作为记录信号可以光学性地再生。此外,在擦除时,采用向记录标识部分照射激光,加热到记录层的熔点以下、结晶化温度以上的温度的办法,使非晶态状态的记录标识结晶化,回到原来的未记录状态。作为这些可改写相变化型光记录媒体的记录层的材料,人们知道Ge2Sb2Te5等的合金(N.Yamada et al.Proc.Int.Symo.on OpticalMemory 1987 p61-66)。
在以这些Te合金为记录层光记录媒体中,结晶化速度快,仅仅通过调制照射功率,就可以进行用圆形的1个光束进行的高速的重写。在使用这些记录层的光记录媒体中,通常,在记录层的两面上分别各设置一层具有耐热性和透光性的电介质层,防止在记录时在记录层上发生变形、开口。此外,人们还熟知这样的技术:在与光束入射方向相反一侧的电介质层上边,叠层光反射性的Al等的金属反射层,以借助于光学性的干涉效应改善再生时的信号对比度。
此外,在该可改写相变化型光记录媒体中,或者是伴随着反复重写产生再生信号振幅(对比度)的降低使图象跳动特性恶化,或者是产生因保护膜的剥离或破损引起的脉冲串(burst)缺陷等,在光盘的反复耐久性方面存在着问题。作为改善反复耐久性的手段,人们知道例如在日本专利杂志特开平11-115315号公报中所述的那样,与记录层接连地设置防止扩散层的手段。
但是,伴随着光记录媒体的高线速化和高密度化,在现有的光记录媒体中,存在着擦除特性恶化的问题。就是说,如果对已经记录有信号的磁道重新进行重写,由于记录标识的形状或形成位置将受重写前的信号调制,故擦除特性降低。其结果是,与第1次的记录比较起来存在着图象跳动特性恶化的问题。
作为改善擦除特性的手段,如特开平5-159360号公报所示,人们提出了设置吸收透过了记录膜的光的吸收层的方案。但是,如果使用在这里所提出的吸收层,就是说使用由Ti、Ni、W、Mo、V、Nb、Cr、Fe等的金属构成的吸收层,则作为改善擦除特性的手段是不充分的。
此外,随着高线速化和高密度化,记录标识的尺寸变小,为此,将产生信号的对比度降低、图象跳动恶化的问题。
再有,在现有的光记录媒体中,如果长时间放置已进行了记录的光盘,有时候会产生记录标识消失之类的现象。此外,如果在长时间放置已记录下信号的记录媒体之后再进行重写,与立即进行重写的情况比较,有时候图象跳动特性会大幅度地恶化。为此,在光记录媒体的保存耐久性方面存在着问题。
此外,在由于高密度化而使磁道宽度变得狭窄的情况下,由于激光束将超出到毗邻的磁道中去,故将影响毗邻的磁道的记录标识,产生使图象跳动恶化的现象,就是说,交叉擦除也是一个大问题。特别是在对于在记录面上边的激光束直径d,磁道宽度变成为0.7×d以下(d是在记录面上边的激光束直径)的情况下,该问题就更为严重。
此外,还常常产生这样的问题:当为了再生而反复照射激光时,由于记录标识的一部分将结晶化,而使信号品质劣化(所谓的再生光劣化)。在为了应对高线速记录而提高了结晶化速度的光记录媒体中,就更易于发生交叉擦除和再生光劣化的问题。
本发明的目的在于提供即便是以高线速和高密度进行记录,擦除特性也良好且图象跳动小,难于产生交叉擦除和再生光劣化,此外保存耐久性也好的可改写相变化型光记录媒体和光记录装置。
本发明的目的,可以用这样的光记录媒体实现:这是一种借助于照射激光可以进行信息的记录、擦除和再生,且可以用非晶相与结晶相之间的可逆性的相变化进行信息的记录和擦除的光记录媒体,在基板上边至少依次具备第1电介质层、第1边界层、记录层、第2边界层、吸收量修正层和反射层,上述反射层的组成可以有下述通用公式表示,
[{(Ge1-kSnk)0.5Te0.5}x(Sb0.4Te0.6)1-x]1-ySbyAz
(其中,A表示除Ge、Sb、Te之外的元素周期表中的属于从第3周期到第6周期的3族到14族的元素中选出来的元素),x、y、z、k处于可以用下述(1)或(2)的关系式
0.5≤x≤0.95  0≤y≤0.08  0<z≤0.2  k=0    …(1)
0.5≤x≤0.95  0≤y≤0.08  z=0  0≤k≤0.5  …(2)
表示的范围内,且第1边界层和第2边界层分别由从碳、碳化物、氧化物和氮化物中选出来的至少一种为主成分的层构成,而且吸收量修正层的折射率在1.0以上4.0以下,衰减系数在0.5以上3.0以下。
此外,本发明的目的,可以用下述光记录装置实现:这是一种具有光学头和光记录媒体,从该光学头照射激光,借助于使该光记录媒体中的非晶相和结晶相之间的可逆性的相变化可以进行信息的记录、擦除和再生的光记录装置,激光照射的线速度为每秒7.5×106×d(d是记录面上边的激光束直径)以上,可以借助于激光用标识边沿方式进行记录的记录标识之内最短的标识在激光行进方向上的长度为0.55×d以下,光记录媒体的磁道宽度为0.7×d以下,而且,该光记录媒体是上述光记录媒体。
另外,在本发明中,所谓主成分,指的是该成分在该层中含有50重量%以上。此外,更为理想的是该成分在该层中含有80重量%以上。
此外,所谓激光束直径d,指的是在强度分布遵循高斯分布的激光中,中心强度变成为1/e2时的直径。
作为擦除特性不好的问题的原因之一,可以考虑由于在记录层中非晶状态的记录标识部分和结晶状态的记录标识部分的反射率之差大,故非晶状态的记录标识部分光吸收量变得比结晶状态的区域的光吸收量大。其结果是,在用激光进行记录时,由于事先已记录下记录标识的部分被更快地加热,重写信号被重写前的信号调制,可以认为就是这种调制使得擦除率降低。
此外,在已记录有信号的光记录媒体长期间放置的情况下,再生信号强度降低或重写图象跳动显著地劣化的原因,可以考虑由于长时间放置,非晶状态的记录标识产生了原子排列等的状态的变化,或电介质层和记录层进行反应等等。
交叉擦除或再生劣化,则可以考虑由于记录层的非晶区域中的光吸收率比结晶区域中的光吸收率高,故记录标识的部分为易于升温的状态,以及为了应对高线速记录采用了结晶化速度高的记录层组成,所以即便是在激光束的端部或用再生光等之类的低激光功率,也会使记录标识结晶化。
归因于本发明人等进行锐意研究,发现:若与记录层相接连地在其两侧设置边界层,则可以改善擦除特性,改善重写图象跳动,此外,对于保存耐久性,就是说对于长期间保存后的再生特性和重写特性的改善也是有效的。
此外,由于发现了由相变化产生的反射率之差大,而且,非晶态相稳定的记录层组成,故还发现良好的图象跳动和良好的保存耐久性可以同时满足。此外,还发现该记录层组成对交叉擦除和再生光劣化的降低也是有效的。
此外,还发现:采用在第2边界层和反射层之间设置吸收量修正层,对吸收量修正层的材料进行选择,使光学常数,即,使折射率和衰减系数变成为特定的值的办法,就可以进行光学设计使得记录层的结晶部分和非晶部分的光吸收率之比(Ac/Aa)比现有技术大,而且,结晶部分和非晶部分的反射率之差也变大。借助于此,就可以得到高的对比度和擦除特性,可以进一步改善重写图象跳动。此外,还发现:采用设置吸收量修正层的办法,可以减少记录标识部分的光吸收量,采用在向毗邻的磁道结晶相记录时减小超出光束的影响的办法,可以降低交叉擦除。此外,还发现:出于同样的理由,对于再生劣化的耐久性也会大大地提高。
借助于以上的技术,才第1次得到了即便是激光照射的线速度为每秒7.5×106×d(d是记录面上边的激光束直径)以上,可以借助于激光用标识边沿(mark edge)方式进行记录的记录标识之内最短的标识在激光行进方向上的长度为0.55×d以下这样的高线速进行高密度的记录,擦除特性也良好且图象跳动小,即便是使用记录磁道宽度为0.7×d以下的基板,也难于产生交叉擦除、即便是为了再生而反复照射激光,信号品质也难于劣化,此外保存耐久性也好的可改写相变化型光记录媒体。
此外,本发明的光记录媒体由于用边界层把记录层夹在中间,故反复耐久性也是良好的。
就是说,本发明的光记录媒体的代表性的层构成,是在透明基板上边依次叠层第1电介质层、第1边界层、记录层、第2边界层、吸收量修正层和反射层。但是,并不限定于此,还可以再设置别的层。以下,按照顺序进行说明。
第1电介质层是为了防止基板受到热所引起的损伤,此外还防止记录层因热而变形、形成开口等而设置的。作为第1电介质层的材料,可以举出ZnS、SiO2、氮化硅、氧化铝等的无机化合物。特别理想的是ZnS和SiO2的混合物。该材料由于残余应力小,故难于产生因反复重写引起的脉冲串(burst)劣化。此外,ZnS和SiO2和碳的混合物,由于膜的残余应力更小,即便是使用反复擦除,也难于产生记录灵敏度、载波对噪声比(C/N)、擦除率等的劣化,所以是特别理想的。
此外,第1电介质层的折射率为1.9以上2.4以下,衰减系数为0.1以下是理想的。借助于此,就可以进行设计使得可以用光学性的干涉得到高的反射率差。第1电介质层的厚度虽然由光学方面的条件决定,但是理想的是5~500nm。如果比这更厚,则常常会产生裂缝,如果比这薄,则基板易于因反复重写而受到热损伤,反复特性易于劣化。厚度的特别理想的范围是50nm以上200nm以下。
在本发明中,必须与记录层相接连地在其两侧设置边界层。通过设置边界层,就可以防止因反复重写引起的特性的劣化。作为其原因,可以认为这是因为这些层起着防止原子从电介质层向记录层的扩散的势垒层的作用的缘故。此外通过设置边界层来改善擦除特性。可以认为结晶化速度因边界层而变大,因而将改善擦除特性。再有,采用设置边界层的办法可以改善保存耐久性、就是说改善长期保存后的再生特性和重写特性。其原因被推测为是因为即便是长期间放置,也可以防止记录层中的原子排列等的状态的变化,或电介质层与记录层的反应的缘故。
第1边界层和第2边界层,由以从碳、碳化物、氧化物和氮化物中选出来的至少一者为主成分的层构成。在这里所谓主成分说的是含有50重量%以上,更为理想的是含有80重量%以上。作为碳化物、氧化物和氮化物可以使用元素周期表第3周期到第6周期的第3主族到第14族的元素的碳化物、氧化物、氮化物,具体来讲,理想的是使用从Al、Si、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、La、Hf、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au、Tl、Pb中选出来的金属的碳化物、氧化物、氮化物,更为理想的是使用从Si、Ge、Ti、Zr、Ta、Nb、Hf、Al、Y、Cr、W、Zn、In、Sn中选出来的金属的碳化物、氧化物、氮化物。
作为第1边界层的材质,以碳为主成分的材料是特别理想的,借助于此来改善记录标识的长期保存稳定性。在使用后边要讲的长期保存稳定性良好的记录层的情况下,即便是以从碳化物、氧化物、氮化物中选出来的至少一者为主成分的材料,也可以得到良好的长期保存稳定性。作为第2边界层的材质,既可以是与第1边界层相同的材料也可以是不同的材料。在长期保存稳定性这一点上,理想的是第1边界层和第2边界层这两方都是以碳为主成分的层。
此外,从改善反复耐久性这一点来看,第1边界层和第2边界层都是以氮化物为主成分的层也是理想的。特别是以GeNx为主成分的材料,由于与记录层之间的粘接性优良,所以是理想的,组成范围在0.8≤x≤1.33则更为理想。此外,由于可以期待抑制Ge的氧化来改善长期保存稳定性的效果,故理想的是还要添加进从Cr、Ti、Mn、Zr、Nb、Mo、Ta、Fe、Co、Ni、Y、La中选出来的至少一者,特别理想的是添加进Cr。在GeCry的氮化物中,理想的组成范围是0≤y≤0.5,GeCr0.25的氮化物是特别理想的。
作为边界层的厚度,理想的是难于剥离,此外,从光学条件来看理想的是在0.5nm以上10nm以下。当厚度超过10nm时,第1电介质层或记录层易于剥离。而若不足0.5nm,则难于蒸镀成均一的厚度,而且有时候得不到设置边界层的效果。只要是在边界层以碳为主成分的层的情况下,从反复特性和长期保存稳定性来看,0.5nm以上4nm以下是特别理想的。由于碳层借助于与相接连的Ge-Sb-Te记录层和ZnS-SiO2电介质层的化学结合或与化学结合相近的相互作用而结合得比较牢固,故被认为在界面上难于发生剥离等。但是,如果碳层的厚度变厚,由于存在于厚度方向的中央附近的强度弱的石墨成分层将变厚,故在反复时等,易于产生该部分的破坏,被认为易于发生脉冲串错误。
在用溅射法使碳膜成膜时,导入气体不仅可以是Ar气体等的惰性气体,也可以混入氢气。此外,虽然也可以混入其它的材料,但是要想得到良好的特性,理想的是以80mol%以上的比率含有碳。
本发明的记录层的组成必须处于下述公式的范围之内。
[{(Ge1-kSnk)0.5Te0.5}x(Sb0.4Te0.6)1-x]1-ySbyAz
(其中,A表示除Ge、Sb、Te之外的元素周期表中的属于从第3周期到第6周期的3族到14族的元素中选出来的元素,就是说,表示从Al、Si、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、La、Hf、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au、Tl、Pb中选出来的至少一种元素,x、y、z、k满足下述(1)或(2)的关系式。
0.5≤x≤0.95、0≤y≤0.08、0<z≤0.2、k=0     …(1)
0.5≤x≤0.95、0.01≤y≤0.08、z=0、0≤k≤0.5  …(2)
若x<0.5,由于伴随着记录层的相变化的反射率变化小,故有时候得不到充分的信号强度,得不到良好的图象跳动,在x>0.95的情况下,由于结晶化速度变慢,故有时候擦除特性恶化,重写图象跳动恶化。在y>0.08的情况下,有时候初始擦除特性不好或长期保存后的重写特性变坏。在z>0.2的情况下,由于结晶化速度变慢,故擦除特性恶化,重写图象跳动变坏,或者反复特性因相分离而劣化得很大,或者长期保存后的重写特性恶化,在z=0而且y<0.01的情况下非晶态的稳定性低,长期保存后的再生特性常常会恶化。
在z>0的情况下,k=0。在z=0的情况下,以擦除特性的改善和保存耐久性的改善为目的,在0≤k≤0.5的范围内,把Ge的一部分置换成Sn的组成也是理想的。
此外,在使用满足下式的记录层的情况下,由于可以改善非晶态的稳定性,此外还可以得到长期保存稳定性,故是理想的。
{(Ge0.5Te0.5)x(Sb0.4Te0.6)1-x}1-y-zSbyAz
   0.5≤x≤0.95  0.03≤y≤0.08  0≤z≤0.2
此外,在前边所说的记录层组成范围中,记录层中的Ge、Sb、Te这3元素中的Sb的摩尔分率,从擦除特性改善来看,理想的是在20%以下,就是说,
0.4(1-x)(1-y)+y<0.2
是理想的。
此外,在记录层中也可以含有氮或氧,也可以含有在进行溅射时使用的氩。在记录层的厚度比上述还薄的情况下,由反复重写引起的记录特性的劣化显著,而在记录层的厚度比上述还厚的情况下,易于产生因反复重写引起的记录层的移动,图象跳动将变得很激烈。为了防止这些,必须使记录时的记录层的冷却变得更大,记录层的厚度,理想的是7nm~25nm。此外,应当使结晶和非晶的吸收率之比尽可能地大,从改善擦除特性来看记录层薄是理想的。为此,更为理想的记录层的厚度是7nm~17nm。
在本发明中,为了调整记录灵敏度等,也可以在第2边界层和反射层之间设置第2电介质层。第2电介质层的材质,既可以是与作为第2电介质层的材料所举出的材料相同的材料,也可以是别的材料。厚度,理想的是在2nm以上50nm以下。若第2电介质层的厚度比上述还薄,由于将发生裂缝等的缺陷,反复耐久性降低,故是不能令人满意的。此外,若第2电介质层的厚度比上述还厚,由于记录层的冷却度降低,故是不能令人满意的。第2电介质层的厚度,对于记录层的冷却来说,影响更为直接地大,为了得到更为良好的擦除特性和反复耐久性,更为有效的是30nm以下。从对于吸收、记录、擦除来说可以效率良好地把光作为热能使用的性能来看,用不透明的材料形成也是理想的。例如,ZnS和SiO2和碳的混合物,从膜的残余应力小,就算是由于记录、擦除的反复进行,也难于产生记录灵敏度、载波对噪声比(C/N)、擦除率等的劣化等方面来看也是理想的。
在本发明中,必须在第2边界层或第2电介质层与反射层之间设置吸收量修正层。如前所述,若用现有的构成,非晶状态的记录层的光吸收率虽然会变得比结晶状态的记录层的光吸收率大,但是借助于新设置的吸收量修正层,也可以降低非晶状态的记录层的光吸收率,减小与结晶状态之间的光吸收量之差,甚至于还可以使得比结晶状态还小。借助于该吸收量修正层的效果,由于可以减小结晶部分与非晶部分的记录时的升温状态的差,可以降低记录标识的形状的混乱和形成位置的偏离等,故可以提高擦除特性,改善重写图象跳动。吸收量修正效果,虽然由各个构成层的厚度和光学常数(折射率和衰减系数)决定,但是,特别是对吸收量修正层的依赖性很大。该吸收量修正层的折射率和衰减系数应为适度的大小是必要的,折射率在1.0以上4.0以下,衰减系数在0.5以上3.0以下是必要的。借助于此,就可以进行设计使得由相变化引起的反射率差可以取得大而且可以使吸收量修正效果形成得大。折射率和衰减系数理想的是在进行记录或再生的激光的波长下进行测定。更为理想的是在660nm下进行测定。
作为本发明的吸收量修正层的理想的材质,是各种的合金或金属的化合物以及他们的混合物等等,具体地说,例如可以举出以含有硅、锗、钛、锆、钨、铬、钼、铝之内的至少一种的固溶体合金、金属间化合物或氧化物、碳化物、氮化物等的材料中选出来的至少一种为主成分的材料。特别是铝和铬中的至少一种的氧化物或氮化物,由于易于控制光学常数,故是理想的。特别是铝氧化物,就是说AlOx,由于x处于0.3~0.8范围内的铝氧化物,作为吸收量修正层具有适度的光学常数,故更为理想。在铝氧化物中,在10wt%以下的范围内混合进铬或钛等的金属或其氧化物的材料,由于具有提高耐蚀性等的效果,故也是理想的。
吸收量修正层的膜厚,从吸收量修正效果方面来看,理想的是在1nm以上,从生产性方面来看理想的是在200nm以下。吸收量修正层的膜厚,虽然因吸收量修正层的光学常数而变,但是更为理想的是在10nm以上100nm以下。
作为反射层的材质,可以举出具有光反射性的金属、合金和金属与金属化合物的混合物等等。具体地说,Al、Au、Ag、Cu等的高反射率的金属、以它们为主成分的合金、Al、Si等的氮化物、氧化物、卤化物等的金属化合物是理想的。Al、Au、Ag等的金属和以它们为主成分的合金,由于光反射性高且热导率高,所以是特别理想的。特别是由于从材料的价格便宜,故以Al或Ag为主成分的合金是理想的。作为反射层的厚度,通常大体上为10nm以上300nm以下。从记录灵敏度可以形成得高、再生信号强度可以形成得大的方面来看,理想的是30nm以上200nm以下。
其次,对本发明的光记录媒体的制造方法进行说明。作为在基板上边形成第1电介质层、第1边界层、记录层、第2边界层、吸收量修正层、反射层等的方法,可以举出在真空中进行的薄膜形成法,例如,真空蒸镀法、离子注入法、溅射法等等。特别是从组成、膜厚的易于控制方面来看,溅射法是理想的。所要形成的记录层等的厚度的控制,采用石英振子膜厚计等对堆积状态进行监控的办法,可以容易地进行。
此外,在不显著地损伤本发明的效果的范围内,在反射层形成之后,为了防止伤、变形等等,也可以根据需要设置ZnS、SiO2、ZnS-SiO2等的电介质层或紫外线硬化树脂层等的保护层等等。
此外,本发明的光记录装置,具有可以照射激光的光学头,从该光学头向上述光记录媒体照射激光,借助于该光记录媒体中的非晶相与结晶相之间的可逆性的相变化,进行信息的记录、擦除和再生。
激光的波长,为进行高密度记录,理想的是645nm~660nm。进行信息的记录、擦除和再生的激光波长既可以彼此相同也可以彼此不同。此外,激光照射的线速度,为了进行高线速度记录,理想的是在每秒7.5×106×d(d是在记录面上边的激光束直径)以上。
为了进行高密度记录,信息的记录方式理想的是标识边沿方式。此外在用标识边沿方式记录的标识之内,在最短的标识的激光行进方向上的长度理想的是在0.55×d以下。此外,磁道宽度理想的是在0.7×d以下。
以下,根据实施例对本发明进行说明。
(分析、测定方法)
反射层、记录层的组成用ICP发光分析(精工电子工业(株)制造)进行确认。吸收量修正层的组成用卢瑟福背散射分析进行确认。记录层、电介质层、反射层的形成中的膜厚,用石英振子膜厚计进行监控。此外,各层的厚度,采用用扫描式或透过式电子显微镜观察剖面部分进行测定。
用溅射法成膜的光记录媒体,在进行记录之前,要预先用830nm波长的半导体激光的光束使光盘整个面的记录层结晶化,进行初始化。
记录特性,使用物镜的孔径数为0.6、半导体激光的波长为660nm(激光束直径0.95微米)的光学头,在线速度8.2m/秒的条件下,用8-16调制方式进行标识边沿记录并进行评价。记录激光波形,是一般性的多个脉冲,使用根据记录标识的长度和前后间隔的长度使记录脉冲的边沿位置变化的图形适应型的记录补偿方式。记录功率、擦除功率规定为在各光记录媒体中最佳的功率。再生功率成为1.0mW。
反射率由光记录媒体的反射镜部分的再生信号电位求出。
擦除特性的评价如下那样地进行。首先,在记录频率2.7MHz下以最长记录标识(11T标识)为一组进行10次重写,在此基础上,在记录频率9.7MHz下进行一次最短记录标识(3T标识,激光行进方向的长度为0.42微米)的重写,把最短记录标识的载波和重写后的最长记录标识的载波之比作为有效擦除率,在带宽30kHz的条件下,用频谱分析仪进行测定。
其次,以重写100次随机图形为一组,用时间间隔分析仪测定图象跳动。接着对毗邻的两侧的磁道在每次重写100次随机图形之后进行擦除,再一次测定中央磁道的图象跳动,评价由交叉擦除引起的图象跳动的上升的程度。
此外,对于对再生劣化的耐久性来说,采用对记录完毕的磁道用1.2mW的再生功率反复再生1000次,测定图象跳动的变化的办法进行评价。
至于反复耐久性,则借助于进行了每组10万次的重写后的图象跳动进行评价。此外,还用示波器对信号波形的振幅的降低、脉冲串缺陷的有无进行了观察。
至于保存耐久性,用可以测定字节错误率的评价用驱动器进行记录,为了进行加速试验,在80℃或90℃的烘箱内保管后,用字节错误率评价信号的再生特性和重写特性。
(实施例1)
边以每分40转使厚度0.6mm、直径12cm、节距1.23微米(脊背宽度0.615微米,沟槽宽度0.615微米)的带螺旋沟槽的聚碳酸酯制造的基板进行旋转,边进行溅射。首先,在使真空容器内排气到1×10-4Pa后,在0.2Pa的氩气气氛中溅射已掺进20mol%的SiO2的ZnS靶,在基板上边形成膜厚135nm的第1电介质层(折射率2.1,衰减系数0)。其次,溅射碳靶,作为第1边界层形成2nm的碳层。接着,溅射由Ge、Sb、Te构成的合金靶,得到厚度10nm、组成为Ge28.6Sb17.8Te63.6,即,{(Ge0.5Te0.6)0.579(Sb0.4Te0.6)0.421}0.989Sb0.011的记录层。此外,作为第2边界层,形成2nm在氩和氮的混合气体中溅射锗靶形成的氮化锗层(GeN1.2)。接着,作为第2电介质层,与第1电介质层一样,溅射ZnS-SiO2靶,形成厚度26nm的第2电介质层。然后,作为吸收量修正层,在氩和氧的混合气体中溅射铝靶,形成50nm的氧化铝层(AlO0.41、折射率2.2、衰减系数2.1)。接着溅射Al97.5Cr2.5合金,形成膜厚90nm的反射层。在从真空容器中取出了该盘体后,在该反射层上边旋转涂敷丙烯系紫外线硬化树脂(大日本墨水(株)制造,SD-101),用紫外线照射使之硬化形成膜厚3微米的树脂层,其次,用丝网印刷机涂敷迟效性的紫外线硬化树脂并照射紫外线后,把2块同样制作的盘体粘接起来得到本发明的光记录媒体。
记录层为结晶状态时的反射率和为非晶状态时的反射率之差为20%,可以确保充分的对比度。此外,倘根据在波长为660nm时的光学计算,则记录层的结晶区域和非晶区域的光吸收率之比(Ac/Aa)为1.0,得到了吸收量修正效果。测定有效擦除率得知为28dB,擦除特性是良好的。100次重写之后的图象跳动为窗口宽度的7.7%,非常好。包括对毗邻的磁道由反复记录产生的交叉擦除的影响在内的图象跳动为7.9%,因交叉擦除引起的图象跳动值的上升小。此外没有观察到再生光劣化。10万次重写后的图象跳动为9.8%,可以确认为在实用上充分地小。信号的振幅,与100次重写后的信号的振幅比几乎没有变化,没有发现脉冲串缺陷。就是说得知反复耐久性没有问题。
此外,该光记录媒体在进行一次记录并测定这时的字节错误率时得知,为1.0×10-5。保持已进行记录的状态不变,在未进行加湿等的湿度调整的空气中,在80℃的条件下,放置100个小时。然后,测定同一部分的字节错误率,得知为1.6×10-5,几乎没有变化,因而可知长期保存后的再生特性是良好的。此外,对该部分进行一次重写,确认字节错误率为3.2×10-5,可以确认长期保存后的重写特性也是十分良好的。此外,在90℃、相对湿度为80%的条件下放置了140个小时,但没有发现因剥离引起的脉冲串缺陷。就是说,可以确认保存耐久性是良好的。
(实施例2)
除去作为第1边界层形成2nm的氮化锗层(GeN1.2)之外,制作与实施例1同样的光记录媒体,并进行评价。如表2所示,可以确认擦除特性、图象跳动、交叉擦除、再生光劣化、反复耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(实施例3)
除去把记录层的组成作成为Ge28.8Sb18.8Te62.4,即,作成为{(Ge0.5Te0.5)0.594(Sb0.4Te0.6)0.406}0.969Sb0.031之外,制作与实施例2同样的光记录媒体并进行评价。如表2所示,可以确认擦除特性、图象跳动、交叉擦除、再生光劣化、反复耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(实施例4)
除去作为第2边界层形成2nm的碳层之外,制作与实施例1同样的光记录媒体,并进行评价。如表2所示,可以确认擦除特性、图象跳动、交叉擦除、再生光劣化、反复耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(实施例5)
除去作为第1边界层和第2边界层,在氩和氮的混合气体中溅射GeCr0.25靶形成的厚度2nm的氮化锗铬(GeCr0.25N1.2)之外,制作与实施例3同样的光记录媒体,并进行评价。如表2所示,可以确认擦除特性、图象跳动、交叉擦除、再生光劣化、反复耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(实施例6)
除去溅射由Ge、Sn、Sb、Te构成的合金靶制作的厚度10nm、组成为Ge22.2Sn7.4Sb17.1Te53.3,即,作成为[{(Ge0.75Sn0.25)0.5Te0.5}0.60(Sb0.4Te0.6)0.40]0.987Sb0.013之外,制作与实施例1同样的光记录媒体并进行评价。如表2所示,可以确认擦除特性、交叉擦除、图象跳动、再生光劣化、反复耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(实施例7)
除去把第1边界层和第2边界层作成为在氩气中溅射氧化铝靶形成的2nm的氧化铝层之外制作与实施例3同样的光记录媒体并进行评价。如表2所示,可以确认擦除特性、图象跳动、交叉擦除、再生光劣化、反复耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(实施例8)
除去把第1边界层和第2边界层作成为在氩气中溅射碳化硅靶形成的2nm的碳化硅层之外制作与实施例3同样的光记录媒体并进行评价。如表2所示,可以确认擦除特性、图象跳动、交叉擦除、再生光劣化、反复耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(实施例9)
除去把记录层的组成作成为Ge36Sb12Te52,即,作成为{(Ge0.5Te0.5)0.733(Sb0.4Te0.6)0.267}0.987Sb0.013之外,制作与实施例1同样的光记录媒体并进行评价。如表2所示,可以确认擦除特性、图象跳动、交叉擦除、再生光劣化、反复耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(实施例10)
除去把记录层的组成作成为Ge28.3Sb16.9Te53.8Nb1,即,作成为{(Ge0.5Te0.5)0.572(Sb0.4Te0.6)0.428}0.99Nb0.01之外,制作与实施例1同样的光记录媒体并进行评价。如表2所示,可以确认擦除特性、图象跳动、交叉擦除、再生光劣化、反复耐久性和保存耐久性全都是良好的。
此外,在记录层的组成中,即便是在使用Al、Si、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Y、Zr、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、La、Hf、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au、Tl或Pb来取代Nb的情况下,也可以得到几乎同样的结果。
(实施例11)
除去把吸收量修正层作成为在氩和氧的混合气体中溅射铝靶形成的厚度50nm的氧化铝层(AlO0.64、折射率2.8、衰减系数1.5)之外,制作与实施例1同样的光记录媒体,并进行评价。
如表2所示,可以确认擦除特性、图象跳动、交叉擦除、再生光劣化、反复耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(实施例12)
除去把吸收量修正层作成为在氩与氮的混合气体中溅射铬靶形成的厚度50nm氮化铬层(CrN0.74、折射率3.2、衰减系数2.3)之外,制作与实施例1同样的光记录媒体,并进行评价。
如表2所示,可以确认擦除特性、图象跳动、交叉擦除、再生光劣化、反复耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(实施例13)
除去把吸收量修正层作成为在氩与氮的混合气体中溅射铬靶形成的厚度50nm氮化铬层(CrN0.91、折射率3.5、衰减系数1.7)之外,制作与实施例1同样的光记录媒体,并进行评价。
如表2所示,可以确认擦除特性、图象跳动、交叉擦除、再生光劣化、反复耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(实施例14)
除去把吸收量修正层作成为在氩与氮的混合气体中溅射铝靶形成的厚度50nm氮化铝层(AlN、折射率2.2、衰减系数2.0)之外,制作与实施例1同样的光记录媒体,并进行评价。
如表2所示,可以确认擦除特性、图象跳动、交叉擦除、再生光劣化、反复耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(实施例15)
除去作为第1边界层和第2边界层在氩与氮的混合气体中溅射锗靶形成的2nm的氮化锗层(GeN0.8)之外,制作与实施例3同样的光记录媒体,并进行评价。如表2所示,可以确认擦除特性、图象跳动、交叉擦除、再生光劣化、反复耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(实施例16)
除去作为第1边界层和第2边界层在氩与氮的混合气体中溅射GeCr0.25靶形成的2nm的氮化锗铬层(GeCr0.25N0.8)之外,制作与实施例3同样的光记录媒体,并进行评价。如表2所示,可以确认擦除特性、图象跳动、交叉擦除、再生光劣化、反复耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(实施例17)
除去作为第1边界层和第2边界层在氩与氮的混合气体中溅射GeCr0.2靶形成的2nm的氮化锗铬层(GeCr0.2N1.2)之外,制作与实施例3同样的光记录媒体,并进行评价。如表2所示,可以确认擦除特性、图象跳动、交叉擦除、再生光劣化、反复耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(实施例18)
除去作为第1边界层和第2边界层在氩与氮的混合气体中溅射GeCr0.4靶形成的2nm的氮化锗铬层(GeCr0.4N1.2)之外,制作与实施例3同样的光记录媒体,并进行评价。如表2所示,可以确认擦除特性、图象跳动、交叉擦除、再生光劣化、反复耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(实施例19)
在与实施例1同样的条件下,在基板上边,作为第1电介质层形成膜厚120nm的ZnS-SiO2层,其次,作为第1边界层形成2nm的碳层,接着形成厚度9nm、组成为Ge36Sb12Te52,即,作成为{(Ge0.5Te0.5)0.733(Sb0.4Te0.6)0.267}0.987Sb0.013的记录层,然后,作为第2边界层形成2nm的碳层,接着,作为第2电介质层形成厚度35nm的ZnS-SiO2层。再有,作为吸收量修正层,氩与氧的混合气体中溅射铝靶形成的厚度70nm的氧化铝层(AlO0.41、折射率2.2、衰减系数2.1)。接着溅射Al97.5Cr2.5合金,形成膜厚90nm的反射层。
如表2所示,可以确认擦除特性、图象跳动、交叉擦除、再生光劣化、反复耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(实施例20)
除去把吸收量修正层作成为在氩与氮的混合气体中溅射铬靶形成的厚度50nm的氮化铬层(CrN0.74、折射率3.2、衰减系数2.3)之外,制作与实施例19同样的光记录媒体,并进行评价。
如表2所示,可以确认擦除特性、图象跳动、交叉擦除、再生光劣化、反复耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(实施例21)
在与实施例1同样的条件下,在基板上边,作为第1电介质层形成膜厚70nm的ZnS-SiO2层,其次,作为第1边界层形成2nm的碳层,接着形成厚度12nm、组成为Ge36Sb12Te52,即,作成为{(Ge0.5Te0.5)0.733(Sb0.4Te0.6)0.267}0.987Sb0.013的记录层,然后,作为第2边界层形成2nm的碳层,接着,作为第2电介质层形成厚度15nm的ZnS-SiO2层。再有,作为吸收量修正层,设置在氩与氧的混合气体中溅射铝靶形成的厚度50nm的氧化铝层(AlO0.64、折射率2.8、衰减系数1.5)。接着溅射Al97.5Cr2.5合金,形成膜厚90nm的反射层。
如表2所示,可以确认擦除特性、图象跳动、交叉擦除、再生光劣化、反复耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(实施例22)
除去把吸收量修正层作成为在氩与氮的混合气体中溅射铬靶形成的厚度50nm的氮化铬层(CrN0.91、折射率3.5、衰减系数1.7)之外,制作与实施例21同样的光记录媒体,并进行评价。
如表2所示,可以确认擦除特性、图象跳动、交叉擦除、再生光劣化、反复耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(实施例23)
除去把记录层的组成作成为Ge35Sb14Te51,即,作成为{(Ge0.5Te0.5)0.733(Sb0.4Te0.6)0.267}0.967Sb0.033,把第1、第2边界层作成为在氩与氮的混合气体中溅射锗靶形成的厚度2nm的氮化锗层(GeN1.2)之外,制作与实施例22同样的光记录媒体,并进行评价。
如表2所示,可以确认擦除特性、图象跳动、交叉擦除、再生光劣化、反复耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(实施例24)
除去把第1边界层和第2边界层作成为在氩气中溅射氧化铝靶形成的2nm氧化铝层之外,制作与实施例23同样的光记录媒体,并进行评价。如表2所示,可以确认擦除特性、图象跳动、交叉擦除、再生光劣化、反复耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(实施例25)
除去把第1边界层和第2边界层作成为在氩气中溅射碳化硅靶形成的2nm碳化硅层之外,制作与实施例23同样的光记录媒体,并进行评价。如表2所示,可以确认擦除特性、图象跳动、交叉擦除、再生光劣化、反复耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(实施例26)
除去把记录层的组成作成为Ge36.3Sb10.6Te52.1Nb1,即,作成为{(Ge0.5Te0.5)0.733(Sb0.4Te0.6)0.267}0.99Nb0.01之外,制作与实施例22同样的光记录媒体并进行评价。如表2所示,可以确认擦除特性、图象跳动、交叉擦除、再生光劣化、反复耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(比较例1)
除去不设置第1边界层和第2边界层之外,制作与实施例1同样的光记录媒体,并进行评价。有效擦除率为15dB,与实施例1比较显著地劣化。为此,重写图象跳动也已恶化,进行了100次记录时的图象跳动变成为11.5%这么大的值。在10万次重写后,产生了再生信号振幅降低,图象跳动变成为18%这么大,和错误率增大等的问题。
此外,对该光盘进行一次记录,测定这时的字节错误率,得知为3.0×10-5。保持已进行记录的状态不变,在未进行加湿等的湿度调整的空气中,在80℃的条件下,放置100个小时。然后,测定同一部分的字节错误率,得知为3.9×10-5,几乎没有变化,但对该部分进行一次重写时得知,字节错误率变成为4.3×10-3,可知长期保存后的再生特性显著地劣化。
(比较例2)
除去不设置吸收量修正层之外,制作与实施例1同样的光记录媒体,并进行评价。但是要把第1电介质层、记录层、第2电介质层的厚度分别作成为160nm、12nm、17nm,使得变成为光学上的最佳状态。
波长660nm下的记录层的结晶区域和非晶区域的光吸收率之比(Ac/Aa)为0.8,由于未设置吸收量修正层,故光吸收率之比小。有效擦除率为21dB,与实施例1比劣化了。100次记录时的图象跳动为8.7%,包括对毗邻磁道的因反复记录而产生的交叉擦除的影响在内的图象跳动为9.7%,由交叉擦除的影响产生的图象跳动的上升是大的。此外,使已进行了100次记录的磁道进行1000次反复再生,得知图象跳动变成为13.0%,观察到了再生光劣化。
如表2所示,反复耐久性和保存耐久性是良好的。
(比较例3)
除去把吸收量修正层作成为在氩气气体中溅射钛靶形成的50nm的钛层(折射率2.5、衰减系数3.2)之外,制作与实施例1同样的光记录媒体,并进行评价。在波长660nm时的光吸收率比(Ac/Aa)为0.9,与实施例1比稍微小一点。有效擦除率为23dB,与实施例1比稍微差一点。100次记录时的图象跳动为8.8%,包括对毗邻磁道的因反复记录而产生的交叉擦除的影响在内的图象跳动为9.8%。就是说,由交叉擦除的影响产生的图象跳动的上升是大的。
此外,即便是在作为吸收量修正层使用Ni、W、Mo、V、Nb、Cr、Fe来取代Ti的情况下,结果也几乎是同样的。
(比较例4)
除去把记录层的组成作成为Ge47.9Sb2.5Te49.6,即,作成为{(Ge0.5Te0.5)0.97(Sb0.4Te0.6)0.03}0.987Sb0.013之外,制作与实施例1同样的光记录媒体,并进行评价。有效擦除率为13dB,与实施例1比显著地降低了,为此,100次记录时的图象跳动变成为11.6%这么大的值。
(比较例5)
除去把记录层的组成作成为Ge19.7Sb25.0Te55.3,即,作成为{(Ge0.5Te0.5)0.40(Sb0.4Te0.6)0.60}0.987Sb0.013之外,制作与实施例1同样的光记录媒体,并进行评价。有效擦除率为25dB,擦除特性是良好的。但是,记录层为结晶时和为非晶时的反射率差为14%,与实施例1比小,100次重写后的图象跳动为9.8%是大的。
(比较例6)
除去把记录层的组成作成为Ge28.6Sb17.1Te54.3,即,作成为(Ge0.5Te0.5)0.572(Sb0.4Te0.6)0.428之外,制作与实施例1同样的光记录媒体,并进行评价。如表2所示,擦除特性、图象跳动、交叉擦除、反复耐久性是良好的。
对该光盘进行一次记录,测定这时的字节错误率,得知为1.2×10-5。保持已进行记录的状态不变,在未进行加湿等的湿度调整的空气中,在80℃的条件下,放置100个小时。然后,测定同一部分的字节错误率,得知为1.4×10-3,错误率的增加显著,长期保存后的再生特性已经劣化。
(比较例7)
除去把记录层的组成作成为Ge25.7Sb25.4Te48.9,即,作成为{(Ge0.5Te0.5)0.572(Sb0.4Te0.6)0.428}0.9Sb0.1之外,制作与实施例1同样的光记录媒体,并进行评价。有效擦除率为18dB,不如实施例1。
对该光盘进行一次记录,测定这时的字节错误率,得知为2.3×10-5。保持已进行记录的状态不变,在未进行加湿等的湿度调整的空气中,在80℃的条件下,放置100个小时。然后,测定同一部分的字节错误率,得知为3.0×10-5,几乎没有变化,得知长期保存后的再生特性是良好的。但是,在对该部分进行一次重写时得知,字节错误率显著地上升到3.4×10-3,就是说长期保存后的重写特性劣化。
(比较例8)
除去把记录层的组成作成为Ge20Sb12Te38Nb30,即,作成为{(Ge0.5Te0.5)0.572(Sb0.4Te0.6)0.428}0.7Nb0.3之外,制作与实施例1同样的光记录媒体并进行评价。有效擦除率为19dB,不如实施例1。100次重写后的图象跳动也大到10.7%,不如实施例1。10万次重写后,再生信号的振幅降低,图象跳动变成为17%这么大,从而产生了错误率增大的问题。
对该光盘进行一次记录,测定这时的字节错误率,得知为8.5×10-5。保持已进行记录的状态不变,在未进行加湿等的湿度调整的空气中,在80℃的条件下,放置100个小时。然后,测定同一部分的字节错误率,得知为9.5×10-5,几乎没有变化,得知长期保存后的再生特性是良好的。但是,在对该部分进行一次重写时得知,字节错误率显著地上升到8.5×10-3,就是说长期保存后的重写特性劣化。
(比较例9)
除去作为吸收量修正层,在与实施例1不同的组成的氩与氧的混合气体中溅射铝靶形成50nm的氧化铝层(AlO0.25、折射率2.0、衰减系数3.5)之外,制作与实施例1同样的光记录媒体,并进行评价。在波长660nm时的光吸收率比(Ac/Aa)为0.9,与实施例1比稍微小一点。有效擦除率为21dB,与实施例1比稍微差一点。100次记录时的图象跳动,在脊背、沟槽处分别为8.5%,包括对毗邻磁道的因反复记录而产生的交叉擦除的影响在内的图象跳动为9.3%。就是说,由交叉擦除的影响产生的图象跳动的上升稍大。
(比较例10)
除去作为吸收量修正层,在与实施例1不同的组成的氩与氧的混合气体中溅射铝靶形成50nm的氧化铝层(AlO0.90、折射率2.2、衰减系数0.4)之外,制作与实施例1同样的光记录媒体,并进行评价。在波长660nm时的光吸收率比(Ac/Aa)为0.8,比实施例1小。有效擦除率为18dB,比实施例1差。100次记录时的图象跳动为9.0%,包括对毗邻磁道的因反复记录而产生的交叉擦除的影响在内的图象跳动为10.1%,由交叉擦除的影响产生的图象跳动的上升稍大。图1
Figure A0013374300271
表2
 反射率差(%)    Ac/Aa 有效擦除率(dB) 100次重写后的图象跳动(%) 交叉擦除测试后的图象跳动% 再生光劣化         10万次重写后的特性   一次记录后的字节错误率(×10-5)              长期保存后的特性
图象跳动(%) 信号振幅 脉冲串缺陷 字节错误率(×10-5) 因重写产生的字节错误率(×10-5) 脉冲串缺陷
实施例1     20     1.0     28     7.7     7.9 未观察到     9.8 无变化 未观察到     1.0     1.6     3.2 未观察到
实施例2     20     1.0     28     7.8     8.0 未观察到     9.3 无变化 未观察到     1.2     12     17 未观察到
实施例3     20     1.0     25     8.3     86 未观察到     9.2 无变化 未观察到     2.0     5.6     9.0 未观察到
实施例4     20     1.0     25     8.1     8.4 未观察到     10.5 无变化 未观察到     2.0     2.0     3.6 未观察到
实施例5     20     1.0     25     8.2     8.5 未观察到     9.3 无变化 未观察到     1.8     3.6     7.2 未观察到
实施例6     19     1.0     28     7.9     8.1 未观察到     9.7 无变化 未观察到     1.0     1.8     2.7 未观察到
实施例7     20     1.0     25     8.3     8.6 未观察到     11.0 无变化 未观察到     2.0     6.4     18 未观察到
实施例8     20     1.0     24     8.4     8.7 未观察到     11.5 无变化 未观察到     3.0     11     25 未观察到
实施例9     23     1.0     24     8.3     8.6 未观察到     10.0 无变化 未观察到     2.5     4.5     11 未观察到
实施例10     20     1.0     27     8.1     8.4 未观察到     9.9 无变化 未观察到     1.9     3.8     8.7 未观察到
实施例1     22     1.0     24     8.4     8.8 未观察到     10.3 无变化 未观察到     3.2     6.1     12 未观察到
实施例12     19     1.2     25     8.2     8.5 未观察到     10.1 无变化 未观察到     2.2     4.0     9.6 未观察到
实施例13     20     1.1     24     8.4     8.9 未观察到     10.5 无变化 未观察到     3.0     5.1     11 未观察到
实施例14     20     1.0     24     8.3     8.7 未观察到     9.8 无变化 未观察到     2.5     5.0     11 未观察到
实施例15     20     1.0     25     8.3     8.6 未观察到     10.3 无变化 未观察到     2.0     4.4     7.9 未观察到
实施例16     20     1.0     25     8.2     8.5 未观察到     10.1 无变化 未观察到     2.0     3.6     7.2 未观察到
实施例17     20     1.0     25     8.2     8.5 未观察到     9.3 无变化 未观察到     2.0     9.0     9.0 未观察到
实施例18     20     1.0     25     8.2     8.5 未观察到     10.1 无变化 未观察到     2.0     3.4     7.8 未观察到
实施例19     19     1.2     28.     8.3     8.6 未观察到     11.0 无变化 未观察到     1.5     2.5     4.1 未观察到
实施例20     18     1.2     28     8.4     8.7 未观察到     11.0 无变化 未观察到     1.5     2.5     4.1 未观察到
实施例21     20     1.1     25     9.3     9.7 未观察到     11.0 无变化 未观察到     2.0     2.8     5.0 未观察到
实施例22     19     1.2     28     9.0     9.3 未观察到     11.0 无变化 未观察到     2.5     3.0     4.1 未观察到
实施例23     21     1.2     28     8.8     9.1 未观察到     10.0 无变化 未观察到     2.3     3.2     4.5 未观察到
实施例24     21     1.0     25     9.0     9.4 未观察到     11.3 无变化 未观察到     2.0     4.0     9.2 未观察到
实施例25     21     1.0     25     9.0     9.4 未观察到     11.3 无变化 未观察到     2.0     7.0     18 未观察到
实施例26     21     1.0     27     9.2     9.5 未观察到     12.0 无变化 未观察到     2.0     2.6     3.1 未观察到
比较例1     20     1.0     15     11.5     18.0 降低 未观察到     3.0     3.9     430
比较例2     24     0.8     21     8.7     9.7 劣化     10.8 无变化 未观察到     3.5     7.4     18 未观察到
比较例3     21     0.9     23     8.8     9.8
比较例4     22     13     11.6
比较例5     14     25     9.8
比较例6     20     28     8.0     8.2     10.1 无变化     1.2     140
比较例7     20     18     8.9     2.3     3.0     340
比较例8     20     19     10.7     17.0 降低     8.5     9.5     850
比较例9     19     0.9     21     8.5     9.3
比较例10     21     0.8     18     9.0     10.1
工业上利用的可能性
倘采用本发明的光记录媒体,则可以提供即便是以高线速进行高密度的记录,擦除特性也是良好的且图象跳动小,即便是使用磁道宽度狭窄的基板也难于产生交叉擦除,即便是为了再生而反复照射激光信号品质也难于劣化,此外保存耐久性也良好的可改写相变化型光记录媒体和光记录装置。此外,本发明的光记录媒体反复耐久性也是优良的。

Claims (12)

1.一种可以借助于照射激光进行信息的记录、擦除和再生,且可以用非晶相与结晶相之间的可逆性的相变化进行信息的记录和擦除的光记录媒体,在基板上边至少依次具备第1电介质层、第1边界层、记录层、第2边界层、吸收量修正层和反射层,上述记录层的组成可以用下述通用公式表示,
[{(Ge1-kSnk)0.5Te0.5}x(Sb0.4Te0.6)1-x]1-ySbyAz
其中,A表示除Ge、Sb、Te之外的元素周期表中的属于从第3周期到第6周期的3族到14族的元素中选出来的元素,x、y、z、k处于可以用下述(1)或(2)的关系式
0.5≤x≤0.95、0≤y≤0.08、0<z≤0.2、k=0      …(1)
0.5≤x≤0.95、0.01≤y≤0.08、z=0、0≤k≤0.5   …(2)
表示的范围内,且第1边界层和第2边界层分别由从碳、碳化物、氧化物和氮化物中选出来的至少一种为主成分的层构成,而且吸收量修正层的折射率在1.0以上4.0以下,衰减系数在0.5以上3.0以下。
2.权利要求1所述的光记录媒体,第1边界层由以碳为主成分的层构成。
3.权利要求1所述的光记录媒体,第1边界层和第2边界层这两方都由以碳为主成分的层构成。
4.权利要求1所述的光记录媒体,第1边界层和第2边界层都由以从碳化物、氧化物和氮化物中选出来的至少一种为主成分的层构成,且记录层的组成在可以用下式表示的范围内:
{(Ge0.5Te0.5}x(Sb0.4Te0.6)1-x}1-y-zSbyAz
其中,A表示从除去Ge、Sb、Te之外的属于元素周期表中的第3周期到第6周期的3族到14族元素中选出来的元素,x、y、z满足关系式
0.5≤x≤0.95、0.03≤y≤0.08、0≤z≤0.2。
5.权利要求1所述的光记录媒体,吸收量修正层由以含有在Al和Cr之内至少一种的金属的氧化物或氮化物为主成分的材料构成。
6.权利要求5所述的光记录媒体,吸收量修正层以AlOx(x=0.3~0.8)为主成分。
7.权利要求1所述的光记录媒体,第1电介质层的折射率在1.9以上2.4以下,衰减系数在0.1以下。
8.权利要求1所述的光记录媒体,第1电介质层的厚度在50nm以上200nm以下,记录层的厚度在7nm以上17nm以下,吸收量修正层的厚度在10nm以上100nm以下。
9.权利要求1所述的光记录媒体,折射率和衰减系数在进行记录或再生的激光波长下进行测定。
10.权利要求1所述的光记录媒体,折射率和衰减系数在激光波长660nm下进行测定。
11.一种具有光学头和光记录媒体,从该光学头照射激光,借助于使该光记录媒体中的非晶相和结晶相之间的可逆性的相变化可以进行信息的记录、擦除和再生的光记录装置,激光照射的线速度为每秒7.5×106×d以上,d是记录面上边的激光束直径,可以借助于激光用标识边沿方式进行记录的记录标识之内最短的标识在激光行进方向上的长度为0.55×d以下,光记录媒体的磁道宽度为0.7×d以下,而且,该光记录媒体是权利要求1~10中的任何一项所述的光记录媒体。
12.权利要求11所述的光记录装置,进行记录、擦除和再生的激光的波长为645~660nm。
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