CN1894358A - 有机电致发光元件 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及通过在空穴阻挡层中使用根据示意图1的通式(1)-(4)的材料改进有机电致磷光器件。
Description
本发明描述有机电致发光元件的新颖设计原理,及在基于其的显示器中的用途。
在最广义上归于电子工业的许多不同应用场合中,使用有机半导体作为功能材料对于将来具有现实性,或者在不久的将来是可能发生的。因此,光敏感有机材料(例如酞菁)和有机电荷传递材料(通常基于三芳胺的空穴输送器)许多年前已经用于复印机中。使用能够在可见光谱区发光的半导体有机化合物刚刚开始引入市场,例如在有机电致发光器件中。其独立部件,有机发光二极管(OLEDs)具有十分宽广的应用范围,作为:
1.用于单色或者多色显示元件(比如计算器,移动电话等等)的白色或者彩色背光,
2.大面积显示器(比如交通标志,标语牌,等等),
3.所有的颜色和形状的照明元件,
4.用于手提式应用场合(例如移动电话、PDAs、录像摄像机等)的单色或者全色彩无源驱动显示器,
5.用于各式各样应用场合(例如移动电话、PDAs、膝上计算机、电视接收机等)的全色彩、大面积、高分辨率的有源驱动显示器。
对于包含相对简单OLEDs的器件,已经引入市场,如具有“有机显示器”的先锋汽车收音机,先锋和SNMD的移动电话,或者柯达的数字式摄象机所证实。然而,本发明中显著的改进仍然是必要的以使这些显示器成为目前支配市场的液晶显示器(LCDs)真正的竞争者或者胜过它们。
最近几年中在这方面进行的开发是使用有机金属络合物,其显示磷光代替荧光作用[M.A.Baldo,S.Lamansky,P.E.Burrows,M.E.Thompson,S.R.Forrest,Applied Physics Letters,1999,75,4-6]。由于量子力学的原因,使用有机金属化合物达到四倍量子,能量和功率效率是可能的。该新发展是否可以产生一方面高度取决于能否发现相应的器件组合物,所述的器件组合物也能够实现这些OLEDs优点(与单线态发光=荧光相比较,三重态发光=磷光)。本发明中重要的不仅是开发有机金属化合物本身,而且特别是开发用于该目的专门需要的其他材料,例如所谓的基质或者空穴阻挡材料。在本发明中用于实际用途提及的主要条件特别是长使用寿命,耐热应力的高稳定性,低的使用和工作电压及高功率效率以推进移动式应用。
有机电致发光器件通常由多个通过真空法或者各种各样的印刷方法施加到彼此上的层组成。对于有机电致磷光器件,这些层详细地为:
1.支撑板=基材(通常为玻璃或者塑料片材)。
2.透明的阳极(通常为氧化锡铟,ITO)。
3.空穴注入层(HIL):例如基于铜酞菁(CuPc)或者导电聚合物,比如聚苯胺(PANI)或者聚噻吩衍生物(比如PEDOT)。
4.一种或多种空穴传输层(HTL):通常基于三芳胺衍生物,例如4,4’,4”-三(N-1-萘基-N-苯基氨基)三苯胺(NaphDATA)作为第一层,N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯胺联苯(NPB)作为第二空穴传输层。
5.一个或多个发射层(EML):通常包括基质,比如,4,4’-双(咔唑-9-基)二苯基(CBP),掺杂有磷光染料,例如三(苯基吡啶基)铱(Ir(PPy)3)或者三(2-苯并噻吩基吡啶基)铱(Ir(BTP)3)。然而,发光层可能也由聚合物,聚合物混合物,聚合物和低分子量化合物的混合物或者各种各样的低分子量化合物的混合物组成。
6.空穴-阻挡层(HBL):通常包括BCP(2,9-二甲基-4,7-联苯基-1,10-菲绕啉=深亚铜试剂),或者双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(苯基苯酚合)-铝(III)(BAlq)。
7.电子-传输层(ETL):通常基于三-8-羟基喹啉铝(AlQ3)。
8.电子注入层(EIL)(亦称绝缘体层(ISL)):由比如LiF,Li2O,BaF2,MgO,NaF的高介电常数材料组成的薄层。
9.阴极:通常是具有低功函的例如Ca,Ba,Cs,Mg,Al,In,Mg/Ag的金属,金属组合物或者金属合金。
该器件被适当(取决于应用)结构化,配有接触器,最后密封,因为诸如此类器件的寿命通常在水和/或空气存在下急速地减少。同样也适合于所谓的倒置结构,其中光耦合来自阴极。在这些倒置的OLEDs中,阳极例如由具有能量大于5ev的最高占有分子轨道(HOMO)的Al/Ni/NiOx或者Al/Pt/PtOx或者其它的金属/金属氧化物组合组成。本发明中所述阴极由在第9和10点中描述的同样的材料组成,所述区别是金属是非常薄的因此透明的。层厚度小于50纳米,较好小于30纳米,更好小于10纳米。另外的透明材料例如ITO(氧化锡铟),IZO(氧化铟锌)等等也可以被用于该透明的阴极。
取决于器件结构,这些多个层也可以同时存在,或者这些每一个层不必都存在。
然而,仍然有相当大的问题需要迫切改进:
1.例如特别是,OLEDs的使用寿命仍然短,意谓着迄今仅仅能做到实现商业简单应用。
2.这种相对短的寿命引起继发的问题:尤其是对于全色应用场合(“全色显示器”),即显示器没有分节现象,相反能够在整个面积上显示所有的颜色,照目前情况,如果此处单独的颜色以不同速度老化,则是特别不利的。这导致白色点在上述提及寿命(通常定义为下降到初始明亮度的50%)结束以前明显变化,即显示器中图像的色彩逼真度变得非常差。为了解决这些问题,一些显示器制造商限定寿命为70%或者90%的寿命(即初始明亮度下降到初值的70%或者90%)。然而,这导致寿命变得甚至更短。
3.尽管所述OLEDs的效率,特别是功率效率(按1m/W计)是可接受的,但本发明中也仍然希望进行改进,尤其是对于手提式的应用场合。
4.OLEDs的彩色坐标不是足够的好。特别是,良好的彩色坐标与高效率的组合仍然必须改进。
5.老化过程通常伴随电压的上升。该效果使电压驱动的有机电致发光器件变得困难或者是不可能的。然而,特别地正是在这种情况下,电流驱动寻址更复杂而且更昂贵。
6.确切地在高效磷光OLEDs情况下,需要的工作电压相当地高,因此必须进一步降低以改善功率效率。这是至关重要的,尤其是对于手提式的应用场合。
7.需要的工作电流近年来同样已经降低,但是仍然必须进一步降低以改善功率效率。这特别是重要的,尤其是对于手提式的应用场合。
8.由于许多的有机层,所述OLEDs的结构复杂而且昂贵。
上述提及的问题使得改进OLEDs的生产非常必要。特别是,本发明中在基质和空穴阻挡材料方面的改进至关重要。
在磷光OLEDs情况下,空穴阻挡层(HBL)通常在发光体层以后使用以增加效率和寿命。这些器件结构通常根据最高效率标准进行优化。BCP(深亚铜试剂)常常此处用作空穴阻挡材料(HBM),具有该空穴阻挡材料可以实现良好的效率(D.F.O’Brien et al.,Appl.Phys.Lett.1999,74,442),但是主要的缺点是包括BCP的OLEDs寿命极大地受到限制。T.Tsutsui et al.(Japanese J.Appl.Phys.1999,38,L1502)指出BCP低的稳定性是寿命限制的理由,意谓着这些器件不能用于高质量显示器应用场合。另外的空穴阻挡材料是双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚合)铝(III)(BAlq)。它能够显著改进器件的稳定性和寿命,但是缺点是包括BAlq器件的量子效率与含有BCP的器件量子效率相比较显著地低(约40%)(T.Watanabe et al.,Proc.SPIE 2001,4105,175)。Kwong等人(Appl.Phys.Lett.,2002,81,162)因此用三(苯基吡啶基)铱(III)实现了10,000h的寿命。然而,该器件仅显现19cd/A的效率,该效率远落后于现有技术。因此,尽管具有BAlq能够实现良好的寿命,但总的说来不是令人满意的空穴阻挡材料,因为实现的效率太低。
从上述磷光OLED结构同样显而易见,因为有许多的层因此这是很复杂的,而所述的层由许多不同的材料组成,一个接着一个施加,这使得商业OLEDs生产过程非常麻烦和复杂。
从这些描述中显而易见,迄今为止使用现有技术的空穴阻挡材料(HBMs)BCP和BAlq导致不能令人满意的副作用。因此继续需要能导致OLEDs良好效率但是同时也具有长寿命的空穴阻挡材料。令人惊讶的是,现在已经发现包括某种类别的材料—以下指出—作为空穴阻挡材料的OLEDs相对于现有技术具有显著改进。使用这些类别的材料,可以同时得到高效率和良好寿命,而使用现有技术的材料是不可能实现的。另外,已经发现另外的电子传输层不必与新颖的空穴阻挡材料一起使用,这代表工艺上的优势,而且因此工作电压可以进一步显著降低,这相应于更高的功率效率。
本发明涉及一种有机电致发光器件,包括阳极,阴极和至少一种发光层,所述的发光层包括至少一种掺杂有至少一种磷光发光体的基质材料,和至少一种空穴阻挡层包括至少一种空穴阻挡材料B,特征在于所述空穴阻挡材料B包含至少一种通式Y=X的化学结构单位,其中X具有至少一种非键电子对,其中基团X代表NR,O,S,Se或Te,和R代表1-22个碳原子的有机基,或者OH,OR,NH2,NHR6或者N(R6)2,其中R6=H,或者1-20个碳原子的有机基,其中基团Y代表C,P,As,Sb,Bi,S,Se或者Te,条件是基质材料A与空穴阻挡材料B不相同。
尽管从上述显而易见,但应该再一次明确指出此处A和B可以包含同样的结构单位Y=X,但是另外可以不同。以上和以下使用的标记“=”代表Lewis符号意义上的双键。
优选有机电致发光器件的特征在于包括依照示意图1通式(1)-(4)的空穴阻挡材料,
示意图1:
其中使用的标记具有以下含义:
Y在每一次出现中相同或者不同的是,通式(2)的C,通式(1)和(3)的P,As,Sb或者Bi,通式(2)和(4)的S,Se或者Te;
X在每一次出现中相同或者不同的是,NR4,O,S,Se或Te;
R1,R2,R3在每一次出现中相同或者不同的是,H,F,CN,N(R4)2,1-40个碳原子的直链,支链或者环烷基,烷氧基或者硫代烷氧基,可被R5取代,或者也可以未取代,其中一个或多个非相邻的CH2基团可以被-R6C=CR6-,-C≡C-,Si(R6)2,Ge(R6)2,Sn(R6)2,C=O,C=S,C=Se,C=NR6,-O-,-S-,-NR6-或-CONR6-取代,其中一个或多个H原子可以被F,Cl,Br,I,CN或者NO2,或者1-40个芳香碳原子的芳香或者杂芳族环系或者芳氧基或者杂芳氧基取代,其可被一个或多个基团R5取代;此处多个取代基R1,R2和/或R3可以彼此形成单或者多环的,脂族或者芳香环体系;或者通过二价基团Z,或者芳氧基或者杂芳氧基结合的芳香或者杂芳族环系,每一个具有1-40个芳香碳原子,其中一个或多个H原子可以被F,Cl,Br或者I取代,或者可被一个或多个非芳基R4取代,其中多个取代基R4可以形成另外的单或者多环的,脂族或者芳香环体系;
R4在每一次出现中相同或者不同的是,具有1-22个碳原子的直链,支链或者环烷基或者烷氧基链,其中另外一个或多个非相邻的C原子可以被-R6C=CR6-,-C≡C-,Si(R6)2,Ge(R6)2,Sn(R6)2,-NR6-,-O-,-S-,-CO-O-或-O-CO-O-取代,其中一个或多个H原子可以被氟,1-40个碳原子的芳基,杂芳基或者芳氧基取代,也可以被一个或多个基团R6,OH或者N(R5)2取代;
R5在每一次出现中相同或者不同的是,R4,CN,B(R6)2或Si(R6)3;
R6在每一次出现中相同或者不同的是H或者具有1-20个碳原子的脂族或者芳烃基团;
Z是1-40个碳原子的直链,支链或者环状的,优选共轭基团,优选与两个其它的取代基共轭,其中连接通式(1)基团和芳基的原子数Z优选是偶数,其中一个或多个非相邻的C原子可以被-O-,-S-或者-NR1-取代,一个或多个C原子可被基团R1或者卤素取代;
条件是空穴阻挡材料B的分子量大于150g/mol。
为了本发明的目的,芳香或者杂芳族环系是指不必仅仅包括芳基基团或者杂芳基基团的体系,相反其中多个芳基或者杂芳基也可以被短的非芳香单元比如sp3-杂化C,N,O原子间断。因此例如体系9,9’-螺二芴,9,9-二芳基芴,三芳胺,二芳基醚等等也应该是指用于这些应用目的的芳香环体系。
非常特别优选有机电致发光器件,特征在于Y=C,P或者S,X=O。
也可以优选空穴阻挡材料B包含多于一个单元的Y=X,或者多于一个单元的通式(1)-(4)。
所述空穴阻挡层优选包括至少50%的空穴阻挡材料B,特别优选至少80%,非常特别优选仅由空穴阻挡材料B组成。
优选的空穴阻挡材料B证明是载带与基团R1,R2和R3至少一个中的Y直接结合的芳香或者杂芳族基团的化合物。特别优选的化合物载带与R1,R2和R3所有基团中含有的Y直接结合的芳香或者杂芳族基团。
特别适当的空穴阻挡材料B证明是不具有平面结构的化合物。形式为Y=X结构单位上的相应的取代基可以保证整体结构的平面性偏差。特别是如果取代基R1,R2,R3和/或R4的至少一个包含至少一个sp3-杂化的碳,硅,锗和/或氮原子,就是这种情况,因此具有接近四面体的几何结构,或者在氮的情况下,具有接近锥体结合的几何结构。为了实现显著的平面性偏差,优选的是至少一个sp3-杂化原子是二取代,三取代或者季原子,特别优选是三取代或者季原子,在碳,硅或者锗的情况下,非常特别优选季原子。二取代,三取代或者季原子是指具有两个,三个或者四个非氢取代基的原子。
优选化合物在至少一个基团R中,包含9,9′-螺二芴衍生物,优选通过2-和/或2,7-和/或2,2′-和/或2,2′,7-和/或2,2′,7,7′-位连接,9,9-二取代的芴衍生物,优选通过2-和/或2,7-位连接,6,6-和/或12,12-二或者四取代的顺式的或者反式的茚并芴衍生物,三蝶烯衍生物,优选通过9-和/或10-位连接,二氢菲衍生物,优选通过2-和/或2,7-位连接,六芳基苯衍生物,优选通过芳香环对位连接,或者四芳基甲烷衍生物,优选通过芳香环的对位连接。
特别优选的化合物在基团R1,R2,R3或者R4的至少一个中包含9,9′-螺二芴衍生物或者9,9-二取代的芴衍生物,非常特别优选9,9′-螺二芴衍生物。
本发明进一步涉及在有机发光二极管中通式Y=X化学结构单元的化合物的用途,其中X具有至少一种非键电子对,其中基团X代表NR,O,S,Se或者Te,和R代表1-22个碳原子的有机基,或者OH,OR,NH2,NHR6或者N(R6)2,其中R6=H,或者1-20个碳原子的有机基,其中基团Y代表C,P,As,Sb,Bi,S,Se或者Te。
优选有机电致发光器件特征在于基质选自咔唑类别,例如根据WO00/057676,EP01202358和WO02/074015,酮和亚胺,例如根据WO04/093207,氧化膦,硫化膦,硒化膦,磷腈,砜,亚砜,例如根据DE10330761.3,硅烷,多配体金属络合物,例如根据WO04/081017,或者基于螺二芴的低聚亚苯基,例如根据EP676461和WO99/40051。特别优选酮,氧化膦和亚砜。
然而,这些选择对于本发明主题不关键。例如,还可以使用另外的已知的材料,比如咔唑衍生物。
上面描述的OLED也可以包括另外的层,比如空穴注入层,空穴传输层,电子注入层和/或电子传输层。然而,应该指出不必要含有所有的这些层。因此,已经发现本发明的包括由空穴阻挡材料B组成的空穴阻挡层的OLEDs,如果不使用电子注入和电子传输层,同样在低工作电压下给出可比的良好效率和寿命。
因此优选有机电致发光器件,其中所述空穴阻挡层与电子注入层或者阴极直接相邻。
进一步优选有机电致发光器件特征在于含有的磷光发光体是包含至少原子序数大于36小于84的至少一个原子的化合物。特别优选有机电致发光器件的特征在于,所述磷光发光体包含至少一种原子序数大于56小于80的元素,非常特别优选钼,钨,铼,钌,锇,铑,铱,钯,铂,银,金和/或铕,例如根据WO98/01011,US02/0034656,US03/0022019,WO00/70655,WO01/41512,WO02/02714,WO02/15645,EP1191613,EP1191612,EP1191614,WO03/040257,WO03/084972和WO04/026886。
进一步优选有机电致发光器件的特征在于空穴阻挡材料B的玻璃化转变温度Tg大于100℃,优选大于120℃,非常特别优选大于140℃。
进一步优选有机电致发光器件的特征在于通过升华方法涂敷一个或多个层,其中低分子量材料在10-5毫巴压力以下,优选10-6毫巴以下,特别优选10-7毫巴以下在真空升华装置中蒸气沉积。
同样优选有机电致发光器件的特征在于通过本领域普通技术人员熟知的OVPD(有机气相沉积)方法或者借助于载气升华作用涂敷一个或多个层,其中在10-5毫巴和1巴压力之间施加低分子量材料。
进一步优选有机电致发光器件的特征在于通过任何希望的印刷方法,比如柔性版印刷或者平板印刷,特别优选LITI(光引发热成像,热转移印花)或者喷墨印刷涂敷一个或多个层。
相对于现有技术,上面描述的发射器具有以下令人惊讶的优点:
1.与不遵循本发明构造的系统相比较,相应的器件的效率得以增加。
2.与不遵循本发明构造的系统相比较,相应的器件的稳定性和因此寿命得以增加。
3.工作电压显著降低,因此功率效率增加。特别是如果不使用另外的电子传输层时,就是这种情况。
4.因为可以使用至少一个有机层,即电子传输层,这导致较低的生产复杂性,因此层状结构更简单。这是生产过程中重要的优势,因为在所述常规的生产过程中,通常对于每一个有机层使用单独的蒸气沉积装置,因此至少一个诸如此类的装置因此完全被节省或者省去。
本发明申请文本以及另外的以下实施例仅涉及有机发光二极管和相应的显示器。尽管这些描述是有限的,但本领域普通技术人员可以在没有进一步创造性劳动的情况下,也可以使用本发明相应的构造用于其它的相关器件例如,有机太阳能电池(O-SCs),有机场效应晶体管(O-FETs)或者有机激光器二极管(O-lasers),提及的仅仅是几个其他应用场合。本发明同样涉及到这些器件。
实施例
生产和表征对应于本发明结构的有机电致发光器件
通过以下概述的方法生产OLEDs。在各别的情况要改造一般的方法以适应特定的环境(例如为了实现最佳效率或者颜色进行层厚度变化)。本发明的电致发光器件如DE 10330761.3中的描述进行生产。在以下实施例中给出各种各样的OLEDs的结果。除了EML和HBL以外,使用的基本结构比如材料和层厚度是相同的以得到较好的可比较性。类似上述提及的一般方法生产具有以下结构的发光OLEDs:
PEDOT(HIL)60纳米(从水中自旋涂敷;购买自H.C.Starck;聚-[3,4-亚乙基二氧基-2,5-噻吩])
NaphDATA(HTM)20纳米(蒸汽-沉积;从SynTec购买NaphDATA;4,4’,4”-三(N-1-萘基-N-苯基氨基)三苯胺)
S-TAD(HTM)20纳米(蒸汽-沉积;如WO99/12888中描述方法制备STAD;2,2′,7,7′-四(二苯胺)螺二芴)
发光体层(EML) 30纳米(精确的结构:见表1的实施例)
空穴阻挡层(HBL) 10纳米(见表1实施例)
AlQ3(ETL)20纳米(蒸气沉积:AlQ3购买自SynTec;三(羟基喹啉)铝(III));没有在所有的实施例中使用
Ba/Al(阴极) 3纳米Ba,在顶部有150纳米Al
通过标准方法表征这些至今没有优化的OLEDs;对于这些目的,由电流/电压/明亮度特性线(IUL特性线)计算确定电致发光光谱,效率(以cd/A计),作为明亮度函数的功率效率(以1m/W计),和寿命。所述寿命是指在10mA/cm2恒定电流密度下OLED初始明亮度下降到一半之后的时间。显示出包括相应的层厚度的EML和HBL的组成。掺杂的磷光EMLs包括化合物双(9,9′-螺二芴-2-基)酮作为基质材料A1,(如WO04/093207的描述合成),化合物双(9,9’-螺二芴-2-基)苯基氧化膦作为基质材料A2(如DE 10330761.3描述合成),2,7-双(2-螺-9,9′-二芴基羰基)螺-9,9′-二芴作为基质材料A3(如WO04/093207描述合成),CBP(4,4’-双(N-咔唑基)二苯基)作为基质材料A4,化合物Ir(PPy)3或者Ir(piq)3作为发光体(都如WO02/060910描述合成),化合物双(9,9′-螺二芴-2-基)酮作为空穴阻挡材料B1,化合物双(9,9’-螺二芴-2-基)苯基-氧化膦作为空穴阻挡材料B2,化合物2,7-双(2-螺-9,9′-二芴基羰基)螺-9,9′-二芴作为空穴阻挡材料B3。包括B-AlQ作为空穴阻挡材料的OLEDs作为对比例。以下图显示使用物质的相应的结构式。
表1
实验 | EML | HBL | ETL | 最大效率(cd/A) | 最大功率效率(lm/W) | 在100cd/m2下的电压(v) | 在10mA/cm2下的寿命[h] |
实施例1a | A2:10%IrPPy | B1 | AlQ3 | 291 | 16.5 | 4.7 | 630 |
实施例1b(对比) | A2:10%IrPPy | BAlq | AlQ3 | 25.2 | 14.8 | 5.7 | 510 |
实施例2a | A2:10%IrPPy | B1 | - | 302 | 19.1 | 3.5 | 710 |
实施例2b(对比) | A2:10%IrPPy | BAlq | - | 24.8 | 14.7 | 5.2 | 240 |
实施例3 | A3:10%Ir(piq)3 | B1 | AlQ3 | 73 | 7.1 | 4.9 | 约23000(外推的) |
实施例4a | A3:10%Ir(piq)3 | B1 | - | 7.5 | 8.1 | 4.5 | 约18000(外推的) |
实施例4b(对比) | A3:10%Ir(piq)3 | BAlq | - | 6.6 | 5.4 | 5.5 | 约2600(外推的) |
实施例5 | A1:10%IrPPy | B2 | AlQ3 | 34.0 | 269 | 4.1 | 590 |
实施例6 | A1:10%IrPPy | B2 | - | 32.7 | 27.7 | 3.5 | 490 |
实施例7a | CBP:10%IrPPy | B2 | AlQ3 | 29.7 | 17.2 | 4.5 | 650 |
实施例7b(对比) | CBP:10%IrPPy | BAlq | AlQ3 | 18.3 | 8.5 | 5.1 | 250 |
实施例8a | CBP:10%IrPPy | B2 | - | 27.2 | 15.9 | 5.1 | 330 |
实施例8b(对比) | CBP:10%IrPPy | BAlq | - | 16.5 | 8.8 | 5.3 | 180 |
实施例9 | A1:10%IrPPy | B3 | AlQ3 | 30.5 | 250 | 4.8 | 450 |
实施例10 | A1:10%Ir(piq)3 | B3 | AlQ3 | 6.5 | 6.4 | 5.1 | 约25000(外推的) |
实施例11a | A1:10%Ir(piq)3 | B3 | - | 7.5 | 8.1 | 4.5 | 约20000(外推的) |
实施例11b(对比) | A1:10%Ir(piq)3 | BAlq | - | 6.1 | 5.2 | 5.6 | 约5000(外推的) |
对于掺杂物Ir(PPy)3的OLEDs显示绿色发光,对于掺杂物Ir(piq)3的OLEDs显示红色发光。在所有的实施例中,与根据现有技术包括B-Alq作为空穴阻挡材料的器件相比较,显而易见效率和寿命显著改进,同时工作电压降低。如果不使用另外的ETL,类似的倾向也是显而易见的。在现有技术的OLEDs中,与包括ETL的OLEDs相比较光度效率减少,寿命显著缩短。在根据新颖设计原理制造的OLEDs中,情况不是这样的,其中特别是电压下降,从而改进功率效率。
总起来说,可以得出根据新颖设计原理制造的OLEDs在较低的电压下具有更高的效率和更长的寿命,这可以从表1容易得看出。
Claims (24)
1.一种有机电致发光器件,包括阳极、阴极和至少一个发光层和至少一个空穴阻挡层,所述的发光层包括至少一种掺杂有至少一种磷光发光体的基质材料,所述的空穴阻挡层包括至少一种空穴阻挡材料B,特征在于所述空穴阻挡材料B包含至少一个通式Y=X的化学结构单元,其中X具有至少一个非键电子对,其中基团X代表NR,O,S,Se或者Te,R代表1-22个碳原子的有机基,或者OH,OR,NH2,NHR6或者N(R6)2,其中R6=H,或者1-20个碳原子的有机基,其中基团Y代表C,P,As,Sb,Bi,S,Se或者Te,条件是基质材料A与空穴阻挡材料B不相同。
2.一种根据权利要求1的有机电致发光器件,特征在于包括根据示意图1的通式(1)-(4)的空穴阻挡材料B,
示意图1
其中使用的标记具有以下含义:
Y在每一次出现中相同或者不同,通式(2)中是C,通式(1)和(3)中是P,As,Sb或者Bi,通式(2)和(4)中是S,Se或者Te;
X在每一次出现中相同或者不同是NR4、O、S、Se或者Te;
R1,R2,R3在每一次出现中相同或者不同是H,F,CN,N(R4)2,或1-40个碳原子的直链,支链或者环烷基,烷氧基或硫代烷氧基,它们可被R5取代或者也可以未取代,其中一个或多个非相邻的CH2基团可以被-R6C=CR6-,-C≡C-,Si(R6)2,Ge(R6)2,Sn(R6)2,C=O,C=S,C=Se,C=NR6,-O-,-S-,-NR6-或-CONR6-取代,其中一个或多个H原子可以被F,Cl,Br,I,CN或NO2,或具有1-40个芳香碳原子的芳香或杂芳族环系或芳氧基或杂芳氧基基团取代,它们可被一个或多个基团R5取代;此处多个取代基R1,R2和/或R3彼此可以形成单或多环的脂族或芳香环体系;或者通过二价基团-Z-,或者芳氧基或者杂芳氧基结合的芳香或者杂芳族环系,每一个具有1-40个芳香碳原子,其中一个或多个H原子可以被F,Cl,Br或I取代,或它们可被一个或多个非芳基R4取代,其中多个取代基R4可以形成另外的单或者多环的脂族或者芳香环体系;
R4在每一次出现中相同或者不同是,具有1-22个碳原子的直链,支链或者环烷基或者烷氧基链,其中另外一个或多个非相邻的C原子可以被-R6C=CR6-,-C≡C-,Si(R6)2,Ge(R6)2,Sn(R6)2,-NR6-,-O-,-S-,-CO-O-或-O-CO-O-取代,其中一个或多个H原子可以被氟,1-40个碳原子的芳基,杂芳基或芳氧基取代,它们也可以被一个或多个基团R6,OH或N(R5)2取代;
R5在每一次出现中相同或者不同是R4或CN,B(R6)2或Si(R6)3;
R6相同或者不同的,在每一次出现中是H,或者具有1-20个碳原子的脂族或芳烃基团;
Z是1-40个碳原子的直链,支链或者环状的,优选共轭基团,优选它们与两个其它的取代基共轭,其中连接通式(1)的基团和芳基的原子Z的数量优选是偶数,其中一个或多个非相邻的C原子可以被-O-,-S-或-NR1-取代,一个或多个C原子可被基团R1或卤素取代;
条件是空穴阻挡材料B的分子量大于150g/mol。
3.根据权利要求1和/或2的有机电致发光器件,特征在于Y=C,P或S,X=O。
4.根据权利要求1-3一项或多项的有机电致发光器件,特征在于所述空穴阻挡层包括至少50%的空穴阻挡材料B。
5.根据权利要求4的有机电致发光器件,特征在于所述空穴阻挡层仅由空穴阻挡材料B组成。
6.根据权利要求1-5一项或多项的有机电致发光器件,特征在于空穴阻挡材料B的化合物不具有平面结构。
7.根据权利要求1-6一项或多项的有机电致发光器件,特征在于空穴阻挡材料B中取代基R1-R4的至少一个包含至少一个sp3-杂化的碳原子。
8.根据权利要求7的有机电致发光器件,特征在于所述sp3-杂化的碳原子是二取代、三取代或者季碳原子。
9.根据权利要求8的有机电致发光器件,特征在于所述sp3-杂化的碳原子是季碳原子。
10.根据权利要求1-9一项或多项的有机电致发光器件,特征在于在基团R1-R4至少一个中含有9,9’-螺二芴衍生物、9,9-二取代的芴衍生物、茚并芴衍生物、三蝶烯衍生物、9,10-二氢菲衍生物、六芳基苯衍生物或四芳基甲烷衍生物。
11.根据权利要求1-10一项或多项的有机电致发光器件,特征在于在基团R1-R4至少一个中含有9,9′-螺二芴衍生物或9,9-二取代的芴。
12.根据权利要求1-11一项或多项的有机电致发光器件,特征在于基质材料A选自咔唑、硅烷、多配体金属络合物、基于螺二芴的低聚亚苯基、酮、亚胺、氧化膦、硫化膦、硒化膦、磷腈、砜和亚砜。
13.根据权利要求1-12一项或多项的有机电致发光器件,特征在于所述空穴阻挡层与所述电子注入层或阴极直接相邻。
14.根据权利要求1-13一项或多项的有机电致发光器件,特征在于含有的磷光发光体是包含至少一个原子序数大于36小于84的原子的化合物。
15.根据权利要求14的有机电致发光器件,特征在于所述磷光发光体包含至少一个原子序数大于56小于80的原子。
16.根据权利要求14和/或15的有机电致发光器件,特征在于所述磷光发光体包含钼、钨、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金和/或铕。
17.根据权利要求1-16的一项或多项的有机电致发光器件,特征在于所述空穴阻挡材料B的玻璃化转变温度Tg大于100℃。
18.根据权利要求1-17一项或多项的有机电致发光器件,特征在于一个或多个层通过升华方法形成。
19.根据权利要求1-17一项或多项的有机电致发光器件,特征在于一个或多个层通过OVPD(有机气相沉积)方法施加。
20.根据权利要求1-17一项或多项的有机电致发光器件,特征在于一个或多个层通过印刷方法涂敷。
21.根据权利要求20的有机电致发光器件,特征在于一个或多个层通过喷墨印刷方法涂敷。
22.根据权利要求20的有机电致发光器件,特征在于一个或多个层通过LITI(光引发热成像)方法涂敷。
23.通式Y=X化学结构单元的化合物在电子元件中作为空穴阻挡材料的用途,其中X具有至少一个非键电子对,其中基团X代表NR,O,S,Se或Te,R代表1-22个碳原子的有机基,或OH,OR,NH2,NHR6或N(R6)2,其中R6=H,或者1-20个碳原子的有机基,其中基团Y代表C,P,As,Sb,Bi,S,Se或者Te,所述的电子元件特别是有机发光二极管、有机太阳能电池、有机场效应晶体管、有机薄膜晶体管、有机集成电路或有机激光二极管。
24.一种有机太阳能电池、有机场效应晶体管、有机薄膜晶体管、有机集成电路或有机激光二极管,特征在于所述结构具有权利要求1-22一项或多项的结构。
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