CN1815643B - 层叠电子器件 - Google Patents

Abstract

本发明的目的是提供一种层叠电子器件，减少引出电极数并实现高ESR化，增强对电子器件基体的端子电极的密合性，而且能够防止内部电极和虚拟电极之间的短路故障。电子器件基体的电极层包括：内部电极、引出电极和虚拟电极。引出电极的一端与同层的内部电极相连接，另一端导出到电子器件基体(1)的侧面并与上述端子电极相连接。其他引出电极也是一样。虚拟电极与同层的内部电极和引出电极隔开间隔而配置，一端导出到电子器件基体的侧面并与端子电极相连接，从与同层的内部电极的关系来看成为同极。其他虚拟电极也是一样。

Description

层叠电子器件 

技术领域

本发明涉及具有多个端子电极的层叠电子器件。 

背景技术

在数字电子设备上安装的中央处理装置(CPU)的供给用电源中，一方面推进低电压化，而负载电流在增大。所以，对于负载电流的急剧变化，很难把电源电压的变动抑制在允许值内，所以，在电源上连接称为去耦电容器的层叠电容器。于是，负载电流变动过大时从该层叠电容器向CPU供给电流，来抑制电源电压的变动。 

近几年，随着CPU的工作频率进一步高频化，负载电流成为高速且更大的电流。所以，对于用作去耦电容器的层叠电容器，有增大等效串联电阻(ESR)的要求。 

在专利文献1所公开的多端子型层叠电容器中，在陶瓷基体各层的内部电极设有用于与端子电极连接的引出电极，这些引出电极导出到陶瓷基体的侧面，端子电极通过电镀等形成在陶瓷基体侧面并与该引出电极相接合。 

在这种层叠电极中，为了获得高ESR，需要减少层数并且减少设置在各层的引出电极的个数。 

并且，在层叠电容器中，根据防止由热冲击造成的端子电极剥离的观点，还需要增大对层叠电容器基体的端子电极的密合性。作为该方法，考虑如下结构：如专利文献1所述的技术那样，在一个内部电极中设置多个引出电极来增加引出电极的个数，增加对各端子电极的引出电极的接合个数。 

但是，该结构中，因为引出电极个数增多，所以妨碍高ESR化。 

并且，在专利文献1的层叠电容器中包括在同一层中设置了内部电极和相对于该内部电极为异极的虚拟电极的结构。因此，内部电极和同层异极的虚拟电极之间可能产生短路故障。 

专利文献1：日本特开2004-40084号公报 

发明内容

本发明的课题是提供减少引出电极数来实现高ESR化的层叠电子器件。 

本发明的另一个课题是提供能增大对电子器件基体的端子电极的密合性的层叠电子器件。 

本发明的再另一个课题是提供能够防止内部电极和虚拟电极之间的短路故障的层叠电子器件。 

为了解决上述目的，本发明涉及的层叠电子器件，包括电子器件基体以及设置在电子器件基体侧面的端子电极。 

上述电子器件基体具有夹着陶瓷层而层叠的多个电极层，上述电极层的各个电极层包括：1个内部电极、1个引出电极和虚拟电极。 

上述引出电极与同层的内部电极的侧边相比宽度窄，一端与上述侧边相连接，另一端导出到上述电子器件基体的侧面并与上述端子电极相连接。 

上述虚拟电极与同层的内部电极和引出电极隔开间隔而配置，一端导出到电子器件基体的侧面，并连接至与连接了上述引出电极的上述端子电极不同的端子电极，从与同层的内部电极的关系看互为同极。 

上述本发明涉及的层叠电子器件包括电子器件基体以及设置在电子器件基体侧面的端子电极。电子器件基体具有夹着陶瓷层而层叠的多个电极层。因此，能够获得层叠电子器件的基本结构。 

电极层包含内部电极和引出电极。引出电极的一端与同层的内部电极相连接，另一端导出到电子器件基体的侧面并与端子电极相连接。因此，能够获得从电子器件基体侧面的端子电极经由引出电极到内部电极的基本电路。 

电极层还包含虚拟电极，虚拟电极的一端导出到电子器件基体的侧面并与端子电极相连接。所以，对端子电极除了提供与引出电极的连接结构外，还提供与虚拟电极的连接结构，端子电极通过与虚拟电极的连接结构来与电子器件基体粘合。于是，既能维持实现高ESR化所需的较少的引出电极数，又能够增大对电子器件基体的端子电极的密合性。 

而且，虚拟电极从与同层的内部电极的关系来看是同极，所以能够防止内部电极和虚拟电极之间的短路故障。虚拟电极的极性根据与该虚拟电极相连接的端子电极的极性来决定。 

最好是，在上述电极层的至少一层中具有多个虚拟电极，这些虚拟电极与同层的内部电极和引出电极隔开间隔配置，一端导出到电子器件基体的侧面并与上述端子电极相连接，从与同层的内部电极的关系来看成为同极。若根据该结构，则既能够进一步增大对电子器件基体的端子电极的密合性，又能够防止内部电极和虚拟电极之间的短路故障。 

最好是，在电子器件基体的侧面设有多个上述端子电极，在电子器件基体的侧面相邻接的端子电极彼此成为异极。若采用该结构，则能够减小ESL(等效串联电感)。 

最好是，上述电子器件基体在从夹着陶瓷层而层叠的上述电极层来看的外层具有虚拟电极层。该虚拟电极层包含第2虚拟电极，上述第2虚拟电极的一端导出到电子器件基体的侧面，与上述端子电极相连接。若采用这种结构，则在端子电极上除提供与虚拟电极的连接结构外，还提供与第2虚拟电极的连接结构，能够进一步增强对电子器件基体的端子电极的密合性。 

更好是，在上述虚拟电极层的至少一层中设置多个第2虚拟电极，这些第2虚拟电极的一端导出到电子器件基体的侧面，与上述端子电极相连接，彼此成为同极。若采用这样的结构，则既能够进一步增强 对电子器件基体的端子电极的密合性，又能够防止第2虚拟电极间的短路故障。 

再有一种方式是可以采用内部电极和相对于该内部电极为异极的端子电极之间的区域未设置虚拟电极的结构。该情况下，在外层部分具有虚拟电极层。上述虚拟电极层包括外层虚拟电极，上述外层虚拟电极的一端导出到电子器件基体的侧面并与端子电极相连接。 

在上述方式涉及的层叠电子器件中，在内部电极以及相对于该内部电极为异极的端子电极之间的区域未设置虚拟电极，所以能够防止内部电极和虚拟电极之间的短路故障。 

并且，在电子器件基体的外层部分具有虚拟电极层，该虚拟电极层包括外层虚拟电极，外层虚拟电极的一端导出到电子器件基体的侧面并与端子电极相连接。所以，对端子电极赋予与外层虚拟电极的连接结构，端子电极通过与外层虚拟电极的连接结构而与电子器件基体粘合。因此，既能够防止短路故障，又能够增大对电子器件基体的端子电极的密合性。 

最好是，在虚拟电极层的至少一层上具有多个外层虚拟电极，这些外层虚拟电极的一端导出到电子器件基体的侧面并与端子电极相连接，彼此成为同极。若采用该结构，既能够进一步增大对电子器件基体的端子电极的密合性，又能够防止外层虚拟电极间的短路故障。 

附图说明

图1是表示本发明的层叠电子器件的一实施方式的外观斜视图； 

图2是表示沿图1的2-2线的截面的示意图； 

图3是表示本发明的层叠电子器件中包括的电极层的结构的示意图； 

图4是表示本发明的层叠电子器件中包括的虚拟电极层的结构的意意图； 

图5是表示本发明的层叠电子器件中包括的电极层的其它结构的 示意图； 

图6是表示本发明的层叠电子器件中包括的电极层的再一其它结构的示意图。 

具体实施方式

图1是表示本发明的层叠电子器件的一实施方式的外观斜视图。如图所示，本发明的层叠电子器件包括：层叠电子器件基体1、和端子电极21～28。在图示实施方式中、本发明适用于层叠陶瓷电容器。但是也能够适用于其他层叠电子器件例如层叠电感器等。 

端子电极21～28设置在层叠电子器件基体1的侧面。更详细地说，层叠电子器件基体1是大致长方体形状，端子电极21～24设置在层叠电子器件基体1的一个侧面101。这些端子电极21～24在侧面101上互相隔开长度方向X的间隔配置，邻接的端子电极彼此成为异极。具体来说，端子电极21、23成为负极，端子电极22、24成为正极。 

同样，端子电极25～28设置在层叠电子器件基体1的另一个侧面102。这些端子电极25～28在侧面102相互隔开长度方向X的间隔配置，邻接的端子彼此成为异极。具体来说，端子电极25、27成为负极，端子电极26、28成为正极。 

在将导电性糊料涂敷于层叠电子器件基体1而烧结的基底膜211～281上，可以由单层或多层电镀膜(212～282)、(213～283)来构成端子电极21～28。基底膜211～281例如以Cu或Ag为主要成分来构成，电镀膜例如由Ni/Sn的多层电镀膜(212～282)、(213～283)等构成。 

图2是表示沿图1的2-2线的截面的示意图。如图所示，层叠电子器件基体1具有夹着陶瓷层而层叠的多个电极层121～128。详细说明如下：层叠电子器件基体1包括内层部分12、位于内层部分12的上层的第1外层部分11，以及位于内层部分12的下层的第2外层部分13。电极层121～128配置在层叠电子器件基体1的内层部分12。陶瓷层例 如由以钛酸钡为主要成分的介电层等构成，电极层121～128例如由Ni等构成。 

图3是表示电极层121～128的结构的示意图。如图所示，电极层121～128包含内部电极A1～A8、引出电极B1～B8、虚拟电极D11～D83。以下依次说明电极层121～128。 

首先，说明电极层121，电极层121包含内部电极A1和引出电极B1。内部电极A1设置成夹着陶瓷层与电极层122的内部电极A2相对置，作为静电电容电极使用。引出电极B1的一端与同层的内部电极A1相连接，另一端导出到电子器件基体的一侧面并与端子电极21相连接。所以，内部电极A1通过引出电极B1与端子电极21电连接，成为与端子电极21同极即负极。 

电极层121还包含虚拟电极D11～D13。虚拟电极D11～D13分别从同层的内部电极A1和引出电极B1隔开间隔而配置。并且，这些虚拟电极D11～D13以由与同层的内部电极A1的关系来看成为同极的方式，分别与端子电极21～28中选择出的端子电极相连接。详细说明如下：内部电极A1成为负极，虚拟电极D11的一端导出到电子器件基体的一侧面并与负极的端子电极23相连接。虚拟电极D12、D13的一端导出到电子器件基体的另一个侧面，分别与负极的端子电极25、27相连接。 

接着，说明电极层122。电极层122包含内部电极A2和引出电极B2。内部电极A2设置成夹着陶瓷层与电极层121的内部电极A1及电极层123的内部电极A3相对置，具有静电电容电极的功能。引出电极B2的一端与同层的内部电极A2相连接，另一端导出到电子器件基体的一侧面并与端子电极22相连接。所以，内部电极A2通过引出电极B2与端子电极22电连接，成为与端子电极22同极即正极。 

电极层122还包含虚拟电极D21～D23。虚拟电极D21～D23分别与同层的内部电极A2和引出电极B2隔开间隔而配置。并且，这些虚拟电极D21～D23以由与同层的内部电极A2的关系来看成为同极的方式， 分别与端子电极21～28中选择出的端子电极相连接。详细说明如下，内部电极A2成为正极，虚拟电极D21的一端导出到电子器件基体的一侧面并与正极的端子电极24相连接。虚拟电极D22、D23的一端导出到电子器件基体的另一个侧面，分别与正极的端子电极26、28相连接。 

以下，电极层123～128也是同样，对这些说明尽量省略重复说明。 

以下说明电极层123，内部电极A3通过引出电极B3与端子电极23电连接，成为与端子电极23同极即负极。虚拟电极D31～D33以由与同层的内部电极A3的关系来看为同极的方式，分别连接在负极的端子电极21、25、27。 

接着，说明电极层124，内部电极A4通过引出电极B4与端子电极24电连接，成为与端子电极24同极即正极。虚拟电极D41～D43以由与同层的内部电极A4的关系来看为同极的方式，分别连接在正极的端子电极22、26、28。 

接着，说明电极层125，内部电极A5通过引出电极B5与端子电极25电连接，成为与端子电极25同极即负极。虚拟电极D51～D53以由与同层的内部电极A5的关系来看为同极的方式，分别连接在负极的端子电极21、23、27。 

接着，说明电极层126，内部电极A6通过引出电极B6与端子电极26电连接，成为与端子电极26同极即正极。虚拟电极D62～D63，以由与同层的内部电极A6的关系来看为同极的方式，分别连接在正极的端子电极22、24、28。 

接着，说明电极层127，内部电极A7通过引出电极B7与端子电极27电连接，成为与端子电极27同极即负极。虚拟电极D71～D73以由与同层的内部电极A7的关系来看为同极的方式，分别连接在负极的端子电极21、23、25。 

最后说明电极层128。内部电极A8通过引出电极B8与端子电极28电连接，成为与端子电极28同极即正极。虚拟电极D81～D83以由 与同层的内部电极A8的关系来看为同极的方式，分别连接在负极的端子电极22、24、26。 

如参照图1和图2说明的那样，本发明的层叠电子器件包括：层叠电子器件基体1、设置在电子器件基体1的侧面的端子电极21～28。电子器件基体1具有夹着陶瓷层而层叠的多个电极层121～128。所以，能获得层叠电子器件的基本结构。 

并且，如参照图3说明的那样，电极层121～128包括：内部电极A1～A8和引出电极B1～B8。这些引出电极的一端分别连接在同层的内部电极，另一端导出到电子器件基体1的侧面并与被选择的端子电极相连接。例如，引出电极B1的一端与同层的内部电极A1相连接，另一端导出到电子器件基体1的侧面并与端子电极21相连接。其他引出电极B2～B8也是一样。所以，能够获得从电子器件基体侧面的端子电极21～28分别经由引出电极B1～B8到内部电极A1～A8的基本电路。 

电极层121～128还包含虚拟电极D11～D83，这些虚拟电极的一端分别导出到电子器件基体1的侧面并与被选择的端子电极连接。例如，虚拟电极D31、D51、D71的一端分别被导出到电子器件基体1的侧面并与端子电极21相连接。因此，对端子电极21除了赋予与引出电极B1的连接结构以外，还赋予与虚拟电极D31、D51、D71的连接结构，端子电极21通过与虚拟电极的连接结构而与电子器件基体1粘合。其他端子电极22～28也是一样。因此，既能维持实现高ESR化所需的较少的引出电极数，又能够增大对电子器件基体的端子电极的密合性。 

而且，虚拟电极D11～D83从与同层的内部电极的关系来看成为同极。例如，虚拟电极D11～D13从与同层的内部电极A1(负极)的关系来看成为同极即负极。所以，能够防止内部电极A1和引出电极D11～D13之间的短路故障。其他内部电极A2～A8也是一样。 

在图示的实施方式中，采用具有8个端子电极21～28和8层电极层121～128的结构，但本发明并不仅限于这种结构，端子电极的个数和电极层的层数分别可以取大于等于2的任意数。关于这一点，根据 例如在只具有2个端子电极和2层电极层的结构中也能够获得同样的作用效果可以得知。 

并且，在图示的实施方式中，是电极层121～128分别具有内部电极、引出电极和虚拟电极的结构。但本发明并不仅限于这种结构。关于这一点，根据例如在电极层121～128中至少一个电极层不具有虚拟电极的结构中也能够获得同样的作用效果可以得知。 

并且，如参照图1说明的那样，层叠电子器件基体1的一侧面101所具备的端子电极21～24，相邻接的端子电极彼此成为异极。另一个侧面102所具备的端子电极25～28也是一样。若采用该结构，则能够降低ESL(等效串联电感)。 

再次，参照图1和图2继续说明。在从夹着陶瓷层而层叠的电极层121～128来看的外层，层叠电子器件基体1具有2组虚拟电极层111～11n、131～13n。详细地，1组虚拟电极层111～11n配置在从内层部分12来看位于上层的第1外层部分11，另一组虚拟电极层131～13n配置在从内层部分12来看位于下层的第2外层部分13。虚拟电极层例如由Ni等构成，夹着陶瓷层被层叠。接着，代表性地说明配置在第1外层部分11上的虚拟电极层111～11n。 

图4是表示虚拟电极层111～11n的结构的示意图。如图所示，外层部分11具有夹着陶瓷层而层叠的多个虚拟电极层111～11n。同样，另一个外层部分13也具有夹着陶瓷层而层叠的多个虚拟电极层131～13n。虚拟电极层例如由Ni等构成。陶瓷层如上所述。以下，代表性地说明外层部分11的虚拟电极层111～11n。 

首先，说明虚拟电极层111。虚拟电极层111包括外层虚拟电极E11～E14，外层虚拟电极E11～E14的一端分别导出到电子器件基体1的侧面并与端子电极21～28中被选择的端子电极连接。最好是，外层虚拟电极E11～E14彼此成为成为同极。作为这种结构的一例，外层虚拟电极E11、E12导出到电子器件基体1的一个侧面，分别与正极的端子电极22、24相连接，外层虚拟电极E13、E14导出到电子器件基体 1的另一个侧面，分别与正极的端子电极26、28相连接。 

接着，说明虚拟电极层112。虚拟电极层112包括外层虚拟电极E21～E24，外层虚拟电极E21～E24的一端分别导出到电子器件基体1的侧面并与端子电极21～28中被选择的端子电极相连接。最好是，外层虚拟电极E21～E24构成为同极。作为相关结构的一例，外层虚拟电极E21、E22导出到电子器件基体1的一个侧面，分别连接到负极端子电极21、23。外层虚拟电极E23、E24导出到电子器件基体1的另一侧面，分别与负极的端子电极25、27相连接。 

以下，对虚拟电极层113～11n也可以采用相同的结构。例如，在虚拟电极层113～11n中，可以将奇数参考编号的层作为与虚拟电极层111相同的结构，将偶数参考编号的层作为与虚拟电极层112相同的结构。 

并且，对于另一个外层部分13的虚拟电极层131～13n，也可以做成与外层部分11的虚拟电极层111～11n相同的结构。例如将虚拟电极层131～13n分别做成与虚拟电极层11n～111相同的结构，能够确保夹着内层部分12的电极层121～128而对称的结构。 

并且，在外层部分11上配置的虚拟电极层的层数、以及配置在另一个外层部分13的虚拟电极层的层数，可以分别取任意数。 

如上所述，层叠电子器件基体1的外层部分11具有虚拟电极层111～11n。这些虚拟电极层111～11n包括外层虚拟电极，外层虚拟电极的一端导出到电子器件基体1的侧面并与端子电极21～28中被选择出的端子电极相连接。例如，虚拟电极层112的外层虚拟电极E21与端子电极21相连接。因此，对端子电极21，除了赋予与引出电极B1的连接结构以外，还赋予与外层虚拟电极E21的连接结构，端子电极21通过这些连接结构而与电子器件基体1粘合。其他端子电极22～28也是一样。因此，既能够防止短路故障，又能够增大对电子器件基体的端子电极的密合性。 

在图示的实施方式中虽然做成具有8个端子电极21～28的结构， 但本发明并不仅限于这种结构，而是端子电极的个数可以取大于等于2的任意数。关于这一点，根据例如在仅具有2个端子电极的结构中也能够获得同样的作用效果可以得知。 

并且，在图示的实施方式中虽然采用具有8层的电极层121～128的结构，但本发明并不仅限于这种结构，电极层的层数可以取大于等于2的任意数。 

配置在第1外层部分11的虚拟电极层的层数、以及配置在第2外层部分13的虚拟电极层的层数，分别可以取任意的数。在图示的实施方式中，虚拟电极层的各层形成仅设置了彼此同极的第2虚拟电极的结构，但本发明并不仅限于这样的结构。例如虚拟电极层的一层也可以具有正极的第2虚拟电极和负极的第2虚拟电极两者。即，虚拟电极层的一层具有与正极的端子电极相连接的第2虚拟电极、以及与负极的端子电极相连接的第2虚拟电极两者。 

图5是表示本发明相关的层叠电子器件的再另一实施方式中的电极层结构的示意图。如图所示，电极层121～128包含内部电极A1～A8和引出电极B1～B8。以下依次说明电极层121～128。 

首先，说明电极层121，电极层121包含内部电极A1和引出电极B1。内部电极A1设置成夹着陶瓷层与电极层122的内部电极A2相对置，具有静电电容电极的功能。引出电极B1的一端与同层的内部电极A1相连接，另一端导出到电子器件基体的一侧面并与端子电极21相连接。所以，内部电极A1通过引出电极B1而与端子电极21电连接，成为与端子电极21同极即负极。 

在内部电极A1和与该内部电极A1异极的端子电极之间的区域，未设置虚拟电极，若详细地说明，内部电极A1成为负极，在内部电极A1和正极的端子电极22、24、26、28之间的区域S12、S14、S16、S18未设置虚拟电极。 

接着，说明电极层122。电极层122包含内部电极A2和引出电极B2。内部电极A2设置成夹着陶瓷层与电极层121的内部电极A1和电 极层123的内部电极A3相对置，具有静电电容电极的功能。引出电极B2的一端与同层的内部电极A2相连接，另一端导出到电子器件基体的一个侧面并与端子电极22相连接。因此，内部电极A2通过引出电极B2与端子电极22电连接，成为与端子电极22同极即正极。 

在内部电极A2及与该内部电极A2异极的端子电极之间的区域，未设置虚拟电极。若详细说明，内部电极A2成为正极，在内部电极A2和负极的端子电极21、23、25、27之间的区域S21、S23、S25、S27味设置虚拟电极。 

以下，对于电极层123～128也是一样，所以关于这些说明尽量省略重复说明。 

说明电极层123，则内部电极A3通过引出电极B3与端子电极23电连接，成为与端子电极23同极即负极。在内部电极A3和正极的端子电极22、24、26、28之间的区域S32、S34、S36、S38未设置有虚拟电极。 

接着，说明电极层124，内部电极A4通过引出电极B4与端子电极24电连接，成为与端子电极24同极即正极。在内部电极A4与负极的端子电极21、23、25、27之间的区域S41、S43、S45、S47内未设置虚拟电极。 

接着，说明电极层125，内部电极A5通过引出电极B5与端子电极25电连接，成为与端子电极25同极即负极。在内部电极A5和正极的端子电极22、24、26、28之间的区域S52、S54、S56、S58内未设置虚拟电极。 

接着，说明电极层126，内部电极A6通过引出电极B6与端子电极26电连接，成为与端子电极26同极即正极。在内部电极A6和负极的端子电极21、23、25、27之间的区域S61、S63、S65、S67，未设置虚拟电极。 

接着，说明电极层127，内部电极A7通过引出电极B7与端子电极27电连接，成为与端子电极27同极即负极。在内部电极A7和正极 的端子电极22、24、26、28之间的区域S72、S74、S76、S78，未设置虚拟电极。 

最后说明电极层128，内部电极A8通过引出电极B8与端子电极28电连接，成为与端子电极28同极即正极。在内部电极A8和负极的端子电极21、23、25、27之间的区域S81、S83、S85、S87，未设置虚拟电极。 

并且，如参照图3说明的那样，电极层121～128包括：内部电极A1～A8和引出电极B1～B8。这些引出电极的一端分别连接到同层的内部电极，另一端导出到电子器件基体1的侧面并与被选择的端子电极相连接。例如，引出电极B1的一端与同层的内部电极A1相连接，另一端导出到电子器件基体的侧面并与端子电极21相连接。其他引出电极B2～B8也是一样。所以，能够获得从电子器件基体侧面的端子电极21～28分别经由引出电极B1～B8到内部电极A1～A8的基本电路。 

作为本发明的特征，在内部电极和相对于该内部电极为异极的端子电极之间的区域未设置虚拟电极。例如，说明电极层121，在内部电极A1、和对该内部电极A1为异极的端子电极22、24、26、28之间的区域S12、S14、S16、S18，未设置虚拟电极。其他电极层122～128也是一样。因此，能够防止内部电极和虚拟电极之间的短路故障。 

图6是表示涉及本发明的层叠电子器件的另一实施方式的电极层的结构的示意图。在图示中，对于与前面的图中已出现的结构部分具有同一性的结构部分，附上同一参考符号，尽量省略重复说明。在与图3所示的实施方式的对比中，本实施方式的特征在于，电极层121～128具有内部电极和与该内部电极同极的端子电极之间的区域设置的虚拟电极。以下依次说明电极层121～128。 

电极层121具有设置在内部电极A1和与该内部电极A1同极的端子电极之间的区域的虚拟电极。若详细地说明，内部电极A1成为负极，在内部电极A1和负极的端子电极23、25、27之间的区域，分别具有虚拟电极D13、D15、D17。虚拟电极D13、D15、D17在未设置内部 电极A1和引出电极B1的区域，担负填补厚度的功能。 

其次，电极层122具有设置在内部电极A2和与该内部电极A2同极的端子电极之间的区域的虚拟电极。若详细说明，内部电极A2成为正极，在内部电极A2和正极端子电极24、26、28之间的区域，分别具有虚拟电极D24、D26、D28。虚拟电极D24、D26、D28在未设置内部电极A2和引出电极B2的区域，担负填补厚度的功能。以下电极层123～128也是一样，省略重复说明。 

以上参照最佳实施方式具体地说明了本发明的内容。很明显，根据本发明的基本技术思想和示范，本领域技术人员能够采取各种变形方式。 

Claims (15)

1.一种层叠电子器件，包括电子器件基体和设置在上述电子器件基体的侧面的端子电极，其特征在于：

上述电子器件基体具有夹着陶瓷层而层叠的多个电极层，上述电极层的各个电极层包含1个内部电极、1个引出电极和虚拟电极；

上述引出电极与同层的内部电极的侧边相比宽度窄，该引出电极的一端与上述侧边相连接，另一端导出到上述电子器件基体的侧面并与上述端子电极相连接；

上述虚拟电极与同层的内部电极和引出电极隔开间隔而配置，该虚拟电极的一端导出到电子器件基体的侧面，并连接至与连接了上述引出电极的上述端子电极不同的端子电极，从与同层的内部电极的关系来看彼此成为同极。

2.如权利要求1所述的层叠电子器件，其特征在于：

在电子器件基体的侧面设置多个上述端子电极，在电子器件基体的侧面相邻接的端子电极彼此成为异极。

3.如权利要求1所述的层叠电子器件，其特征在于：

上述电子器件基体在从夹着陶瓷层而层叠的上述电极层来看的外层具有虚拟电极层；

上述虚拟电极层包含第2虚拟电极，上述第2虚拟电极的一端导出到电子器件基体侧面，与上述端子电极相连接。

4.如权利要求2所述的层叠电子器件，其特征在于：

上述电子器件基体在从夹着陶瓷层而层叠的上述电极层来看的外层具有虚拟电极层；

上述虚拟电极层包含第2虚拟电极，上述第2虚拟电极的一端导出到电子器件基体的侧面，与上述端子电极相连接。

5.如权利要求2所述的层叠电子器件，其特征在于：

上述电子器件基体在从夹着陶瓷层而层叠的上述电极层来看的外层具有虚拟电极层；

在上述虚拟电极层的至少一层中具有多个第2虚拟电极，这些第2虚拟电极的一端导出到电子器件基体的侧面并与上述端子电极相连接，彼此成为同极。

6.一种层叠电子器件，包括：电子器件基体、以及设置在电子器件基体的侧面的端子电极，其特征在于：

上述电子器件基体包括内层部分和外层部分；

上述内层部分具有夹着陶瓷层而层叠的多个电极层；

上述电极层分别包含内部电极和引出电极，上述引出电极的一端与同层的内部电极相连接，另一端导出到电子器件基体的侧面并与上述端子电极相连接，在内部电极和相对于该内部电极为异极的端子电极之间的区域未设置虚拟电极；

上述外层部分层叠在上述内层部分的外侧，在内部具有虚拟电极层；

上述虚拟电极层未设置内部电极及引出电极，仅设有外层虚拟电极，上述外层虚拟电极的一端导出到电子器件基体的侧面并与上述端子电极相连接。

7.如权利要求6所述的层叠电子器件，其特征在于：

在上述虚拟电极层的至少一层中，具有多个外层虚拟电极，这些外层虚拟电极彼此成为同极。

8.如权利要求6所述的层叠电子器件，其特征在于：上述电极层不包含虚拟电极。

9.如权利要求6所述的层叠电子器件，其特征在于：

上述电极层包含虚拟电极，上述虚拟电极与同层的内部电极和引出电极隔开间隔而配置，一端导出到电子器件基体的侧面并与上述端子电极相连接，从与同层的内部电极的关系来看成为同极。

10.如权利要求7所述的层叠电子器件，其特征在于：

上述电极层包含虚拟电极，上述虚拟电极与同层的内部电极和引出电极隔开间隔而配置，一端导出到电子器件基体的侧面并与上述端子电极相连接，从与同层的内部电极的关系来看成为同极。

11.如权利要求6所述的层叠电子器件，其特征在于：

在电子器件基体的侧面设置多个上述端子电极，在电子器件基体的侧面相邻接的端子电极，彼此成为异极。

12.如权利要求7所述的层叠电子器件，其特征在于：

在电子器件基体的侧面设置多个上述端子电极，在电子器件基体的侧面相邻接的端子电极，彼此成为异极。

13.如权利要求8所述的层叠电子器件，其特征在于：

在电子器件基体的侧面设置多个上述端子电极，在电子器件基体的侧面相邻接的端子电极，彼此成为异极。

14.如权利要求9所述的层叠电子器件，其特征在于：

在电子器件基体的侧面设置多个上述端子电极，在电子器件基体的侧面相邻接的端子电极，彼此成为异极。

15.如权利要求10所述的层叠电子器件，其特征在于：

在电子器件基体的侧面设置多个上述端子电极，在电子器件基体的侧面相邻接的端子电极，彼此成为异极。