CN1773357B - 改善了与测试线的连接的薄膜晶体管阵列面板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种改善了显示信号线和测试线之间接触的薄膜晶体管(TFT)阵列面板。TFT阵列面板包括：栅极线和数据线，彼此交叉；开关元件，与栅极线和数据线连接；至少一条测试线，位于栅极线或者数据线的端部附近。绝缘层覆盖栅极线、数据线和开关元件，并且具有暴露栅极线或者数据线的端部的第一接触孔和暴露测试线的第二接触孔。辅助测试线形成在绝缘层上，并且与导电层公共连接，其中，导电层通过第一接触孔和第二接触孔将至少一条测试线与栅极线或者数据线连接。
Description
技术领域
本发明涉及一种改善了与测试线的连接的薄膜晶体管阵列面板。
背景技术
近来，平板显示器例如，有机发光二极管(OLED)显示器、等离子体显示面板(PDP)和液晶显示器(LCD)由于其可能代替笨重的阴极射线管(CRT)而倍受关注。
PDP是利用气体放电产生的等离子体来显示人物或图像的装置。OLED显示器是通过对特定的发光有机物或者高分子材料施加电场来显示人物或图像的装置。LCD装置是通过对位于两个面板之间的液晶层施加电场和控制电场强度以调节穿过液晶层的光的透射率来显示图像的装置。
在平板显示器中，LCD和OLED各包括下面板、上面板和多个电路元件，所述下面板配有包括开关元件和显示信号线的像素，所述上面板配有滤色器。
当显示信号线在制造显示装置的过程中断开时，由预定的测试检测所述断开。这些测试包括阵列测试、直观检查(VI)测试、整体测试、模块测试等。
在玻璃基板被分为分离的室之前，阵列测试用于通过施加预定电压并检测是否产生输出电压来检测显示信号线的断开。在玻璃基板被分为分离的室之后，VI测试用于通过施加预定电压观察所述面板来检测显示信号线的断开。在其上安装驱动电路之前，整体测试用于通过施加预定电压以观察屏幕的显示状态来确定图像质量和显示信号线的连接状况。通常，在将下面板和上面板结合之后施加预定电压。在其上安装驱动电路之后，模块测试用于确定驱动电路的最适宜的操作。
在阵列测试和VI测试中，显示信号线被分为几个组来测试，整体测试和模块测试在与真实的操作环境相似的条件下执行。对于阵列测试和VI测试，测试线与各组连接。测试线的端部具有被称作垫片的放大区，向垫片施加测试信号。在这种情况下，使用位于与显示信号线和测试线不同的层中的导电层来连接显示信号线和测试线。
然而，在显示信号线、测试线和导电层中出现接触不良。接触不良可能是在制造过程中利用蚀刻剂蚀刻引起的，从而信号线与导电层断开。期望获得信号线和测试线之间的更好的接触的方法。
发明内容
本发明提供了一种能够解决上述问题的薄膜晶体管阵列面板。
在一方面，本发明是一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：多条栅极线；多条数据线，与栅极线交叉；多个开关元件，分别与栅极线和数据线连接；多个像素电极，分别与开关元件连接。至少一条测试线位于栅极线或者数据线的端部附近。绝缘层覆盖栅极线、数据线和开关元件，并具有暴露栅极线或者数据线的端部的多个第一接触孔和暴露测试线的多个第二接触孔。多条辅助测试线形成在绝缘层上，并且与将要形成的多个导电层公共连接，其中，导电层通过第一接触孔和第二接触孔将至少一条测试线与栅极线或者数据线连接。
栅极线或者数据线可分别具有扩大部分，测试线可具有与扩大部分对应的突出部分。
第一接触孔和第二接触孔可暴露突出部分和扩大部分的边界线。
导电层可完全覆盖第一接触孔和第二接触孔。
测试线包括第一测试线和第二测试线，这里，第一测试线通过与奇数栅极线结合的导电层可与奇数栅极线公共连接，第二测试线通常通过与偶数栅极线结合的导电层可与偶数栅极线公共连接，这里，辅助测试线包括第一辅助测试线和第二辅助测试线，第一辅助测试线将与奇数栅极线结合的导电层彼此连接，第二辅助测试线将与偶数栅极线结合的导电层彼此连接。
第一测试线和第二测试线的突出部分在相同的方向上向着栅极线的端部的突出。
可选地，第一测试线和第二测试线的突出部分在彼此相对的方向上突出。
辅助测试线与像素电极形成在相同层上。
在另一方面，本发明是一种液晶显示器，其包括：多条栅极线；多条数据线，与栅极线交叉；多个开关元件，分别与栅极线和数据线连接；多个像素电极，分别与开关元件连接。至少一条测试线位于栅极线或者数据线的端部附近。多条辅助测试线与多个导电层公共连接，其中，导电层通过第一接触孔和第二接触孔将至少一条测试线与栅极线或者数据线连接。
附图说明
通过参照附图对本发明实施例的详细描述，本发明将变得更加清楚，其中：
图1是根据本发明示例性实施例的LCD的方框图；
图2是根据本发明示例性实施例的LCD的像素的等效电路图；
图3是根据本发明实施例的LCD的示意性布局图；
图4是TFT阵列面板的示例性布局图和图3中所示的栅极线和数据线的交叉区的展开图；
图5是沿着线V-V′截取的图4中所示的TFT阵列面板的剖视图；
图6是在根据本发明示例性实施例的LCD中的栅极线和栅极VI测试线的连接点部分A的示意性布局图；
图7是连接处A的放大布局图；
图8是沿着线VIII-VIII′截取的图7中所示的TFT阵列面板的剖视图；
图9和图10是根据本发明其它实施例的LCD的TFT阵列面板的连接的示意图。
具体实施方式
下面，将参照附图来更加充分地描述本发明，其中，示出了本发明的优选实施例。然而本发明可以以许多不同的形式实施，而不应限于这里提到的实施例来构建。相同的标号始终表示相同的元件。
在图中，为了清晰，夸大了层和区域的厚度。相同的标号始终表示相同的元件。应该理解，当元件例如层、区域或者基板表示为在另一个元件“上”时，它可以直接位于另一个元件上或者也可存在插入元件。
现在，将参照附图来描述根据本发明实施例的显示装置。
图1是根据本发明实施例的显示装置的方框图，图2是示出根据本发明示例性实施例的LCD的像素的结构和等效电路图。
参照图1，根据本发明示例性实施例的显示装置包括：面板组件300；栅极驱动器400和数据驱动器500，与面板组件300连接；灰度电压发生器800，与数据驱动器500连接；信号控制器600，控制上述元件。
面板组件300包括：多条显示信号线G1-Gn和D1-Dm；多个像素，与显示信号线G1-Gn和D1-Dm连接，并且基本上以矩阵结构布置。面板组件300包括下面板100和上面板200。
显示信号线G1-Gn和D1-Dm设置在下面板100上，并且包括传输栅极信号(称作扫描信号)的栅极线G1-Gn和传输数据信号的数据线D1-Dm。栅极线G1-Gn基本上在第一方向上延伸并且基本上彼此平行，而数据线D1-Dm基本上在第二方向上延伸并且基本上彼此平行。第一方向和第二方向基本上彼此垂直。
每个像素包括：开关元件Q，与栅极线G1-Gn之一和数据线D1-Dm之一连接；像素电路PX，与开关元件Q连接。开关元件Q设置在下面板100上并且具有三个接线端：控制接线端，与栅极线G1-Gn之一连接；输入接线端，与数据线D1-Dm之一连接；输出接线端，与像素电路PX连接。
在有源矩阵式LCD中，面板组件300包括：下面板100；上面板200；液晶(LC)层3，位于下面板100和上面板200之间；显示信号线G1-Gn、D1-Dm和开关元件Q，设置在下面板100上，其中，所述LCD是平板显示装置的实例。每个像素电路PX包括与开关元件Q并联连接的LC电容器CLC和存储电容器CST。如果没有必要，可省略存储电容器CST。
LC电容器CLC包括：像素电极190，在下面板100上；公共电极270，在上面板200上；LC层3，作为像素电极190和公共电极270之间的电介质。像素电极190与开关元件Q连接，公共电极270覆盖上面板200的全部表面并且被施加公共电压Vcom。可选地，棒状或者条状形状的像素电极190和公共电极270设置在下面板100上。
存储电容器CST是LC电容器CLC的辅助电容器。存储电容器CST包括像素电极190和分离的信号线(未示出)，所述分离的信号线设置在下面板100上并且与像素电极190交迭，绝缘体位于像素电极190和分离的信号线之间。存储电容器CST被施加预定电压，例如公共电压Vcom。可选地，存储电容器CST包括像素电极190和被称作前栅极线的相邻栅极线，相邻栅极线与像素电极190交迭，绝缘体位于像素电极190和前栅极线之间。
对于彩色显示器，每个像素在所有的时间(空分)表示三原色例如红色、绿色和蓝色之一，或者在不同的时间(时分)顺序表示三原色，从而获得期望的颜色。图2示出了空分的例子，其中，每个像素包括滤色器230，其在与像素电极190面对的上面板200的区域中表示三原色之一。可选地，滤色器230可设置在下面板100上的像素电极190之上或之下。
一对用于偏振光的偏振器(未示出)附于面板组件300的下面板100和上面板200的外表面上。
再参照图1，灰度电压发生器800产生一组或者两组与通过像素的透光率有关的灰度电压。当产生两组灰度电压时，一组中的灰度电压相对于公共电压Vcom具有正极性，而另一组中的灰度电压相对于公共电压Vcom具有负极性。
栅极驱动器400与面板组件300的栅极线G1-Gn连接，并且从外部装置合成栅极导通电压Von和栅极截止电压Voff，以产生向栅极线G1-Gn施加的栅极信号。栅极驱动器400是移位寄存器，所述移位寄存器包括排成线的多级。
数据驱动器500与面板组件300的数据线D1-Dm连接，并且向数据线D1-Dm施加数据电压，所述数据电压是从由灰度电压发生器800提供的灰度电压中选择的。
信号控制器600控制栅极驱动器400和数据驱动器500。
现在，将参照图1来详细描述显示装置的操作。
信号控制器600被供给图像信号R、G和B，并且从外部图形控制器(未示出)输入控制图像信号R、G和B的显示的控制信号。所述输入的控制信号包括例如，垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、主时钟MCLK和数据使能信号DE。在响应输入控制信号产生栅极控制信号CONT1和数据控制信号CONT2并且将图像信号R、G和B处理为适于面板组件300的运行之后，信号控制器600向栅极驱动器400提供栅极控制信号CONT1，向数据驱动器500提供已处理的图像信号DAT和数据控制信号CONT2。
栅极控制信号CONT1包括：垂直同步起始信号STV，将一帧开始的信息提供给栅极驱动器；栅极时钟信号CPV，控制栅极导通电压Von的输出时间；输出使能信号OE，限定栅极导通电压Von的宽度。
数据控制信号CONT2包括：水平同步起始信号STH，将水平周期开始的信息提供给数据驱动器500；负载信号LOAD或者TP，指示数据驱动器500向数据线D1-Dm施加适当的数据电压；数据时钟信号HCLK。数据控制信号CONT2还可包括反转控制信号RVS，使数据电压的极性反相(相对于公共电压Vcom)。
数据驱动器500从信号控制器600接收用于像素行的已处理的图像信号DAT，并且响应来自信号控制器600的数据控制信号CONT2将已处理的图像信号DAT转换为模拟数据电压，所述数据电压是从由灰度电压发生器800供给的灰度电压中选择的。
响应来自信号控制器600的栅极控制信号CONT1，栅极驱动器400向栅极线G1-Gn施加栅极导通电压Von，从而使与栅极线G1-Gn连接的开关元件Q导通。
在开关元件Q的导通时间(其被称作“一个水平周期”或者“1H”，其等于水平同步信号Hsync、数据使能信号DE和栅极时钟信号CPV的一个周期)内，数据驱动器500向对应的数据线D1-Dm施加数据电压。通过导通的开关元件Q，数据电压被顺序提供给相应的像素。
向像素施加的数据电压和公共电压Vcom之差被表示为LC电容器CLC的充电电压，即，像素电压。液晶分子具有基于像素电压幅值的取向，所述取向确定了穿过LC电容器CLC的光的偏振。偏振器将光的偏振转换为光的透过率。
通过重复上述过程，所有栅极线G1-Gn在一帧期间被顺序提供栅极导通电压Von，从而向所有像素施加数据电压。在图1所示的LCD的情况下，当完成一帧后开始下一帧时，控制向数据驱动器500施加的反转控制信号RVS，使得数据电压的极性反相(“帧反转”)。控制反转控制信号RVS，使得在一帧中数据线中的数据电压流的极性反相(例如，“行反转”(row inversion)、“点反转”(dot inversion))，或者使得一个数据包中的数据电压的极性反相(例如，“列反转(column inversion)”、“点反转”)。
现在，参照图3来描述图1和图2中所示的LCD的详细的例子。
图3是根据本发明实施例的LCD的示意性布局图。
如图3所示，面板组件300包括多条栅极线121(G1-Gn)和多条数据线171(D1-Dn)。多个栅极驱动IC芯片440和多个数据驱动IC芯片540安装在面板组件300上。栅极驱动IC芯片440位于面板组件300的左边缘附近，数据驱动IC芯片540位于面板组件300的顶部边缘附近。PCB 550位于面板组件300的顶部边缘附近，一些电路元件例如信号控制器600和灰度电压发生器800设置在PCB 500上。面板组件300和PCB 500通过多个FPC膜511和512相互电连接和物理连接。
最左边的FPC膜511包括多条数据传输线521和多条驱动信号线523。传输图像数据的数据传输线521与数据驱动IC芯片540的输入接线端连接。驱动信号线523通过位于面板组件300上的驱动信号线323和引线321传输用于激活驱动IC芯片540和440的电压和控制信号。
剩余的FPC膜512包括多条驱动信号线522，所述多条驱动信号线522向与驱动信号线522电连接的数据驱动IC芯片540传输电压和控制信号。
信号线521-523与PCB 550上的电路元件连接，并且从电路元件接收信号。
在其它实施例中，驱动信号线523可设置在分离的FPC膜(未示出)上。
如图3中所示，由栅极线和数据线的交叉限定的多个像素区在面板组件300上形成显示区D，其中，所述栅极线在第一方向上延伸，所述数据线在第二方向上延伸。阻挡光向显示区D的外部漏出的阻光构件220(用阴影线表示)围绕显示区D。
虽然在显示区D中，栅极线基本上彼此平行地延伸且数据线基本上彼此平行地延伸，但是存在栅极线彼此不平行且数据线彼此不平行处的围绕显示区D的扇出(fan-out)区。如图3所示，扇出区位于其中栅极线彼此平行和数据线彼此平行的两个区之间。在两个区中的平行信号线之间的分隔距离不同，扇出区是调节用于以分组为基础的信号线的分隔距离的位置。
数据驱动IC芯片540位于显示区D的外部，并且在第一方向上顺序布置。相邻的数据驱动IC芯片540由多个互连部分541连接，从最左边的FPC膜511传输到最左边的数据驱动IC540的图像数据接着通过互连部分541向下一个数据驱动IC 540传输。
多条数据VI测试线125形成在面板组件300上，两条数据VI测试线125位于每个数据驱动IC芯片540下。每个数据VI测试线125基本上在第一方向上延伸并且包括检测垫片(未示出)。可选地，数据线与数据VI测试线125连接。可以改变数据VI测试线125的数目。如图3中所示，两条数据VI测试线125的一条与奇数数据线D1、D3、......连接，两条数据VI测试线125的另一条与偶数数据线D2、D4......连接。
栅极驱动IC芯片440安装在向着显示区D的外部的面板组件300的左边缘附近，并在第二方向上布置。驱动信号线323位于栅极驱动IC芯片440附近，并且将最左边的FPC膜511的驱动信号线523与最上边的栅极驱动IC440电连接，或者驱动信号线323与栅极驱动IC芯片440电连接。栅极驱动IC芯片440可连同开关元件或者驱动信号线323一起形成在下组件100上，以使它与图3的结构不同，可包括多个薄膜晶体管和多条信号线。
另外，多条栅极VI测试线126a和126b形成在面板组件300上，两条栅极VI测试线126a和126b位于每个栅极驱动IC芯片440下.栅极VI测试线126a和126b的每条基本上在第二方向上延伸，并且包括检测垫片(未示出).栅极线以交替的方式与不同的栅极VI测试线126a和126b连接.在图3的实施例中，两条栅极VI测试线126a和126b的一条与奇数栅极线G1、G3、......连接，两条栅极VI测试线126a和126b的另一条与偶数栅极线G2、G4、......连接。
图3中的标号“L”表示由激光辐射切开的线，其用于在制造工艺的最后步骤中单独地将栅极线121和数据线171彼此电断开。
如上所述，LC面板组件300包括两个面板100和200，配有TFT的面板100和200之一被表示为“TFT阵列面板”。
现在，参照图4至图8和图3来描述根据本发明实施例的LCD的示例性TFT阵列面板。
图4是根据本发明实施例的TFT阵列面板的示例性布局图，也是栅极线、数据线以及交叉区的展开图，图5是沿着线V-V′截取的图4中所示的TFT阵列面板的剖视图。
参照图3至图5，优选地，由氧化硅(SiO2)或者氮化硅(SiNx)制成的阻挡膜111形成在透明绝缘基板110上。阻挡膜111可具有双层结构。
优选地，由多晶硅制成的多个半导体岛150形成在阻挡膜111上。每个半导体岛150包括：多个非本征区，含有导电杂质，其包括多个重掺杂区和多个轻掺杂区；多个本征区，含有少量的导电杂质。本征区包括沟道区154和存储区157，高掺杂区包括相对于沟道区154和哑(dummy)区158彼此分离的源极区153和漏极区155。轻掺杂区152较窄，并且位于本征区154、157和重掺杂区153、155和158之间。具体地，位于源极区153和沟道区154之间与漏极区155和沟道区154之间的轻掺杂区152被表示为“轻掺杂漏极(LDD)区”。
优选地由氮化硅(SiNx)制成的栅极绝缘层140形成在半导体岛150和阻挡膜111上。
包括多条栅极线121和多条存储电极线131的多个栅极半导体形成在绝缘基板110上。
传输栅极信号的栅极线121基本上在第一方向上延伸，且包括相对于栅极线121向下突出以与半导体岛150的沟道区154交迭的栅极电极124。栅极电极124还与轻掺杂区152交迭。每条栅极线121还可包括扩大的端部129，该扩大的端部129具有与其它层或者外部驱动电路接触的放大区。栅极线121可与产生栅极信号的栅极电路直接连接，所述栅极电路可一体地位于基板110上。
存储电极线131被供给预定电压例如公共电压，并且包括比存储电极线131宽的多个存储电极133。存储电极133与半导体岛150的存储区157交迭。
优选地，栅极导体121和131由包括含Al金属例如Al和Al合金的低电阻率材料制成。栅极导体121和131可具有包括物理性能不同的两个膜的多层结构。优选地，两个膜的一个由包括含Al金属的低电阻率金属制成，以减小栅极导体121和131中的信号延迟或电压降。优选地，另一个膜由材料例如Cr、Mo、Mo合金、Ta或Ti制成，所述材料具有良好的物理性能、化学性能以及与其它材料例如氧化铟锡(ITO)或者氧化铟锌(IZO)的良好的电接触性能。
另外，栅极导体121和131的侧面相对于基板110的表面倾斜，形成的角在大约30度至90度的范围内。
夹层绝缘层160形成在栅极导体121和131上.优选地，夹层绝缘层160由具有良好的平面性能的光敏有机材料制成或由通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成的低介电绝缘材料例如a-Si:C:O和a-Si:O:F制成、或者由无机材料例如氮化硅和氧化硅制成.
夹层绝缘层160和栅极绝缘层140具有分别暴露源极区153和漏极区165的多个接触孔163和165。
包括多条数据线171和多个漏极电极175的多个数据导体形成在夹层绝缘层160上。
传输数据电压的数据线171基本上在第二方向上延伸并且与栅极线121交叉。每条数据线171包括扩大部分(未示出)和通过接触孔163与源极区153连接的多个源极电极173。
漏极电极175与源极电极173分离，并且通过接触孔165与漏极区155连接。
优选地，数据导体171和175由包括Cr、Mo、Ti、Ta及其合金的难熔金属制成。优选地，它们可具有含低电阻率膜和优良接触膜的多层结构。多层结构的典型例子包括Mo下膜、Al中间膜和Mo上膜，也包括Cr下膜和Al-Nd上膜与Al下膜和Mo上膜的上述结合。多层结构的另一个例子是Cr下膜和MoW上膜。
与栅极导体121、131和122相同，数据导体171和175具有相对于基板110的表面的锥形侧面，所述侧面相对于基板110的表面形成的角度范围是大约30度至80度。
钝化层180形成在数据线171、漏极电极175和夹层绝缘层160上。优选地，钝化层180由具有良好的平面性能的光敏有机材料制成、或者由PECVD形成的低介电绝缘材料例如a-Si:C:O和a-Si:O:F制成、或者由无机材料例如氮化硅和氧化硅制成。钝化层180包括第一绝缘层801和第二绝缘层802，所述第一绝缘层801由无机材料制成，所述第二绝缘层802形成在第一绝缘层801上并且由有机材料制成。钝化层180具有暴露漏极电极175的多个接触孔185和暴露数据线171的端部的多个接触孔(未示出)。
多个像素电极190形成在钝化层180或者夹层绝缘层160上，优选地，所述多个像素电极190由至少一种透明导体例如ITO或者IZO和具有反射模式或半透明模式的不透明反射导体例如Al或Ag制成。
像素电极190位于显示区D中，并且通过接触孔185与漏极电极175物理连接和电连接，以使像素电极190通过漏极电极175从漏极区155接收数据电压。
返回参照图2，被供给数据电压的像素电极190与另一个面板200上的公共电极270一起产生电场，这样确定了位于面板之间的液晶层3中的液晶分子的取向，或者在位于面板之间的发光元件(未示出)中产生电流。
如上所述，像素电极190和公共电极形成液晶电容器，包括存储电极137的存储电极线131、像素电极190和与像素电极190连接的漏极区155一起形成存储电容器。
具体地，当钝化层180由低介电绝缘体制成时，像素电极190可与栅极线121和数据线171交迭，从而增加开口率。
如上所述，根据本发明实施例的TFT阵列面板100具有显示区D外部的端部129和179(见图3)，以使栅极线121和数据线171与栅极驱动IC芯片440和数据驱动IC芯片540电连接，端部129和179与测试线125、126a和126b分组连接。现在，参照图6至图8还有图3来描述栅极VI测试线126a、126b和栅极线121的端部129的连接部分的结构。
图6是在根据本发明实施例的栅极线和栅极VI测试线的连接部分A的示意性布局图，图7是图6中所示的连接部分A的放大布局图，图8是沿着线VIII-VIII′截取的图7中所示的TFT阵列面板的剖视图。
参照图6，栅极线121的端部129与栅极VI测试线126a和126b连接。两条测试线126a和126b的一条通过端部129与奇数栅极线121连接，另一条测试线126b与偶数栅极线121连接。
详细地，阻挡膜111和栅极绝缘层140向着绝缘基板110上的连接部分延伸，第一栅极VI测试线126a、第二栅极VI测试线126b和栅极线121的端部129形成在阻挡膜111和栅极绝缘层140上。
栅极线121的端部129在第一方向上延伸并且具有较宽的扩大部分123。
第一栅极VI测试线126a和第二栅极VI测试线126b基本上在第二方向上延伸，并且与栅极线121分离。第一栅极VI测试线126a包括向奇数栅极线121的端部129突出的突出部分，第二栅极VI测试线126b包括向偶数栅极线121的端部129突出的突出部分。虽然第一栅极VI测试线126a、第二栅极VI测试线126b的突出部分在相同的方向上突出，但是在许多实施例中，可以在彼此相对的方向上突出。
第一夹层绝缘层801和第二夹层绝缘层802顺序形成在第一栅极VI测试线126a、第二栅极VI测试线126b、暴露的栅极绝缘层140、栅极线121的端部129上。
第一夹层绝缘层801和第二夹层绝缘层802具有分别暴露栅极线121的端部129和第一栅极VI测试线126a的突出部分、第二栅极VI测试线126b的突出部分的多个接触孔188a、188b、189a和189b。优选地，接触孔188a、188b、189a和189b暴露栅极线121的端部129的边界线和第一栅极VI测试线126a、第二栅极VI测试线126b的突出部分。
多个第一导电层89a和第二导电层89b形成在与像素电极190相同层的第二夹层绝缘层802上。
多个第一导电层89a通过第一辅助测试线89a′彼此连接，并且它们通过接触孔189a和188a将奇数栅极线121的端部129和第一栅极VI测试线126a电接触和物理连接。第一导电层89a形成第一辅助测试线89a′的突出部分，第一导电层89a完全覆盖接触孔189a和188a。
多个第二导电层89b通过第二辅助测试线89b′彼此连接，并且通过接触孔189b和188b将偶数栅极线121的端部129和第二栅极VI测试线126b电连接和物理连接。第二导电层89b形成第二辅助测试线89b′的突出部分，第二导电层89b完全覆盖接触孔189b和188b。
在本发明中，多个各第一导电层89a和第二导电层89b与第一辅助测试线89a′和第二辅助测试线89b′公共连接，从而完全覆盖接触孔188a、189a、188b和189b，以保护并且防止第一栅极VI测试线126a和第二栅极VI测试线126b断开。因此，防止了由蚀刻液导致的腐蚀或者接触不良，从而提高了连接的可靠性。
图9是根据本发明另一个实施例的LCD的TFT阵列面板中的连接结构的布局图。
参照图9，根据本发明本实施例的TFT阵列面板的主要结构与图7和图8中的结构相同.即，栅极线121的端部129在第一方向上延伸，并且具有宽的扩大部分123.第一栅极VI测试线126a和第二栅极VI测试线126b基本上在第二方向上延伸，并且与栅极线121分离.第一栅极VI测试线126a包括向奇数栅极线121的端部129突出的突出部分，第二栅极VI测试线126b包括向偶数栅极线121的端部129突出的突出部分.第一夹层绝缘层801和第二夹层绝缘层802顺序形成在栅极线121的端部129、第一栅极VI测试线126a和第二栅极VI测试线126b以及暴露的栅极绝缘层140上.
第一夹层绝缘层801和第二夹层绝缘层802具有分别暴露栅极线121的端部129的扩大部分、第一栅极VI测试线126a和第二栅极VI测试线126b的突出部分的多个接触孔188a、189a、188b和189b。多个第一导电层89a和第二导电层89b形成在第二夹层绝缘层802上，并且分别形成第一辅助测试线89a′的突出部分和第二辅助测试线89b′的突出部分。
然而，与图7和图8中所示的不同，第一栅极VI测试线126a具有凹进的突出部分，即，具有在远离栅极线的方向上突出的突出部分。
图10是根据本发明又一个实施例的LCD的TFT阵列面板中的连接的结构的布局图。
参照图10，根据本发明本实施例的TFT阵列面板的主要结构与图7和图8中的结构相同。
然而，在图10中示出的实施例中没有使用第一辅助测试线和第二辅助测试线，因此，将栅极线121的端部129与第一栅极VI测试线126a和第二栅极VI测试线126b连接的多个各导电层89a和89b彼此分离。
可使用上述连接结构将数据线171和数据VI测试线125连接，辅助导电层可被添加到第一辅助测试线89a′和第二辅助测试线89b′的端部或者与数据线171在相同层中的栅极线121的端部129。
另外，上述发明可适用于其它平板显示装置例如OLED显示器。
在本发明中，测试线的突出部分位于向着信号线的相同方向上，或者将测试线与信号线连接的导电层彼此连接，从而防止了测试线或者测试线和信号线的断开。因此，提高了连接的可靠性，将连接的接触电阻最小化，改善了LCD的性能。
尽管上面已经详细描述了本发明的优选实施例，但是应该清楚地理解，本发明领域内的技术人员会清楚的这里教导的基本发明构思的许多改变和修改将仍然落入由权利要求所限定的本发明的精神和范围内。
本发明申请要求2004年11月8日提交的韩国专利申请号为第10-2004-0090375号的优先权，其内容通过引用完全地包含于此。
Claims (18)
1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：
多条栅极线；
多条数据线，与所述栅极线交叉；
多个开关元件，分别与所述栅极线和所述数据线连接；
多个像素电极，分别与所述开关元件连接；
多条测试线，位于所述栅极线或者所述数据线的端部附近；
绝缘层，覆盖所述栅极线、所述数据线和所述开关元件，并且具有暴露所述栅极线的所述端部或者所述数据线的所述端部的多个第一接触孔和暴露所述测试线的多个第二接触孔；
多条辅助测试线，形成在所述绝缘层上，并且与多个导电层公共连接，其中，所述导电层通过所述第一接触孔和所述第二接触孔将至少一条测试线与所述栅极线或者所述数据线连接。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述栅极线或者所述数据线的端部分别具有扩大部分，所述测试线具有与所述扩大部分对应的突出部分。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述第一接触孔暴露所述突出部分的边界线，所述第二接触孔暴露所述扩大部分的边界线。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述导电层完全覆盖所述第一接触孔和所述第二接触孔。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述测试线包括第一测试线和第二测试线，
其中，所述第一测试线通过与奇数栅极线结合的所述导电层与所述奇数栅极线公共连接，所述第二测试线通过与偶数栅极线结合的所述导电层与所述偶数栅极线公共连接，
其中，所述辅助测试线包括第一辅助测试线和第二辅助测试线，所述第一辅助测试线将与所述奇数栅极线结合的所述导电层彼此连接，所述第二辅助测试线将与所述偶数栅极线结合的所述导电层彼此连接。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述第一测试线的突出部分和所述第二测试线的突出部分在向着所述栅极线的所述端部的相同的方向上突出。
7.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述第一测试线的所述突出部分和所述第二测试线的所述突出部分在彼此相对的方向上突出。
8.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述辅助测试线与所述像素电极形成在相同层上。
9.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述测试线与所述栅极线形成在相同层上。
10.一种液晶显示器，包括：
多条栅极线；
多条数据线，与所述栅极线交叉；
多个开关元件，分别与所述栅极线和所述数据线连接；
多个像素电极，分别与所述开关元件连接；
多条测试线，位于所述栅极线或者所述数据线的端部附近；
绝缘层，覆盖栅极线、数据线和开关元件；
多条辅助测试线，形成在所述绝缘层上并且与多个导电层公共连接，其中，所述导电层通过第一接触孔和第二接触孔将至少一条测试线与所述栅极线或者所述数据线连接。
11.如权利要求10所述的液晶显示器，其中，所述栅极线或者所述数据线的端部分别具有扩大部分，所述测试线具有与所述扩大部分对应的突出部分。
12.如权利要求11所述的液晶显示器，其中，所述测试线包括第一测试线和第二测试线，
其中，所述第一测试线通过与奇数栅极线对应的所述导电层和所述奇数栅极线公共连接，所述第二测试线通过与偶数栅极线对应的所述导电层和所述偶数栅极线公共连接，
其中，所述辅助测试线包括第一辅助测试线和第二辅助测试线，所述第一辅助测试线将与所述奇数栅极线结合的所述导电层彼此连接，所述第二辅助测试线将与所述偶数栅极线结合的所述导电层彼此连接。
13.如权利要求12所述的液晶显示器，其中，所述第一测试线的突出部分和所述第二测试线的突出部分在向着所述栅极线的所述端部的相同的方向上突出。
14.如权利要求12所述的液晶显示器，其中，所述第一测试线的突出部分和所述第二测试线的所述突出部分在彼此相对的方向上突出。
15.如权利要求10所述的液晶显示器，其中，所述辅助测试线与所述像素电极形成在相同层上。
16.如权利要求10所述的液晶显示器，其中，所述测试线与所述栅极线形成在相同层上。
17.如权利要求11所述的液晶显示器，其中，所述绝缘层包括暴露所述栅极线或者所述数据线的所述端部的多个第一接触孔和暴露所述测试线的多个第二接触孔，
其中，所述第一接触孔暴露所述扩大部分的边界线，所述第二接触孔暴露所述突出部分的边界线。
18.如权利要求17所述的液晶显示器，其中，所述导电层完全覆盖所述第一接触孔和所述第二接触孔。
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Families Citing this family (19)
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|---|---|---|---|---|
| CN101252136A (zh) * | 2008-03-31 | 2008-08-27 | 昆山龙腾光电有限公司 | 薄膜晶体管基板及具有该薄膜晶体管基板的液晶显示装置 |
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| KR101202566B1 (ko) * | 2008-10-01 | 2012-11-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 |
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| CN101989014A (zh) * | 2009-08-05 | 2011-03-23 | 奇美电子股份有限公司 | 显示面板、其组装方法与液晶显示器 |
| CN102236179B (zh) | 2010-05-07 | 2014-03-19 | 北京京东方光电科技有限公司 | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 |
| CN102280436B (zh) * | 2010-06-09 | 2014-08-06 | 北京京东方光电科技有限公司 | 薄膜金属层接线结构及其制造方法和阵列基板 |
| US9276019B2 (en) * | 2011-07-19 | 2016-03-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing element substrate |
| CN102662259A (zh) * | 2012-04-27 | 2012-09-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示装置及其制造方法 |
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| US9449967B1 (en) * | 2013-03-15 | 2016-09-20 | Fujitsu Semiconductor Limited | Transistor array structure |
| JP6189151B2 (ja) * | 2013-09-13 | 2017-08-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN104035217B (zh) * | 2014-05-21 | 2016-08-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示器阵列基板的外围测试线路以及液晶显示面板 |
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| TWI662341B (zh) * | 2018-05-31 | 2019-06-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
| CN109742037B (zh) * | 2019-01-03 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种测试基板及其制作方法、测试方法 |
| TWI718772B (zh) | 2019-11-20 | 2021-02-11 | 元太科技工業股份有限公司 | 顯示裝置 |
| KR20210135385A (ko) * | 2020-05-04 | 2021-11-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 게이트 검사부 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| CN114678406A (zh) * | 2022-03-21 | 2022-06-28 | 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 | 显示面板和显示装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004027868A2 (en) * | 2002-09-20 | 2004-04-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electrical device, a method for manufacturing an electrical device, test structure, a method for manufacturing such a test structure and a method for testing a display panel |
| CN1495498A (zh) * | 2002-08-23 | 2004-05-12 | 三星电子株式会社 | 液晶显示器及其测试方法和制造方法 |
| CN1503040A (zh) * | 2002-11-19 | 2004-06-09 | 三星电子株式会社 | 液晶显示器及其测试方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06250197A (ja) * | 1993-02-23 | 1994-09-09 | Fujitsu Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示パネル |
| JP2555987B2 (ja) * | 1994-06-23 | 1996-11-20 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス基板 |
| JP3072707B2 (ja) * | 1995-10-31 | 2000-08-07 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| KR100232177B1 (ko) | 1996-07-22 | 1999-12-01 | 구본준 | 액정 표시 장치의 쇼팅바 및 그의 제조방법 |
| KR100239779B1 (ko) * | 1996-12-04 | 2000-01-15 | 구본준 | 액정표시장치 |
| TW396370B (en) * | 1997-12-05 | 2000-07-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Liquid crystal displays, manufacturing methods and testing methods thereof |
| KR100679518B1 (ko) * | 2000-07-13 | 2007-02-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
| KR100503128B1 (ko) | 2000-09-04 | 2005-07-25 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
| TW543145B (en) | 2001-10-11 | 2003-07-21 | Samsung Electronics Co Ltd | A thin film transistor array panel and a method of the same |
| KR100831280B1 (ko) | 2001-12-26 | 2008-05-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
| KR100443539B1 (ko) * | 2002-04-16 | 2004-08-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
| DE60336441D1 (de) * | 2002-09-02 | 2011-05-05 | Samsung Electronics Co Ltd | Kontaktstruktur für eine Halbleitervorrichtung, dünnschichtige Transistoranordnung mit einer solchen Kontaktstruktur und dessen Herstellungsmethode |
| KR20040060044A (ko) | 2002-12-30 | 2004-07-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
-
2004
- 2004-11-08 KR KR1020040090375A patent/KR101100883B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-03-16 JP JP2005074987A patent/JP5014582B2/ja active Active
- 2005-11-07 US US11/268,877 patent/US7626670B2/en active Active
- 2005-11-07 TW TW094138958A patent/TWI398712B/zh active
- 2005-11-08 CN CN2005101156855A patent/CN1773357B/zh active Active
-
2009
- 2009-08-04 US US12/535,547 patent/US7894034B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1495498A (zh) * | 2002-08-23 | 2004-05-12 | 三星电子株式会社 | 液晶显示器及其测试方法和制造方法 |
| WO2004027868A2 (en) * | 2002-09-20 | 2004-04-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electrical device, a method for manufacturing an electrical device, test structure, a method for manufacturing such a test structure and a method for testing a display panel |
| CN1503040A (zh) * | 2002-11-19 | 2004-06-09 | 三星电子株式会社 | 液晶显示器及其测试方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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