CN1768454A - 各向异性导电膜及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种各向异性导电膜，包括由合成树脂制成具有多孔膜形状并具有电绝缘性质的基膜，和在基膜上的多个位置以从第一表面穿透到第二表面的方式粘附到多孔结构的树脂部分的导电金属，其中可以在膜厚方向导电的导电部分是独立设置的；以及制造该各向异性导电膜的方法。

Description

各向异性导电膜及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种各向异性导电膜及其制造方法，且更具体地涉及一种适合使用于半导体器件的老化测试的各向异性导电膜及其制造方法。
背景技术
进行老化测试作为筛选(screening)技术以除去半导体器件中的初始故障。在老化测试中，应用温度和压力都比半导体器件的操作条件高的加速应力(accelerated stress)，因此加速了故障的发生，使得缺陷产品能在短期内被除去。例如，很多已封装的半导体器件排列在老化板上，作为加速应力的电源电压和输入信号施加于高温电解槽(bath)中给定时间。此后，这些半导体器件被移到外面，并进行关于它们质量可接受性的鉴别测试(judgmenttest)。在鉴别测试中，进行关于半导体器件的缺陷而导致的漏电流的升高、多层互联中的缺陷导致的缺陷产品、接触失效等鉴别。老化测试也在半导体晶片阶段进行。
当进行半导体晶片的老化测试时，例如，测试可以通过半导体晶片表面上由铝制成的电极衬垫来进行。在这种情况下，为了弥补由于在半导体晶片的电极衬垫与测试设备的头电极(head electrode)之间的电极高度变化而导致的接触缺陷，通常在这些电极之间放置仅在膜厚方向上导电的接触片，以完成检测。因为其仅在根据相应于表面电极的图样排列的导电部分(其也被称为“导电通路”或“电极部分”)的膜厚方向上显示出导电性的特性，该接触片被称作各向异性导电膜(或“各向异性导电片”)。
在过去的电子技术领域，如图6所示的各向异性导电部分61已被公知用于连接封装的集成电路与印刷电路板。在各向异性导电部分61中，形成导电部分62使得平坦多孔柔性材料63用作不导电的绝缘部分，并使导电材料填充在沿至少一个垂直方向(Z轴方向)划分的剖面并用环氧树脂等粘结剂固定。这种各向异性导电部分的例子在PCT国际申请NO.10-503320的日文译文中描述了。然而，各向异性导电部分61不适合作需要重复使用的老化测试中使用的各向异性导电膜。当各向异性导电部分61用作老化测试中的各向异性导电膜时，导电部分62被检查过程中施加的压力弯折，且不能显示弹性恢复。因此，一旦它们在一次检测中使用之后，就必须被丢弃。这导致了昂贵的检测。
同样，日本专利公开No.10-12673公开了一种用于安装半导体器件的片71。如图7所示，该片71被构建使得通过在用于密封74的绝缘片上在其厚度方向上设置多个通孔并通过以导电通路材料填充该通孔而形成导电部分72，该片由热固型树脂例如环氧树脂材料制成，该导电通路材料以使导电粒子73分散在合成橡胶中的方式而形成。在这种情况下使用的导电粒子是例如金属或合金粒子，或具有导电金属镀覆到聚合物粒子表面的结构的胶囊型导电粒子。
当用于安装半导体器件的片71在膜厚方向受压时，导电通路72的合成橡胶被压缩使得导电粒子73彼此连接，从而仅在导电通路的膜厚方向上获得电连续性。然而，当用于安装半导体器件的片71用于老化测试时，该各向异性导电膜需要高压缩负荷以获得在膜厚方向的导电性，而且其弹性随着合成橡胶弹性的破坏而破坏。因此，不可能在老化测试中重复使用片71。所以，用于安装半导体器件的具有这种结构的片不适合用作半导体晶片等的老化测试中使用的各向异性导电膜。
另一方面，用作半导体晶片老化测试中的内插结构的各向异性导电膜除了具有连接半导体晶片的表面电极与测试设备的头电极以及连接半导体晶片的线与半导体封装的终端等功能之外，还需要具有应力释放功能。因此，该各向异性导电膜必须在膜厚方向具有弹性以能够在低压缩负荷下沿膜厚方向具有导电性。此外，必须具有适合重复使用的弹性恢复性质。同时，要求被用于检测的该各向异性导电膜的导电部分的尺寸和节距图形根据高密度封装而被制得精细。然而，根据传统技术，不能发展出能充分满足这些要求的各向异性导电膜。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种各向异性导电膜，其主要用于半导体晶片检测，且其在膜厚方向是弹性的使得能够以低压缩负荷提供膜厚方向的导电性。本发明的另一个目的是提供一种各向异性导电膜，其中导电部分的尺寸和节距可以被制得精细。
在为了实现所述目的的调查和研究过程中，本发明的发明人针对由合成树脂制成的电绝缘多孔膜，因为其具有适合于弹性恢复的弹性且适合作各向异性导电膜的基膜。然而，在具有通过在其特定部分的多孔结构中填充导电金属而设置的导电部分的多孔膜的情况下，当施加压缩负荷时，导电金属块弯曲且不能进行弹性恢复。所以，这样形成的多孔膜不能重复使用。
这样，作为连续调查的结果，发现通过在多孔膜的多个位置使导电金属粘附到多孔结构中含树脂部分使其穿透厚度方向而制成导电部分的情况下，可以维持导电部分中的多孔结构。虽然由于粘附到多孔结构的树脂部分的导电金属而不能在导电部分完全维持多孔膜的初始多孔结构，但可能在一定程度上维持多孔结构。即，在本发明的各向异性导电膜中，导电部分是多孔结构。
因此，不仅在基膜中，而且在导电部分中，本发明的各向异性导电膜具有在压力下的弹性恢复性质和弹性，并能用于重复使用。同时，本发明的各向异性导电膜可以在低压缩负荷下在膜厚方向导电。此外，在本发明的各向异性导电膜中，导电部分和各导电部分之间的节距可以被制得精细。这样，本发明基于此发现和认识而完成。
根据本发明提供的各向异性导电膜的特点在于，由合成橡胶制成的电绝缘多孔膜被用作基膜，还在于可以设置为在膜厚方向具有导电性的导电部分是在基膜的多个位置通过将导电金属粘附到多孔结构的树脂部分使其穿透第一表面到达第二表面而独立形成的。
同时，根据本发明提供了制造各向异性导电膜的方法，该方法的特点在于，可以设置为在膜厚方向具有导电性的导电部分是在基膜的多个位置通过将导电金属粘附到多孔结构的树脂部分使其从第一表面到第二表面贯穿而独立形成的，其中基膜是由合成橡胶制成的电绝缘多孔膜。
此外，根据本发明，提供了制造各向异性导电膜的下述方法1到3：
1.一种制造各向异性导电膜的方法，其中在由多孔聚四氟乙烯膜构成的基膜的多个位置，以从第一表面穿透到第二表面的方式在多孔结构的树脂部分粘附导电金属，从而分别独立地设置能够在膜厚方向上赋予导电性的各个导电部分，
该方法包括如下步骤：
(1)通过将作为掩模层的聚四氟乙烯膜(B)和(C)熔融接合到由多孔聚四氟乙烯膜(A)构成的基膜的两表面，而形成三层层状主体；
(2)通过同步加速辐射线或以波长为250nm或更短的激光束照射一个掩模层的表面而在层状主体中以一图样形成穿透孔，该同步加速辐射线或激光束通过具有多个以预定图样彼此独立设置的光学透射部分的遮光片而照射；
(3)将用于加速化学还原反应的催化剂粒子粘附到层状主体的整个表面，包括穿透孔的壁面；
(4)从基膜的两表面剥蚀掉掩模；和
(5)通过无电镀在穿透孔的壁面将导电金属粘附到具有多孔结构的树脂部分中。
2.一种制造各向异性导电膜的方法，其中在由多孔聚四氟乙烯膜构成的基膜的多个位置，以从第一表面穿透到第二表面的方式在多孔结构的树脂部分粘附导电金属，从而分别独立地设置能够在膜厚方向上赋予导电性的各个导电部分，
该方法包括如下步骤：
(I)通过将作为掩模层的聚四氟乙烯膜(B)和(C)熔融接合到由多孔聚四氟乙烯膜(A)构成的基膜的两表面，而形成三层层状主体；
(II)通过采用具有至少一个形成于其前端部的杆的超声波头，并将杆的前端部按压在层状主体的表面上而将超声波能量施加到该层状主体的表面上而形成穿透孔，所述穿透孔以一图样排列在层状主体中；
(III)将用于加速化学还原反应的催化剂粒子粘附到层状主体整个表面，包括所述穿透孔壁面；
(IV)从基膜的两表面将掩模层剥离；
(V)通过无电镀在穿透孔的壁面上将导电金属粘附到具有多孔结构的树脂部分中。
3.一种制造各向异性导电膜的方法，其中在由多孔聚四氟乙烯膜构成的基膜的多个位置，以从第一表面穿透到第二表面的方式在多孔结构的树脂部分粘附导电金属，从而分别独立地设置能够在膜厚方向上赋予导电性的各个导电部分，
该方法包括如下步骤：
(i)通过将作为掩模层的聚四氟乙烯膜(B)和(C)熔融接合到由多孔聚四氟乙烯膜(A)构成的基膜的两表面，而形成三层层状主体；
(ii)将液体渗透进层状主体的多孔部分并冻结该液体；
(iii)通过采用具有至少一个形成于其前端部的杆的超声波头，并将杆的端部按压在所述层状主体的表面上而将超声波能量施加到该表面上，在层状主体中以一图样形成穿透孔；
(iv)通过升高所述层状主体的温度而将被冻结的恢复为液体，并除去所述液体；
(v)将用于加速化学还原反应的催化剂粒子粘附到层状主体整个表面，包括所述穿透孔壁面；
(vi)从基膜的表面将掩模层剥离；
(vii)通过无电镀在穿透孔的壁面上将导电金属粘附到具有多孔结构的树脂部分中。
根据本发明，可以提供一种各向异性导电膜，其在膜厚方向具有导电性，且其中可以通过低压缩负荷在膜厚方向赋予导电性，此外其能够弹性恢复并适合重复使用。同时，根据本发明，提供了一种各向异性导电膜，其中各个导电部分的尺寸和节距可以被制得精细。本发明的各向异性导电膜能在低压缩负荷下在膜厚方向显示电连续性。且是主要适合于半导体晶片检测等的各向异性导电膜，此外，即使重复施加负荷，由于弹性其膜厚也能恢复，因此允许重复用于检测。
附图说明
图1是穿透孔形成于其中的多孔膜的透视图。
图2是示出导电部分形成条件的剖面图，导电金属粒子粘附到在本发明的各向异性导电膜的穿透孔的各个壁面上的多孔结构的树脂部分。
图3是示出穿透孔直径与导电部分(电极)外径b之间关系的示意图。
图4是示出层状主体的制造工艺的剖面图，其中心层是基膜。
图5是用于各向异性导电膜检测的导电确认(confirmation)设备的剖面轮廓图。
图6是示出常规各向异性导电膜的一个例子的剖面图。
图7是示出常规各向异性导电膜的另一个例子的剖面图。
图8是在比较例1中制造的各向异性导电片的剖面图。
图9是在比较例2中制造的各向异性导电片的剖面图。
图10是示出在多孔膜中通过使用超声波方法形成穿透孔的方法的示意图。
具体实施方式
1、多孔膜(基膜)
用于半导体晶片老化测试等的各向异性导电膜优选具有好的基膜耐热性。该各向异性导电膜在横向(即，垂直于膜厚方向)必须具有电绝缘性质。所以，用于形成多孔膜的合成树脂必须具有电绝缘性质。
用于形成能用作基膜的多孔膜的合成树脂材料的例子是氟树脂，例如聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)、聚全氟乙丙烯(tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer，FEP)、聚四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚(tetrafluoroethylene-perfluoroalkylvinylether copolymer，PFA)、聚偏二氟乙烯(polyvinylidene fluoride，PVDF)、聚偏二氟乙烯共聚物(polyvinylidene fluoride copolymer)，乙烯-四氟乙烯共聚物(ethylene-tetrafluoroethylene copolymer，ETFE树脂)；和工程塑料，例如聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚酰胺-酰亚胺(polyamide-imide，PAI)、聚酰胺(polyamide，PA)、聚苯醚(polyphenylene ether，mPPE)、聚苯硫醚(polyphenylenesulfide，PPS)、聚醚醚酮(poly ether ether ketone，PEEK)、聚砜(polysulfone，PSU)、聚醚砜(polyethersulfone，PES)、液晶聚合物(liquidcrystal polymer，LCP)；等。在这些材料中，从抗热性、可加工性、机械特性、介电性质等角度考虑，聚四氟乙烯是特别优选的。
制备由合成树脂制成的多孔膜的方法是，例如钻孔、相分离、溶剂萃取、延展和激光照射。通过使用合成树脂形成多孔膜，可能在膜厚方向提供弹性并进一步降低介电常数(permittivity)。
用作各向异性导电膜的基膜的多孔膜优选具有大约20-80％的孔隙率。从使导电部分的节距精细的角度考虑，该多孔膜优选具有等于或小于10μm的平均孔径或者等于或大于2kPa的起泡点(bubble point)，且更优选具有等于或小于1μm的平均孔径或者等于或大于10kPa的起泡点(bubble point)。该多孔膜的膜厚可以根据使用的目的和位置任意选择，且通常等于或小于3mm，优选等于或小于1mm。特别地，在用于老化测试的各向异性导电膜中的多孔膜的膜厚在很多情况下优选约为5-500μm，更优选为大约10-200μm，且最优选为大约15-100μm。
在各种多孔膜中，通过延展方法获得的多孔聚四氟乙烯膜(此后，简称为“多孔PTFE膜”)是最适合用作各向异性导电膜的基膜的材料，因为其容易获得不但有好的抗热性、可加工性、机械特性、介电性质等，而且具有均匀的孔径大小分布的多孔膜。
本发明中使用的多孔PTFE膜能通过例如日本专利申请公开No.S42-13560B中描述的方法制造。首先，液态润滑剂与未烧结的PTFE粉末混合，且获得的混合物通过连杆按压(ram extruding)被压缩为管状或平面状。如果要获得具有薄的厚度的片，则通过减速辊进行平板体的碾压(rolling)。在按压或碾压工艺之后，如果需要，从按压或碾压后的产物中除去液态润滑剂。这样获得的按压或碾压后的产物至少在一个轴的方向被延展，使得可以获得未烧结的多孔聚四氟乙烯膜。如果未烧结的多孔PTFE膜被加热到等于或高于聚四氟乙烯的熔点327℃的温度，且在被固定以阻止其收缩时在这种延展态被烧结和固化，可以获得极高强度的多孔PTFE膜。当该多孔PTFE膜是管状时，该管状膜可以通过切开而成为平坦膜。
通过延展方法获得的多孔PTFE膜具有微型纤维状结构，包括通过微纤维连接到一起的极细纤维(微纤维，fibril)和结(节点)在该多孔PTFE膜中，该微纤维结构形成了多孔结构。
2、导电部分(电极)的形成
在本发明中，导电金属以从第一表面到第二表面的穿透方式，在基膜的多个位置粘附到多孔结构的树脂部分，使得能赋予膜厚方向的导电性的导电部分可以彼此独立设置，所述基膜包括由合成树脂制成的电绝缘多孔膜。
为了在基膜的多个位置形成导电部分，首先，必须规定导电金属要粘附的位置。在用于规定导电金属粘附位置的一种方法中，例如，多孔膜充满液态抗蚀剂且以一图样曝光，使得被显影后除去抗蚀剂的部分(此后称为“抗蚀剂去除部分”)被确定为导电金属将要粘附的位置。在根据本发明的确定导电金属粘附位置的优选方法中，可以在多孔膜规定位置的膜厚方向形成微小的穿透孔，且该穿透孔的壁面可以用作导电金属的粘附位置。与其中采用光刻技术的先前的方法相比，其中在多孔膜中形成多个穿透孔的本发明的方法适用于导电金属粘附在微小节距的情况下。在多孔膜中形成多个穿透孔的方法也适用于例如形成具有等于或小于30μm，且进一步等于或小于25μm的微小直径的导电部分。
在本发明中，通过在组成多孔膜的基膜中的多个位置，以从第一表面到第二表面穿透的方式将导电金属粘附到多孔结构的树脂部分而形成导电部分。在使用光刻技术的方法中，导电金属粒子通过无电镀方法等淀积在抗蚀剂去除部分，使得导电金属可以连续地粘附到多孔结构的树脂部分。在这种情况下，导电金属在抗蚀剂去除部分，以从第一表面到第二表面穿透的方式连续粘附到多孔结构的树脂部分。在其中形成有穿透孔的本发明的特有方法中，导电金属粒子通过无电镀方法等淀积以粘附到穿透孔壁面中多孔结构的暴露的树脂部分。
术语“多孔结构的树脂部分”意思是形成多孔膜的多孔结构的框架。多孔结构的树脂部分的形状依多孔膜的种类和形成多孔膜的方法而不同。例如，在延展方法形成多孔PTFE膜的情况下，由于该多孔结构包括通过微纤维彼此连接的多个微纤维和多个结，该树脂部分是微纤维和结。
通过粘附导电金属到多孔结构的树脂部分形成导电部分。在这种情况下，通过适当控制导电金属的粘附数量，在导电部分可以保持该多孔结构。在本发明的各向异性导电膜中，由于导电金属沿多孔结构树脂部分的表面粘附，因此导电金属层变成与多孔结构结合的多孔状，且因此可以说导电部分是多孔的。
当采用无电镀等方法时，导电金属粒子粘附到多孔结构的树脂部分。在本发明的各向异性导电膜中，导电金属粒子可以粘附到构成多孔膜的多孔结构(多孔性)在某种程度上被保持的位置。多孔结构的树脂部分的厚度(例如，微纤维的厚度)优选等于或小于50μm。导电金属粒子的粒子直径优选约为0.001-5μm。导电金属粒子的粘附数量优选约为0.01-4.0g/ml以保持多孔性和弹性。如果导电金属粒子的粘附数量过多，依据被用作基膜的多孔膜的孔隙率，该各向异性导电膜的弹性过分升高，且在通常采用的压缩负荷的情况下，该各向异性导电膜的弹性恢复性能显著变差。如果导电金属粒子的粘附数量太少，则难于通过施加压缩负荷实现膜厚方向的电连接。
下面将参照附图描述将导电金属粒子粘附到穿透孔壁面的多孔结构的树脂部分的方法。图1是其中形成穿透孔的多孔膜的透视图。在多孔膜(基膜)1中形成多个从第一表面2到第二表面3贯穿的穿透孔4。这些穿透孔通常以给定图样形成在多孔膜中。图2是沿图1的A-A’线的剖面图，示出了导电金属粒子粘附到穿透孔壁面上的多孔结构的树脂部分而形成导电部分的状态。在图2中，是基膜的多孔膜6在多个预定位置设有穿透孔4，且导电部分5由导电金属粒子粘附到穿透孔壁面上的多孔结构的树脂部分而形成。该导电部分具有作为多孔结构的特点，因为它们是粘附到多孔结构的树脂部分的表面而形成的，且因此可以通过在膜厚方向施加压力(压缩负荷)而只在膜厚方向提供导电性。由于包括导电部分的各向异性导电膜当压力被去除时完成弹性恢复，因此本发明的各向异性导电膜可以重复使用。
图3是图2导电部分的放大剖面图，且a代表穿透孔的直径，b代表通过粘附导电金属粒子而形成的导电部分(电极)的直径(外径)。导电部分的直径b大于穿透孔的直径a，因为导电金属粒子以稍微渗透进穿透孔壁面的多孔结构的状态粘附。
优选地，本发明的各向异性导电膜在无压缩负荷施加于其上的条件下具有高的导电部分电阻值，且当预定压缩负荷施加时具有等于或小于0.5Ω的导电部分电阻值。采用图5所示的导电确认设备进行导电部分电阻值的测量，且细节将在示例部分描述。
如果穿透孔简单设置在图1所示的多孔膜的多个位置，则难以通过无电镀等方法把导电金属仅粘附到穿透孔的壁面。例如，当多孔PTFE膜用作多孔膜时，除了穿透孔的壁面以外，导电金属粒子还将淀积在多孔结构的整个树脂部分。因此，在本发明中，推荐使用例如掩模作为将导电粒子仅粘附到穿透孔壁面的方法，掩模层形成在基膜的两个表面使得在无电镀中用于加速化学还原反应的催化剂粒子不粘附到基膜表面。
例如，当用延展方法制成的多孔PTFE膜被用作基膜时，优选用与基膜相同材料的聚四氟乙烯膜作为掩模层材料，因为其不仅具有与基膜之间好的粘着性，允许穿透孔与基膜同时形成，而且在结束其作为掩模层的作用后可以容易地与基膜分离。同时，从提高用于形成穿透孔的蚀刻率以及在结束其作为掩模层的作用后便于与基膜分离的角度，掩模层更优选由多孔PTFE膜制成。从易于进行剥落操作的角度，作为掩模层的多孔PTFE膜优选具有约为20-80％的孔隙率，且其膜厚优选等于或小于3mm，更优选等于或小于1mm，且最优选等于或小于100μm。同时，从作为掩模的防水性的角度，其平均孔径优选等于或小于10μm(或其起泡点(bubble point)等于或大于2kPa)。
将参照图4描述通过延展方法获得的多孔PTFE膜(A)用作基膜且同样材料的聚四氟乙烯膜，优选多孔PTFE膜(B)和(C)用作掩模的例子。通过熔融胶合多孔PTFE膜(B)44和(C)45形成三层层状主体，作为由多孔PTFE膜(A)43构成的基膜两面的掩模，如图4所示。更具体地，这些多孔PTFE膜堆叠成如图4所示的三层，且该叠层的两面夹入两片不锈钢板41和42中间。每个不锈钢板都具有平行的表面。通过在320-380℃下加热不锈钢板30分钟或以上，三层多孔PTFE膜被熔化并连接在一起。优选地，在热处理之后采用冷水等进行淬火以提高该多孔PTFE膜的机械强度。这样，三层层状主体就形成了。
至于在多孔膜的特定位置沿膜厚方向形成穿透孔的方法，有例如化学蚀刻法、热解法、采用激光束或软X射线照射的磨蚀法、超声波法。当由延展法制成的多孔PTFE膜用作基膜时，优选的方法是超声波法和发射同步加速辐射线或波长为250nm或更短的激光束。
制造各向异性导电膜的方法，其中采用多孔PTFE膜作为基膜且包括通过发射同步加速辐射线或波长等于或小于250nm的激光束而形成穿透孔步骤的，优选包括：(1)通过将作为掩模层的聚四氟乙烯膜(B)和(C)熔融接合于由多孔聚四氟乙烯膜(A)构成的基膜的两表面，形成三层层状主体的步骤；(2)通过以同步加速辐射线或波长为250nm或更短的激光束照射一个掩模层的表面而在层状主体中以一图样形成穿透孔的步骤，该同步加速辐射线或激光束通过具有多个以预定图样彼此独立设置的光学透射部分的遮光片而照射；(3)将用于加速化学还原反应的催化剂粒子粘附到层状主体的整个表面，包括穿透孔的壁面的步骤；(4)从基膜的两表面剥蚀掉掩模的步骤；和(5)通过无电镀在穿透孔的壁面上将导电金属粘附到具有多孔结构的树脂部分中。
至于所述遮光片，例如优选采用钨片。在该钨片中，以一图样形成多个孔，且这些孔用作光学透射部分(此后，有时简称为“孔”)。被穿过所述遮光片的多个孔的光照射的部分是蚀刻的目标，以形成穿透孔。
遮光片的孔的图样可以是任意形状，例如圆形、星形、八角形、六角形、正方形或三角形。如果一边或直径的长度等于或大于0.1μm且如果该长度大于将采用的多孔PTFE膜的平均孔径，则孔的尺寸就足够了。由于穿透孔的直径决定了各向异性导电膜的导电部分(电极)的尺寸，它可以根据将被制备的导电部分的尺寸适当地形成。然而，在各向异性导电膜用作半导体晶片老化测试的插入结构的情况下，所述孔的尺寸优选为5-100μm，且更优选为5-30μm。所述导电部分(电极)之间的节距优选5-100μm。
为了通过超声波法在多孔膜的特定位置沿膜厚方向形成穿透孔，用超声波头101通过杆102的端部按压多孔膜103的表面而将超声波能量施加到该表面，所述超声波头101在其端部具有至少一个杆102，如图10所示。在形成穿透孔的步骤中，多孔膜103被放置在由硬材料制成的板形主体104上，例如硅、陶瓷、玻璃等。代替采用这种板状主体，杆可以以彼此面对的方式设置在多孔膜的上面和下面。
至于所述杆，优选使用由无机材料例如金属、陶瓷、玻璃等制成的棍状主体。虽然不局限于此，但从杆的强度、实用性和被制造的穿透孔的期望直径的角度，杆的直径通常从0.05-0.5mm范围选择。杆的剖面形状通常是圆形，但可以是任意形状，例如星形、八角形、六角形、方形、三角形等。代替在超声波头101的端部仅粘附一个杆102，可以设置多个杆使得通过批处理在所述多孔膜中形成多个孔。
所述杆102的按压压力通常在1gf-1kgf每杆的范围，且优选在1-100gf每杆范围。超声波频率通常在5-500kHz范围且优选在10-50kHz范围。超声波的输出通常在1-100W每杆的范围且优选在5-50W每杆范围。
如果所述杆102被按压在所述多孔膜103的表面上且超声波头工作，则超声波能量仅施加在杆的端部在多孔膜上按压的部分及其附近部分，且超声波的震荡能量会引起这些部分的温度局部升高，因此这些部分中的树脂成分由于熔化、蒸发等而分解，且因此在所述多孔膜中形成穿透孔。
通常，难于在多孔PTFE膜中通过机械加工而形成穿透孔。例如，如果在PTFE膜中通过常规的穿孔方法形成穿透孔，会发生不整齐使得难于形成具有整洁和精确形状的穿透孔。另一方面，如果采用上述超声波法，能够以低成本在所述多孔PTFE膜中容易地形成期望形状的穿透孔。
所述穿透孔的剖面形状可以是任意形状，例如圆形、星形、八角形、六角形、方形、三角形等。在适合小直径的领域中，可能使穿透孔的直径通常约为5-100μm，且优选约为5-30μm。另一方面，在适合大尺寸的领域中，可能使穿透孔的直径通常约为100-1000μm，且优选约为300-800μm。
制造各向异性导电膜的方法，其中多孔PTFE膜用作基膜，且通过超声波法在所述多孔膜的特定位置沿膜厚方向形成穿透孔，优选包括：(I)通过将作为掩模层的聚四氟乙烯膜(B)和(C)熔融接合于基膜的两个表面而形成三层层状主体的步骤，该基膜由多孔聚四氟乙烯膜(A)构成；
(II)在层状主体中以一图样形成穿透孔的步骤，通过采用具有至少一个形成于其端部的杆的超声波头，并用杆的端部按压所述层状主体的表面而将超声波能量施加到该表面上；
(III)将用于加速化学还原反应的催化剂粒子粘附到层状主体整个表面，包括所述穿透孔壁面的步骤；
(IV)从基膜的表面将掩模层剥离的步骤；
(V)通过无电镀在穿透孔的壁面中将导电金属粘附到具有多孔结构的树脂部分的步骤。
另一种制造各向异性导电膜的优选方法，其包括用多孔PTFE膜作基膜和通过超声波法在所述多孔膜的特定位置沿膜厚方向形成穿透孔，该优选方法包括：例如，(i)通过将作为掩模层的多孔聚四氟乙烯膜(B)和(C)熔融接合于基膜两个表面而形成三层层状主体的步骤，该基膜由多孔聚四氟乙烯膜(A)构成；(ii)将液体渗透进层状主体的多孔部分并冻结该液体的步骤；(iii)在层状主体中以一图样形成穿透孔的步骤，是通过采用具有至少一个形成于其端部的杆的超声波头，并用杆的端部按压所述层状主体的表面而将超声波能量施加到该表面上；(iv)通过升高所述层状主体的温度而将在所述多孔部分中被冻结的恢复为液体，并除去所述液体的步骤；(v)将用于加速化学还原反应的催化剂粒子粘附到层状主体整个表面，包括所述穿透孔壁面的步骤；(vi)从基膜的两表面将掩模层剥离的步骤；(vii)通过无电镀在穿透孔的壁面中将导电金属粘附到具有多孔结构的树脂部分的步骤。
在采用三层层状主体的情况下，在如图10所示的形成穿透孔的方法中，采用具有至少一个形成于其端部的杆102的超声波头101，通过用杆的端部按压所述层状主体(通常，三层的多孔PTFE膜)的表面而将超声波能量施加到该表面上。
在包括将液体渗透进层状主体的多孔部分并冻结该液体的步骤的方法中，所述液体例如水或醇类的有机溶剂(例如甲醇、乙醇、异丙醇等低醇)渗透进组成三叠层的多孔PTFE膜的层状主体的多孔部分，且该液体通过冷却而冻结。当渗透进的液体处于冻结状态时，采用具有至少一个在端部的杆的超声波头将超声波能量施加到所述层状主体的表面，以此提高了可加工性且能形成具有整齐图样的穿透孔。在采用水作为所述液体的情况下，如果它被零度或更低的冷却温度冻结，优选-10℃或更低，则可加工性变好。在有机溶剂例如醇类的情况下，如果它被冷却到-50℃或更低，或者优选到液氮温度，则可加工性变好。所述有机溶剂优选常温下的液体。所述有机溶剂例如醇类可以是两者或多种的混合物或者可以包含水。
至于使电绝缘多孔膜导电的方法，在例如溅射、离子镀、无电镀等方法中，优选无电镀法用于淀积和将导电金属粘附到多孔结构的树脂部分。在所述无电镀法中，通常用于加速化学还原反应的催化剂必须设置在将进行镀覆的部分。对于仅存在于所述多孔膜的特定位置的多孔结构的树脂部分来说，将催化剂仅设置到相应部分的方法是有效的。
例如，在通过仅在任意形状沿膜厚方向形成在多孔PTFE膜中的微小穿透孔的壁面(孔壁)进行无电铜镀覆而提供导电性的情况下，穿透孔形成在包括掩模层形成于其中的三层熔融胶合的层状主体中，并且所述层状主体浸泡在钯锡(Pd-Sn)合金胶催化剂溶液里，同时该溶液被充分搅拌。在所述添加催化剂的溶液中浸泡之后，当所述掩模层(B)和(C)从两表面剥离时，可以得到催化胶状粒子仅粘附于所述穿透孔的壁面的多孔PTFE膜(A)。通过将所述多孔PTFE膜(A)浸泡镀覆溶液中，可以仅在所述穿透孔的壁面淀积铜，因此形成管状导电部分(电极)。当需要特别高的导电性时，优选采用铜，虽然所述导电部分可以用铜以外的其他材料即例如镍、银、金、镍合金等材料，采用相同方法形成。对于在所述三层层状主体中形成穿透孔，优选采用超声波法和使用同步加速辐射线或等于或小于250nm的激光束的方法。
由于镀覆粒子(晶粒)淀积在位于多孔PTFE膜的穿透孔的壁面上的暴露的微纤维上，开始时是混乱的，因此，可以通过控制镀覆时间而控制导电金属的粘附条件。如果无电镀时间太短，难以在膜厚方向获得导电性。如果无电镀时间太长，所述导电金属转变为未变为多孔的金属实心物质，且因此难以在通常使用的压缩负荷下实现弹性恢复。通过将镀覆调整为合适的量，可以形成具有多孔结构的导电金属层，在膜厚方向提供弹性和导电性。
至于如上所述形成的管状导电部分(电极)，为了提高防氧化和电接触特性，优选预先采用抗氧化剂或提供贵金属或贵金属合金的盖层。从低电阻的角度，所述贵金属优选为钯、铑和金。贵金属盖层的厚度优选为0.005-0.5μm，且更优选0.01-0.1μm。如果盖层的厚度太薄，电接触性的改善就不太有效，而如果太厚，则盖层容易剥落。两者情况都不可取。例如，为了用金覆盖导电部分，用约8nm厚的镍覆盖导电金属层并用金进行置换镀覆是有效的。
下面描述了实例及比较例以更具体地解释本发明。然而，本发明不局限于这些实例。
(1)起泡点(bubble point)(BP)
根据ASTM-F-316-76采用异丙醇测量了通过延展法制造的多孔PTFE膜的起泡点(bubble point)。
(2)孔隙率
根据ASTM-D-792测量了通过延展法制造的多孔PTFE膜的孔隙率。
(3)开始导电的负荷
采用图5所示的导电确认设置，测量了各向异性导电膜的导电开始负载。在图5所示的导电确认设备中，各向异性导电膜51被放置在镀覆有金的铜片(此后称为“铜板”)52上，且它们被放在重量计56上。具有3mm外径的铜柱53被用作探针，并施加负荷。通过四点探针法测量各向异性导电膜的电阻值。从显示出等于或小于0.5Ω的负荷计算了按压负荷压力，并将该压力定义为导电开始负荷压力。在图5中，54代表恒定电流源且55代表伏特计。
(4)导电次数测试
切割各向异性导电膜以获得5平方毫米的样品。在常温及氮气气氛中采用穿透法通过使用Seiko Instruments Inc制造的TMA/SS120C并按压3毫米直径的一片石英作为探针而评定弹性恢复性能。重量负荷和无负荷重复10次，采用该负荷膜厚的应变为38％，使得每个各向异性导电膜显示出导电性，且此后在变化的膜厚和导电开始负荷下再进行导电测试。
(实例1)
将由延展法制成并具有10平方厘米面积、60％孔隙率、0.1μm平均孔径(BP＝150kPa)和30μm膜厚的三片多孔PTFE膜层叠并放在两块具有3mm厚度、150mm长和100mm宽的不锈钢板之间，且它们在所述不锈钢板负荷下，在350℃被施以30分钟热处理。在所述加热之后，它们被施加于不锈钢板的水施以淬火，从而获得多孔PTFE膜的熔融胶合的三层层状主体。
随后，将钨片放置在所述层状主体的一个侧面，钨片上均匀地形成有9％的孔面积比、15μm孔径和80μm节距的孔，并进行同步加速辐射线照射，使得穿透孔形成在膜厚方向并以15μm孔径和80μm节距相等地排列。
具有所述15μm直径的穿透孔的层状主体被浸在乙醇中一分钟，使得成为亲水的，且接着在60℃下被浸在Meltex Inc.制造的被稀释为100ml/L的Melplate PC-321中4分钟，使得完成脱脂。此外，所述层状主体被浸在10％的硫酸中一分钟，且接着作为预浸，在通过将Meltex Inc.制造的Enplate以180g/L的比例溶解在0.8％的盐酸中而制备的溶液中浸两分钟。
此外，所述层状主体在溶液中浸泡5分钟，使得催化剂粒子被粘附到所述层状主体的表面和所述穿透孔的壁面，该溶液是通过将Meltex Inc.制造的Enplate PC-236以150g/L的比例溶解在通过溶解3％的Meltex Inc.制造的Enplate活性剂444、1％的Enplate活性添加剂和3％的盐酸而制备的溶液中而制备的。随后，所述层状主体在Meltex Inc.制造的Enplate PA-360的5％的溶液中浸5分钟，使得完成钯催化剂核的活化。此后，由所述第一和第三层构成的掩模层被剥落，且因此获得了催化剂钯粒子仅粘附到所述穿透孔的壁面上的多孔PTFE膜(基膜)。
将上述基膜在无电铜镀覆溶液中浸泡20分钟，同时通过充气搅动进行充分搅动，使得仅孔径为15μm的穿透孔的壁面随铜粒子成为导电的(电极的外径＝25μm)，所述无电铜镀覆溶液是由包括分别为5％的体积比和0.1％体积比的Melplate Cu稳定剂的Melplate Cu-3000A、Melplate Cu-3000B、Melplate Cu-3000C和Melplate Cu-3000D的无电电解液的初始成分构成的。此外，将上述基膜在由具有5ml/L的Meltex Inc.制造的Entec Cu-56无电电解液的初始成分构成的溶液中浸泡30秒，以进行防锈处理，且得到了用多孔PTFE膜作为基膜的各向异性导电膜。
在镀覆过程中，除了在所述无电铜镀覆的预浸步骤和添加催化剂的步骤之间以外，每次在溶液中的浸泡之后，都用蒸馏水进行约30秒到一分钟的水洗。除了脱脂处理以外，各个溶液的温度都是常温(20-30℃)。
所述如上制备的采用多孔PTFE膜作为基膜的各向异性导电膜被切割成10平方毫米的片，并用图5所示的设备按照导电开始负荷被测量。采用3mm直径的铜柱作为探针用四点探针法测量了电阻值。从电阻值等于或小于0.5Ω时的负荷所计算出的压缩负荷被定义为导电开始负荷压力。结果，所述导电开始负荷压力是6kPa。
而且，所述各向异性导电膜被切割成5平方毫米的片，并用穿透法采用Seiko Instruments Inc制造的TMA/SS 120C和由3mm直径的石英制成的探针在氮气气氛下于常温评定弹性恢复性能。重量负荷和无重量负荷重复10次并每次都此类膜厚偏移和膜厚方向的导电性。如上所述，若干电阻值等于或小于0.5Ω，就被认为是导电的。结果，所述导电开始负荷压力是6kPa。即使当在使膜厚应变变成38％并获得足够导电性的27.7kPa的负荷下重复重量负荷和无重量负荷10次之后，在无重量负荷中膜厚基本上与检测测量前相同，且证明导电性的实现是在6kPa的导电开始负荷压力下。
(例2)
通过与例1中相同的方法熔融胶合三片多孔PTFE膜形成层状主体。在所述层状主体中形成10μm直径的穿透孔，并进行用于镀覆的预处理。在掩模层剥离后，基膜在无电铜镀覆溶液里被浸泡20分钟，同时该溶液被充气搅拌充分搅动，且铜粒子仅粘附到所述10μm直径的穿透孔的壁壁以提供导电性(电极的外径＝17μm)。随后，进行如例1的防锈处理。这样，得到了由延展法制成的包括为多孔PTFE膜的基膜的各向异性导电膜。当用所述各向异性导电膜进行与例1相同的测试时，所述导电开始负荷压力是6kPa。当在使膜厚应变变成38％并获得足够导电性的27.7kPa的负荷下重复重量负荷和无重量负荷10次之后，在无重量负荷中膜厚基本上与检测测量前相同，且验证了导电性是在6kPa的导电开始负荷压力下实现。
(比较例1)
由延展法制成并具有10平方厘米面积、60％孔隙率、0.1μm平均孔径(BP＝150kPa)和30μm膜厚的三片多孔PTFE膜被层叠在一起。所述层状多孔PTFE膜放在两块具有3mm厚度、150mm长和100mm宽的不锈钢板之间，且它们在所述不锈钢板负荷下，在350℃被施以30分钟热处理。在加热之后，它们被设置于不锈钢板的水施以淬火，因此三层层叠多孔PTFE膜被熔融胶合，导致层状主体。
随后，将其上具有每个孔径都为25μm并以9％的孔面积比以60μm节距的均匀设置的孔的钨片放置在所述层状主体的一个侧面，并照射同步加速辐射线，使得在膜厚方向形成具有25μm直径并以60μm节距相等地排列的穿透孔。
如此形成的具有所述25μm直径的孔的层状主体被浸在乙醇中一分钟，使得成为亲水的之后，在60℃水温下被浸在Meltex Inc.制造的被稀释为100ml/L的Melplate PC-321中4分钟，因此完成脱脂处理。此外，所述层状主体被浸在10％的硫酸中一分钟，且此后作为预浸，在通过将Meltex Inc.制造的Enplate以180g/L的比例溶解在0.8％的盐酸中而制备的溶液中浸两分钟。
随后，所述层状主体在溶液中浸泡5分钟，使得催化剂粒子被粘附到所述层状主体的表面和所述穿透孔的壁面，该溶液是通过将Meltex Inc.制造的Enplate PC-236以150g/L的比例溶解在包括分别以比例3％、1％和3％的Meltex Inc.制造的Enplate活性剂444、Enplate活性添加剂和盐酸的溶液中而制备的。随后，催化剂粒子被粘附到所述层状主体的表面和所述穿透孔的壁面。此外，所述层状主体在Meltex Inc.制造的Enplate PA-360的5％的溶液中浸两分钟，使得完成钯催化剂核的活化。
将上述基膜在无电铜镀覆溶液中浸泡五分钟，同时通过充气搅拌进行充分搅动，使得穿透孔的壁面随铜粒子成为导电的，所述无电铜镀覆溶液是由包括分别为5％的体积比和0.1％体积比的Melplate Cu稳定剂的MelplateCu-3000A、Melplate Cu-3000B、Melplate Cu-3000C和Melplate Cu-3000D的无电电解液的初始成分构成的。
随后，在2A/dm2的电流密度下，使用Meltex Inc.制造的铜-乳CLX作为带电铜镀覆溶液，通过带电铜镀覆用铜填充所述穿透孔30分钟。对所述掩模表面的过分镀覆可以通过浸泡在10％的硫酸溶液中而被蚀刻，直到所述掩模的表面可以被肉眼看到，且此后所述掩模层被手动剥离，为了获得各向异性导电膜，该各向异性导电膜通过在膜厚方向显示出导电性的具有25μm直径的电极而仅在膜厚方向具有导电性，并在膜表面具有7μm的突起电极。
将所得的各向异性导电膜在由5ml/L的Meltex Inc.制造的Entec Cu-56无电电解液的初始成分构成的电解液中浸泡30秒，以此进行防锈处理。这样，得到了用延展法制备的多孔PTFE膜作为基膜且每个穿透孔都被填充导电金属的的各向异性导电膜。
在镀覆过程中，除了在所述带电铜镀覆的预浸步骤和添加催化剂的步骤之间以外，每次在相应溶液中的浸泡之后，都用蒸馏水进行约30秒到一分钟的水洗。除了脱脂处理以外，各个溶液的温度都是常温(20-30℃)。
这样，如图8所示，获得了各向异性导电膜81，在该导电膜中多孔PTFE膜83用作基膜并具有导电部分(电极)82，该导电部分82的每个都具有在所述导电膜两正面的突起，并通过将导电金属填充进每个穿透孔而形成。当用所述各向异性导电膜进行如例1中的相同的测试时，所述导电开始负荷压力是3kPa。在可以获得足够导电性和膜厚应变变为38％的负荷压力37.0kPa下，在重量负荷和无重量负荷重复10次之后，膜厚减小了6.1μm，且在3kPa的导电开始负荷压力下没有获得导电性。
(比较例2)
镍粒子(由日本雾化金属粉末公司Nippon Atomized Metal PowdersCorporation制造，平均粒子直径：10μm)与硅酮橡胶(由Shin-Etsu PolymerCo.Ltd.制造的添加了预定总量的交联剂的添加剂型RTV橡胶KE1206)在室温下混合直到80％体积比。这样制成的混合物在玻璃板上形成具有25μm间隙的刮刀形并随后在80℃的常温炉中硬化一小时。如此，获得了厚约22μm，金属粒子分布在硅胶(silicon elastomer)中的各向异性导电膜。
如此获得的各向异性导电膜91具有其中导电粒子93分布在由硅酮橡胶制成的基膜92中的结构，如图9所示。当对各向异性导电膜进行与例1相似的测试时，所述导电开始负荷压力是25kPa。在可以获得足够导电性和膜厚应变变为38％的负荷压力28.0kPa下，在重量负荷和无重量负荷重复10次之后，膜厚减小了0.7μm，且在25kPa的导电开始负荷压力下没有获得导电性。
表1
  例1   例2   比较例1   比较例2
 基膜   多孔PTFE膜   多孔PTFE膜   多孔PTFE膜   硅酮橡胶
 穿透孔直径[μm]   15   10   25   无
 膜厚[μm]   30   30   44   22
 金属条件   淀积在穿透孔的壁面上   淀积在穿透孔的壁面上   填充在特定位置的多孔结构中   金属粒子分布在弹性体中
 电极直径[μm]   25   17   25   无
  电极间距离[μm]   80   60   80   无
  金属种类   Cu   Cu   Cu   无
  导电开始负荷压力[kPa]   6   6   3   25
  膜厚减小[μm]   0   0   6.1   0.7
  导电性   实现   实现   无   无
(注意)比较例1的膜厚包括导电部分的突起高度。
所述膜厚减小意为在38％的膜厚应力施加10次以后所测量的膜厚减小的总量。导电性意为在38％的膜厚应力施加10次以后所评定的导电性。

Claims (21)

1、一种各向异性导电膜，其中由合成树脂制成的电绝缘多孔膜被用作基膜，并通过以从第一表面穿透到第二表面的方式将导电金属粘附到多孔结构的树脂部分而在所述基膜的多个位置独立地形成能够赋予膜厚方向的导电性的导电部分。
2、根据权利要求1的各向异性导电膜，其中每个导电部分由粘附到从第一表面到第二表面贯穿延伸的穿透孔的壁面上，将导电金属粘附到多孔结构的树脂部分，以此在所述基膜的多个位置形成各个导电部分。
3、根据权利要求1或2的各向异性导电膜，其中每个导电部分由连续地粘附到多孔结构的树脂部分的导电金属粒子形成。
4、根据权利要求3所述的各向异性导电膜，其中所述导电金属粒子是导电金属的无电镀粒子。
5、根据权利要求1到4的任何一个的各向异性导电膜，其中所述多孔膜是多孔聚四氟乙烯膜。
6、根据权利要求5的各向异性导电膜，其中所述多孔结构的树脂部分包括微纤维和节点，每个均由聚四氟乙烯制成，所述节点由所述微纤维彼此连接。
7、根据权利要求1到6的任何一个的各向异性导电膜，其中所述导电部分由以保持所述多孔膜的多孔结构的方式粘附到多孔结构的树脂部分的导电金属制成。
8、根据权利要求1到7的任何一个的各向异性导电膜，其中通过在膜厚方向施加压力而仅在膜厚方向赋予导电性。
9、一种制造各向异性导电膜的方法，其中能够分别在膜厚方向赋予导电性的导电部分以从第一表面穿透到第二表面的方式，通过将导电金属粘附到具有多孔结构的树脂部分而彼此独立地设置在由合成树脂构成的电绝缘多孔膜所制成的基膜的多个位置。
10、如权利要求9所述的制造方法，其中通过在所述基膜的多个位置形成从第一表面穿透到第二表面的穿透孔以及通过将导电金属连续地粘附到所述穿透孔壁面上的多孔结构的树脂部分而设置导电部分。
11、如权利要求10所述的制造方法，其中所述从第一表面穿透到第二表面的穿透孔通过照射同步加速辐射线或具有250nm或更短波长的激光束而形成在所述基膜的多个位置。
12、如权利要求10所述的制造方法，其中所述从第一表面穿透到第二表面的穿透孔通过超声波工艺形成在所述基膜的多个位置。
13、如权利要求9到12的任何一个的制造方法，其中所述导电部分通过将导电金属粒子粘附到多孔结构的树脂部分而设置。
14、如权利要求10到13的任何一个的制造方法，其中导电金属通过无电镀而粘附到穿透孔壁面上的多孔结构的树脂部分。
15、如权利要求14所述的制造方法，其中在各个穿透孔的壁面将用于加速化学还原反应的催化剂粒子粘附到多孔结构的树脂部分上后，再在其上通过以化学还原反应进行的无电镀粘附导电金属。
16、如权利要求9到15的任何一个所述的制造方法，其中所述多孔膜是多孔聚四氟乙烯膜。
17、一种制造各向异性导电膜的方法，其中在由多孔聚四氟乙烯膜构成的基膜的多个位置，以从第一表面穿透到第二表面的方式在多孔结构的树脂部分粘附导电金属，从而分别独立地设置能够在膜厚方向上赋予导电性的各个导电部分，
该方法包括如下步骤：
(1)通过将作为掩模层的聚四氟乙烯膜(B)和(C)熔融接合到由多孔聚四氟乙烯膜(A)构成的基膜的两表面，而形成三层层状主体；
(2)通过同步加速辐射线或以波长为250nm或更短的激光束照射一个掩模层的表面而在层状主体中以一图样形成穿透孔，该同步加速辐射线或激光束通过具有多个以预定图样彼此独立设置的光学透射部分的遮光片而照射；
(3)将用于加速化学还原反应的催化剂粒子粘附到层状主体的整个表面，包括穿透孔的壁面；
(4)从基膜的两表面剥蚀掉掩模；和
(5)通过无电镀在穿透孔的壁面将导电金属粘附到具有多孔结构的树脂部分中。
18、一种制造各向异性导电膜的方法，其中在由多孔聚四氟乙烯膜构成的基膜的多个位置，以从第一表面穿透到第二表面的方式在多孔结构的树脂部分粘附导电金属，从而分别独立地设置能够在膜厚方向上赋予导电性的各个导电部分，
该方法包括如下步骤：
(I)通过将作为掩模层的聚四氟乙烯膜(B)和(C)熔融接合到由多孔聚四氟乙烯膜(A)构成的基膜的两表面，而形成三层层状主体；
(II)通过采用具有至少一个形成于其前端部的杆的超声波头，并将杆的前端部按压在层状主体的表面上而将超声波能量施加到该层状主体的表面上而形成穿透孔，所述穿透孔以一图样排列在层状主体中；
(III)将用于加速化学还原反应的催化剂粒子粘附到层状主体整个表面，包括所述穿透孔壁面；
(IV)从基膜的两表面将掩模层剥离；
(V)通过无电镀在穿透孔的壁面上将导电金属粘附到具有多孔结构的树脂部分中。
19、一种制造各向异性导电膜的方法，其中在由多孔聚四氟乙烯膜构成的基膜的多个位置，以从第一表面穿透到第二表面的方式在多孔结构的树脂部分粘附导电金属，从而分别独立地设置能够在膜厚方向上赋予导电性的各个导电部分，
该方法包括如下步骤：
(i)通过将作为掩模层的聚四氟乙烯膜(B)和(C)熔融接合到由多孔聚四氟乙烯膜(A)构成的基膜的两表面，而形成三层层状主体；
(ii)将液体渗透进层状主体的多孔部分并冻结该液体；
(iii)通过采用具有至少一个形成于其前端部的杆的超声波头，并将杆的端部按压在所述层状主体的表面上而将超声波能量施加到该表面上，在层状主体中以一图样形成穿透孔；
(iv)通过升高所述层状主体的温度而将被冻结的恢复为液体，并除去所述液体；
(v)将用于加速化学还原反应的催化剂粒子粘附到层状主体整个表面，包括所述穿透孔壁面；
(vi)从基膜的表面将掩模层剥离；
(vii)通过无电镀在穿透孔的壁面上将导电金属粘附到具有多孔结构的树脂部分中。
20、如权利要求19所述的制造方法，其中水或有机溶剂被用作上述步骤(ii)中被注入到所述多孔结构中的液体。
21、如权利要求9到20的任何一个所述的制造方法，其中对于粘附导电金属到多孔结构的树脂部分，具有0.001-5μm直径的导电金属粒子以0.001-4.0g/ml的粘附量被粘附。
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